除渣處理方法及除渣處理裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及將由含有填料的樹脂構(gòu)成的絕緣層和導(dǎo)電層層疊而成的配線基板材 料的除渣處理方法及除渣處理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 作為用來搭載例如半導(dǎo)體集成電路元件等的半導(dǎo)體元件的配線基板，已知有將絕 緣層和導(dǎo)電層（配線層）交替地層疊而成的多層配線基板。在該樣的多層配線基板中，為 了將一個導(dǎo)電層與其他導(dǎo)電層電連接，形成了將1個或多個絕緣層在厚度方向上貫通而延 伸的導(dǎo)通孔或透孔。
[0003]在多層配線基板的制造工序中，通過對將絕緣層和導(dǎo)電層層疊而成的配線基板材 料實施鉆削加工或激光加工來將絕緣層或?qū)щ妼拥囊徊糠殖?，形成?dǎo)通孔或透孔。并且， 在導(dǎo)通孔或透孔的形成中，在配線基板材料中產(chǎn)生起因于構(gòu)成絕緣層或?qū)щ妼拥牟牧系臍?渣。因此，對該配線基板材料進行將殘渣除去的除渣處理。
[0004]作為配線基板材料的除渣處理方法，W往，已知有濕式的除渣處理方法及干式的 除渣處理方法（參照專利文獻1及專利文獻2)。
[0005]濕式的除渣處理方法，是通過將配線基板材料浸潰到溶解有高鋪酸鐘或氨氧化鋼 的堿溶液中而將殘留在配線基板材料上的殘渣溶解或剝離除去的方法。另一方面，干式的 除渣處理方法，是通過對配線基板材料照射紫外線、用該紫外線的能量及隨著紫外線的照 射產(chǎn)生的臭氧將殘渣分解除去的方法。
[0006]但是，在濕式的除渣處理方法中，因為為了使殘渣溶解到堿溶液中而需要較長的 時間、在將配線基板材料浸潰到堿溶液中之后需要進行清洗處理及中和處理、對于已使用 的堿溶液需要廢液處理等，所W有除渣處理的成本變得相當(dāng)高的問題。
[0007]此外，近年來，隨著配線基板上的配線圖案的細微化的要求，要求形成直徑較小的 導(dǎo)通孔。并且，在對具有直徑較小的導(dǎo)通孔的配線基板材料進行除渣處理的情況下，由于堿 溶液不充分滲入到導(dǎo)通孔內(nèi)，所W難W可靠地進行所需的除渣處理。
[000引相對于此，根據(jù)干式的除渣處理方法，由于能夠在短時間內(nèi)進行除渣處理，此外， 不需要配線基板材料的清洗、中和及廢液處理，所W關(guān)于除渣處理能夠?qū)崿F(xiàn)成本的降低。進 而，關(guān)于具有直徑較小的導(dǎo)通孔的配線基板材料也能夠?qū)?yīng)。
[0009]但是，在W往的干式的除渣處理中，明確了有W下該樣的問題。
[0010] 在干式的除渣處理中，起因于構(gòu)成絕緣層的樹脂等的有機物質(zhì)的殘渣通過紫外線 及臭氧的作用而分解，被除去。然而，有起因于構(gòu)成絕緣層中含有的填料的陶瓷或構(gòu)成導(dǎo)電 層的金屬等的無機物質(zhì)的殘渣不通過紫外線或臭氧的作用而分解、而是殘留在配線基板材 料中的問題。
[0011] 專利文獻1 ;日本特開2012-217536號公報
[0012]專利文獻2 ;日本特開平8-180757號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0013] 本發(fā)明是基于W上那樣的情況而做出的，其目的是提供一種不論是起因于無機物 質(zhì)及有機物質(zhì)的哪種的殘渣都能夠可靠地除去、不需要使用需要廢液處理的藥品的除渣處 理方法及除渣處理裝置。
[0014] 本發(fā)明的除渣處理方法是層疊有由含有填料的樹脂構(gòu)成的絕緣層和導(dǎo)電層的配 線基板材料的除渣處理方法，其特征在于，具有；紫外線照射處理工序，對上述配線基板材 料照射波長220nmW下的紫外線；W及物理性振動處理工序，對經(jīng)過了該紫外線照射處理 工序的配線基板材料施加物理性振動。
[0015] 在本發(fā)明的除渣處理方法中，優(yōu)選的是，上述紫外線照射處理工序在含氧的氣體 環(huán)境下進行。
[0016] 此外，優(yōu)選的是，上述配線基板材料形成有將上述絕緣層貫通的貫通孔；此外，更 優(yōu)選的是，將上述絕緣層貫通的上述貫通孔通過激光加工而形成。
