專利名稱：光檢測裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包含配置的多個(gè)光敏二極管(photodiode)的光檢測裝置。
背景技術(shù)：
光檢測裝置為具有積分電路的裝置，該積分電路包含配置成二維或一維形狀的多個(gè)光敏二極管、放大器和積分電容元件；另外，有時(shí)還具有A/D變換電路等(參見日本國特開平9～270960號(hào)公報(bào))。在該光檢測裝置中，與通向各個(gè)光敏二極管的入射光的強(qiáng)度相應(yīng)的量的電荷，從該光敏二極管輸出，該電荷積蓄在積分電容元件中，從積分電路輸出與該積蓄的電荷量相應(yīng)的電壓值。從積分電路輸出的電壓值，利用A/D變換電路變換為數(shù)字值。與多個(gè)光敏二極管分別產(chǎn)生的電荷量相應(yīng)，根據(jù)從A/D變換電路輸出的數(shù)字值，檢測入射至配置著多個(gè)光敏二極管的光檢測面上的光。

發(fā)明內(nèi)容
然而，在這種光檢測裝置中，當(dāng)高速地檢測光時(shí)，必需提高A/D變換電路的處理速度，但當(dāng)使A/D變換電路高速動(dòng)作，減少A/D變換誤差時(shí)，A/D變換電路消耗的電力增大。在集成多個(gè)A/D變換電路的情況下，A/D變換電路的消耗電力越大，越會(huì)產(chǎn)生發(fā)熱的問題。因此，A/D變換電路高速動(dòng)作有界限。
本發(fā)明是為了解決上述問題而提出的，其目的是要提供包含A/D變換電路，可以高速動(dòng)作的光檢測裝置。
本發(fā)明的光檢測裝置其特征為，它具有(1)分別產(chǎn)生與入射光強(qiáng)度相應(yīng)的量的電荷的(K×M×N)個(gè)光敏二極管PDk，m，n(K為2以上的整數(shù)，k＝1以上K以下的各個(gè)整數(shù)，M為1以上的整數(shù)，m＝1以上M以下的各個(gè)整數(shù)，N為2以上的整數(shù)，n＝1以上N以下的各個(gè)整數(shù))；(2)與(K×M×N)個(gè)光敏二極管PDk，m，n中的每K個(gè)光敏二極管PDk，m，n(k＝1～K)對(duì)應(yīng)設(shè)置一個(gè)，依次輸入和積蓄由該K個(gè)光敏二極管PDk，m，n(k＝1～K)各個(gè)產(chǎn)生的電荷，輸出與該積蓄的電荷的量相應(yīng)的電壓值的(M×N)個(gè)積分電路；和(3)與上述(M×N)個(gè)積分電路中的各個(gè)對(duì)應(yīng)設(shè)置一個(gè)，輸出與從各個(gè)對(duì)應(yīng)的積分電路輸出的電壓值相應(yīng)的數(shù)字值的A/D變換電路。
在本發(fā)明的光檢測裝置中，在各個(gè)m值和各個(gè)n值中，將在K個(gè)光敏二極管PDk，m，n(k＝1～K)各個(gè)上與入射光相應(yīng)地產(chǎn)生的電荷依次輸入并積蓄在一個(gè)積分電路中，從積分電路輸出與該積蓄的電荷的量相應(yīng)的電壓值。從A/D變換電路輸出與從積分電路輸出的電壓值相應(yīng)的數(shù)字值。因此，該光檢測裝置可以高速動(dòng)作。
本發(fā)明的光檢測裝置它還具有設(shè)置在上述積分電路和上述A/D變換電路之間，輸入從積分電路輸出的電壓值，輸出表示該電壓值在一定時(shí)間的變化量的電壓值的CDS電路。在這種情況下，由于從積分電路輸出的電壓值輸入CDS電路中，從CDS電路輸出表示該電壓值在一定時(shí)間的變化量的電壓值，因此，可利用CDS電路消除積分電路的放大器的偏移波動(dòng)。
本發(fā)明的光檢測裝置是(K×M×N)個(gè)光敏二極管PDk，m，n配置成M行(K×N)列的二維形狀(M＝2時(shí))或1維形狀(M＝1時(shí))；光敏二極管PDk，m，n配置在第m行第(n+(k-1)N)列的位置上。在這種情況下，在光敏二極管中的處理(除積蓄電荷和A/D變換外，根據(jù)需要，還有CDS)，可以在各個(gè)行中按與列的排列順序進(jìn)行。


