導體線路的制造方法以及導體線路的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及電氣技術領域，更具體地，涉及一種導體線路的制造方法以及導體線路。
【背景技術】
[0002]目前，在塑膠表面直接制造導體線路的方法包括:
[0003](I)激光直接成型技術，即在塑膠內添加特殊觸媒添加劑，通過激光照射使其暴露在塑膠表面，形成金屬觸發(fā)源，基于觸發(fā)源再進行化學鍍獲得導體線路。其缺點在于:塑膠基材中需添加特殊觸媒添加劑，增加了素材成本，而且素材中含金屬，在某些電磁環(huán)境中對整機的性能會產生不利影響。
[0004](2)在電鍍級ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)表面化鍍，再去鍍，獲得導體線路的方法，即使用粗化液對塑膠表面進行粗化，通過化學鍍實現(xiàn)表面沉積上一層
0.5-2 μπι的銅或鎳層，再使用激光將不需要部分除去，形成選擇性金屬圖案。其缺點在于:粗化液含高濃度的六價鉻，環(huán)保性差；且選擇性有限，受產品結構限制性強，無法加工精度尚的線路。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明的一個目的是提供一種導體線路的制造方法的新技術方案。以解決現(xiàn)有技術中，載體含金屬觸媒影響整體性能，工藝環(huán)保性差以及良品率低等問題。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種導體線路的制造方法，包括以下步驟:
[0007]S1、按照設定的圖案，對載體進行第一次改性處理，形成凹凸不平的粗糙面區(qū)域；
[0008]S2、對所述SI步驟改性處理后的所述粗糙面區(qū)域進行第二次改性處理，形成敏化區(qū)域；
[0009]S3、對所述S2步驟形成的所述敏化區(qū)域進行活化處理，形成含有催化晶核的活化區(qū)域；
[0010]S4、在所述S3步驟形成的所述活化區(qū)域進行鍍化處理，形成設定圖案的導體線路。
[0011 ] 優(yōu)選地，所述S2步驟包括:
[0012]S24、采用氯化亞錫的酸性溶液對所述粗糙面區(qū)域進行第二次改性處理，以在所述粗糙面區(qū)域內形成一層還原性的二價錫薄膜；以及
[0013]所述S3步驟包括:
[0014]S31、采用離子鈀溶液對所述S2步驟形成的敏化區(qū)域進行活化處理，產生具有催化作用的鈀晶核，以形成活化區(qū)域。
[0015]優(yōu)選地，在所述S24步驟之前還包括:
[0016]S21、采用亞硫酸氫鈉的酸性溶液對所述粗糙面區(qū)域進行酸洗，以改性調整，以增強所述粗糙面區(qū)域的極性；
[0017]S22、采用氫氧化鈉溶液對所述S21步驟改性調整后的所述粗糙面區(qū)域進行堿洗，以再次改性；
[0018]S23、采用稀鹽酸溶液對所述S22步驟堿洗后的所述粗糙面區(qū)域進行清洗，以中和殘留的堿。
[0019]優(yōu)選地，在所述S21步驟中，亞硫酸氫鈉的濃度為5-15%，pH值為0.5-1.5，酸洗溫度為50-55 °C，酸洗時間為5-30分鐘；
[0020]在所述S22步驟中，氫氧化鈉的濃度為50-100g/L，堿洗溫度為50_55°C，堿洗時間為10-80分鐘；
[0021]在所述S24步驟中，氯化亞錫的濃度為5_20g/L ;所述酸性溶液采用鹽酸，所述鹽酸的濃度為5-20mL/L(原始鹽酸的濃度為37.5% );敏化溫度為20_50°C，敏化時間為3_20分鐘，所述還原性的二價錫薄膜的厚度為10-10000埃。
[0022]優(yōu)選地，在所述S31步驟之后還包括:
[0023]S32、采用混合酸和表面活性劑的混合溶液，對所述S31步驟活化處理后的載體進行酸洗，以去除殘余的二價錫；
