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高頻模塊的制作方法

文檔序號:11454907閱讀:375來源:國知局
高頻模塊的制造方法與工藝

本發(fā)明涉及用無線同時收發(fā)不同頻帶信號的高頻模塊。



背景技術:

近年來,作為用無線同時收發(fā)不同頻帶信號的通信方法,已知有例如載波聚合技術。對應于載波聚合技術的高頻模塊需要對每個頻帶設置天線、接收電路、對發(fā)送信號進行放大的放大電路及分波電路。

若使實現載波聚合的高頻模塊小型化,則各頻帶的隔離特性會下降。具體而言,經過低頻帶用的放大電路放大后的發(fā)送信號的高次諧波容易泄漏到高頻帶用的接收電路。

因此,專利文獻1所記載的高頻模塊通過將低頻帶用的放大電路所包含的匹配電路與基板背面的接地端子連接,而不是與基板內部的接地圖案連接,從而抑制發(fā)送信號的高次諧波經由基板內部的接地圖案泄漏到高頻帶用的接收電路。

低頻帶的發(fā)送信號的高次諧波不僅會通過接地圖案泄漏到高頻帶用的接收電路,有時經由其它路徑也會泄漏到高頻帶用的接收電路。其它路徑有因元件之間及傳輸線路之間發(fā)生的耦合(電磁場耦合和靜電耦合)所形成的路徑。例如,當低頻帶用的放大電路的放大元件與高頻帶用的分波電路的元件之間的空間中發(fā)生了耦合時,會在該元件之間形成路徑。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1:日本專利特開2007-124202號公報



技術實現要素:

發(fā)明所要解決的技術問題

本申請的發(fā)明人了解到通過調整高頻帶用的分波電路的元件的朝向,能夠抑制該元件與低頻帶用的電路元件之間發(fā)生耦合。具體而言,若調整高頻帶用的分波電路的元件的朝向,使得高頻帶用的分波電路的元件的各端子中與接收電路連接的rx端子位于低頻帶用的放大電路的相反側,則能夠抑制上述耦合。另外,除了高頻帶用的分波電路的元件的朝向之外,通過配置各元件以使高頻帶用的分波電路的元件與低頻帶用的電路元件彼此遠離,也能夠抑制上述耦合。

然而,上述各元件的配置會限制基板布局的自由度。

因此,本發(fā)明的目的在于提供一種用無線同時收發(fā)不同頻帶的信號的高頻模塊,其既能防止各頻帶的隔離特性下降,又能確?;宀季值淖杂啥?。

解決技術問題的技術方案

高頻模塊在基板上配置有第一收發(fā)部和第二收發(fā)部,第一收發(fā)部構成為收發(fā)第一頻帶(例如包含900mhz的頻帶)內的信號,第二收發(fā)部構成為收發(fā)高于第一頻帶的第二頻帶(包含1800mhz的頻帶)內的信號。

具體而言,所述第一收發(fā)部和所述第二收發(fā)部分別具有:連接至天線的天線端子;連接至接收電路的接收端子;構成為對發(fā)送信號進行放大的放大電路;以及分波電路,其使所述放大電路放大后的所述第一頻帶及第二頻帶內的發(fā)送信號分別通過至所述天線端子,并且使來自所述天線端子的所述第一頻帶及第二頻帶內的接收信號分別通過至所述接收端子。

第一收發(fā)部的放大電路和第二收發(fā)部的放大電路也可以各自包含匹配電路以對天線側和收發(fā)電路側的阻抗進行匹配。

第一收發(fā)部的分波電路例如由多個saw(surfaceacousticwave:面聲波)濾波器構成,以向天線端子輸出中心頻率為900mhz的發(fā)送信號,并向接收端子輸出中心頻率為940mhz的來自天線端子的接收信號。同樣,第二收發(fā)部的分波電路也由多個saw濾波器構成,從而在包含1800mhz的頻帶中對信號進行分波。