[0017] 此外，優(yōu)選的是，交替地重復(fù)上述紫外線照射處理工序和上述物理性振動處理工 序。
[0018] 此外，優(yōu)選的是，上述物理性振動處理工序通過超聲波振動處理而進行。
[0019] 在本發(fā)明的除渣處理方法中，優(yōu)選的是，對于上述配線基板材料的被處理部分，在 該被處理部分濕潤的狀態(tài)下進行上述紫外線照射處理工序。
[0020] 此外，優(yōu)選的是，作為上述紫外線照射處理工序的前處理工序而具有濕潤處理工 序：
[0021] 將上述配線基板材料浸潰到水中，通過在該狀態(tài)下使該水發(fā)生超聲波振動，將該 配線基板材料的被處理部分濕潤。
[0022] 此外，優(yōu)選的是，作為上述紫外線照射處理工序的前處理工序而具有：
[0023] 浸潤性改善處理工序，在上述配線基板材料的被處理部分不濕潤的狀態(tài)下，改善 該被處理部分的浸潤性；W及濕潤處理工序，將經(jīng)過了該浸潤性改善處理工序的配線基板 材料的被處理部分濕潤。
[0024] 此外，優(yōu)選的是，通過對上述配線基板材料的被處理部分在該被處理部分不濕潤 的狀態(tài)下照射紫外線的干式紫外線照射處理，進行上述浸潤性改善處理工序。
[0025] 此外，優(yōu)選的是，在進行上述物理性振動處理工序前，交替地重復(fù)上述濕潤處理工 序和上述紫外線照射處理工序。
[0026] 此外，優(yōu)選的是，交替地重復(fù)上述紫外線照射處理工序和上述物理性振動處理工 序。
[0027] 本發(fā)明的除渣處理裝置是層疊有由含有填料的樹脂構(gòu)成的絕緣層和導(dǎo)電層的配 線基板材料的除渣處理裝置，其特征在于，具有：
[002引紫外線照射處理部，對上述配線基板材料照射波長220nmW下的紫外線；W及物 理性振動處理部，對利用該紫外線照射處理部進行紫外線照射處理后的配線基板材料施加 物理性振動。
[0029] 在本發(fā)明的除渣處理裝置中，優(yōu)選的是，上述物理性振動處理部通過超聲波振動 處理對配線基板材料施加物理性振動。
[0030] 此外，優(yōu)選的是，上述紫外線照射處理部具有配置上述配線基板材料的處理室和 向該處理室供給含氧的處理用氣體的氣體供給口。
[0031] 此外，優(yōu)選的是，上述除渣處理裝置具有在向上述紫外線照射處理部供給上述配 線基板材料之前將該配線基板材料的被處理部分濕潤的濕潤處理部。
[0032] 此外，優(yōu)選的是，上述濕潤處理部將上述配線基板材料浸潰到水中，通過在該狀態(tài) 下使該水發(fā)生超聲波振動，將該配線基板材料的被處理部分濕潤。
[0033] 此外，優(yōu)選的是，具有在向濕潤處理部供給上述配線基板材料之前對該配線基板 材料的被處理部分照射紫外線的干式紫外線照射處理部。
[0034] 在本發(fā)明的除渣處理方法中，在含氧的氣體環(huán)境下進行紫外線照射處理工序的情 況下，通過向氣體環(huán)境氣體照射波長220nmW下的紫外線，生成臭氧或活性氧。并且，起因 于有機物質(zhì)的殘渣通過紫外線的能量及隨著紫外線的照射產(chǎn)生的臭氧或活性氧而被分解。
[0035] 此外，在對于配線基板材料的被處理部分在該被處理部分濕潤的狀態(tài)下進行紫外 線照射處理工序的情況下，通過向水照射波長220皿W下的紫外線，生成OH基等。并且，起 因于有機物質(zhì)的殘渣通過紫外線的能量及隨著紫外線的照射產(chǎn)生的OH基等而被分解。OH 基與臭氧或活性氧等相比氧化力較高，所W起因于有機物質(zhì)的殘渣在短時間內(nèi)被分解。
[0036] 在紫外線照射處理工序中，起因于無機物質(zhì)的殘渣沒有被分解而是殘留在配線基 板材料上，但起因于該無機物質(zhì)的殘渣、例如氧化娃或氧化侶等的無機物質(zhì)通過被照射紫 外線而變脆。因此，在紫外線照射處理工序后的物理性振動處理工序中，通過對配線基板材 料施加物理性振動，起因于無機物質(zhì)的殘渣被破壞而從該配線基板材料脫離?；蛘?，通過起 因于無機物質(zhì)的殘渣的收縮、或在對各殘渣照射紫外線時產(chǎn)生的熱膨脹的差等而在殘渣間 產(chǎn)生稍稍的間隙，所W起因于無機物質(zhì)的殘渣通過實施物理性振動處理而從該配線基板材 料脫離。
