屏蔽設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本公開總體涉及包括導(dǎo)電泡沫的電磁干擾屏蔽設(shè)備或組件。
【背景技術(shù)】
[0002] 本節(jié)提供涉及不一定是現(xiàn)有技術(shù)的本公開的背景資料。
[0003] 操作電子裝置的常見問題是在器材的電子電路內(nèi)產(chǎn)生電磁輻射。這樣的輻射可導(dǎo) 致電磁干擾（EMI)或射頻干擾（RFI)，這可能干擾一定的接近程度內(nèi)的其它電子裝置的操 作。如果沒有足夠的屏蔽，則EMI/RFI干擾可造成重要信號(hào)的劣化或完全損失，從而致使電 子器材效率低下或不能工作。
[0004] 改善EMI/RFI的影響的常見解決方案是使用能夠吸收和/或反射和/或重新定向 EMI能量的屏蔽。通常采用這些屏蔽將EMI/RFI定位在它的源內(nèi)，并且隔離鄰近EMI/RFI源 的其它裝置。
[0005] 本文中使用的術(shù)語"EMI"應(yīng)該被普遍認(rèn)為包括并指代EMI發(fā)射和RFI發(fā)射，而術(shù) 語"電磁"應(yīng)該被普遍認(rèn)為包括并指代來自外源和內(nèi)源的電磁和射頻。因此，（如本文中使 用的）術(shù)語屏蔽廣義上包括并指代比如通過吸收、反射、阻隔和/或重新定向能量或它們的 一些組合來緩解（或限制）EMI和/或RFI，使之不再干擾例如政府的合規(guī)性和/或電子部 件系統(tǒng)的內(nèi)部功能性。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006] 本節(jié)提供本公開的總體【實(shí)用新型內(nèi)容】，但并未全面公開它的全部范圍或它的所有 特征。
[0007] 根據(jù)各種方面，示例性實(shí)施方式公開了屏蔽設(shè)備或組件，其包括導(dǎo)電泡沫框架以 及能附接至所述框架的蓋或罩。另外公開了用于屏蔽設(shè)備或組件的導(dǎo)電泡沫框架的示例性 實(shí)施方式。
[0008] 根據(jù)第一方面，屏蔽設(shè)備包括：框架，所述框架包括導(dǎo)電泡沫；以及蓋，所述蓋能 附接至所述框架；其中，在基板上的一個(gè)或多個(gè)部件位于由所述框架和附接至所述框架的 所述蓋共同限定的內(nèi)部?jī)?nèi)時(shí)，所述屏蔽設(shè)備操作地屏蔽所述一個(gè)或多個(gè)部件。
[0009] 根據(jù)第二方面，在根據(jù)第一方面所述的屏蔽設(shè)備中，所述框架包括由所述導(dǎo)電泡 沫限定的一個(gè)或多個(gè)側(cè)壁，使得所述框架具有敞開頂部；并且所述蓋被聯(lián)接至所述框架，使 得所述框架的所述敞開頂部由所述蓋覆蓋。
[0010] 根據(jù)第三方面，在根據(jù)第二方面所述的屏蔽設(shè)備中，所述側(cè)壁由單件的所述導(dǎo)電 泡沫一體地限定。
[0011] 根據(jù)第四方面，在根據(jù)第三方面所述的屏蔽設(shè)備中，所述側(cè)壁具有單件式或整體 式結(jié)構(gòu)，使得所述框架不包括位于相鄰的一對(duì)所述側(cè)壁之間的任何間隙和/或?qū)⒏鱾€(gè)側(cè)壁 彼此連接的接頭。
[0012] 根據(jù)第五方面，在根據(jù)第三方面所述的屏蔽設(shè)備中，所述單件的所述導(dǎo)電泡沫由 導(dǎo)電泡沫片材模切為所述框架的形狀。
[0013] 根據(jù)第六方面，在根據(jù)第一方面所述的屏蔽設(shè)備中，所述框架包括彎曲為所述框 架的形狀的導(dǎo)電泡沫條。