[0024]S33、采用氫氧化鈉與絡合劑的混合溶液，對所述S32步驟酸洗后的載體進行堿洗，以去除附著力差的鈀晶核。
[0025]優(yōu)選地，所述離子鈀溶液的濃度為50-500ppm，所述活化處理的溫度為20-50°C，所述活化處理的時間為5-100分鐘。
[0026]優(yōu)選地，所述鍍化處理包括電鍍和/或化學鍍；所述S4步驟包括:
[0027]S41、在所述S3步驟處理后的所述活化區(qū)域內鍍鎳，形成鎳鍍層；
[0028]S42、在所述S41步驟形成的鎳鍍層上鍍銅，形成銅鍍層；
[0029]S43、在所述S42步驟形成的銅鍍層上鍍其他金屬以形成導體線路。
[0030]優(yōu)選地，所述載體為塑膠；所述第一次改性處理的方式為激光照射。
[0031]優(yōu)選地，所述激光的波長為190-1500nm，所述激光的頻率為10_200kHz，所述激光的移動速率為100-5000mm/s，所述激光的照射次數(shù)為2次以上，激光照射處理后的粗糙面區(qū)域的深度為2-100 μπι。
[0032]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種導體線路，所述導體線路根據(jù)本發(fā)明提供的任意一項所述制造方法制造而成。
[0033]本發(fā)明的公開的導體線路的制造方法，制造工藝簡單，易操作，所需原材料來源廣泛，無需在載體中添加特殊的觸媒，而且制造過程環(huán)保性好，成品率高，易于推廣。本發(fā)明公開的導體線路具有應用廣泛，導電效果良好，十分耐用的優(yōu)點。
[0034]本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在現(xiàn)有技術中，需在塑料載體中添加特殊的觸媒，原料不易得到，粗化液環(huán)保性能差。因此，本發(fā)明所要實現(xiàn)的技術任務或者所要解決的技術問題是本領域技術人員從未想到的或者沒有預期到的，故本發(fā)明是一種新的技術方案。
[0035]通過以下參照附圖對本發(fā)明的示例性實施例的詳細描述，本發(fā)明的其它特征及其優(yōu)點將會變得清楚。
【附圖說明】
[0036]被結合在說明書中并構成說明書的一部分的附圖示出了本發(fā)明的實施例，并且連同其說明一起用于解釋本發(fā)明的原理。
[0037]圖1是本發(fā)明實施例的載體結構圖；
[0038]圖2是本發(fā)明實施例經激光照射后的載體結構圖；
[0039]圖3是本發(fā)明實施例經激光照射后的載體剖視圖；
[0040]圖4是本發(fā)明實施例鍍鎳后的導體線路的剖視圖；
[0041]圖5是本發(fā)明實施例鍍銅后的導體線路的剖視圖。
[0042]其中，1:塑膠載體；11:照射區(qū)域；12:活化區(qū)域；3:鎳鍍層；4:銅鍍層。
【具體實施方式】
[0043]現(xiàn)在將參照附圖來詳細描述本發(fā)明的各種示例性實施例。應注意到:除非另外具體說明，否則在這些實施例中闡述的部件和步驟的相對布置、數(shù)字表達式和數(shù)值不限制本發(fā)明的范圍。
[0044]以下對至少一個示例性實施例的描述實際上僅僅是說明性的，決不作為對本發(fā)明及其應用或使用的任何限制。
[0045]對于相關領域普通技術人員已知的技術、方法和設備可能不作詳細討論，但在適當情況下，所述技術、方法和設備應當被視為說明書的一部分。
[0046]在這里示出和討論的所有例子中，任何具體值應被解釋為僅僅是示例性的，而不是作為限制。因此，示例性實施例的其它例子可以具有不同的值。
[0047]應注意到:相似的標號和字母在下面的附圖中表示類似項，因此，一旦某一項在一個附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進行進一步討論。
