本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域，特別提供一種具有復(fù)用可編程修調(diào)端口的柵極驅(qū)動(dòng)芯片。

背景技術(shù)：

1、在集成電路產(chǎn)品制造領(lǐng)域中，由于工藝制程的偏差，芯片參數(shù)的設(shè)計(jì)值和實(shí)際成品的測(cè)試值往往存在偏差，特別是某些精度要求很高的關(guān)鍵參數(shù)，因此需要根據(jù)該芯片的測(cè)試值進(jìn)行修調(diào)，以便使關(guān)鍵參數(shù)能達(dá)到預(yù)計(jì)的設(shè)計(jì)要求，提高產(chǎn)品的良率。較為常用的修調(diào)方法是芯片生產(chǎn)過(guò)程中的晶圓中測(cè)環(huán)節(jié)，根據(jù)該階段的測(cè)試結(jié)果，對(duì)不符合要求的參數(shù)通過(guò)激光燒斷或電壓熔斷的方式進(jìn)行修調(diào)至要求值再進(jìn)入芯片封裝環(huán)節(jié)。該方式減慢了產(chǎn)品的交期，另外對(duì)于需要靈活配置芯片參數(shù)的終端應(yīng)用場(chǎng)合，這種方式明并不能及時(shí)滿足客戶的需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的是提供一種提高柵極驅(qū)動(dòng)芯片的參數(shù)精度和產(chǎn)品良率的具有復(fù)用可編程修調(diào)端口的柵極驅(qū)動(dòng)芯片。

2、為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下：一種具有復(fù)用可編程修調(diào)端口的柵極驅(qū)動(dòng)芯片，包括低邊電路和高邊電路；所示高邊電路包括自舉二極管、高邊電路監(jiān)測(cè)與保護(hù)部分和輸出接口部分??；所述自舉二極管連接電壓vb；所述高邊電路監(jiān)測(cè)與保護(hù)部分包括電平移位電路和低壓鎖定；所述輸出接口部分ⅰ由輸出邏輯、pmos驅(qū)動(dòng)管p1、nmos驅(qū)動(dòng)管n1、輸出電阻xr1、輸出電阻xr2和輸出端口ho組成；所述低壓鎖定一端接電壓vb，一端接所述輸出邏輯；所述電平移位電路連接所述輸出邏輯；所述輸出邏輯連接所述pmos驅(qū)動(dòng)管p1的柵極和所述nmos驅(qū)動(dòng)管n1的柵極；所述pmos驅(qū)動(dòng)管p1的漏極接輸出電阻xr1后連接輸出端口ho，源極接電壓vb；所述nmos驅(qū)動(dòng)管n1的漏極接輸出電阻xr2后連接輸出端口ho，源極接電壓vs；所述低邊電路包括輸入接口部分、低邊電路監(jiān)測(cè)與保護(hù)部分和輸出接口部分ⅱ；所述輸入接口部分由高邊信號(hào)輸入端口hin和低邊信號(hào)的輸入端口lin連接對(duì)應(yīng)的濾波電路組成；所述低邊電路監(jiān)測(cè)與保護(hù)部分由溫度傳感電路依次連接端口復(fù)用電路和死區(qū)時(shí)間控制修調(diào)電路后分別連接脈沖產(chǎn)生電路、低壓鎖定和延遲電路組成；所述濾波連接所述死區(qū)時(shí)間控制修調(diào)電路，所述低壓鎖定連接電壓vcc；所述脈沖產(chǎn)生電路連接所述電平移位電路，所述自舉二極管連接電壓vcc；所述輸出接口部分ⅱ由輸出邏輯、pmos驅(qū)動(dòng)管p2、nmos驅(qū)動(dòng)管n2、輸出電阻xr3、輸出電阻xr4和輸出端口lo組成；所述輸出邏輯一端連接所述延遲電路，一端連接所述pmos驅(qū)動(dòng)管p2的柵極和所述nmos驅(qū)動(dòng)管n2的柵極，所述pmos驅(qū)動(dòng)管p2的漏極接輸出電阻xr3后連接輸出端口lo，源極接電壓vcc；所述nmos驅(qū)動(dòng)管n2的漏極接輸出電阻xr4后連接輸出端口lo，源極接電壓vss。