[0014] 根據(jù)第七方面，在根據(jù)第一方面所述的屏蔽設(shè)備中，所述框架包括由所述導(dǎo)電泡 沫限定的一個(gè)或多個(gè)內(nèi)壁以及一個(gè)或多個(gè)外側(cè)壁，使得所述蓋以及所述框架的外側(cè)壁和內(nèi) 壁共同限定多個(gè)獨(dú)立的電磁干擾屏蔽隔室，其中當(dāng)所述框架被裝設(shè)至基板時(shí)，所述基板的 部件能被定位在不同的隔室中，并且所述基板的所述部件因?yàn)樗鲭姶鸥蓴_屏蔽隔室而被 提供電磁干擾屏蔽，從而抑制電磁干擾進(jìn)出每個(gè)電磁干擾屏蔽隔室。
[0015] 根據(jù)第八方面，在根據(jù)第一方面所述的屏蔽設(shè)備中，所述蓋被附接至所述框架的 第一面；并且所述屏蔽設(shè)備進(jìn)一步包括導(dǎo)電壓敏粘合劑，所述導(dǎo)電壓敏粘合劑被聯(lián)接至所 述框架的第二面，該第二面與供附接所述蓋的所述第一面對(duì)置。
[0016] 根據(jù)第九方面，在根據(jù)第一方面所述的屏蔽設(shè)備中，所述導(dǎo)電泡沫包括聚氨酯泡 沫，所述聚氨酯泡沫的主體上覆有金屬；和/或所述導(dǎo)電泡沫包括這樣的泡沫：該泡沫包括 具有內(nèi)部表面的內(nèi)部空隙，所述內(nèi)部表面由于布置在所述內(nèi)部表面上的至少一個(gè)導(dǎo)電的金 屬或非金屬層而是導(dǎo)電的。
[0017] 根據(jù)第十方面，在根據(jù)第一方面所述的屏蔽設(shè)備中，所述蓋包括導(dǎo)電片材、導(dǎo)電織 物、金屬化膜、導(dǎo)電泡沫和/或金屬箱中的至少一者。
[0018] 根據(jù)第十一方面，在根據(jù)前述方面中的任一方面所述的屏蔽設(shè)備中，所述框架僅 由所述導(dǎo)電泡沫組成。
[0019] 根據(jù)第十二方面，屏蔽設(shè)備包括導(dǎo)電泡沫側(cè)壁，所述導(dǎo)電泡沫側(cè)壁被構(gòu)造成大致 圍繞基板上的一個(gè)或多個(gè)部件裝設(shè)至所述基板，以為所述基板上的所述一個(gè)或多個(gè)部件提 供電磁干擾屏蔽。
[0020] 根據(jù)第十三方面，在根據(jù)第十二方面所述的屏蔽設(shè)備中，所述導(dǎo)電泡沫側(cè)壁由單 件的導(dǎo)電泡沫一體地限定，使得所述導(dǎo)電泡沫側(cè)壁具有單件式或整體式結(jié)構(gòu)。
[0021] 根據(jù)第十四方面，在根據(jù)第十三方面所述的屏蔽設(shè)備中，所述單件的導(dǎo)電泡沫由 導(dǎo)電泡沫片材模切為包括所述導(dǎo)電泡沫側(cè)壁的框架的形狀，或者彎曲為所述框架的形狀。
[0022] 根據(jù)第十五方面，在根據(jù)第十二方面所述的屏蔽設(shè)備中，所述屏蔽設(shè)備進(jìn)一步包 括一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電泡沫內(nèi)壁，使得所述導(dǎo)電泡沫側(cè)壁和所述一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電泡沫內(nèi)壁共同 限定由一個(gè)或多個(gè)所述導(dǎo)電泡沫內(nèi)壁彼此分隔的多個(gè)區(qū)域；和/或其中所述導(dǎo)電泡沫側(cè)壁 包括覆有金屬的聚氨酯泡沫，和/或所述導(dǎo)電泡沫側(cè)壁包括這樣的泡沫，該泡沫包括具有 內(nèi)部表面的內(nèi)部空隙，所述內(nèi)部表面由于布置在所述內(nèi)部表面上的至少一個(gè)導(dǎo)電的金屬或 非金屬層而是導(dǎo)電的。
