本公開涉及半導體裝置、電力轉換裝置以及半導體裝置的制造方法,特別涉及具有平滑電容器的半導體裝置、具有該半導體裝置的電力轉換裝置、以及該半導體裝置的制造方法。
背景技術:
1、如非專利文獻1記載的那樣,近年來,在發(fā)展小型化的逆變器中,在驅動高速的功率半導體時,要求即使產生急劇的電流變化也能抑制成為破壞耐電壓的原因的浪涌電壓。為了降低浪涌電壓,需要使電容器、功率模塊的布線電感降低。因此,上述非專利文獻1公開了如下的布線安裝技術:通過相對于功率模塊的金屬散熱板使內部的布線圖案呈環(huán)狀,從而將渦流高效地引導到散熱板,通過渦流的磁通來消除布線所產生的磁通,由此降低電感成分。
2、根據(jù)專利文獻1,功率模塊(半導體裝置)具有開關元件和平滑電容器。根據(jù)上述專利文獻1,由于平滑電容器是內置于功率模塊的陶瓷電容器,因此能夠降低由平滑電容器引起的電感。作為具體的結構,絕緣基板固定于基座板上,在該絕緣基板上安裝有開關元件(半導體元件),在該開關元件的上方的空間配置有電容器基板。在電容器基板搭載有多個陶瓷電容器。另外,在上述專利文獻1中,作為以往技術公開了在安裝有開關元件的上述絕緣基板的側方配置有作為平滑電容器的鋁電解電容器的結構。作為平滑電容器的鋁電解電容器,通過使用布線板以及用于固定該布線板的螺釘而電連接。
3、專利文獻1:日本特開2000-350474號公報
4、非專利文獻1:中津欣也等,“降低功率模塊的電感成分的布線安裝技術”,電子安裝學會雜志,18卷,4號,pp.270-278,(2015)
5、對于半導體裝置處理的電流,若平滑電容器的容量不足夠大,則導致平滑電容器的電位因開關時的充放電而下降,無法發(fā)揮預期的輸出。特別是在使用寬帶隙半導體元件(例如,sic-mosfet)的半導體裝置中,該課題顯著,例如,在處理驅動電動汽車的馬達等大的電流的情況下,平滑電容器的容量需要數(shù)百μf左右。這樣,在平滑電容器的容量大的情況下,難以將平滑電容器收納于半導體元件的上方的空間內。
6、除此之外,若為了將平滑電容器配置于半導體元件的上方,還考慮確保在半導體裝置內所需的絕緣距離,則作為平滑電容器的布線的匯流條的布線距離變長。此外,在該配置的情況下,也難以通過應用上述非專利文獻1提出的布線安裝技術來降低電感。這是因為為了獲得上述配置,需要使平滑電容器的匯流條向半導體元件的上方延伸,因此匯流條以遠離支承半導體元件的基座板(金屬散熱板)的方式延伸。
7、另一方面,在上述專利文獻1中作為以往技術被公開的結構中,作為平滑電容器的鋁電解電容器不是配置于開關元件的上方而是配置于側方。然而,利用使用螺釘?shù)牟季€板的電連接,在這樣的連接中存在電感變高的課題。
技術實現(xiàn)思路
1、本公開是鑒于上述那樣的問題所做出的,目的在于提供能夠降低平滑電容器的布線電感的技術。
2、本公開的半導體裝置具備:冷卻器;絕緣基板,其搭載于所述冷卻器上;電路圖案,其設置于所述絕緣基板上;半導體元件,其與所述電路圖案電連接;平滑電容器,其以在俯視觀察下不與所述半導體元件重疊的方式配置,并且具有:形成靜電電容的內部電極、收納所述內部電極的電容器外殼、以及從所述電容器外殼無縫突出的端子;以及第一封裝材料,其覆蓋所述平滑電容器的所述端子、所述絕緣基板、以及所述電路圖案各自的至少一部分。所述平滑電容器的所述端子與所述電路圖案,借助所述端子與所述電路圖案的界面所具有的接合力而相互直接連接。
3、根據(jù)本公開,第一,平滑電容器配置成在俯視觀察下不與上述半導體元件重疊。由此,由于不存在平滑電容器在俯視觀察下與所述半導體元件重疊的制約,因此容易應用能夠降低電感的布線配置。第二,在平滑電容器的端子連接時,假設使用螺釘那樣的緊固部件,則由于布線長度變長而導致布線電感增大,另外,也難以應用平行平板的布線構造以消除這一點。與此相對,根據(jù)本實施方式,所述平滑電容器的所述端子與所述電路圖案,借助所述端子與所述電路圖案的界面所具有的接合力而相互直接連接。由此,能夠使平滑電容器的電容器外殼接近電路圖案來配置。特別是在平滑電容器的端子的接合部與電路圖案一起被封裝材料封裝的情況下,能夠不考慮沿面距離而以幾乎最短距離連接平滑電容器。因此,由于能夠縮短布線長度,因而能夠降低布線電感。
1.一種半導體裝置,其特征在于,具備:
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置,其特征在于,
3.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體裝置,其特征在于,
4.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體裝置,其特征在于,還具備:
5.根據(jù)權利要求4所述的半導體裝置,其特征在于,
6.根據(jù)權利要求4所述的半導體裝置,其特征在于,
7.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體裝置,其特征在于,還具備:
8.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體裝置,其特征在于,
9.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體裝置,其特征在于,
10.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體裝置,其特征在于,
11.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體裝置,其特征在于,
12.一種電力轉換裝置,其特征在于,具備:
13.一種半導體裝置的制造方法,用于制造權利要求6所述的半導體裝置,其特征在于,具備以下工序:
14.一種半導體裝置的制造方法,用于制造權利要求1~6中的任一項所述的半導體裝置,其特征在于,具備以下工序:
15.根據(jù)權利要求14所述的半導體裝置的制造方法,其特征在于,