混頻器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及通訊技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種混頻器。
【背景技術(shù)】
[0002]在現(xiàn)代無(wú)線通信系統(tǒng)中，混頻器是射頻前端電路中的關(guān)鍵模塊，廣泛應(yīng)用于各種接收機(jī)和發(fā)射機(jī)系統(tǒng)中?；祛l器本質(zhì)上主要完成頻率的變換功能，接收機(jī)射頻前端將接收到得射頻信號(hào)轉(zhuǎn)換成中頻信號(hào)，而發(fā)射機(jī)射頻前端是將要發(fā)射的基帶信號(hào)轉(zhuǎn)換成射頻信號(hào)。在射頻接收機(jī)中，混頻器作為繼低噪聲放大器后的第二個(gè)模塊，在接收機(jī)中起著重要的作用，其性能直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的性能。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，有源混頻器的線性度在輸入的射頻信號(hào)幅度較小時(shí)，輸出的小信號(hào)電流和輸入的射頻信號(hào)呈現(xiàn)較好的線性關(guān)系，但是隨著射頻信號(hào)幅度的增大，導(dǎo)致輸出的小信號(hào)電流不再隨射頻信號(hào)線性變化，所以導(dǎo)致線性度變差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種混頻器，能夠在射頻信號(hào)幅度增大時(shí)保持良好的線性度。
[0005]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種混頻器，包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第一電容、第二電容、第三電容、第四電容、第一電阻、第二電阻、第三電阻和第四電阻；所述第一 MOS管和所述第二 MOS管的源極接地，所述第一 MOS管和所述第二 MOS管的漏極相連接后與所述第三MOS管和所述第四MOS管的源極相連接，所述第一 MOS管的柵極通過(guò)第一電容接射頻信號(hào)且通過(guò)所述第一電阻接第一偏置電壓，所述第二 MOS管的柵極通過(guò)第二電容接所述射頻信號(hào)且通過(guò)所述第二電阻接第二偏置電壓，所述第三MOS管的柵極和所述第四MOS管的柵極分別連接本振信號(hào)，串聯(lián)的所述第三電阻和所述第四電阻以及串聯(lián)的所述第三電容和所述第四電容連接在所述第三MOS管的漏極和所述第四MOS管的漏極之間，所述第三電容和所述第四電容之間接地，所述第三MOS管的漏極和所述第四MOS管的漏極分別輸出中頻電壓信號(hào)，所述第五MOS管的漏極連接直流電源、柵極連接本振信號(hào)、源極連接第三MOS管的漏極，所述第六MOS管的漏極連接所述直流電源、柵極連接本振信號(hào)、源極連接第四MOS管的漏極。
[0006]優(yōu)選地，所述第一偏置電壓和所述第二偏置電壓相同。
[0007]區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明的有益效果是:由于通過(guò)兩個(gè)并聯(lián)的MOS管接收射頻信號(hào)，從而能能夠在射頻信號(hào)幅度增大時(shí)保持良好的線性度，可以提高處理大信號(hào)的能力，并增加一定的轉(zhuǎn)換增益，優(yōu)化噪聲系數(shù)。
【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1是本發(fā)明實(shí)施例混頻器的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0009]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0010]參見(jiàn)圖1，是本發(fā)明實(shí)施例混頻器的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例的混頻器包括第一 MOS管M1、第二 MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第一電容Cl、第二電容C2、第三電容C3、第四電容C4、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3和第四電阻R4。
[0011]第一 MOS管Ml和第二 MOS管M2的源極接地，第一 MOS管Ml和第二 MOS管M2的漏極相連接后與第三MOS管M3和第四MOS管M4的源極相連接，第一 MOS管Ml的柵極通過(guò)第一電容Cl接射頻信號(hào)RF且通過(guò)第一電阻Rl接第一偏置電壓VbI，第二 MOS管M2的柵極通過(guò)第二電容C2接射頻信號(hào)RF且通過(guò)第二電阻R2接第二偏置電壓Vb2，第三MOS管M3的柵極和第四MOS管M4的柵極分別連接本振信號(hào)L0，串聯(lián)的第三電阻R3和第四電阻R4以及串聯(lián)的第三電容C3和第四電容C4連接在第三MOS管M3的漏極和第四MOS管M4的漏極之間，第三電容C3和第四電容C4之間接地，第三MOS管M3的漏極和第四MOS管M4的漏極分別輸出中頻電壓信號(hào)IF，第五MOS管M5的漏極連接直流電源VDD、柵極連接本振信號(hào)L0、源極連接第三MOS管M3的漏極，第六MOS管M6的漏極連接直流電源VDD、柵極連接本振信號(hào)L0、源極連接第四MOS管M4的漏極。
[0012]具體而言，第三MOS管M3的柵極接本振信號(hào)L0-，第四MOS管M4的柵極接本振信號(hào)L0+，第五MOS管M5的柵極接本振信號(hào)L0+，第六MOS管M6的柵極接本振信號(hào)L0-。第三MOS管M3的漏極輸出中頻電壓信號(hào)IF-，第四MOS管M4的漏極輸出中頻電壓信號(hào)IF+。