[0023] 根據(jù)第十六方面，在根據(jù)第十二至十五方面所述的屏蔽設(shè)備中，所述屏蔽設(shè)備是 組合式屏蔽設(shè)備，該組合式屏蔽設(shè)備包括：框架，該框架包括限定敞開頂部的所述導(dǎo)電泡沫 側(cè)壁；以及蓋，所述蓋在所述框架的所述敞開頂部上附接至所述框架，其中，在基板上的一 個(gè)或多個(gè)部件位于由所述框架和所述蓋共同限定的內(nèi)部?jī)?nèi)時(shí)，所述組合式屏蔽設(shè)備操作地 屏蔽所述一個(gè)或多個(gè)部件。
[0024]其它應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒏鶕?jù)本文中提供的描述而變得明顯。本【實(shí)用新型內(nèi)容】的描述和具 體示例僅旨在例示的目的，并非旨在限制本公開的范圍。
【附圖說明】
[0025] 本文中描述的附圖僅出于選定實(shí)施方式而非所有可能的實(shí)施的例示性目的，并非 旨在限制本公開的范圍。
[0026]圖1是根據(jù)示例性實(shí)施方式包括蓋和導(dǎo)電泡沫框架的屏蔽設(shè)備的立體圖；
[0027] 圖2是圖1所示的屏蔽設(shè)備的立體圖，并且例示了蓋和導(dǎo)電泡沫框架的外部；
[0028] 圖3是圖1所示的屏蔽設(shè)備的平面圖；
[0029] 圖4A和圖4B是例示根據(jù)示例性實(shí)施方式的屏蔽設(shè)備或組件的各層的圖表；
[0030] 圖5示出了根據(jù)示例性實(shí)施方式通過模切導(dǎo)電泡沫片材來制造用于屏蔽設(shè)備或 組件的導(dǎo)電泡沫框架的示例方法；
[0031] 圖6A是根據(jù)示例性實(shí)施方式的用于屏蔽設(shè)備或組件的導(dǎo)電泡沫框架的立體圖；
[0032] 圖6B是圖6A所示的導(dǎo)電泡沫框架的立體圖，并且例示了根據(jù)示例性實(shí)施方式沿 著框架的第一面或底面的材料層（例如，襯墊，等等）；
[0033] 圖6C是圖6B所示的導(dǎo)電泡沫框架和襯墊的立體圖，還例示了根據(jù)示例性實(shí)施方 式沿著框架的第二面或頂面的材料層（例如，透明膜，等等）；
[0034] 圖7至圖10示出了根據(jù)示例性實(shí)施方式將各材料層組裝到圖6A、圖6B和圖6C所 示的導(dǎo)電泡沫框架的示例方法；
[0035] 圖11A、圖11B、圖12和圖13示出了根據(jù)示例性實(shí)施方式制造用于屏蔽設(shè)備或組 件的導(dǎo)電泡沫框架的另一示例方法；
[0036]圖14是根據(jù)示例性實(shí)施方式包括導(dǎo)電泡沫框架、蓋以及沿著蓋的熱界面材料的 屏蔽設(shè)備的立體圖；以及
[0037] 圖15是圖14所示的屏蔽設(shè)備的橫截面視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0038] 現(xiàn)在將參考附圖更充分地描述各示例實(shí)施方式。
[0039] 板級(jí)屏蔽（BLS)可用在諸如智能手機(jī)、平板電腦等等的電子裝置中。經(jīng)常使用常 規(guī)的金屬BLS組件，但它們需要或要求平面度。例如，因?yàn)槿狈澢⑦m應(yīng)不平坦表面的公 差的柔性，常規(guī)的基于金屬的BLS組件僅可安裝在平坦的表面上。常規(guī)的金屬BLS組件也 難以擁有1毫米或以下的高度。常規(guī)的金屬BLS組件也無法施加或用在柔性PCB或可穿戴 應(yīng)用中。