圖1為本實(shí)施方式的光檢測裝置1的全體的結(jié)構(gòu)圖；圖2為本實(shí)施方式的光檢測裝置1的一部分的結(jié)構(gòu)圖；圖3為本實(shí)施方式的光檢測裝置1的電路圖；圖4為說明本實(shí)施方式的光檢測裝置1的動(dòng)作的時(shí)間圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式。在附圖的說明中，相同的元件用相同的符號(hào)表示，省略重復(fù)說明。
圖1為本實(shí)施方式的光檢測裝置1的全體的結(jié)構(gòu)圖。圖2為本實(shí)施方式的光檢測裝置1的一部分的結(jié)構(gòu)圖。圖2中表示了圖1所示的光檢測部10的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。
這些圖所示的光檢測裝置1具有光檢測部10，(M×N)個(gè)積分電路201，1～20M，N，(M×N)個(gè)CDS電路301，1～30M，N，(M×N)個(gè)濾波器電路401，1～40M，N，(M×N)個(gè)A/D變換電路501，1～50M，N，和控制電路60。另外，光檢測部10具有(K×M×N)個(gè)光敏二極管PD1， 1，1～PDK，M，N和(K×M×N)個(gè)開關(guān)SW1，1，1～SWK，M，N。這里，K為2以上的整數(shù)，M為1以上的整數(shù)，N為2以上的整數(shù)。另外，在以下出現(xiàn)的k、m、n中，k為1以上K以下的各個(gè)整數(shù)，m為1以上M以下的各個(gè)整數(shù)，n為1以上N以下的各個(gè)整數(shù)。在圖1和圖2中，取K＝2，M和N＝4。
光敏二極管PDk，m，n產(chǎn)生與入射光強(qiáng)度相應(yīng)的量的電荷，積蓄在接合電容部中。在光檢測部10中，該(K×M×N)個(gè)光敏二極管PDk， m，n以等間隔排列成M行(K×N)列的二維形狀(M＝2時(shí))或一維形狀(M＝1時(shí))。光敏二極管PDk，m，n配置在第m行第(n+(k-1)N)列的位置上。開關(guān)SWk，m，n相對(duì)于光敏二極管PDk，m，n為1對(duì)1對(duì)應(yīng)，設(shè)在該光敏二極管PDk，m，n和信號(hào)線SLm，n)之間。K個(gè)光敏二極管PDk，m，n(k＝1～K)分別通過對(duì)應(yīng)的開關(guān)SWk，m，n，與信號(hào)線SLm，n連接。該信號(hào)線SLm，n與積分電路20m，n的輸入端連接。另外，M個(gè)開關(guān)SWk，m，n(m＝1～M)，利用從控制電路60輸出至控制線CLk，n的控制信號(hào)一并控制開閉。
與每K個(gè)光敏二極管PDk，m，n(k＝1～K)對(duì)應(yīng)設(shè)置一個(gè)積分電路20m，n。將在該K個(gè)光敏二極管PDk，m，n(k＝1～K)各個(gè)產(chǎn)生的電荷經(jīng)過開關(guān)SWk，m，n和信號(hào)SLm，n依次到達(dá)的電荷輸入并積蓄起來，輸出與該積蓄的電荷量相應(yīng)的電壓值。CDS(Correlated Double Sampling相關(guān)雙重采樣)電路30m，n輸入從積分電路20m，n輸出的電壓值，輸出表示該電壓值在一定時(shí)間的變化量的電壓值。
濾波器電路40m，n輸入從CDS電路30m，n輸出的電壓值，減少該電壓值中包含的熱噪聲成分，輸出該熱噪聲成分減少后的電壓值。該濾波器電路40m，n最好為具有可降低熱噪聲成分的濾波器特性的低通濾波器。A/D變換電路50m，n輸入從濾波器電路40m，n輸出的電壓值，對(duì)該電壓值進(jìn)行A/D變換，輸出與該電壓值(模擬值)相應(yīng)的數(shù)字值。
控制回60將控制(K×M×N)個(gè)開關(guān)SW1，1，1～SWK，M，N的開閉用的控制信號(hào)輸出至控制線CLk，n。另外，控制電路60也控制積分電路20m，n，CDS電路30m，n和A/D變換電路50m，n各自的動(dòng)作。