本發(fā)明的高頻模塊還具備阻止耦合元件。阻止耦合元件對所述第一收發(fā)部和第二收發(fā)部的信號收發(fā)不會產生影響。例如,在高頻模塊中,阻止耦合元件與第一收發(fā)部及第二收發(fā)部電隔離,從而對第一收發(fā)部和第二收發(fā)部的信號收發(fā)不會產生影響。

本發(fā)明的高頻模塊的阻止耦合元件配置在所述基板上所述第二收發(fā)部的分波電路的位置與所述第一收發(fā)部的放大電路的位置之間。

通過這樣在基板上配置阻止耦合元件,第一收發(fā)部的放大電路與第二收發(fā)部的分波電路之間的空間中不易發(fā)生耦合(電磁場耦合及靜電耦合)。由于不易發(fā)生該耦合,因此即使從第一收發(fā)部的放大電路輸出的發(fā)送信號的高次諧波包含有第二收發(fā)部的分波電路的通頻帶的頻率分量的情況下,該高次諧波也難以經由該耦合形成的路徑泄漏到接收端子。

例如,即使第二收發(fā)部的分波電路的元件的各端子中連接至接收端子的rx端子朝向第一收發(fā)部的放大電路側,由于上述泄漏被抑制,因此第一頻帶和第二頻帶的隔離特性也不易下降。另外,即使第二收發(fā)部的分波電路與第一收發(fā)部的放大電路彼此靠近,由于上述泄漏被抑制,因此各頻帶的隔離特性也不易下降。

如上所述,本發(fā)明的高頻模塊具備阻止耦合元件,從而抑制從第一收發(fā)部的放大電路輸出的發(fā)送信號的高次諧波泄漏到第二收發(fā)部的接收端子,因此既能防止各頻帶的隔離特性下降,又能確?;宀季值淖杂啥?。

另外,所述阻止耦合元件也可以經由沿所述基板的厚度方向延伸的過孔導體連接至所述基板的接地部。從而,阻止耦合元件能夠進一步抑制第一收發(fā)部的放大電路與第二收發(fā)部的分波電路之間的空間中位于基板內部的空間內發(fā)生耦合。

此外,僅經由所述過孔導體連接至所述阻止耦合元件的所述接地電極也可以在所述基板上與所述第一收發(fā)部的接地部及所述第二收發(fā)部的接地部電隔離。從而,從第一收發(fā)部的放大電路輸出的發(fā)送信號的高次諧波不易經由公共的接地圖案泄漏至第二收發(fā)部的接收端子。

另外,所述阻止耦合元件可以是電感器及電容器,也可以是0(零)歐姆電阻。

發(fā)明效果

本發(fā)明的高頻模塊即使用無線同時收發(fā)不同頻帶的信號,也能防止各頻帶的隔離特性下降,還能確?;宀季值淖杂啥?。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的高頻模塊的電路示例的圖。

圖2(a)是本發(fā)明的實施方式所涉及的高頻模塊的上表面(元件安裝面)圖,圖2(b)是a-a剖視圖。

圖3是本發(fā)明的實施方式所涉及的高頻模塊的變形例1的高頻模塊的剖視圖。

圖4是本發(fā)明的實施方式所涉及的高頻模塊的變形例2的高頻模塊的上表面(元件安裝面)圖。

具體實施方式

本發(fā)明的實施方式所涉及的高頻模塊100的基本情況是:高頻模塊100在lte(longtermevolution:長期演進)標準下收發(fā)信號(例如700mhz~2700mhz的信號)。高頻模塊100為了進行信號的收發(fā),對發(fā)送信號進行放大,通過分頻來對發(fā)送信號和接收信號進行分波,并進行通信頻帶的切換。高頻模塊100實現載波聚合。即,高頻模塊100用無線同時收發(fā)不同頻帶的信號。

高頻模塊100通過在基板上低頻帶用的放大電路的位置與高頻帶用的分波電路的位置之間設置阻止耦合元件,從而抑制從低頻帶用的放大電路輸出的發(fā)送信號的高次諧波泄漏到高頻帶用的接收電路。

