一種電源電路及電子設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實(shí)用新型屬于電子設(shè)備領(lǐng)域，尤其涉及一種電源電路及電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)在的電子設(shè)備的功能越來(lái)越多，功能的增多必然帶來(lái)耗電量的增加，因此現(xiàn)在的電子設(shè)備除了自身配備的電源之外，還需要外部電源進(jìn)行供電，如車(chē)載DVR硬盤(pán)盒等等。
[0003]因此，這種應(yīng)用必然需要兩種供電方式的切換，現(xiàn)有的供電方式的切換主要包括兩種:1.加硬件開(kāi)關(guān)，人工手動(dòng)控制；2.通過(guò)軟件檢測(cè)外電插入，然后控制開(kāi)關(guān)切換供電。方法I的缺點(diǎn)是不能實(shí)現(xiàn)自動(dòng)切換，需要人工操作，不便利；方法2的缺點(diǎn)是需要軟件參與控制，控制邏輯復(fù)雜，且電路成本高。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型實(shí)施例的目的在于提供一種電源電路，旨在解決現(xiàn)在電子設(shè)備的供電方式切換存在無(wú)法自動(dòng)切換以及控制邏輯復(fù)雜，電路成本高的問(wèn)題。
[0005]本實(shí)用新型實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種電源電路，所述電源電路包括:
[0006]直流電源插座J1、電阻R1、第一開(kāi)關(guān)管和第二開(kāi)關(guān)管；
[0007]所述直流電源插座Jl包括正極端、負(fù)極端和地端，當(dāng)所述直流電源插座Jl未插入外部電源時(shí)，所述負(fù)極端和地端連接，當(dāng)所述直流電源插座Jl插入外部電源時(shí)，所述負(fù)極端和地端斷開(kāi)連接，所述第二開(kāi)關(guān)管的高電位端接內(nèi)部電源，所述第二開(kāi)關(guān)管的低電位端接所述第一開(kāi)關(guān)管的高電位端，所述第一開(kāi)關(guān)管的低電位端接所述正極端，所述第一開(kāi)關(guān)管的低電位端和正極端還同時(shí)接電子設(shè)備的電源端，所述第一開(kāi)關(guān)管和第二開(kāi)關(guān)管的控制端同時(shí)接負(fù)極端，所述電阻Rl連接在所述第二開(kāi)關(guān)管的高電位端和控制端之間，所述地端接地。
[0008]上述結(jié)構(gòu)中，所述第一開(kāi)關(guān)管采用P型MOS管Ql，所述P型MOS管Ql的柵極為第一開(kāi)關(guān)管的控制端，所述P型MOS管Ql的漏極為第一開(kāi)關(guān)管的高電位端，所述P型MOS管Ql的源極為第一開(kāi)關(guān)管的低電位端。
[0009]上述結(jié)構(gòu)中，所述第二開(kāi)關(guān)管采用P型MOS管Q2，所述P型MOS管Q2的柵極為第二開(kāi)關(guān)管的控制端，所述P型MOS管Q2的源極為第二開(kāi)關(guān)管的高電位端，所述P型MOS管Q2的漏極為第二開(kāi)關(guān)管的低電位端。
[0010]上述結(jié)構(gòu)中，所述第一開(kāi)關(guān)管采用三極管Q3，所述三極管Q3的基極為第一開(kāi)關(guān)管的控制端，所述三極管Q3的集電極為第一開(kāi)關(guān)管的高電位端，所述三極管Ql的發(fā)射極為第一開(kāi)關(guān)管的低電位端。
[0011]上述結(jié)構(gòu)中，所述第二開(kāi)關(guān)管采用三極管Q4，所述三極管Q4的基極為第二開(kāi)關(guān)管的控制端，所述三極管Q4的集電極為第二開(kāi)關(guān)管的低電位端，所述三極管Q4的發(fā)射極為第—開(kāi)關(guān)管的尚電位端。
[0012]本實(shí)用新型實(shí)施例的另一目的在于提供一種電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括電源電路，所述電源電路包括:
[0013]直流電源插座J1、電阻R1、第一開(kāi)關(guān)管和第二開(kāi)關(guān)管；
[0014]所述直流電源插座Jl包括正極端、負(fù)極端和地端，當(dāng)所述直流電源插座Jl未插入外部電源時(shí)，所述負(fù)極端和地端連接，當(dāng)所述直流電源插座Jl插入外部電源時(shí)，所述負(fù)極端和地端斷開(kāi)連接，所述第二開(kāi)關(guān)管的高電位端接內(nèi)部電源，所述第二開(kāi)關(guān)管的低電位端接所述第一開(kāi)關(guān)管的高電位端，所述第一開(kāi)關(guān)管的低電位端接所述正極端，所述第一開(kāi)關(guān)管的低電位端和正極端還同時(shí)接所述電子設(shè)備的電源端，所述第一開(kāi)關(guān)管和第二開(kāi)關(guān)管的控制端同時(shí)接負(fù)極端，所述電阻Rl連接在所述第二開(kāi)關(guān)管的高電位端和控制端之間，所述地端接地。
