一種pcb同層過孔復(fù)用方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種印制電路板(PCB)制造技術(shù)，尤其涉及一種PCB同層過孔復(fù)用方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在PCB制造中看，孔，線，面是形成PCB的三個(gè)重要要素。但是隨著電子工業(yè)的發(fā)展，PCB布線密度也越來越高。更小的區(qū)域走更多的線路成為必然。按照傳統(tǒng)的工藝，一個(gè)過孔一半只能承擔(dān)一個(gè)信號(hào)通道的作用，且限制于PCB的加工精度和信號(hào)干擾問題，在過孔的周圍一定范圍內(nèi)是布線禁區(qū)。這嚴(yán)重限制了 PCB的發(fā)展。為了解決這一問題，業(yè)界發(fā)明了埋孔，盲孔，孔中孔等技術(shù)來提高布線密度。
[0003]如圖1，這是一種孔中孔技術(shù)。這是一個(gè)四層板，在這種應(yīng)用中，101為一個(gè)孔，他可以連通L2和L3，102是另外一個(gè)孔，他可以連接LI和L4。在加工時(shí)，L2-3是一張⑶RE，在L2-3上進(jìn)行鉆101孔，PTH，101孔樹脂塞孔，L2、L3層制作圖形，然后把L2-3與L1，L4進(jìn)行壓合，壓合后再鉆102孔，對(duì)于102孔進(jìn)行常規(guī)PCB的加工流程。這樣既可完成一個(gè)孔中孔工藝。在這種工藝中，101孔的直徑是大于102孔的直徑的。
[0004]目前這種工藝可以利用101孔中間的部分制作102孔，從而增加走線密度，實(shí)現(xiàn)孔中孔工藝。但是這種工藝也有一個(gè)無法實(shí)現(xiàn)的問題。他只能實(shí)現(xiàn)在不同層次實(shí)現(xiàn)孔重復(fù)利用，對(duì)于同一層次則無法實(shí)現(xiàn)。如圖2，如果需要在L2-3層的201孔中間再走一個(gè)202孔，按照之前孔中孔的工藝制作，201孔PTH后塞孔，再鉆202孔，然后再進(jìn)行PTH，圖形制作，這時(shí)就會(huì)發(fā)現(xiàn)202孔的走線和201孔的走線在202孔的孔環(huán)處203點(diǎn)發(fā)生短路。因此按照目前的技術(shù)，對(duì)于同一層中，是無法實(shí)現(xiàn)過孔復(fù)用的。如果需要在L2-3層需要增加走線，空間又不足，按照傳統(tǒng)孔中孔技術(shù)也無法實(shí)現(xiàn)，只能增加埋孔的數(shù)量，如圖3，就是在L2-3層中需要增加布線密度是增加埋孔數(shù)量的示意圖。301是一個(gè)埋孔，如果布線需要增加走線時(shí)，就需要增加302孔。由于空間的需要，為了給302更多的區(qū)域，則需要增加PCB的整體體積以提供足夠的空間來放置302孔。增加體積和目前電子設(shè)備往更輕，更薄的發(fā)展方向相違背。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]為了解決該問題，本發(fā)明提出了一種PCB同層過孔復(fù)用方法，使用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)后可以實(shí)現(xiàn)在同一層上的孔復(fù)用。解決日益復(fù)雜的PCB設(shè)計(jì)中布線間距不足的問題。且為高速信號(hào)提供信號(hào)屏蔽。
[0006]本發(fā)明的技術(shù)方案是:
一種PCB同層過孔復(fù)用方法，步驟如下:
1)先在L2-3層鉆孔，PTH，貼干膜，曝光顯影;顯影后干膜蓋住的區(qū)域?yàn)榈?03點(diǎn)，干膜蓋住的區(qū)域大于202孔的導(dǎo)線和201孔的孔環(huán)交界處的面積，以預(yù)留出加工過程中的設(shè)備公差;
2)完成顯影的L2-3層進(jìn)行鍍錫，然后退膜后堿性蝕刻;通過堿性蝕刻把203點(diǎn)所在區(qū)域附近的201孔的孔環(huán)蝕刻掉;給出202孔導(dǎo)線的走線空間。
[0007]3)對(duì)完成蝕刻后的L2-3進(jìn)行樹脂塞孔;在被蝕刻去銅的區(qū)域均會(huì)被塞上樹脂。
[0008]4)鉆出702孔，其中701孔和702孔分別等同于前述201孔和202孔;對(duì)于702孔進(jìn)行PTH，然后進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移。
[0009]本發(fā)明通過優(yōu)化PCB結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。可以帶來以下效益:
1、提高了 PCB的布線密度。同層過孔復(fù)用可以在更小的空間里布設(shè)更多的線路。
[0010]2、縮小了PCB的體積。更多的面積上布設(shè)更多的線路意味著PCB可以做得更小，更薄。這種技術(shù)適應(yīng)PCB的發(fā)展潮流。