阻止耦合元件是阻止元件之間及傳輸線路之間發(fā)生耦合(電磁場耦合和靜電耦合)的元件。本實施方式中,用0(零)歐姆電阻的電阻片作為阻止耦合元件來進行說明。

接下來,使用圖1說明高頻模塊100的詳細情況。圖1是表示高頻模塊100的電路示例的圖。

如圖1所示,高頻模塊100具備低頻帶收發(fā)部10和高頻帶收發(fā)部20。

低頻帶收發(fā)部10具備輸入端子p10和第一天線端子p17。向輸入端子p10輸入低頻帶的發(fā)送信號。第一天線端子p17連接至低頻帶用的天線ant1。高頻帶收發(fā)部20具備輸入端子p20和第二天線端子p27。向輸入端子p20輸入與所述低頻帶的發(fā)送信號相比為高頻帶的發(fā)送信號。第二天線端子p27連接至高頻帶用的天線ant2。

本實施方式中,例如將低頻帶收發(fā)部10主要進行收發(fā)的600mhz~1000mhz的頻帶設為第一頻帶,將高頻帶收發(fā)部20主要進行收發(fā)的1600mhz~2700mhz的頻帶設為第二頻帶來進行說明。

低頻帶收發(fā)部10具備放大電路11、匹配電路12、副開關13、多個雙工器14及雙工器15、以及主開關16。

放大電路11對輸入到輸入端子p10的低頻帶(600mhz~1000mhz)的發(fā)送信號進行放大,并將放大后的發(fā)送信號輸出到匹配電路12。匹配電路12例如具備電感器和電容器,其在第一天線ant1側與放大電路11側之間進行阻抗匹配。

副開關13具備公共端子p13、多個專用端子p134、p135。公共端子p13連接至匹配電路12。專用端子p134連接至雙工器14。專用端子p135連接至雙工器15。

主開關16與副開關13組對,為了從雙工器14和雙工器15中選出匹配電路12和第一天線ant1構成的路徑所使用的雙工器,在匹配電路12與某一個雙工器連接、以及該雙工器與第一天線端子p17連接之間進行切換。其中的切換基于從控制ic213(參照圖2(a))輸出的控制信號進行。

雙工器14例如在lte標準的band19(800mhz的頻帶)下,通過分頻來對發(fā)送信號和接收信號進行分波。具體而言,雙工器14具有公共端子和2個專用端子。雙工器14具有一體形成在同一個殼體中的發(fā)送側濾波器st14和接收側濾波器sr14。接收側濾波器sr14具有平衡-不平衡轉換功能。

雙工器14的公共端子連接至主開關16的專用端子p164。雙工器14的一個專用端子上連接有發(fā)送側濾波器st14和副開關13的專用端子p134。雙工器14的另一個專用端子上連接有接收側濾波器sr14和接收端子p14。接收端子p14連接至實現高頻模塊100的基板以外的主基板的接收電路(未圖示)。

發(fā)送側濾波器st14例如是saw(surfaceacousticwave:表面聲波)濾波器,是以830mhz~845mhz為通頻帶,其它頻帶為衰減頻帶的濾波器。接收側濾波器sr14例如是saw濾波器,是以875mhz~890mhz為通頻帶,其它頻帶為衰減頻帶的濾波器。也可以使用baw(bulkacousticwave:體聲波)濾波器來代替saw濾波器。

雙工器15例如在lte標準的band17(700mhz的頻帶)下,通過分頻來對發(fā)送信號和接收信號進行分波。具體而言,雙工器15具有公共端子和2個專用端子。雙工器15具有一體形成在同一個殼體中的發(fā)送側濾波器st15和接收側濾波器sr15。接收側濾波器sr15具有平衡-不平衡轉換功能。

雙工器15的公共端子連接至主開關16的專用端子p165。雙工器15的一個專用端子上連接有發(fā)送側濾波器st15和副開關13的專用端子p135。雙工器15的另一個專用端子上連接有接收側濾波器sr15和接收端子p15。接收端子p15連接至實現高頻模塊100的基板以外的主基板的接收電路(未圖示)。

發(fā)送側濾波器st15例如是saw濾波器,是以704mhz~716mhz為通頻帶,其它頻帶為衰減頻帶的濾波器。接收側濾波器sr15例如是saw濾波器,是以734mhz~746mhz為通頻帶,其它頻帶為衰減頻帶的濾波器。