[0015]上述結(jié)構(gòu)中，所述第一開(kāi)關(guān)管采用P型MOS管Q1，所述P型MOS管Ql的柵極為第一開(kāi)關(guān)管的控制端，所述P型MOS管Ql的漏極為第一開(kāi)關(guān)管的高電位端，所述P型MOS管Ql的源極為第一開(kāi)關(guān)管的低電位端。
[0016]上述結(jié)構(gòu)中，所述第二開(kāi)關(guān)管采用P型MOS管Q2，所述P型MOS管Q2的柵極為第二開(kāi)關(guān)管的控制端，所述P型MOS管Q2的源極為第二開(kāi)關(guān)管的高電位端，所述P型MOS管Q2的漏極為第二開(kāi)關(guān)管的低電位端。
[0017]上述結(jié)構(gòu)中，所述第一開(kāi)關(guān)管采用三極管Q3，所述三極管Q3的基極為第一開(kāi)關(guān)管的控制端，所述三極管Q3的集電極為第一開(kāi)關(guān)管的高電位端，所述三極管Ql的發(fā)射極為第一開(kāi)關(guān)管的低電位端。
[0018]上述結(jié)構(gòu)中，所述第二開(kāi)關(guān)管采用三極管Q4，所述三極管Q4的基極為第二開(kāi)關(guān)管的控制端，所述三極管Q4的集電極為第二開(kāi)關(guān)管的低電位端，所述三極管Q4的發(fā)射極為第—開(kāi)關(guān)管的尚電位端。
[0019]在本實(shí)用新型實(shí)施例中，直流電源插座包括正極端、負(fù)極端和地端，當(dāng)直流電源插座未插入外部電源時(shí)，負(fù)極端和地端連接，第一開(kāi)關(guān)管和第二開(kāi)關(guān)管的控制端接地，第一開(kāi)關(guān)管和第二開(kāi)關(guān)管均導(dǎo)通，內(nèi)部電源和電子設(shè)備的電源端接通，由內(nèi)部電源為電子設(shè)備供電；當(dāng)直流電源插座插入外部電源時(shí)，負(fù)極端和地端斷開(kāi)連接，第一開(kāi)關(guān)管和第二開(kāi)關(guān)管均斷開(kāi)，內(nèi)部電源和電子設(shè)備的電源端斷開(kāi)，直流電源插座將外部電源與電子設(shè)備的電源端接通，外部電源為電子設(shè)備供電，實(shí)現(xiàn)了兩種方式的自動(dòng)切換，而且切換的過(guò)程中不會(huì)發(fā)生倒灌的現(xiàn)象，且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。
【附圖說(shuō)明】
[0020]圖1是本實(shí)用新型第一實(shí)施例提供的電源電路的結(jié)構(gòu)圖；
[0021]圖2是本實(shí)用新型第二實(shí)施例提供的電源電路的結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0023]圖1示出了本實(shí)用新型第一實(shí)施例提供的電源電路的結(jié)構(gòu)，為了便于說(shuō)明，僅示出了與本實(shí)用新型實(shí)施例相關(guān)的部分。
[0024]一種電源電路，所述電源電路包括:
[0025]直流電源插座J1、電阻R1、第一開(kāi)關(guān)管10和第二開(kāi)關(guān)管20 ;
[0026]所述直流電源插座Jl包括正極端、負(fù)極端和地端，當(dāng)所述直流電源插座Jl未插入外部電源時(shí)，所述負(fù)極端和地端連接，當(dāng)所述直流電源插座Jl插入外部電源時(shí)，所述負(fù)極端和地端斷開(kāi)連接，所述第二開(kāi)關(guān)管20的高電位端接內(nèi)部電源，所述第二開(kāi)關(guān)管20的低電位端接所述第一開(kāi)關(guān)管10的高電位端，所述第一開(kāi)關(guān)管10的低電位端接所述正極端，所述第一開(kāi)關(guān)管10的低電位端和正極端還同時(shí)接電子設(shè)備的電源端，所述第一開(kāi)關(guān)管10和第二開(kāi)關(guān)管20的控制端同時(shí)接負(fù)極端，所述電阻Rl連接在所述第二開(kāi)關(guān)管20的高電位端和控制端之間，所述地端接地。
[0027]作為本實(shí)用新型一實(shí)施例，所述第一開(kāi)關(guān)管10采用P型MOS管Ql，所述P型MOS管Ql的柵極為第一開(kāi)關(guān)管10的控制端，所述P型MOS管Ql的漏極為第一開(kāi)關(guān)管10的高電位端，所述P型MOS管Ql的源極為第一開(kāi)關(guān)管10的低電位端。
[0028]作為本實(shí)用新型一實(shí)施例，所述第二開(kāi)關(guān)管20采用P型MOS管Q2，所述P型MOS管Q2的柵極為第二開(kāi)關(guān)管20的控制端，所述P型MOS管Q2的源極為第二開(kāi)關(guān)管20的高電位端，所述P型MOS管Q2的漏極為第二開(kāi)關(guān)管20的低電位端。
[0029]圖2示出了本實(shí)用新型第二實(shí)施例提供的電源電路的結(jié)構(gòu)，為了便于說(shuō)明，僅示出了與本實(shí)用新型實(shí)施例相關(guān)的部分。
[0030]作為本實(shí)用新型一實(shí)施例，所述第一開(kāi)關(guān)管10采用三極管Q3，所述三極管Q3的基極為第一開(kāi)關(guān)管10的控制端，所述三極管Q3的集電極為第一開(kāi)關(guān)管10的高電位端，所述三極管Ql的發(fā)射極為第一開(kāi)關(guān)管10的低電位端。