[0011]3、該技術(shù)具有一定的先進(jìn)行。
【附圖說明】
[0012]圖1是現(xiàn)有孔中孔技術(shù)不意圖；
圖2是在在L2-3層走空不意圖；
圖3是在L2-3層中需要增加布線密度是增加埋孔數(shù)量的示意圖；
圖4是顯影后的不意圖；
圖5是是蝕刻后的狀態(tài)不意圖；
圖6是對(duì)完成蝕刻后的L2-3進(jìn)行樹脂塞孔示意圖；
圖7是鉆出702孔的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行更加詳細(xì)的闡述:
通過一種新的PCB結(jié)構(gòu)，從PCB的結(jié)構(gòu)上解決步線空間和實(shí)際PCB板的面積相沖突的問題，為PCB提供更多的布線空間。降低PCB的板厚和體積，推動(dòng)PCB向更薄，更小的方向發(fā)展。
[0014]1、如果要在L2-3層實(shí)現(xiàn)同層過孔復(fù)用?，F(xiàn)在L2-3層鉆孔，PTH，貼干膜，曝光顯影。顯影后干膜蓋住的區(qū)域?yàn)閳D2中標(biāo)示的第203點(diǎn)，干膜蓋住的區(qū)域比202孔的導(dǎo)線和201孔的孔環(huán)交界處的面積要大，以預(yù)留出加工過程中的設(shè)備公差。圖4就是顯影后的示意圖，圖4中的401點(diǎn)就是圖2中標(biāo)示的203點(diǎn)區(qū)域。
[0015]完成顯影的L2-3層進(jìn)行鍍錫，然后退膜后堿性蝕刻。通過堿性蝕刻就可以把203點(diǎn)所在區(qū)域附近的201孔的孔環(huán)蝕刻掉。給出202孔導(dǎo)線的走線空間。如圖5就是蝕刻后的狀
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[0016]2、對(duì)完成蝕刻后的L2-3進(jìn)行樹脂塞孔，如圖6所示，在圖2中的201孔和圖5所示的501點(diǎn)被蝕刻去銅的區(qū)域均會(huì)被塞上樹脂。在圖6中等同于601點(diǎn)所示。
[0017]3、如圖7，鉆出702孔，其中701孔和702孔分別等同于圖2中的201孔和202孔。對(duì)于702孔進(jìn)行PTH，然后進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移。
[0018]經(jīng)過以上本發(fā)明所公開的方法后，可以清楚地看到，孔中孔可以在同一層進(jìn)行應(yīng)用，也就實(shí)現(xiàn)了同層過孔復(fù)用技術(shù)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種PCB同層過孔復(fù)用方法，其特征在于，步驟如下: 1)先在L2-3層鉆孔，PTH，貼干膜，曝光顯影;顯影后干膜蓋住的區(qū)域?yàn)榈?03點(diǎn)，干膜蓋住的區(qū)域大于202孔的導(dǎo)線和201孔的孔環(huán)交界處的面積，以預(yù)留出加工過程中的設(shè)備公差; 2)完成顯影的L2-3層進(jìn)行鍍錫，然后退膜后堿性蝕刻； 3)對(duì)完成蝕刻后的L2-3進(jìn)行樹脂塞孔； 4)鉆出702孔，其中701孔和702孔分別等同于前述201孔和202孔;對(duì)于702孔進(jìn)行PTH，然后進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過堿性蝕刻把203點(diǎn)所在區(qū)域附近的201孔的孔環(huán)蝕刻掉;給出202孔導(dǎo)線的走線空間。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在被蝕刻去銅的區(qū)域均會(huì)被塞上樹脂。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種PCB同層過孔復(fù)用方法，涉及印制電路板制造技術(shù)，先在L2-3層鉆孔，PTH，貼干膜，曝光顯影；完成顯影的L2-3層進(jìn)行鍍錫，然后退膜后堿性蝕刻；通過堿性蝕刻把203點(diǎn)所在區(qū)域附近的201孔的孔環(huán)蝕刻掉；對(duì)完成蝕刻后的L2-3進(jìn)行樹脂塞孔；鉆出702孔，對(duì)于702孔進(jìn)行PTH，然后進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移。解決日益復(fù)雜的PCB設(shè)計(jì)中布線間距不足的問題。且為高速信號(hào)提供信號(hào)屏蔽。
【IPC分類】H05K3/42
【公開號(hào)】CN105555063
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610062003
【發(fā)明人】史書漢
【申請(qǐng)人】浪潮電子信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司
【公開日】2016年5月4日
【申請(qǐng)日】2016年1月29日