實施方式涉及能夠?qū)崿F(xiàn)圖案的精確沉積和防止陰影現(xiàn)象的掩模組件以及制造顯示設(shè)備的方法。

背景技術(shù)：

1、顯示設(shè)備向用戶提供諸如圖像或視頻的可視信息。隨著諸如計算機和大型電視的各種電子裝置的發(fā)展，已經(jīng)開發(fā)了可應(yīng)用于其的各種類型的顯示設(shè)備。近來，基于移動性的電子裝置被廣泛地使用，并且不僅諸如移動電話的小型電子裝置，而且平板個人計算機(pc)也被廣泛地用作移動電子裝置。

2、顯示設(shè)備包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，并且多個發(fā)光元件布置在顯示區(qū)域中。顯示設(shè)備可以通過由發(fā)光元件發(fā)射的光來提供圖像。發(fā)光元件通過沉積材料的沉積而形成，并且在這點上，可以使用用于制造包括掩模組件的顯示設(shè)備的設(shè)備。

3、上述背景技術(shù)是申請人為了推導(dǎo)本公開而擁有的或者在本公開的推導(dǎo)過程中所獲得的技術(shù)信息，并且不能說是在提交本公開之前向公眾公開了的已知技術(shù)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、實施方式包括能夠?qū)崿F(xiàn)圖案的精確沉積和防止陰影現(xiàn)象的掩模組件和制造顯示設(shè)備的方法。

2、然而，本公開要解決的目標(biāo)不限于此。

3、另外的方面將部分地在隨后的描述中闡述，并且部分地將從描述中顯而易見，或者可以通過實踐本公開的實施方式來獲知。

4、根據(jù)實施方式，掩模組件可以包括包含開口區(qū)域的掩?？蚣芎脱谀Ｆ?。掩模片可以包括：第一金屬層，布置在掩?？蚣苌喜⑶野ǖ谝婚_口；第二金屬層，布置在第一金屬層上，并且包括在平面圖中與第一開口重疊的多個第二開口；第三金屬層，布置在第二金屬層上，并且包括在平面圖中與第一開口重疊的多個第三開口；以及第四金屬層，布置在第三金屬層上，并且包括在平面圖中與第一開口重疊的多個第四開口。

5、在實施方式中，第一開口可以與掩模片的單元區(qū)域?qū)?yīng)地形成，并且第一金屬層可以沿著單元區(qū)域的周邊布置。

6、在實施方式中，第一金屬層和第三金屬層可以包括相同的材料。

7、在實施方式中，第一金屬層和第二金屬層可以包括不同的材料，并且第一金屬層和第四金屬層可以包括不同的材料。

8、在實施方式中，第一金屬層可以包括殷鋼。

9、在實施方式中，第二金屬層可以包括氮化鉭(tan)。

10、在實施方式中，第二金屬層的熱膨脹系數(shù)可以在約3.0*10-6/k至約4.0*10-6/k的范圍內(nèi)。

11、在實施方式中，第四金屬層可以包括氮化鈦(tin)。

12、在實施方式中，第一金屬層的厚度可以大于第三金屬層的厚度。

13、在實施方式中，第三金屬層的厚度可以大于第二金屬層的厚度和第四金屬層的厚度。

14、在實施方式中，第一金屬層的厚度可以在約10μm至約15μm的范圍內(nèi)。

15、在實施方式中，第三金屬層的厚度可以在約0.3μm至約0.7μm的范圍內(nèi)。

16、在實施方式中，第二金屬層和第四金屬層中的每個的厚度可以在約0.05μm至約0.15μm的范圍內(nèi)。

17、在實施方式中，在平面圖中，多個第二開口中的一個、多個第三開口中的相應(yīng)一個以及多個第四開口中的相應(yīng)一個可以布置成彼此重疊。

18、在實施方式中，在平面圖中，多個第四開口中的相應(yīng)一個可以小于多個第三開口中的相應(yīng)一個，并且多個第三開口中的相應(yīng)一個可以小于多個第二開口中的所述一個。

19、根據(jù)實施方式，制造顯示設(shè)備的方法可以包括：將顯示襯底布置在腔室中；制造掩模組件；將掩模組件布置成面對顯示襯底；以及通過穿過掩模組件將沉積材料沉積在顯示襯底上。制造掩模組件可以包括依次堆疊第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層和第四金屬層，第一金屬層和第三金屬層包括相同的材料。

20、在實施方式中，制造掩模組件還可以包括：干蝕刻第四金屬層以形成多個第一開口；以及濕蝕刻第三金屬層以形成多個第二開口。多個第二開口可以在平面圖中與多個第一開口重疊。

21、在實施方式中，在濕蝕刻第三金屬層時，第二金屬層可以用作蝕刻停止層。

22、在實施方式中，制造掩模組件還可以包括布置保護構(gòu)件以覆蓋第二金屬層的由多個第二開口暴露的部分和第四金屬層。

23、在實施方式中，制造掩模組件還可以包括使用第二金屬層作為蝕刻停止層來濕蝕刻第一金屬層，以形成與單元區(qū)域?qū)?yīng)并且在平面圖中與多個第一開口重疊的開口。

24、從所附附圖、權(quán)利要求書和本公開的詳細描述中，除了上述那些之外的其它方面、特征和優(yōu)點將變得顯而易見。

技術(shù)特征：

1.掩模組件，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模組件，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，所述第一金屬層和所述第三金屬層包括相同的材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模組件，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，所述第一金屬層包括殷鋼。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模組件，其特征在于，所述第二金屬層包括氮化鉭。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模組件，其特征在于，所述第二金屬層的熱膨脹系數(shù)在3.0*10-6/k至4.0*10-6/k的范圍內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模組件，其特征在于，所述第四金屬層包括氮化鈦。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，所述第一金屬層的厚度大于所述第三金屬層的厚度。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的掩模組件，其特征在于，所述第三金屬層的所述厚度大于所述第二金屬層的厚度和所述第四金屬層的厚度。

技術(shù)總結(jié)
掩模組件包括包含開口區(qū)域的掩?？蚣芎脱谀ＦＱ谀Ｆǎ旱谝唤饘賹?，布置在掩?？蚣苌喜⑶野ǖ谝婚_口；第二金屬層，布置在第一金屬層上，并且包括在平面圖中與第一開口重疊的多個第二開口；第三金屬層，布置在第二金屬層上，并且包括在平面圖中與第一開口重疊的多個第三開口；以及第四金屬層，布置在第三金屬層上，并且包括在平面圖中與第一開口重疊的多個第四開口。

技術(shù)研發(fā)人員：申鉉億
受保護的技術(shù)使用者：三星顯示有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240229
技術(shù)公布日：2024/12/19