圖3為本實(shí)施方式的光檢測裝置1的電路圖。在該圖中，為了簡單，光敏二極管PDk.m，n，開關(guān)SWk，m，n，積分電路20m，n，CDS電路30m，n，濾波器電路40m，n和A/D變換電路50m，n都只表示了一組。
積分電路20m，n具有放大器A20，積分電容元件C20和開關(guān)SW20。放大器A20的輸入端子與信號(hào)線SLm，n連接。在放大器A20的輸入輸出端子之間并列設(shè)置積分電容元件C20和開關(guān)SW20。開關(guān)SW20由控制部60控制而加以開閉。開關(guān)SW20關(guān)閉時(shí)，積分電容元件C20放電，對(duì)從積分電路20m，n輸出的電壓值進(jìn)行初始化。另一方面，當(dāng)開關(guān)SW20打開時(shí)，經(jīng)過信號(hào)線SLm，n到達(dá)的電荷積蓄在積分電容元件C20中，從積分電路20m，n輸出與積蓄在該積分電容元件C20中的電荷的量相應(yīng)的電壓值。
CDS電路30m，n具有放大器A30、積分電容元件C31、耦合電容元件C32和開關(guān)SW30。放大器A30的輸入端子經(jīng)耦合電容元件C32與積分電路20m，n的放大器A20的輸出端子連接。在放大器A30的輸入輸出端子之間，并聯(lián)地設(shè)置積分電容元件C31和開關(guān)SW30。開關(guān)SW30由控制部60控制開閉。當(dāng)開關(guān)SW30關(guān)閉時(shí)，積分電容元件C31放電，將從CDS電路30m，n輸出的電壓值初始化。另一方面，在從開關(guān)SW30打開時(shí)刻t0以后，與從積分電路20m，n輸出的電壓值的變動(dòng)相應(yīng)的電荷積蓄在積分電容元件C31中，從CDS電路30m，n輸出與積蓄在該積分電容元件C31中的電荷的量相應(yīng)的電壓值。
濾波器電路40m，n具有電阻元件R40和電容元件C40。電阻元件R40設(shè)在濾波器電路40m，n的輸入端和輸出端之間，其輸出端通過電容元件C40，與接地電位連接。該濾波器電路40m，n起低通濾波器的作用，其濾波器特性的截止頻率與電阻元件R40的電阻值和電容元件C40的電容值相應(yīng)。
在圖3所示的電路圖中，各元件的特性值的一個(gè)例子如下。光敏二極管PDm，n的接合電容值Cd和信號(hào)線SLm，n的寄生電容值的和為220pF，信號(hào)線SLm，n的電阻值為1KΩ。積分電路20m，n的積分電容元件C20的電容值Cf為1.25pF，積分電路20m，n的放大器A20的頻帶域B為1MHz，放大器A20的輸入晶體管電導(dǎo)Gm為10mS。另外，溫度T＝27℃。這時(shí)，積分電路20m，n的放大器A20產(chǎn)生的熱噪聲Vn＝1210μVrms。當(dāng)取濾波器電路40m，n的電容元件C40的電容值為100pF，濾波器電路40m，n的電容元件的電容值為100pF，濾波器電路40m，n的電阻元件R40的電阻值為20kΩ時(shí)，濾波器電路40m，n的濾波特性的截止頻率為0.08MHz。從濾波器電路40m，n輸出的電壓值包含的熱噪聲成分可減小至724μVrms。
其次，說明本實(shí)施方式的光檢測裝置1的動(dòng)作。本實(shí)施方式的光檢測裝置1，在控制部60的控制下，如下這樣動(dòng)作。圖4為說明本實(shí)施方式的光檢測裝置1的動(dòng)作的時(shí)間圖。該光檢測裝置1是第1行～第M行并列動(dòng)作。
在該圖中，從上面依次表示開關(guān)SW1，m，1的開閉，開關(guān)SW1，m， 2的開閉，開關(guān)SW1，m，3的開閉，開關(guān)SW1，m，4的開關(guān)，開半SW2，m，1的開閉，開關(guān)SW2，m，2的開閉，開關(guān)SW2，m，3的開閉，和開關(guān)SW2，m， 4的開閉。接著表示積分電路20m，1的輸出電壓值，積分電路20m，2的輸出電壓值，積分電路20m，3的輸出電壓值，積分電路20m，4的輸出電壓值；濾波器電路40m，1的輸出電壓值，濾波器電路40m，2的輸出電壓值，濾波器電路40m，3的輸出電壓值，濾波器電路40m，4的輸出電壓值；A/D變換電路50m，1的輸出數(shù)字值，A/D變換電路50m，2的輸出數(shù)字值，A/D變換電路50m，3的輸出數(shù)字值和A/D變換電路50m，4的輸出數(shù)字值。
