一種壞點(diǎn)遮蓋方法和系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例提供一種壞點(diǎn)遮蓋方法和系統(tǒng)，解決了現(xiàn)有技術(shù)中由于芯片內(nèi)SRAM的大小有限，而使得壞點(diǎn)表存儲受限，以及芯片制造成本增加的問題。該壞點(diǎn)遮蓋方法包括：將壞點(diǎn)表存儲在芯片外部存儲器；從所述芯片外部存儲器中讀取所述壞點(diǎn)表中的壞點(diǎn)坐標(biāo)存入芯片內(nèi)部存儲器；根據(jù)所述芯片內(nèi)部存儲器中存儲的壞點(diǎn)坐標(biāo)，對落入所述壞點(diǎn)坐標(biāo)的顯示數(shù)據(jù)進(jìn)行遮蓋處理；清除所述芯片內(nèi)部存儲器中已完成遮蓋處理的壞點(diǎn)坐標(biāo)；繼續(xù)從所述芯片外部存儲器中讀取壞點(diǎn)坐標(biāo)存入所述芯片內(nèi)部存儲器已清除的存儲空間。
【專利說明】一種壞點(diǎn)遮蓋方法和系統(tǒng)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及數(shù)字圖像處理領(lǐng)域，特別涉及一種壞點(diǎn)遮蓋方法和系統(tǒng)。
技術(shù)背景
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中的壞點(diǎn)遮蓋是首先通過特殊程序檢測出圖像傳感器的壞點(diǎn)，將壞點(diǎn)的坐標(biāo)保存在一壞點(diǎn)表中；然后芯片再根據(jù)該壞點(diǎn)表對圖像傳感器實(shí)時傳輸?shù)娘@示數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，以遮蓋算法對落入壞點(diǎn)坐標(biāo)的顯示數(shù)據(jù)進(jìn)行遮蓋。其中，壞點(diǎn)表存儲在芯片內(nèi)部的單口 SRAM(靜態(tài)存儲器)中?，F(xiàn)有的SRAM—般只能儲存1024個壞點(diǎn)坐標(biāo)，每個壞點(diǎn)坐標(biāo)的位寬為12-bit。
[0003]然而隨著圖像傳感器分辨率的不斷提高，圖像傳感器的壞點(diǎn)數(shù)量以及壞點(diǎn)坐標(biāo)的位寬也不斷增加。以4K分辨率的圖像傳感器為例，壞點(diǎn)坐標(biāo)的位寬至少要擴(kuò)展到13-bit，這樣現(xiàn)有SRAM的大小則至少需要增加4%。此外，4K分辨率的像素點(diǎn)數(shù)量高達(dá)4096*2160個，即使只有其中1 %的像素點(diǎn)為壞點(diǎn)，芯片內(nèi)SRAM的尺寸也必須成百倍增加。而增加SRAM的尺寸不僅有悖于當(dāng)今社會對芯片“微型化”的要求，還會增加芯片的制造成本。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種新的壞點(diǎn)遮蓋方法和系統(tǒng)，解決了現(xiàn)有技術(shù)中由于芯片內(nèi)SRAM的大小有限，而使得壞點(diǎn)表存儲受限，以及芯片制造成本增加的問題。
[0005]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種壞點(diǎn)遮蓋方法，包括:
[0006]將壞點(diǎn)表存儲在芯片外部存儲器；
[0007]從所述芯片外部存儲器中讀取所述壞點(diǎn)表中的壞點(diǎn)坐標(biāo)存入芯片內(nèi)部存儲器；
[0008]根據(jù)所述芯片內(nèi)部存儲器中存儲的壞點(diǎn)坐標(biāo)，對落入所述壞點(diǎn)坐標(biāo)的顯示數(shù)據(jù)進(jìn)行遮蓋處理；
[0009]清除所述芯片內(nèi)部存儲器中已完成遮蓋處理的壞點(diǎn)坐標(biāo)；