[0013]在本實(shí)施例中，第一偏置電壓Vbl和第二偏置電壓Vb2相同。
[0014]在CMOS電路中，由于在小的信號(hào)輸入范圍內(nèi)，MOS管呈現(xiàn)合理的線性跨導(dǎo)，輸入信號(hào)和輸出線號(hào)也就呈現(xiàn)線性關(guān)系，而當(dāng)輸入信號(hào)幅度較大時(shí)，輸出信號(hào)就與輸入信號(hào)就會(huì)呈現(xiàn)非線性關(guān)系，本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)并聯(lián)的第一 MOS管Ml和第二 MOS管M2接射頻信號(hào)RF，當(dāng)?shù)谝黄秒妷篤bl和第二偏置電壓Vb2選取適當(dāng)時(shí)，雖然對(duì)于幅度增大的射頻信號(hào)每個(gè)MOS管的線性度較差，但是從整體上，兩個(gè)MOS管的總跨導(dǎo)可以在更大的信號(hào)范圍內(nèi)呈現(xiàn)線性關(guān)系，因此能夠在射頻信號(hào)幅度增大時(shí)保持良好的線性度，可以提高處理大信號(hào)的能力。
[0015]進(jìn)一步地，第四MOS管M4和第五MOS管M5導(dǎo)通的情況下第五MOS管M5將第三電阻R3 —端短路到交流地，同理在第三MOS管M3和第六MOS管M6導(dǎo)通的情況下第六MOS管M6將第四電阻R4的一端短路到交流地，由于不存在中間點(diǎn)接交流地的情況，同樣的電流信號(hào)可獲得兩倍的電壓轉(zhuǎn)換增益。同時(shí)由于一端采樣的同時(shí)另一端不再需要保持，使得該電路可以驅(qū)動(dòng)更小的負(fù)載阻抗，雖然犧牲了一端的信號(hào)能量，但是另一端信號(hào)能量加倍。轉(zhuǎn)換增益由于不受負(fù)載漏電的影響，因此本發(fā)明實(shí)施例提供的混頻器增加一定的轉(zhuǎn)換增益，而正是由于轉(zhuǎn)換增益增加，所以在同樣的輸出參考噪聲前提下，噪聲系數(shù)也得以優(yōu)化。
[0016]通過(guò)上述方式，本發(fā)明實(shí)施例的混頻器由于通過(guò)兩個(gè)并聯(lián)的MOS管接收射頻信號(hào)，從而能能夠在射頻信號(hào)幅度增大時(shí)保持良好的線性度，可以提高處理大信號(hào)的能力，并增加一定的轉(zhuǎn)換增益，優(yōu)化噪聲系數(shù)。
[0017]以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專(zhuān)利范圍，凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專(zhuān)利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種混頻器，其特征在于，包括第一 MOS管、第二 MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第一電容、第二電容、第三電容、第四電容、第一電阻、第二電阻、第三電阻和第四電阻； 所述第一 MOS管和所述第二 MOS管的源極接地，所述第一 MOS管和所述第二 MOS管的漏極相連接后與所述第三MOS管和所述第四MOS管的源極相連接，所述第一 MOS管的柵極通過(guò)第一電容接射頻信號(hào)且通過(guò)所述第一電阻接第一偏置電壓，所述第二 MOS管的柵極通過(guò)第二電容接所述射頻信號(hào)且通過(guò)所述第二電阻接第二偏置電壓，所述第三MOS管的柵極和所述第四MOS管的柵極分別連接本振信號(hào)，串聯(lián)的所述第三電阻和所述第四電阻以及串聯(lián)的所述第三電容和所述第四電容連接在所述第三MOS管的漏極和所述第四MOS管的漏極之間，所述第三電容和所述第四電容之間接地，所述第三MOS管的漏極和所述第四MOS管的漏極分別輸出中頻電壓信號(hào)，所述第五MOS管的漏極連接直流電源、柵極連接本振信號(hào)、源極連接第三MOS管的漏極，所述第六MOS管的漏極連接所述直流電源、柵極連接本振信號(hào)、源極連接第四MOS管的漏極。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混頻器，其特征在于，所述第一偏置電壓和所述第二偏置電壓相同。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供了一種混頻器。其包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第一電容、第二電容、第三電容、第四電容、第一電阻、第二電阻、第三電阻和第四電阻。第一MOS管和第二MOS管并聯(lián)，且該兩個(gè)MOS管的柵極均通過(guò)電容接射頻信號(hào)并接偏置電壓，漏極接第三MOS管和第四MOS管的源極，第三MOS管和第四MOS管的漏極接第五MOS管和第六MOS管的源極，第五MOS管和第六MOS管的漏極接直流電源，第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管和第六MOS管的柵極均接本振信號(hào)，第三電容和第四電容串聯(lián)后及第三電阻和第四電阻串聯(lián)后接在第三MOS管和第四MOS管的漏極之間，且第三電容和第四電容之間接地。本發(fā)明能夠在射頻信號(hào)幅度增大時(shí)保持良好的線性度。
【IPC分類(lèi)】H03D7/16
【公開(kāi)號(hào)】CN104901629
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510336430
【發(fā)明人】張繼宏
【申請(qǐng)人】成都宜川電子科技有限公司
【公開(kāi)日】2015年9月9日
【申請(qǐng)日】2015年6月16日