另外，如該圖所示，光檢測裝置1的動(dòng)作分為循環(huán)的8個(gè)期間T1， 1、T1，2、T1，3、T1，4，、T2，1，、T2，2，、T2，3和T2，4。各個(gè)期間Tk，n的時(shí)間T一定。開關(guān)SW1，m，1在期間T1，1內(nèi)關(guān)閉，開關(guān)SW1，m，2在期間T1，2內(nèi)關(guān)閉，開關(guān)SW1，m，3在期間T1，3內(nèi)關(guān)閉，開關(guān)SW1，m，4在期間T1，4內(nèi)關(guān)閉，開關(guān)SW2，m，1在期間T2，1內(nèi)關(guān)閉，開關(guān)SW2，m，2在期間T2，2內(nèi)關(guān)閉，開關(guān)SW2，m，3在期間T2，3內(nèi)關(guān)閉，開關(guān)SW2，m，4在期間T2，4內(nèi)關(guān)閉，以后反復(fù)進(jìn)行這種開關(guān)的關(guān)閉。
開關(guān)SW1，m，1在期間T1，1內(nèi)關(guān)閉。另外，在期間T1，1以前，積分電路20m，1的開關(guān)SW20在一旦關(guān)閉后打開，對(duì)積分電路20m，1的輸出電壓值進(jìn)行初始化。當(dāng)開關(guān)SW1，m，1關(guān)閉時(shí)，到此為止在光敏二極管PD1，m，1中產(chǎn)生并積蓄在接合電容部中的電荷，經(jīng)過該開關(guān)SW1，m，1和信號(hào)線SLm，1輸入積分電路20m，1中，積蓄在該積分電路20m，1的積分電容元件C20。從積分電路20m，1輸出與該積蓄的電荷的量相應(yīng)的電壓值。積分電路20m，1的輸出電壓值，在期間T1，1后，保持至期間T1，3，變?yōu)槠陂gT1，4，使積分電路20m，1的開關(guān)SW20關(guān)閉時(shí)，對(duì)積分電路20m， 1的輸出電壓值進(jìn)行初始化。
積分電路20m，1的輸出電壓值輸入CDS電路30m，1中。從該CDS電路30m，1輸出與在從期間T1，1開始到期間T1，2為止的一定時(shí)間的積分電路20m，1的輸出電壓值的變化量相應(yīng)的電壓值。CDS電路30m，1輸出電壓值，輸入濾波器電路40m，1減少熱噪聲成分。但是因?yàn)闉V波器電路40m，1的濾波器特性，濾波器電路40m，1的輸出電壓波形，與CDS電路30m，1輸出電壓波形比較鈍化變?nèi)酢?br> 濾波器電路40m，1的輸出電壓值，在其值穩(wěn)定的時(shí)刻由A/D變換電路50m，1進(jìn)行A/D變換，在期間T1，3從A/D變換電路50m，1輸出數(shù)字值。在期間T1，3從A/D變換電路50m，1輸出的數(shù)字值，與在期間T1，1從光敏二極管PD1，m，1的接合電容部移動(dòng)至積分電路20m，1的積分電容元件C20上的電荷的量相對(duì)應(yīng)，即與入射在光敏二極管PD1，m，1的光入射的強(qiáng)度相對(duì)應(yīng)。
另外，開關(guān)SW2，m，1在期間T2，1內(nèi)關(guān)閉。在該期間T2，1以前，積分電路20m，1的開關(guān)SW20一旦關(guān)閉后打開，對(duì)積分電路20m，1的輸出電壓值進(jìn)行初始化。當(dāng)開關(guān)SW2，m，1關(guān)閉時(shí)，此前由光電二極管PD2， m，1產(chǎn)生并積蓄在接合電容部中的電荷，經(jīng)過開關(guān)SW2，m，1和信號(hào)線SLm，1，輸入積分電路20m，1，積蓄在該積分電路20m，1的積分電容元件C20中，再從積分電路20m，1輸出與該積蓄的電荷的量相應(yīng)的電壓值。積分電路20m，1的輸出電壓值，在期間T2，1后保持至期間T2，3，變?yōu)槠陂gT2，4，當(dāng)積分電路20m，1的開關(guān)SW20關(guān)閉時(shí)，積分電路20m，1的輸出電壓值被初始化。