3、進(jìn)一步，所述端口復(fù)用電路包括死區(qū)時(shí)間控制電路、鎖存模塊、修調(diào)陣列模塊、修調(diào)尋址模塊、燒斷控制模塊和復(fù)用端口保護(hù)電路；所述死區(qū)時(shí)間控制電路作為可編程修調(diào)的目標(biāo)電路；所述修調(diào)陣列模塊連接所述死區(qū)時(shí)間控制電路，是對(duì)所述死區(qū)時(shí)間控制電路需要修調(diào)的參數(shù)所設(shè)計(jì)的可燒斷電阻陣列；所述鎖存模塊一端連接溫度傳感輸出端口vts，一端連接溫度傳感，根據(jù)溫度傳感輸出端口vts給出特定修調(diào)信號(hào)，將溫度傳感的輸出鎖存為低電平；所述復(fù)用端口保護(hù)電路連接溫度傳感和溫度傳感輸出端口vts，所述溫度傳感輸出端口vts復(fù)用為可編程修調(diào)端口；所述修調(diào)尋址模塊一端連接溫度傳感輸出端口vts，一端連接所述修調(diào)陣列模塊，根據(jù)溫度傳感輸出端口vts輸入的尋址信號(hào)，定位所述修調(diào)陣列模塊中需要燒斷的電阻；所述燒斷控制模塊分別連接所述溫度傳感輸出端口vts、所述修調(diào)尋址模塊和所述修調(diào)陣列模塊，根據(jù)所述修調(diào)尋址模塊所確定的需要燒斷的電阻，結(jié)合溫度傳感輸出端口vts輸入的燒斷信號(hào)，對(duì)所述修調(diào)陣列模塊中的可燒斷電阻進(jìn)行燒斷。

4、進(jìn)一步，所述復(fù)用端口保護(hù)電路由電壓vcc、二極管d0、電阻r0、p型場(chǎng)效應(yīng)管mp0、mp1、mp2、mp3、mp4、mp5、mp6和n型場(chǎng)效應(yīng)管mn0、mn1、mn2、mn3組成；所述p型場(chǎng)效應(yīng)管mp0和所述n型場(chǎng)效應(yīng)管mn0接成反向器的結(jié)構(gòu)，所述p型場(chǎng)效應(yīng)管mp0的源極接所述電壓vcc，柵極與所述n型場(chǎng)效應(yīng)管mn0的柵極連接溫度傳感電路的輸出端，漏極與所述n型場(chǎng)效應(yīng)管mn0的漏極連接，所述n型場(chǎng)效應(yīng)管mn0的源極與接地信號(hào)相連；所述p型場(chǎng)效應(yīng)管mp1的柵極接所述電壓vcc，源極與所述p型場(chǎng)效應(yīng)管mp5的柵極、p型場(chǎng)效應(yīng)管mp4的漏極、n型場(chǎng)效應(yīng)管mn2的漏極相連，襯底與所述二極管d0的負(fù)極連接，漏極接所述p型場(chǎng)效應(yīng)管mp6的漏極；所述p型場(chǎng)效應(yīng)管mp2的柵極接所述電壓vcc，源極與所述p型場(chǎng)效應(yīng)管mp6的漏極連接，襯底與所述二極管d0的負(fù)極連接，漏極接所述n型場(chǎng)效應(yīng)管mn1的漏極；所述n型場(chǎng)效應(yīng)管mn1的柵極接所述電壓vcc，源極與接地信號(hào)相連；所述p型場(chǎng)效應(yīng)管mp3的柵極接所述p型場(chǎng)效應(yīng)管mp2漏極，源極接所述電壓vcc，襯底與所述二極管d0的負(fù)極連接，漏極接所述p型場(chǎng)效應(yīng)管mp4的源極；所述p型場(chǎng)效應(yīng)管mp4的柵極接所述n型場(chǎng)效應(yīng)管mn0的柵極，襯底與所述二極管d0的負(fù)極連接，漏極接所述n型場(chǎng)效應(yīng)管mn2的漏極；所述n型場(chǎng)效應(yīng)管mn2的柵極接所述p型場(chǎng)效應(yīng)管mp4的柵極，源極與接地信號(hào)相連；所述p型場(chǎng)效應(yīng)管mp5的柵極接所述p型場(chǎng)效應(yīng)管mp4的漏極，源極接所述供電電平vcc，襯底與所述二極管d0的負(fù)極連接，漏極與所述p型場(chǎng)效應(yīng)管mp6的漏極連接；所述p型場(chǎng)效應(yīng)管mp6的柵極接所述供電電平vcc，源極和襯底與所述二極管d0的負(fù)極連接；所述二極管d0的正極接所述供電電平vcc；所述n型場(chǎng)效應(yīng)管mn3的柵極接所述n型場(chǎng)效應(yīng)管mn0的漏極，源極與接地信號(hào)相連；所述電阻r0的第一端作為溫度傳感輸出端口vts，與所述p型場(chǎng)效應(yīng)管mp6的漏極連接，第二端接所述n型場(chǎng)效應(yīng)管mn3的漏極。

