一種低噪音pssr放大器電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種低噪音PSSR放大器電路，屬于集成電子電路設(shè)計領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]CMOS放大器設(shè)計中低噪聲一直是設(shè)計的難點(diǎn)。CMOS器件中包含了熱噪聲和閃爍噪聲，為了高增益，寬輸入共模，第一級運(yùn)放中通常應(yīng)用折疊式共源共柵設(shè)計，這種設(shè)計中電流源噪聲在噪聲列表中占比很大，增長其面積和較少跨導(dǎo)都需要付出性能代價及提高成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，本發(fā)明的目的是提出一種低噪音PSSR放大器電路。
[0004]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為:一種低噪音PSSR放大器電路，由共源相接的電流源、第一級放大器、第二級放大器和第三級放大器相接構(gòu)成，其中所述電流源為由場效應(yīng)管P2、場效應(yīng)管P3、場效應(yīng)管P6、場效應(yīng)管P7、場效應(yīng)管N5、場效應(yīng)管N6組成的共源共柵電流源且接設(shè)有負(fù)載，所述第一級放大器具有由場效應(yīng)管Ml和場效應(yīng)管M2組成的差分對管，
特別地，所述負(fù)載由電阻Rl和電阻R2組成，
所述電阻Rl的一端接Vss電位點(diǎn)，電阻Rl的另一端與場效應(yīng)管N5的源極及場效應(yīng)管Ml的漏極相耦接，
所述電阻R2的一端接Vss點(diǎn)位點(diǎn)，電阻R2的另一端與場效應(yīng)管N6的源極及場效應(yīng)管M2的漏極相耦接，
所述場效應(yīng)管N5和場效應(yīng)管N6的共柵極與場效應(yīng)管N5的漏極相連，且兩個場效應(yīng)管的漏極分別接入第二級放大器的差分輸入端。
[0005]進(jìn)一步地，所述電流源中，場效應(yīng)管P2與場效應(yīng)管P3共源共柵相連，場效應(yīng)管P2的漏極與場效應(yīng)管P6的源極相耦接，場效應(yīng)管P6的漏極與場效應(yīng)管N5的漏極相耦接，場效應(yīng)管P3的漏極與場效應(yīng)管P7的源極相耦接，場效應(yīng)管P7的漏極與場效應(yīng)管N6的漏極相耦接，場效應(yīng)管P6與場效應(yīng)管P7共柵相連，場效應(yīng)管N5與場效應(yīng)管N6共柵相連。
[0006]進(jìn)一步地，所述第一級放大器還包括場效應(yīng)管Pl，所述場效應(yīng)管Pl的漏極與場效應(yīng)管Ml、場效應(yīng)管M2的共源極相耦接。
[0007]進(jìn)一步地，所述第二級放大器包括場效應(yīng)管P4、場效應(yīng)管N7、場效應(yīng)管N8、場效應(yīng)管M21和場效應(yīng)管M22，所述場效應(yīng)管P4的漏極與場效應(yīng)管M21、場效應(yīng)管M22的共源極相耦接，所述場效應(yīng)管M21的柵極與場效應(yīng)管P7、場效應(yīng)管N6的共漏極相耦接，場效應(yīng)管M21的漏極與場效應(yīng)管N7的漏極、場效應(yīng)管N7和場效應(yīng)管NS的共柵極相耦接，所述場效應(yīng)管M22的柵極與場效應(yīng)管P6的漏極和場效應(yīng)管N5的共漏極、場效應(yīng)管N5和場效應(yīng)管N6的共柵極相耦接，場效應(yīng)管M22的漏極與場效應(yīng)管N8的漏極相耦接，所述場效應(yīng)管N7與場效應(yīng)管N8的源極連接Vss電位點(diǎn)。
[0008]進(jìn)一步地，所述第三級放大器包括共漏相連的場效應(yīng)管P5和場效應(yīng)管M3，所述場效應(yīng)管M3的柵極與場效應(yīng)管M22和場效應(yīng)管N8的共漏極相耦接，且場效應(yīng)管M3的源極接Vss電位點(diǎn)。
[0009]本發(fā)明的有益效果:負(fù)載采用并聯(lián)的電阻，改善了噪音系數(shù)，具有低噪音的特點(diǎn)，顯著提高了電路的電源抑制比，且成本低廉。
【附圖說明】