[0010]從所述芯片外部存儲器中讀取壞點(diǎn)坐標(biāo)存入所述芯片內(nèi)部存儲器已清除的存儲空間。
[0011]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種壞點(diǎn)遮蓋方法系統(tǒng)，包括:
[0012]控制模塊，配置為從芯片外部存儲器中讀取壞點(diǎn)表中的壞點(diǎn)坐標(biāo)存入芯片內(nèi)部存儲器，其中，所述芯片外部存儲器預(yù)先存儲有所述壞點(diǎn)表；
[0013]遮蓋模塊，配置為根據(jù)所述芯片內(nèi)部存儲器中存儲的壞點(diǎn)坐標(biāo)，對落入所述壞點(diǎn)坐標(biāo)的顯示數(shù)據(jù)進(jìn)行遮蓋處理；
[0014]清除模塊，配置為清除所述芯片內(nèi)部存儲器中已完成遮蓋處理的壞點(diǎn)坐標(biāo)。
[0015]利用本發(fā)明實(shí)施例所提供的壞點(diǎn)遮蓋方法和系統(tǒng)，將壞點(diǎn)表存儲在芯片外部存儲器，壞點(diǎn)坐標(biāo)的存儲以及壞點(diǎn)坐標(biāo)的位寬不再受芯片內(nèi)部存儲器的限制，擴(kuò)展了壞點(diǎn)表的容量。此外，芯片內(nèi)部存儲器不用同時存儲壞點(diǎn)表中的所有壞點(diǎn)坐標(biāo)，減小了芯片內(nèi)部存儲器的大小，這不僅有利于減小芯片制造尺寸，還降低了芯片的制造成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1所示為本發(fā)明一實(shí)施例所提供的壞點(diǎn)遮蓋方法的流程示意圖。
[0017]圖2所示為本發(fā)明一實(shí)施例所提供的壞點(diǎn)遮蓋方法的流程示意圖。
[0018]圖3所示為本發(fā)明一實(shí)施例所提供的壞點(diǎn)遮蓋系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0019]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清除、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0020]圖1所示為本發(fā)明一實(shí)施例所提供的壞點(diǎn)遮蓋方法的流程示意圖。如圖1所示，該壞點(diǎn)遮蓋方法包括:
[0021]步驟101:將壞點(diǎn)表存儲在芯片外部存儲器。其中，壞點(diǎn)表中包括通過特殊程序檢測出的圖像傳感器的所有壞點(diǎn)的壞點(diǎn)坐標(biāo)。這樣后續(xù)的遮蓋步驟中，只需針對該壞點(diǎn)表中的壞點(diǎn)坐標(biāo)對顯示數(shù)據(jù)進(jìn)行遮蓋處理即可。
[0022]本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，壞點(diǎn)表的生成方法可采用現(xiàn)有技術(shù)中的任何檢測方法，本發(fā)明對此不做限定。
[0023]步驟102:從所述芯片外部存儲器中讀取所述壞點(diǎn)表中的壞點(diǎn)坐標(biāo)存入芯片內(nèi)部存儲器。
[0024]由于芯片內(nèi)部存儲器的尺寸大小受限，而壞點(diǎn)表的數(shù)據(jù)量可能較大。因此在實(shí)際的實(shí)現(xiàn)過程中，僅將壞點(diǎn)表中的一部分壞點(diǎn)坐標(biāo)存入芯片內(nèi)部存儲器。在完成對落入芯片內(nèi)部存儲器中壞點(diǎn)坐標(biāo)的顯示數(shù)據(jù)的遮蓋處理的同時，再繼續(xù)從芯片外部存儲器讀取壞點(diǎn)坐標(biāo)繼續(xù)進(jìn)行遮蓋處理，具體步驟描述請見步驟104?105。