主開關16的公共端子p16連接至第一天線端子p17。第一天線ant1采用適合收發(fā)低頻帶信號的形狀。

高頻帶收發(fā)部20具有與低頻帶收發(fā)部10相同的結構,收發(fā)的信號頻帶不同。高頻帶收發(fā)部20具備放大電路21、匹配電路22、副開關23、多個雙工器24及雙工器25、以及主開關26。

放大電路21對輸入到輸入端子p20的高頻帶(1600mhz~2700mhz)的發(fā)送信號進行放大,并將放大后的發(fā)送信號輸出到匹配電路22。匹配電路22例如具備電感器和電容器,其在第二天線ant2側與放大電路21側之間進行阻抗匹配。

副開關23具備公共端子p23、多個專用端子p234、p235。公共端子p23連接至匹配電路22。專用端子p234連接至雙工器24。專用端子p235連接至雙工器25。

主開關26與副開關23組對,為了從雙工器24和雙工器25中選出匹配電路22和第二天線ant2的連接路徑所使用的雙工器,在匹配電路22與某一個雙工器連接、以及該雙工器與第二天線端子p27連接之間進行切換。切換基于從控制ic213輸出的控制信號來進行。

雙工器24例如在lte標準的band1(2100mhz的頻帶)下,通過分頻來對發(fā)送信號和接收信號進行分波。具體而言,雙工器24具有公共端子和2個專用端子。雙工器24具有一體形成在同一個殼體中的發(fā)送側濾波器st24和接收側濾波器sr24。接收側濾波器sr24具有平衡-不平衡轉換功能。

雙工器24的公共端子連接至主開關26的專用端子p264。雙工器24的其中一個專用端子上連接有發(fā)送側濾波器st24。雙工器24的另一個專用端子上連接有接收側濾波器sr24和接收端子p24。接收端子p24連接至實現高頻模塊100的基板以外的主基板的接收電路(未圖示)。

發(fā)送側濾波器st24例如是saw濾波器,是以1920mhz~1980mhz為通頻帶,其它頻帶為衰減頻帶的濾波器。接收側濾波器sr24例如是saw濾波器,是以2110mhz~2170mhz為通頻帶,其它頻帶為衰減頻帶的濾波器。

雙工器25例如在lte標準的band7(2600mhz的頻帶)下,通過分頻來對發(fā)送信號和接收信號進行分波。具體而言,雙工器25具有公共端子和2個專用端子。雙工器25具有一體形成在同一個殼體中的發(fā)送側濾波器st25和接收側濾波器sr25。接收側濾波器sr25具有平衡-不平衡轉換功能。

雙工器25的公共端子連接至主開關26的專用端子p265。雙工器25的其中一個專用端子上連接有發(fā)送側濾波器st25。雙工器25的另一個專用端子上連接有接收側濾波器sr25和接收端子p25。接收端子p25連接至實現高頻模塊100的基板以外的主基板的接收電路(未圖示)。

發(fā)送側濾波器st25例如是saw濾波器,是以2500mhz~2570mhz為通頻帶,其它頻帶為衰減頻帶的濾波器。接收側濾波器sr25例如是saw濾波器,是以2620mhz~2690mhz為通頻帶,其它頻帶為衰減頻帶的濾波器。

主開關26的公共端子p26連接至第二天線端子p27。第二天線ant2采用適合收發(fā)高頻帶信號的形狀。

關于高頻模塊100的動作,以在lte標準的band19下進行收發(fā)為例來進行說明。在以lte標準的band19下進行收發(fā)的情況下,控制ic213進行控制來切換副開關13及主開關16的連接,從而經由雙工器14向第一天線ant1輸出發(fā)送信號。具體而言,控制ic213向副開關13和主開關16輸出控制信號,以使公共端子p13與專用端子p134連接,使公共端子p16與專用端子p164連接。