[0040] 另一途徑是用織物泡棉（fabricoverfoam，F(xiàn)0F)墊片替換金屬BLS。F0F墊片可 排列為BLS組件的壁，然后使用具有導(dǎo)電織物層的壓敏粘合劑（PSA)層壓為BLS組件的頂 部層。BLS組件的底部將經(jīng)由導(dǎo)電PSA接觸印刷電路板（PCB)。但其發(fā)明人已經(jīng)認(rèn)識(shí)到，該 F0F墊片途徑僅可以應(yīng)用在矩形形狀中，這是因?yàn)樗浅ｋy以適應(yīng)非矩形形狀，并且可能在 角部接頭處產(chǎn)生電磁干擾（EMI)泄漏。
[0041] 在本文中公開的示例性實(shí)施方式中，存在包括導(dǎo)電泡沫框架的BLS組合式屏蔽設(shè) 備或組件，該導(dǎo)電泡沫框架可施加到不平的表面、非平面和/或各種形狀或圖案（例如，非 矩形形狀、彎曲形狀、圓形形狀、矩形形狀、復(fù)雜圖案，等等）中。本文中公開的示例性實(shí)施 方式可具有小于1毫米的高度尺寸，和/或可具有足夠的柔性以應(yīng)用在柔性PCB及可穿戴 應(yīng)用等等之中。另外，本文中公開的示例性實(shí)施方式可包括框架，沒有任何接頭或間隙，使 得EMI泄漏得以減少。
[0042] 在示例性實(shí)施方式中，組合式（例如，兩件式，等等）屏蔽設(shè)備或組件大致包括框 架以及能附接至框架的蓋或罩?？蚣馨▽?dǎo)電泡沫。蓋或罩可包括EMI屏蔽材料、表面、片 材或?qū)樱ɡ?，?dǎo)電織物、金屬化膜、金屬箱、其它屏蔽材料，等等）。蓋可具有這樣的周界或 軌跡：其大小和形狀匹配或?qū)?yīng)于框架的周界或軌跡的大小和形狀。蓋可沿著框架的上表 面附接或附接至框架的上表面，以覆蓋框架的敞開頂部。在基板上的一個(gè)或多個(gè)部件位于 由框架以及附接至框架的蓋共同限定的內(nèi)部?jī)?nèi)時(shí)，組合式屏蔽設(shè)備操作地屏蔽所述一個(gè)或 多個(gè)部件。
[0043] 框架可包括一個(gè)或多個(gè)側(cè)壁，該側(cè)壁由導(dǎo)電泡沫限定，使得框架具有敞開頂部。蓋 可聯(lián)接至框架，使得框架的敞開頂部被蓋覆蓋。側(cè)壁可由單件的導(dǎo)電泡沫一體地限定，使得 側(cè)壁具有單件式或整體式結(jié)構(gòu)。在這種情況下，框架在相鄰的一對(duì)側(cè)壁之間不包括任何允 許EMI泄漏的間隙。因?yàn)榭蚣艿膫?cè)壁將彼此一體連接，框架也將不包括將各個(gè)側(cè)壁彼此連 接的任何接頭。單件的導(dǎo)電泡沫可由導(dǎo)電泡沫片材模切為框架的形狀。或者，框架可包括 彎曲為框架的形狀的導(dǎo)電泡沫條。
[0044] 在一些示例性實(shí)施方式中，框架可包括一個(gè)或多個(gè)外側(cè)壁以及一個(gè)或多個(gè)內(nèi)壁、 分隔器或隔開物。側(cè)壁和內(nèi)壁可都由導(dǎo)電泡沫限定。蓋和框架的側(cè)壁及內(nèi)壁可共同限定多 個(gè)獨(dú)立的EMI屏蔽隔室。當(dāng)將框架裝設(shè)（例如，粘附、焊接到焊墊，等等）到基板（例如，印 刷電路板，等等）時(shí)，基板上的部件可定位在不同的隔室中，使得這些部件因?yàn)镋MI屏蔽隔 室而被提供EMI屏蔽，從而抑制EMI進(jìn)出每個(gè)EMI屏蔽隔室。在其它示例性實(shí)施方式中，框 架可不包括或可沒有內(nèi)壁、分隔器或隔開物，使得框架的側(cè)壁大致限定單個(gè)內(nèi)部空間或隔 室。屏蔽設(shè)備可包括兩件式組件，該兩件式組件包括能附接至單件框架的單件蓋。