[0010]圖1是本發(fā)明一種低噪音PSSR放大器電路的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]如圖1所示，一種低噪音PSSR放大器電路，由共源相接的電流源、第一級放大器、第二級放大器和第三級放大器相接構(gòu)成，其中電流源為由場效應(yīng)管P2、場效應(yīng)管P3、場效應(yīng)管P6、場效應(yīng)管P7、場效應(yīng)管N5、場效應(yīng)管N6組成的共源共柵電流源且接設(shè)有負(fù)載，第一級放大器具有由場效應(yīng)管Ml和場效應(yīng)管M2組成的差分對管，負(fù)載由電阻Rl和電阻R2組成，電阻Rl與電阻R2為并聯(lián)結(jié)構(gòu)，電阻的噪聲特性比MOS器件好，所以負(fù)載能實(shí)現(xiàn)低噪音，電阻Rl的一端接Vss電位點(diǎn)，電阻Rl的另一端與場效應(yīng)管N5的源極及場效應(yīng)管Ml的漏極相耦接，電阻R2的一端接Vss點(diǎn)位點(diǎn)，電阻R2的另一端與場效應(yīng)管N6的源極及場效應(yīng)管M2的漏極相耦接，場效應(yīng)管N5和場效應(yīng)管N6的共柵極與場效應(yīng)管N5的漏極相連，且兩個場效應(yīng)管的漏極分別接入第二級放大器的差分輸入端，場效應(yīng)管N5和場效應(yīng)管N6的共柵極利用二極管連接的方式，能消除電源噪聲影響。
[0012]細(xì)化本發(fā)明的電流源，場效應(yīng)管P2與場效應(yīng)管P3共源共柵相連，場效應(yīng)管P2的漏極與場效應(yīng)管P6的源極相耦接，場效應(yīng)管P6的漏極與場效應(yīng)管N5的漏極相耦接，場效應(yīng)管P3的漏極與場效應(yīng)管P7的源極相耦接，場效應(yīng)管P7的漏極與場效應(yīng)管N6的漏極相耦接，場效應(yīng)管P6與場效應(yīng)管P7共柵相連，場效應(yīng)管N5與場效應(yīng)管N6共柵相連。
[0013]對第一級放大器進(jìn)行優(yōu)化，第一級放大器還包括場效應(yīng)管Pl，場效應(yīng)管Pl的漏極與場效應(yīng)管Ml、場效應(yīng)管M2的共源極相耦接。
[0014]對第二級放大器進(jìn)行優(yōu)化，第二級放大器包括場效應(yīng)管P4、場效應(yīng)管N7、場效應(yīng)管N8、場效應(yīng)管M21和場效應(yīng)管M22，場效應(yīng)管P4的漏極與場效應(yīng)管M21、場效應(yīng)管M22的共源極相耦接，場效應(yīng)管M21的柵極與場效應(yīng)管P7、場效應(yīng)管N6的共漏極相耦接，場效應(yīng)管M21的漏極與場效應(yīng)管N7的漏極、場效應(yīng)管N7和場效應(yīng)管N8的共柵極相耦接，場效應(yīng)管M22的柵極與場效應(yīng)管P6的漏極和場效應(yīng)管N5的共漏極、場效應(yīng)管N5和場效應(yīng)管N6的共柵極相耦接，場效應(yīng)管M22的漏極與場效應(yīng)管NS的漏極相耦接，所述場效應(yīng)管N7與場效應(yīng)管N8的源極連接Vss電位點(diǎn)。
[0015]對第三級放大器進(jìn)行優(yōu)化，第三級放大器包括共漏相連的場效應(yīng)管P5和場效應(yīng)管M3，所述場效應(yīng)管M3的柵極與場效應(yīng)管M22和場效應(yīng)管NS的共漏極相耦接，且場效應(yīng)管M3的源極接Vss電位點(diǎn)。
[0016]除上述實(shí)施例外，本發(fā)明還可以有其它實(shí)施方式，凡采用等同替換或等效變換形成的技術(shù)方案，均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種低噪音PSSR放大器電路，由共源相接的電流源、第一級放大器、第二級放大器和第三級放大器相接構(gòu)成，其中 所述電流源為由場效應(yīng)管P2、場效應(yīng)管P3、場效應(yīng)管P6、場效應(yīng)管P7、場效應(yīng)管N5、場效應(yīng)管N6組成的共源共柵電流源且接設(shè)有負(fù)載，所述第一級放大器具有由場效應(yīng)管Ml和場效應(yīng)管M2組成的差分對管， 其特征在于:所述負(fù)載由電阻Rl和電阻R2組成， 所述電阻Rl的一端接Vss電位點(diǎn)，電阻Rl的另一端與場效應(yīng)管N5的源極及場效應(yīng)管Ml的漏極相耦接， 所述電阻R2的一端接Vss點(diǎn)位點(diǎn)，電阻R2的另一端與場效應(yīng)管N6的源極及場效應(yīng)管M2的漏極相耦接， 所述場效應(yīng)管N5和場效應(yīng)管N6的共柵極與場效應(yīng)管N5的漏極相連，且兩個場效應(yīng)管的漏極分別接入第二級放大器的差分輸入端。