5、本發(fā)明針對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)芯片晶圓中測(cè)環(huán)節(jié)的修調(diào)方式的局限性，提供一種芯片成品測(cè)試環(huán)節(jié)修調(diào)的柵極驅(qū)動(dòng)芯片，該芯片在不增加芯片端口的情況下，將輸出端復(fù)用為可編程修調(diào)端口，可節(jié)省封裝成本，同時(shí)也提高柵極驅(qū)動(dòng)芯片性能參數(shù)的精度和產(chǎn)品良率。

技術(shù)特征：

1.一種具有復(fù)用可編程修調(diào)端口的柵極驅(qū)動(dòng)芯片，其特征在于：包括低邊電路和高邊電路；所示高邊電路包括自舉二極管、高邊電路監(jiān)測(cè)與保護(hù)部分和輸出接口部分??；所述自舉二極管連接電壓vb；所述高邊電路監(jiān)測(cè)與保護(hù)部分包括電平移位電路和低壓鎖定；所述輸出接口部分ⅰ由輸出邏輯、pmos驅(qū)動(dòng)管p1、nmos驅(qū)動(dòng)管n1、輸出電阻xr1、輸出電阻xr2和輸出端口ho組成；所述低壓鎖定一端接電壓vb，一端接所述輸出邏輯；所述電平移位電路連接所述輸出邏輯；所述輸出邏輯連接所述pmos驅(qū)動(dòng)管p1的柵極和所述nmos驅(qū)動(dòng)管n1的柵極；所述pmos驅(qū)動(dòng)管p1的漏極接輸出電阻xr1后連接輸出端口ho，源極接電壓vb；所述nmos驅(qū)動(dòng)管n1的漏極接輸出電阻xr2后連接輸出端口ho，源極接電壓vs；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有復(fù)用可編程修調(diào)端口的柵極驅(qū)動(dòng)芯片，其特征在于：所述端口復(fù)用電路包括死區(qū)時(shí)間控制電路、鎖存模塊、修調(diào)陣列模塊、修調(diào)尋址模塊、燒斷控制模塊和復(fù)用端口保護(hù)電路；所述死區(qū)時(shí)間控制電路作為可編程修調(diào)的目標(biāo)電路；所述修調(diào)陣列模塊連接所述死區(qū)時(shí)間控制電路，是對(duì)所述死區(qū)時(shí)間控制電路需要修調(diào)的參數(shù)所設(shè)計(jì)的可燒斷電阻陣列；所述鎖存模塊一端連接溫度傳感輸出端口vts，一端連接溫度傳感，根據(jù)溫度傳感輸出端口vts給出特定修調(diào)信號(hào)，將溫度傳感的輸出鎖存為低電平；所述復(fù)用端口保護(hù)電路連接溫度傳感和溫度傳感輸出端口vts，所述溫度傳感輸出端口vts復(fù)用為可編程修調(diào)端口；所述修調(diào)尋址模塊一端連接溫度傳感輸出端口vts，一端連接所述修調(diào)陣列模塊，根據(jù)溫度傳感輸出端口vts輸入的尋址信號(hào)，定位所述修調(diào)陣列模塊中需要燒斷的電阻；所述燒斷控制模塊分別連接所述溫度傳感輸出端口vts、所述修調(diào)尋址模塊和所述修調(diào)陣列模塊，根據(jù)所述修調(diào)尋址模塊所確定的需要燒斷的電阻，結(jié)合溫度傳感輸出端口vts輸入的燒斷信號(hào)，對(duì)所述修調(diào)陣列模塊中的可燒斷電阻進(jìn)行燒斷。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種具有復(fù)用可編程修調(diào)端口的柵極驅(qū)動(dòng)芯片，其特征在于：所述復(fù)用端口保護(hù)電路由電壓vcc、二極管d0、電阻r0、p型場(chǎng)效應(yīng)管mp0、mp1、mp2、mp3、mp4、mp5、mp6和n型場(chǎng)效應(yīng)管mn0、mn1、mn2、mn3組成；所述p型場(chǎng)效應(yīng)管mp0和所述n型場(chǎng)效應(yīng)管mn0接成反向器的結(jié)構(gòu)，所述p型場(chǎng)效應(yīng)管mp0的源極接所述電壓vcc，柵極與所述n型場(chǎng)效應(yīng)管mn0的柵極連接溫度傳感電路的輸出端，漏極與所述n型場(chǎng)效應(yīng)管mn0的漏極連接，所述n型場(chǎng)效應(yīng)管mn0的源極與接地信號(hào)相連；所述p型場(chǎng)效應(yīng)管mp1的柵極接所述電壓vcc，源極與所述p型場(chǎng)效應(yīng)管mp5的柵極、p型場(chǎng)效應(yīng)管mp4的漏極、n型場(chǎng)效應(yīng)管mn2的漏極相連，襯底與所述二極管d0的負(fù)極連接，漏極接所述p型場(chǎng)效應(yīng)管mp6的漏極；所述p型場(chǎng)效應(yīng)管mp2的柵極接所述電壓vcc，源極與所述p型場(chǎng)效應(yīng)管mp6的漏極連接，襯底與所述二極管d0的負(fù)極連接，漏極接所述n型場(chǎng)效應(yīng)管mn1的漏極；所述n型場(chǎng)效應(yīng)管mn1的柵極接所述電壓vcc，源極與接地信號(hào)相連；所述p型場(chǎng)效應(yīng)管mp3的柵極接所述p型場(chǎng)效應(yīng)管mp2漏極，源極接所述電壓vcc，襯底與所述二極管d0的負(fù)極連接，漏極接所述p型場(chǎng)效應(yīng)管mp4的源極；所述p型場(chǎng)效應(yīng)管mp4的柵極接所述n型場(chǎng)效應(yīng)管mn0的柵極，襯底與所述二極管d0的負(fù)極連接，漏極接所述n型場(chǎng)效應(yīng)管mn2的漏極；所述n型場(chǎng)效應(yīng)管mn2的柵極接所述p型場(chǎng)效應(yīng)管mp4的柵極，源極與接地信號(hào)相連；所述p型場(chǎng)效應(yīng)管mp5的柵極接所述p型場(chǎng)效應(yīng)管mp4的漏極，源極接所述供電電平vcc，襯底與所述二極管d0的負(fù)極連接，漏極與所述p型場(chǎng)效應(yīng)管mp6的漏極連接；所述p型場(chǎng)效應(yīng)管mp6的柵極接所述供電電平vcc，源極和襯底與所述二極管d0的負(fù)極連接；所述二極管d0的正極接所述供電電平vcc；所述n型場(chǎng)效應(yīng)管mn3的柵極接所述n型場(chǎng)效應(yīng)管mn0的漏極，源極與接地信號(hào)相連；所述電阻r0的第一端作為溫度傳感輸出端口vts，與所述p型場(chǎng)效應(yīng)管mp6的漏極連接，第二端接所述n型場(chǎng)效應(yīng)管mn3的漏極。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明包括低邊電路和高邊電路；所述低邊電路包括輸入接口部分、低邊電路監(jiān)測(cè)與保護(hù)部分和輸出接口部分Ⅱ；所述低邊電路監(jiān)測(cè)與保護(hù)部分由溫度傳感電路依次連接端口復(fù)用電路和死區(qū)時(shí)間控制修調(diào)電路后分別連接脈沖產(chǎn)生電路、低壓鎖定和延遲電路組成；所述端口復(fù)用電路包括死區(qū)時(shí)間控制電路、鎖存模塊、修調(diào)陣列模塊、修調(diào)尋址模塊、燒斷控制模塊和復(fù)用端口保護(hù)電路。本發(fā)明在不增加芯片端口的情況下，將輸出端復(fù)用為可編程修調(diào)端口，節(jié)省封裝成本，提高柵極驅(qū)動(dòng)芯片性能參數(shù)的精度和產(chǎn)品良率。

技術(shù)研發(fā)人員：姜帆,陳利,陳彬
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廈門(mén)芯一代集成電路有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19