輸入到輸入端子p10的發(fā)送信號經放大電路11放大后,依次通過匹配電路12、副開關13、雙工器14的發(fā)送側濾波器st14,從而實現704mhz~716mhz的頻率分量為主要頻率分量的濾波。之后,發(fā)送信號依次通過主開關16、第一天線端子p17,并輸出到第一天線ant1。

關于lte標準的band19的接收情況,第一天線ant1接收到的接收信號依次通過第一天線端子p17、主開關16,然后輸入到雙工器14。接收信號經過接收側濾波器sr14,向接收端子p14輸出875mhz~890mhz的頻率分量。

高頻模塊100為了實現載波聚合,在lte標準的band19以外的band下也同時通過無線收發(fā)信號。下面,將與lte標準的band19同時收發(fā)信號的band設為band1來進行說明。在以lte標準的band1下進行收發(fā)信號的情況下,控制ic213進行控制來切換副開關23及主開關26的連接,從而經由雙工器24向第二天線ant2輸出發(fā)送信號。具體而言,控制ic213向副開關23和主開關26輸出控制信號,以使公共端子p23與專用端子p234連接,使公共端子p26與專用端子p264連接。

輸入到輸入端子p20的發(fā)送信號經放大電路21放大后,依次通過匹配電路22、副開關23、雙工器24的發(fā)送側濾波器st24,從而實現1920mhz~1980mhz的頻率分量為主要頻率分量的濾波。之后,發(fā)送信號依次通過主開關26的專用端子p264、公共端子p26、第二天線端子p27,并輸出到第二天線ant2。

關于lte標準的band1的接收情況,第二天線ant2接收到的接收信號依次通過第二天線端子p27、主開關26,然后輸入到雙工器24。接收信號經過接收側濾波器sr24,向接收端子p24輸出2110mhz~2170mhz的頻率分量。

如上所述,高頻模塊100在lte標準的band19(低頻帶)和band1(高頻帶)下同時通過無線收發(fā)信號。高頻模塊100在band17和band7下同時通過無線收發(fā)信號。高頻模塊100不限于在2個頻帶下同時收發(fā)信號,也可以在各自的通頻帶的頻率不同的三個以上的頻帶下同時收發(fā)信號,還可以在2個低頻帶和1個高頻帶這樣的多個頻帶下同時收發(fā)信號。高頻模塊100在2個低頻帶和1個高頻帶這3個通頻帶下同時收發(fā)信號時,也可以將一共3個通頻帶設定為低頻帶、中頻帶和高頻帶。3個以上的通頻帶內的低頻帶或高頻帶也可以設定為包含互不相同的多個通頻帶。

本實施方式所涉及的高頻模塊100為了抑制從放大電路11輸出的低頻帶的發(fā)送信號的高次諧波泄漏到高頻帶收發(fā)部20的接收端子p24、p25,設置了電阻24r、電阻25r。電阻24r和電阻25r分別是0(零)歐姆電阻的電阻片。高頻模塊100也可以設置電感器和電容器等其它元件來代替電阻24r和25r。

如圖1所示,電阻24r和電阻25r串聯連接在高頻模塊100的輸入端子p30與輸出端子p31之間。電阻24r、電阻25r同低頻帶收發(fā)部10及高頻帶收發(fā)部20電隔離。即,電阻24r和電阻25r不會對低頻帶收發(fā)部10及高頻帶收發(fā)部20的信號收發(fā)產生影響。

下面,使用圖2(a)和圖2(b)來說明包含電阻24r和電阻25r的高頻模塊100的電路元件在基板上的配置。圖2(a)是高頻模塊100的上表面(元件安裝面)圖。圖2(b)是a-a剖面圖。

如圖2(a)所示,高頻模塊100通過在基板200上配置實現圖1所示的電路示例的多個元件而構成。具體而言,基板200上配置有ic211、控制ic213、多個貼片元件(電阻、電容器、電感器等中的任意一種)212、雙工器14、15、24、25、包含副開關13、23的開關ic217、包含主開關16、26的開關ic219。

在俯視基板200時,在基板200的位于-x側且+y側的角部配置有放大元件214和多個貼片元件215。這些放大元件214和多個貼片元件215是用于實現低頻帶收發(fā)部10的放大電路11的元件。