[0025]步驟103:根據(jù)所述芯片內(nèi)部存儲器中存儲的壞點(diǎn)坐標(biāo)，對落入所述壞點(diǎn)坐標(biāo)的顯示數(shù)據(jù)進(jìn)行遮蓋處理。具體過程為，如果判斷圖像傳感器傳輸?shù)娘@示數(shù)據(jù)落入了某一壞點(diǎn)坐標(biāo)，則對該顯示數(shù)據(jù)進(jìn)行遮蓋處理，并執(zhí)行步驟104。在本發(fā)明一實(shí)施例中，以顯示數(shù)據(jù)的傳輸序列順序判斷顯示數(shù)據(jù)是否落入壞點(diǎn)坐標(biāo)。
[0026]步驟104:清除所述芯片內(nèi)部存儲器中已完成遮蓋處理的壞點(diǎn)坐標(biāo)。在本發(fā)明一實(shí)施例中，清除的具體過程可以為:每完成一壞點(diǎn)坐標(biāo)上顯示數(shù)據(jù)的遮蓋處理，即從所述芯片內(nèi)部存儲器中清除該壞點(diǎn)坐標(biāo)。
[0027]步驟105:從所述芯片外部存儲器中讀取壞點(diǎn)坐標(biāo)存入所述芯片內(nèi)部存儲器已清除的存儲空間。在本發(fā)明一實(shí)施例中，步驟105和步驟103是并行進(jìn)行的，即在從芯片外部存儲器中讀取壞點(diǎn)坐標(biāo)存入所述芯片內(nèi)部存儲器已清除的存儲空間的同時，遮蓋處理的過程也在繼續(xù)進(jìn)行。
[0028]在本發(fā)明一實(shí)施例中，為了提高壞點(diǎn)遮蓋的效率，可以是在芯片內(nèi)部存儲器中已清除壞點(diǎn)坐標(biāo)的數(shù)量達(dá)到一預(yù)設(shè)閥值時，再讀取壞點(diǎn)表中剩余的壞點(diǎn)坐標(biāo)存入芯片內(nèi)部存儲器以繼續(xù)進(jìn)行遮蓋處理。下面通過圖2所示的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0029]圖2所示為本發(fā)明一實(shí)施例所提供的壞點(diǎn)遮蓋方法的流程示意圖。在圖2所示的實(shí)施例中，預(yù)設(shè)閥值設(shè)定為:已清除壞點(diǎn)坐標(biāo)的數(shù)量達(dá)到所述芯片內(nèi)部存儲器所能存儲壞點(diǎn)坐標(biāo)總量的四分之一。此外，芯片外部存儲器采用DDR存儲器，其中的壞點(diǎn)表中壞點(diǎn)坐標(biāo)的總數(shù)量為N。芯片內(nèi)部存儲器采用SRAM存儲器，其所能存儲壞點(diǎn)坐標(biāo)的總量為Μ (Μ < Ν)。如圖2所示，該壞點(diǎn)遮蓋方法包括:
[0030]步驟201:從DDR中讀取了 Μ個壞點(diǎn)坐標(biāo)，并將“SRAM中壞點(diǎn)坐標(biāo)的數(shù)量”(后文以dp_sram_cnt表示)設(shè)為M,將“已遮蓋處理的壞點(diǎn)坐標(biāo)的數(shù)量”(后文以dp_cnt表示)設(shè)為0,將“壞點(diǎn)表中壞點(diǎn)坐標(biāo)的總數(shù)量”(后文以dp_total表示)設(shè)為N。
[0031]步驟202:將該Μ個壞點(diǎn)坐標(biāo)寫入SRAM。
[0032]步驟203:開始按顯示數(shù)據(jù)的傳輸序列進(jìn)行壞點(diǎn)判斷。當(dāng)判斷當(dāng)前處理的顯示數(shù)據(jù)未落入壞點(diǎn)坐標(biāo)時，則繼續(xù)對下一個顯示數(shù)據(jù)進(jìn)行判斷；當(dāng)判斷當(dāng)前處理的顯示數(shù)據(jù)落入壞點(diǎn)坐標(biāo)時，則對該顯示數(shù)據(jù)進(jìn)行遮蓋，并執(zhí)行步驟204。
[0033]步驟204:將 dp_sram_cnt 減 1,并將 dp_cnt 加 1。
[0034]步驟205:判斷dp_cnt是否達(dá)到了 dp_total。若已達(dá)到，則說明壞點(diǎn)表中所有壞點(diǎn)坐標(biāo)上的顯示數(shù)據(jù)都被遮蓋完畢，流程結(jié)束；若未達(dá)到，則執(zhí)行步驟206。