積分電路20m，1的輸出電壓值輸入CDS電路30m，1。從該CDS電路30m，1輸出與在從期間T2，1至期間T2，2中的一定時(shí)間內(nèi)積分電路20m，1的輸出電壓值的變化相應(yīng)的電壓值。CDS電路30m，1的輸出電壓值輸入濾波器電路40m，1，減少熱噪聲成分。但由于濾波器電路40m，1的濾波器特性，濾波器電路40m，1的輸出電壓波形，與CDS電路30m， 1的輸出電壓波形比較鈍化變?nèi)酢?br> 濾波器電路40m，1的輸出電壓值，在其值穩(wěn)定的時(shí)刻，由A/D變換電路50m，1進(jìn)行A/D變換，在期間T2，3，從A/D變換電路50m.，1輸出數(shù)字值。在期間T2，3中，從A/D變換電路50m，1輸出的數(shù)字值，與在期間T2，1中從光電二極管PD2，m，1的接合電容部向積分電路20m，1的積分電容元件C20移動(dòng)的電荷量的相適應(yīng)，即與入射在光電二極管PD2，m，1的光入射強(qiáng)度相適應(yīng)。
以上說明了開關(guān)SW1，m，1，開關(guān)SW2，m，1，積分電路20m，1，CDS電路30m，1，濾波器電路40m，1和A/D變換電路50m，1，即n為1時(shí)的動(dòng)作。當(dāng)n＝2～4時(shí)，動(dòng)作時(shí)間偏移是同樣的。
因此，與入射在光敏二極管PD1，m，1的光的入射強(qiáng)度相應(yīng)的數(shù)字值在期間T1，3輸出，與入射在光敏二極管PD1，m，2上的光的入射強(qiáng)度相應(yīng)的數(shù)字值，在期間T1，4輸出，與入射在光敏二極管PD1，m，3上的光的入射強(qiáng)度相應(yīng)的數(shù)字值在T2，1期間輸出，與入射在光敏二極管PD1，m，4上的光入射強(qiáng)度相應(yīng)的數(shù)字值在期間T2，2輸出，與入射在光敏二極管PD2，m，1上的光入射強(qiáng)度相應(yīng)的數(shù)字值在期間T2，3輸出，與入射在光敏二極管PD2，m，2上的光的入射強(qiáng)度相應(yīng)的數(shù)字值在期間T2，4輸出，與入射在光敏二極管PD2，m，3上的光的入射強(qiáng)度相應(yīng)的數(shù)字值在其后的期間T1，1輸出，與入射在光敏二極管PD2，m，4上的光的入射強(qiáng)度相應(yīng)的數(shù)字值在期間T1，2輸出。
如以上那樣，在本實(shí)施方式的光檢測裝置1中，在光檢測部10中，按M行(K×N)列配置(K×M×N)個(gè)光敏二極管PDk，m，n，針對(duì)各行的(K×N)個(gè)光敏二極管PDk，m，n(k＝1～K，n＝1～N)，依次在每個(gè)時(shí)間T進(jìn)行處理(積蓄電荷，CDS，濾波，A/D變換)。另一方面，在每一時(shí)間(N×T)中，分別進(jìn)行積分電路20m，n的電荷積蓄動(dòng)作，CDS電路30m，n的CDS動(dòng)作，濾波器電路40m，n的濾波動(dòng)作和A/D變換電路50m，n的A/D變換動(dòng)作的處理。
在本實(shí)施方式的光檢測裝置1中，如果A/D變換電路50m，n在每一時(shí)間(N×T)進(jìn)行處理，則由于對(duì)A/D變換電路50m，n的高速處理要求緩和，可以抑制A/D變換電路50m，n的消耗電力的增加。