[0037] 因而，根據(jù)本發(fā)明的除渣處理方法，不論是起因于無機物質(zhì)及有機物質(zhì)的哪種的 殘渣都能夠可靠地除去。
[003引此外，由于只要對配線基板材料進行紫外線照射處理及物理性振動處理就可W， 所W不需要使用需要廢液處理的藥品。
【附圖說明】
[0039] 圖1是示表作為本發(fā)明的除渣處理方法的處理對象的配線基板材料的一例的主 要部的結(jié)構(gòu)的說明用剖視圖。
[0040] 圖2是表示圖1所示的配線基板材料的制造工序的說明用剖視圖。
[0041] 圖3是表示作為波長220nm的紫外線的光源使用的準(zhǔn)分子燈的一例的結(jié)構(gòu)的概略 的說明用剖視圖，圖3(a)是表示沿著放電容器的長度方向的截面的橫剖視圖，圖3(b)是圖 3(a)的A-A線剖視圖。
[0042] 圖4是表示本發(fā)明的除渣處理方法的一例的工序的說明圖。
[0043] 圖5是表示本發(fā)明的除渣處理裝置的第1例的結(jié)構(gòu)的說明圖。
[0044] 圖6是表示本發(fā)明的除渣處理裝置的第2例的結(jié)構(gòu)的說明圖。
[0045] 圖7是表示本發(fā)明的除渣處理裝置的第3例的結(jié)構(gòu)的說明圖。
[0046] 圖8是表示本發(fā)明的除渣處理裝置的第4例的結(jié)構(gòu)的說明圖。
[0047] 圖9是表示本發(fā)明的除渣處理裝置的第5例的結(jié)構(gòu)的說明圖。
【具體實施方式】
[0048]W下，對本發(fā)明的除渣處理方法的實施方式進行說明。
[0049] <除渣處理方法〉
[0化0] 圖1是表示作為本發(fā)明的除渣處理方法的處理對象的配線基板材料的一例的主 要部的結(jié)構(gòu)的說明用剖視圖。該配線基板材料1由第1絕緣層2、層疊在該第1絕緣層2的 表面上的所需的圖案的導(dǎo)電層（配線層）3、和層疊在包括該導(dǎo)電層3的第1絕緣層2上的 第2絕緣層4構(gòu)成。在第2絕緣層4上，形成有在其厚度方向上延伸的例如導(dǎo)通孔等的貫 通孔5,通過該貫通孔5,使導(dǎo)電層3的一部分分成為露出的狀態(tài)。
[0化1] 第1絕緣層2及第2絕緣層4分別通過含有由無機物質(zhì)構(gòu)成的粒狀的填料的樹脂 構(gòu)成。
[0052]作為構(gòu)成第1絕緣層2及第2絕緣層4的樹脂，可W使用環(huán)氧樹脂、雙馬來酷亞胺 =嗦樹脂、聚酷亞胺樹脂、聚醋樹脂等。
[0化3]作為構(gòu)成第1絕緣層2中及第2絕緣層4中含有的填料的材料，可W使用氧化娃、 氧化侶、云母、娃酸鹽、硫酸領(lǐng)、氨氧化儀、氧化鐵等。填料的平均粒子徑例如是0. 1~3ym。
[0054] 第1絕緣層2及第2絕緣層4的各自中的填料的比例例如是20~60質(zhì)量％。
[0055]作為構(gòu)成導(dǎo)電層3的材料，可W使用銅、鑲、金等。
[0056] 第1絕緣層2的厚度例如是20~800ym，第2絕緣層4的厚度例如是10~50ym。 導(dǎo)電層3的厚度例如是10~100ym。此外，貫通孔5的直徑例如是30~100ym。
[0化7] 該樣的配線基板材料1例如如W下該樣得到。
[005引首先，如圖2(a)所示，在第1絕緣層2的表面上形成所需的圖案的導(dǎo)電層3。接 著，如圖2(b)所示，在包括導(dǎo)電層3的第1絕緣層2的表面上形成第2絕緣層4。然后，如 圖2(C)所示，在第2絕緣層4的所需的部位上，形成在該第2絕緣層4的厚度方向上貫通 而延伸的貫通孔5。
[0化9]W上，作為形成導(dǎo)電層3的方法，沒有被特別限定，可W使用減成法、半加成法等 的各種方法。
[0060] 作為形成第2絕緣層4的方法，可W使用在將液態(tài)的熱硬化性樹脂中含有填料的 絕緣層形成材料涂敷到包含導(dǎo)電層3的第1絕緣層2的表面上之后對該絕緣層形成材料進 行硬化處理的方法、或在包含導(dǎo)電層3的第1絕緣層2的表面上通過熱壓接等貼合含有填 料的絕緣薄片的方法。
[0061] 作