[0035]步驟206:判斷dp_sram_cnt是否大于3/4*M。若判斷結(jié)果為是，則證明還未達(dá)到預(yù)設(shè)閥值，此時返回步驟203開始對下一個顯示數(shù)據(jù)進(jìn)行判斷；若判斷結(jié)果為否，則證明已有1/4*M個壞點(diǎn)坐標(biāo)上的顯示數(shù)據(jù)已被遮蓋完畢,此時執(zhí)行步驟207。
[0036]步驟207:從DDR讀取1/4*M個壞點(diǎn)坐標(biāo)存入SRAM已清除的存儲空間，然后返回步驟203繼續(xù)對序列中的顯示數(shù)據(jù)進(jìn)行遮蓋處理。
[0037]如此循環(huán)反復(fù)直至壞點(diǎn)表中所有的壞點(diǎn)坐標(biāo)上的顯示數(shù)據(jù)都被遮蓋完畢，流程結(jié)束。
[0038]在本發(fā)明一實(shí)施例中，芯片外部存儲器可以是DDR存儲器。芯片內(nèi)部存儲器可以是32b*128，即大小為0.5kb的雙口 SRAM存儲器。在本發(fā)明一實(shí)施例中，可以通過寄存器，配置待檢測表大小，總壞點(diǎn)數(shù)，壞點(diǎn)坐標(biāo)的位寬?？梢酝ㄟ^修改待檢測表中內(nèi)容的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)來靈活配置壞點(diǎn)坐標(biāo)的位寬。
[0039]圖3所示為本發(fā)明一實(shí)施例所提供的壞點(diǎn)遮蓋系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，該壞點(diǎn)遮蓋系統(tǒng)包括:
[0040]控制模塊，配置為從芯片外部存儲器中讀取壞點(diǎn)表中的壞點(diǎn)坐標(biāo)存入芯片內(nèi)部存儲器，其中，芯片外部存儲器預(yù)先存儲有壞點(diǎn)表。
[0041]遮蓋模塊，配置為根據(jù)芯片內(nèi)部存儲器中存儲的壞點(diǎn)坐標(biāo)，對落入壞點(diǎn)坐標(biāo)的顯示數(shù)據(jù)進(jìn)行遮蓋處理。
[0042]清除模塊，配置為清除芯片內(nèi)部存儲器中已完成遮蓋處理的壞點(diǎn)坐標(biāo)。
[0043]在本發(fā)明一實(shí)施例中，還可以進(jìn)一步包括:第一判斷模塊，配置為判斷顯示數(shù)據(jù)是否落入壞點(diǎn)坐標(biāo)。
[0044]在本發(fā)明另一實(shí)施例中，還可以進(jìn)一步包括:第二判斷模塊，配置為判斷芯片內(nèi)部存儲器中已遮蓋處理的壞點(diǎn)坐標(biāo)的數(shù)量是否達(dá)到一預(yù)設(shè)閥值。則此時控制模塊還可以進(jìn)一步根據(jù)第二判斷模塊返回的確定結(jié)果從芯片外部存儲器中讀取壞點(diǎn)坐標(biāo)存入芯片內(nèi)部存儲器已清除的存儲空間。
[0045]在本發(fā)明另一實(shí)施例中，清除模塊和控制模塊集成為一個芯片內(nèi)部的模塊。
[0046]以上僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種壞點(diǎn)遮蓋方法，其特征在于，包括: 將壞點(diǎn)表存儲在芯片外部存儲器； 從所述芯片外部存儲器中讀取所述壞點(diǎn)表中的壞點(diǎn)坐標(biāo)存入芯片內(nèi)部存儲器； 根據(jù)所述芯片內(nèi)部存儲器中存儲的壞點(diǎn)坐標(biāo)，對落入所述壞點(diǎn)坐標(biāo)的顯示數(shù)據(jù)進(jìn)行遮蓋處理； 清除所述芯片內(nèi)部存儲器中已完成遮蓋處理的壞點(diǎn)坐標(biāo)； 從所述芯片外部存儲器中讀取壞點(diǎn)坐標(biāo)存入所述芯片內(nèi)部存儲器已清除的存儲空間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對落入所述壞點(diǎn)坐標(biāo)的顯示數(shù)據(jù)進(jìn)行遮蓋處理包括: 