俯視基板200時,基板200的+x側設有雙工器24和雙工器25。但是實際的高頻模塊100除了雙工器14、15、24、25以外,還具備雙工器dup,因此圖2中示出了更多的雙工器。

此處,雙工器24具備連接至副開關23的tx端子241、連接至接收端子p24的rx端子242。雙工器25具備連接至副開關23的tx端子251、連接至接收端子p25的rx端子252。

如圖2所示,俯視基板200時,rx端子242配置在雙工器24的-x側。tx端子241在俯視基板200時配置于雙工器24的+x側。換言之,雙工器24經由接收端子p24連接至接收電路的rx端子242的朝向是比tx端子241更靠放大電路11側。rx端子252在俯視基板200時配置于雙工器25的-x側。tx端子251在俯視基板200時配置于雙工器25的+x側。換言之,雙工器25經由接收端子p25連接至接收電路的rx端子252的朝向是比tx端子251更靠放大電路11側。

此處,在不具備電阻24r和電阻25r的現有技術的高頻模塊中,若高頻帶用的雙工器的rx端子朝向放大電路側,則在該放大電路與從該rx端子到接收電路的路徑之間的空間中有時會發(fā)生耦合。該耦合有可能導致從低頻帶用的放大電路輸出的發(fā)送信號的高次諧波、即包含有高頻帶用的分波電路的通頻帶的頻率分量的高次諧波泄漏到高頻帶用的接收電路。

因此,本實施方式所涉及的高頻模塊100中,通過在基板200上雙工器24、25的各位置與放大電路11的位置之間設置電阻24r和電阻25r,防止低頻帶的發(fā)送信號的高次諧波泄漏到接收端子p24、p25。

具體而言,如圖2所示,基板200上,電阻24r配置在雙工器24的位置與放大電路11的位置之間。即,基板200上,電阻24r配置在雙工器24的位置與放大元件214及多個貼片元件215的各個位置之間。

通過這樣配置電阻24r,在放大電路11與從主開關26經由雙工器24到接收端子p24的路徑h1之間的空間上存在有電阻24r。從而,放大電路11與路徑h1之間的空間中不易發(fā)生電磁場耦合和靜電耦合(以下簡稱為耦合)。例如,在實現放大電路11的放大元件214與路徑h1中包含的雙工器24之間的空間中不易發(fā)生耦合。其結果是,高頻模塊100能夠抑制從放大電路11輸出的發(fā)送信號的高次諧波經由因上述耦合形成的路徑而泄漏到接收端子p24。

同樣,基板200上,電阻25r配置在雙工器25的位置與放大電路11的位置之間。即,基板200上,電阻25r配置在雙工器25的位置與放大元件214及多個貼片元件215的各個位置之間。

通過這樣配置電阻25r,在放大電路11與從主開關26經由雙工器25到接收端子p25的路徑h2之間的空間上存在有電阻25r。從而,在放大電路11與路徑h2之間的空間中不易發(fā)生耦合。其結果是,高頻模塊100能夠抑制從放大電路11輸出的發(fā)送信號的高次諧波經由因上述耦合形成的路徑而泄漏到接收端子p25。

另外,雙工器24和雙工器25即使配置成相互靠近放大電路11,由于電阻24r和電阻25r能夠抑制放大電路11與路徑h1、h2之間的空間中發(fā)生耦合,因此也能夠抑制實現放大電路11的放大元件214與路徑h1、h2所包含的雙工器24及雙工器25之間的空間中發(fā)生耦合。

如上所述,高頻模塊100中,即使在雙工器24、25的rx端子242、252朝向放大電路11側、或者雙工器24、25與放大電路11彼此靠近的情況下,也能防止低頻帶的發(fā)送信號的高次諧波泄漏到接收端子p24、p25。即,本實施方式所涉及的高頻模塊100既能防止lte標準的各頻帶的隔離特性下降,又能確?;?00上包含雙工器24、25及放大元件214在內的各元件的位置及朝向的設定的自由度(以下稱為基板布局)。