另外，包含在從積分電路20m，n輸出的電壓值中的熱噪聲成分通過濾波器電路40m，n減少。另外，從濾波器電路40m，n輸出的電壓值波形雖然鈍化變?nèi)酰珡姆e分電路20m，n的電荷積蓄至A/D變換電路50m，n的A/D變換的動(dòng)作，在每一個(gè)時(shí)間(N×T)進(jìn)行處理，因此，從濾波器電路40m,n輸出的電壓值在其值穩(wěn)定的時(shí)刻，可由A/D變換電路50m， n進(jìn)行A/D變換。因此，光檢測裝置1可維持光檢測的高速性，并改善光檢測的S/N比。另外，由于即使不增大積分電路20m，n中包含的放大器A20的輸入晶體管·電導(dǎo)Gm，光檢測的S/N比可以改善，因此可抑制放大器A20的消耗電力的增加，在這點(diǎn)上，發(fā)熱問題也可減輕。
另外，由于通過設(shè)置CDS電路30m，n，可以由CDS電路30m，n消除積分電路20m，n的放大器A20的偏移波動(dòng)，因此在這點(diǎn)，光檢測的S/N比可以改善。另外，在CDS電路30m，n中含有放大器A30，這個(gè)放大器A30產(chǎn)生的熱噪聲，與積分電路20m，n中所包含的放大器A20產(chǎn)生的熱噪聲比較很小。
另外，由于(K×M×N)個(gè)光敏二極管PDk，m，n配置成M行(K×N)列，光敏二極管PDk，m，n配置在第m行第(n+(k～1)N)列的位置上，在光敏二極管PDk，m，n中的處理(積蓄電荷CDS，濾波，A/D變換)在各行中按列的排列順序進(jìn)行，因此，容易對(duì)由光檢測裝置1得出的光檢測的數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲(chǔ)和圖象處理。
如以上詳細(xì)說明那樣，在本發(fā)明的光檢測裝置中，在各個(gè)m值和各個(gè)n值中，分別在K個(gè)光敏二極管PDk，m，n(k＝1～K)中，產(chǎn)生與光入射相應(yīng)的電荷，依次將該電荷輸入一個(gè)積分電路積蓄起來，從積分電路輸出與該積蓄的電荷的量相應(yīng)的電壓值。從A/D變換電路輸出與從積分電路輸出的電壓值相應(yīng)的數(shù)字值。因此，該光檢測裝置可以高速動(dòng)作。
權(quán)利要求
1.一種光檢測裝置，其特征為，具有分別產(chǎn)生與入射光強(qiáng)度相應(yīng)的量的電荷的(K×M×N)個(gè)光敏二極管PDk，m，n(K為2以上的整數(shù)，k＝1以上K以下的各個(gè)整數(shù)，M為1以上的整數(shù)，m＝1以上M以下的各個(gè)整數(shù)，N為2以上的整數(shù)，n＝1以上N以下的各個(gè)整數(shù))；與所述(K×M×N)個(gè)光敏二極管PDk，m，n中的每K個(gè)光敏二極管PDk，m，n(k＝1～K)對(duì)應(yīng)設(shè)置一個(gè)的、依次輸入和積蓄由該K個(gè)光敏二極管PDk，m，n(k＝1～K)分別產(chǎn)生的電荷的、輸出與該積蓄的電荷的量相應(yīng)的電壓值的(M×N)個(gè)積分電路；和分別與所述(M×N)個(gè)積分電路中的每一個(gè)對(duì)應(yīng)設(shè)置一個(gè)，輸出與從各個(gè)對(duì)應(yīng)的積分電路輸出的電壓值相應(yīng)的數(shù)字值的A/D變換電路。
2.如權(quán)利要求1所述的光檢測裝置，其特征為，還具有設(shè)置在所述積分電路和所述A/D變換電路之間，輸入從所述積分電路輸出的電壓值，輸出表示該電壓值在一定時(shí)間的變化量的電壓值的CDS電路。
3.如權(quán)利要求1所述的光檢測裝置，其特征為，所述(K×M×N)個(gè)光敏二極管PDk，m，n配置成M行(K×N)列的二維形狀(M＝2時(shí))或一維形狀(M＝1時(shí))；光敏二極管PDk，m，n配置在第m行第(n+(k-1)N)列的位置上。
全文摘要
本發(fā)明的目的是要提供包含A/D變換電路可高速動(dòng)作的光檢測裝置。在光檢測裝置(1)中，(K×M×N)個(gè)光敏二極管PD
文檔編號(hào)H04N5/357GK1726697SQ200380106168
公開日2006年1月25日 申請日期2003年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月16日
發(fā)明者鈴木保博, 水野誠一郎 申請人:浜松光子學(xué)株式會(huì)社