以所述顯示數(shù)據(jù)的傳輸序列順序判斷所述顯示數(shù)據(jù)是否落入壞點(diǎn)坐標(biāo)；如果判斷結(jié)果為是，則對該落入壞點(diǎn)坐標(biāo)的顯示數(shù)據(jù)進(jìn)行遮蓋處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述清除所述芯片內(nèi)部存儲器中已完成遮蓋處理的壞點(diǎn)坐標(biāo)包括: 每完成一壞點(diǎn)坐標(biāo)上顯示數(shù)據(jù)的遮蓋處理，即從所述芯片內(nèi)部存儲器中清除該壞點(diǎn)坐標(biāo)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述從所述芯片外部存儲器中讀取壞點(diǎn)坐標(biāo)存入所述芯片內(nèi)部存儲器已清除的存儲空間包括: 判斷所述芯片內(nèi)部存儲器中已清除的壞點(diǎn)坐標(biāo)的數(shù)量是否達(dá)到一預(yù)設(shè)閥值；如果判斷結(jié)果為是，則從所述芯片外部存儲器中讀取壞點(diǎn)坐標(biāo)存入所述芯片內(nèi)部存儲器已清除的存儲空間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述芯片內(nèi)部存儲器中已清除的壞點(diǎn)坐標(biāo)的數(shù)量達(dá)到一預(yù)設(shè)閥值包括: 所述已清除的壞點(diǎn)坐標(biāo)的數(shù)量達(dá)到所述芯片內(nèi)部存儲器所能存儲壞點(diǎn)坐標(biāo)總量的四分之一。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述從所述芯片外部存儲器中讀取壞點(diǎn)坐標(biāo)存入所述芯片內(nèi)部存儲器已清除的存儲空間的過程與所述遮蓋處理過程并行進(jìn)行。
7.一種壞點(diǎn)遮蓋系統(tǒng)，其特征在于，包括: 控制模塊，配置為從芯片外部存儲器中讀取壞點(diǎn)表中的壞點(diǎn)坐標(biāo)存入芯片內(nèi)部存儲器，其中，所述芯片外部存儲器預(yù)先存儲有所述壞點(diǎn)表； 遮蓋模塊，配置為根據(jù)所述芯片內(nèi)部存儲器中存儲的壞點(diǎn)坐標(biāo)，對落入所述壞點(diǎn)坐標(biāo)的顯示數(shù)據(jù)進(jìn)行遮蓋處理； 清除模塊，配置為清除所述芯片內(nèi)部存儲器中已完成遮蓋處理的壞點(diǎn)坐標(biāo)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其特征在于，進(jìn)一步包括: 第一判斷模塊，配置為判斷顯示數(shù)據(jù)是否落入壞點(diǎn)坐標(biāo)；和/或， 第二判斷模塊，配置為判斷所述芯片內(nèi)部存儲器中已遮蓋處理的壞點(diǎn)坐標(biāo)的數(shù)量是否達(dá)到一預(yù)設(shè)閥值； 此時控制模塊還可以進(jìn)一步配置為:根據(jù)所述第二判斷模塊返回的確定結(jié)果從芯片外部存儲器中讀取壞點(diǎn)坐標(biāo)存入芯片內(nèi)部存儲器已清除的存儲空間。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述芯片外部存儲器為DDR存儲器。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述芯片內(nèi)部存儲器為雙口 SRAM存儲 器。
【文檔編號】H04N17/00GK104333676SQ201410631943
【公開日】2015年2月4日 申請日期:2014年11月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月11日
【發(fā)明者】任立, 李國新, 吳大斌 申請人:廣東中星電子有限公司