電阻24r和電阻25r是各自有立體形狀的貼片元件,當安裝到基板200上時,成為在基板200的上表面的法線方向上突出的形狀。高頻模塊100也可以具備上述突出的量更大的阻止耦合元件。即,高頻模塊100也可以具備在基板200的上表面的法線方向上具有更高形狀的阻止耦合元件。阻止耦合元件的形狀越高,阻止上述耦合的效果就越大。

另外,關于電阻24r和電阻25r的詳細配置,電阻24r配置在基板200上雙工器24的rx端子242的位置與放大元件214的位置之間。電阻24r配置在上述兩個位置之間的rx端子242側。高頻模塊100通過在基板200上將電阻24r的位置配置成更靠近rx端子242的位置,從而能夠進一步抑制放大電路11與從rx端子242到接收端子p24的路徑之間的空間中發(fā)生耦合。

同樣,電阻25r在基板200上配置在雙工器25的rx端子252的位置與放大元件214的位置之間。電阻25r配置在上述兩個位置之間的rx端子252側。高頻模塊100通過在基板200上將電阻25r的位置配置成更靠近rx端子252的位置,從而能夠進一步有效抑制放大電路11與從rx端子252到接收端子p25的路徑之間的空間中發(fā)生耦合。

另外,如圖2(b)的剖面圖所示,電阻25r經由沿著基板200的厚度方向(z方向)延伸的過孔導體266和內部布線265連接至接地電極261。接地電極261配置在基板200的與安裝有放大元件214、雙工器24、25及電阻24r、25r的安裝面(上表面)相對的下表面。雙工器25、dup的各端子經由內部布線264和過孔導體263連接至電極262及接地電極261。雖然省略了圖示,但電阻24r也經由過孔導體和內部布線連接至接地電極。

高頻模塊100中,電阻24r和電阻25r分別連接至接地的過孔導體266,因此即使是在放大電路11與路徑h1、h2之間的空間中的基板200內部,也能抑制發(fā)生耦合。但電阻24r和電阻25r也可以是分別連接至不接地的過孔導體。另外,電阻24r和電阻25r也可以是僅安裝在基板200的上表面而不與基板200的布線圖案連接。

接下來,圖3是高頻模塊100的變形例1所涉及的高頻模塊100a的剖面圖。變形例1所涉及的高頻模塊100a中,電阻25r僅經由過孔導體266a連接至接地電極261a。

由此,高頻模塊100a中,過孔導體266a與電阻25r不經由內部布線地連接,從而能夠增大抑制上述耦合的效果。

此外,如圖3所示,僅經由過孔導體266a連接至電阻25r的接地電極261a與雙工器dup等的低頻帶收發(fā)部10及高頻帶收發(fā)部20各自的結構所連接的接地電極261是不同的。從而,從放大電路11輸出的發(fā)送信號的高次諧波不易經由公共的內部布線及公共的接地電極泄漏到接收端子p24、p25。

在上述例子中,每一個雙工器都設置了作為阻止耦合元件的電阻,但也可以如下地設置更多的電阻。

圖4是高頻模塊100的變形例2所涉及的高頻模塊100b的上表面(元件安裝面)圖。高頻模塊100b與高頻模塊100的不同點在于配置有多個電阻20r,從而將包含雙工器24、25在內的高頻帶收發(fā)部20的各雙工器與放大電路11劃分開。

如圖4所示,多個電阻20r沿著y方向排列。從而,放大電路11與從主開關26經由雙工器24、25到接收端子p24、p25的路徑h1、h2之間的空間中更不易發(fā)生耦合。

標號說明

10低頻帶收發(fā)部

11放大電路

12匹配電路

13副開關

14、15雙工器

16主開關

20高頻帶收發(fā)部

20r電阻

21放大電路

22匹配電路

23副開關

24、25雙工器

24r、25r電阻

26主開關

100、100a、100b高頻模塊

200基板

211ic

213控制ic

214放大元件

212、215貼片元件

217、219開關ic

241、251tx端子

242、252rx端子

261、261a接地電極

262電極

263、266、266a過孔導體

264、265內部布線

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