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低噪音PSSR放大器電路，其特征在于:所述電流源中，場效應(yīng)管P2與場效應(yīng)管P3共源共柵相連，場效應(yīng)管P2的漏極與場效應(yīng)管P6的源極相耦接，場效應(yīng)管P6的漏極與場效應(yīng)管N5的漏極相耦接，場效應(yīng)管P3的漏極與場效應(yīng)管P7的源極相耦接，場效應(yīng)管P7的漏極與場效應(yīng)管N6的漏極相耦接，場效應(yīng)管P6與場效應(yīng)管P7共柵相連，場效應(yīng)管N5與場效應(yīng)管N6共柵相連。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低噪音PSSR放大器電路，其特征在于:所述第一級放大器還包括場效應(yīng)管P1，所述場效應(yīng)管Pl的漏極與場效應(yīng)管M1、場效應(yīng)管M2的共源極相耦接。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低噪音PSSR放大器電路，其特征在于:所述第二級放大器包括場效應(yīng)管P4、場效應(yīng)管N7、場效應(yīng)管N8、場效應(yīng)管M21和場效應(yīng)管M22，所述場效應(yīng)管P4的漏極與場效應(yīng)管M21、場效應(yīng)管M22的共源極相耦接，所述場效應(yīng)管M21的柵極與場效應(yīng)管P7、場效應(yīng)管N6的共漏極相耦接，場效應(yīng)管M21的漏極與場效應(yīng)管N7的漏極、場效應(yīng)管N7和場效應(yīng)管NS的共柵極相耦接，所述場效應(yīng)管M22的柵極與場效應(yīng)管P6的漏極和場效應(yīng)管N5的共漏極、場效應(yīng)管N5和場效應(yīng)管N6的共柵極相耦接，場效應(yīng)管M22的漏極與場效應(yīng)管N8的漏極相耦接，所述場效應(yīng)管N7與場效應(yīng)管N8的源極連接Vss電位點(diǎn)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低噪音PSSR放大器電路，其特征在于:所述第三級放大器包括共漏相連的場效應(yīng)管P5和場效應(yīng)管M3，所述場效應(yīng)管M3的柵極與場效應(yīng)管M22和場效應(yīng)管N8的共漏極相耦接，且場效應(yīng)管M3的源極接Vss電位點(diǎn)。
【專利摘要】本發(fā)明揭示了一種低噪音PSSR放大器電路，由共源相接的電流源、三級放大器相接構(gòu)成，其中電流源為由場效應(yīng)管P2、P3、P6、P7、N5、N6組成的共源共柵電流源且接設(shè)有負(fù)載，第一級放大器具有由場效應(yīng)管M1、M2組成的差分對管，負(fù)載由電阻R1、R2組成，電阻R1的一端接VSS電位點(diǎn)，電阻R1的另一端與場效應(yīng)管N5的源極及場效應(yīng)管M1的漏極相耦接，電阻R2的一端接VSS點(diǎn)位點(diǎn)，電阻R2的另一端與場效應(yīng)管N6的源極及場效應(yīng)管M2的漏極相耦接，場效應(yīng)管N5、N6的共柵極與場效應(yīng)管N5的漏極相連，兩個場效應(yīng)管的漏極分別接入第二級放大器的差分輸入端。本發(fā)明的有益效果，負(fù)載采用并聯(lián)的電阻，改善了噪音系數(shù)，具有低噪音的特點(diǎn)，顯著提高了電路的電源抑制比，且成本低廉。
【IPC分類】H03F1/26
【公開號】CN104901635
【申請?zhí)枴緾N201510313431
【發(fā)明人】何德軍
【申請人】思瑞浦微電子科技（蘇州）有限公司
【公開日】2015年9月9日
【申請日】2015年6月10日