[0048]實施例一
[0049]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種導體線路的制造方法。載體可以根據(jù)需要進行選擇。通常為非金屬載體，如，塑膠、塑料、玻璃或陶瓷等材質。本實施例中，載體采用塑膠載體I，塑膠載體I由PC (聚碳酸酯)、ABS (丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)、PBT (聚對苯二甲酸丁二醇酯)、PES (聚醚砜樹脂)、PSU(聚砜類塑料)或GF(玻璃纖維)中的一種或多種材料，經混合注塑、擠出或者吹塑成型。本實施例中，鍍化處理采用化學鍍。鍍化處理也可以采用電鍍等方式。參照圖1-圖5，包括以下步驟:
[0050]S1、準備一塑膠載體1，按照設定的圖案，對塑膠載體I進行第一次改性處理，以形成凹凸不平的粗糙面區(qū)域。本實施例中，采用激光照射的方法進行第一次改性處理，第一次改性調整還可以用其他化學方法，如化學侵蝕等。為了達到更佳的改性效果，激光的波長為190-1500nm，激光的頻率為10_200kHz，激光的移動速率為100-5000mm/s，激光的照射次數(shù)為2次以上，激光照射處理后的載體的粗糙面的深度為2-100 μπι。
[0051]在一種實施方式中，激光的波長為1064nm，激光的頻率為60kHz，激光的移動速率為2500mm/s，激光的照射次數(shù)為2次。
[0052]在另一種實施方式中，激光的波長為采用190nm，激光的頻率為10kHz，激光的移動速率為100mm/S，激光的照射次數(shù)為8次。
[0053]在另一種實施方式中，激光的波長為采用1500nm，激光的頻率為200kHz，激光的移動速率為5000mm/s，激光的照射次數(shù)為5次。
[0054]當然，激光的波長、頻率、移動速度和照射次數(shù)可以根據(jù)載體的材質和結構進行選擇。在本實施例中，經激光照射后，如圖2-3所示，塑膠載體I形成截面為鋸齒狀的照射區(qū)域11，當然，照射區(qū)域11也可以為其他絨面形狀。塑膠載體I表面的照射區(qū)域11形成凹凸不平的粗糙面區(qū)域，因激光的“灼燒”而發(fā)生改變，產生具有親水性的官能團和粗糙化的表面，有利于敏化物質和催化物質的吸附。
[0055]S2、為使照射區(qū)域11的親水性更強，對SI步驟改性處理后的粗糙面區(qū)域進行第二次改性處理，第二次改性處理包括附著氯化亞錫敏化劑，以形成敏化區(qū)域，優(yōu)選地，在附著氯化亞錫敏化劑之前還包括酸洗和堿洗。將載體分別浸漬酸性、堿性和含有敏化劑的溶液中。步驟如下:
[0056]S21、采用亞硫酸氫鈉的酸性溶液對照射區(qū)域11進行酸洗，以改性調整，增強照射區(qū)域11的極性。優(yōu)選地，亞硫酸氫鈉的濃度為5-15%，pH值為0.5-1.5，酸洗溫度為50-55 0C，酸洗時間為5-30分鐘。更進一步地，本實施例中，亞硫酸氫鈉的濃度為10 %，酸洗溫度為52°C，酸洗時間為20分鐘。當然，也可以采用氫氟酸和硝酸等其他的酸進行酸洗。考慮到酸洗效果和操作安全性本實施例采用亞硫酸氫鈉溶液進行酸洗。
[0057]在另一個實施方式中，亞硫酸氫鈉溶液的濃度為5%，酸洗溫度為50°C，酸洗時間為30分鐘。在另一個實施方式中，亞硫酸氫鈉的濃度為15%，酸洗溫度為55°C，酸洗時間為5分鐘。都能達到良好的酸洗效果。
[0058]S22、采用氫氧化鈉溶液對S21步驟酸洗后的照射區(qū)域11進行堿洗以再次改性。堿洗可以進一步增強所述照射區(qū)域11的親水性，并且可以使照射區(qū)域11變得稍平整。優(yōu)選地，氫氧化鈉溶液的濃度為50-100g/L，堿洗溫度為50-55°C，堿洗時間為10-80分鐘。更進一步地，氫氧化鈉的濃度為60g/L，堿洗溫度為52°C，堿洗時間為50分鐘。