本公開整體涉及采用濾波器的無(wú)線收發(fā)器和其他組件，并且更具體地，涉及具有將壓電層部分地懸置成與基底層分開的電介質(zhì)的微聲濾波器。

背景技術(shù)：

1、電子設(shè)備使用射頻(rf)信號(hào)來(lái)傳達(dá)信息。這些射頻信號(hào)使用戶能夠與朋友交談、下載信息、共享圖片、遠(yuǎn)程控制家用設(shè)備以及接收全球定位信息。為了發(fā)送或接收給定頻帶內(nèi)的射頻信號(hào)，電子設(shè)備可使用濾波器來(lái)使頻帶內(nèi)的信號(hào)通過并且抑制(例如，減弱)具有頻帶外的頻率的干擾或噪聲。然而，設(shè)計(jì)為射頻應(yīng)用(包括利用高于2千兆赫(ghz)的頻率的那些應(yīng)用)提供濾波的濾波器可能是具有挑戰(zhàn)性的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、公開了一種實(shí)現(xiàn)用于使用電介質(zhì)部分地懸置壓電層的技術(shù)的裝置。在示例具體實(shí)施中，微聲濾波器包括基底層、壓電層和電介質(zhì)。電介質(zhì)至少部分地覆蓋壓電層并且部分地將壓電層懸置在基底層“上方”或與基底層分開。由于部分覆蓋和部分懸置，在電介質(zhì)與基底層之間存在腔體。

2、利用部分懸置的壓電層，微聲濾波器可以激勵(lì)和限制板模式，并且相對(duì)于激勵(lì)表面聲波模式的其他微聲濾波器，該微聲濾波器在例如2ghz以上的頻率處具有更大的間距。這種更大的間距可以使得更容易制造微聲濾波器的電極結(jié)構(gòu)。此外，相對(duì)于具有完全懸置的壓電層的其他聲濾波器，該微聲濾波器可以具有改善的機(jī)械穩(wěn)定性、改善的熱管理以及更小的頻率溫度系數(shù)絕對(duì)值。

3、在示例方面，公開了一種用于濾波的裝置。該裝置包括具有基底層、壓電層、與壓電層接觸的電極結(jié)構(gòu)以及電介質(zhì)的微聲濾波器。電極結(jié)構(gòu)包括多個(gè)指狀物，該多個(gè)指狀物跨具有垂直于多個(gè)指狀物的第一軸和平行于多個(gè)指狀物的第二軸的平面布置。電介質(zhì)被配置為將壓電層與基底層隔開并且在壓電層與基底層之間限定腔體。電介質(zhì)還被配置為跨沿第一軸的至少三個(gè)點(diǎn)支撐壓電層。

4、在示例方面，公開了一種用于濾波的裝置。該裝置包括被配置為從射頻信號(hào)生成濾波信號(hào)的微聲濾波器。微聲濾波器包括用于將射頻信號(hào)轉(zhuǎn)換成聲波并將形成的聲波轉(zhuǎn)換成濾波信號(hào)的構(gòu)件。微聲濾波器還包括用于激勵(lì)反對(duì)稱板模式的構(gòu)件。微聲濾波器附加地包括用于將反對(duì)稱板模式的能量限制在用于激勵(lì)的構(gòu)件內(nèi)的構(gòu)件。微聲濾波器進(jìn)一步包括用于部分地懸置用于激勵(lì)的構(gòu)件而與用于限制能量的構(gòu)件分開的構(gòu)件。

5、在示例方面，公開了一種用于制造微聲濾波器的方法。該方法包括提供基底層和提供壓電層。該方法還包括提供具有跨平面布置的多個(gè)指狀物的電極結(jié)構(gòu)。該平面由垂直于多個(gè)指狀物的第一軸和平行于多個(gè)指狀物的第二軸限定。電極結(jié)構(gòu)與壓電層接觸。該方法附加地包括提供電介質(zhì)，該電介質(zhì)將壓電層與基底層隔開、在壓電層與基底層之間限定腔體并且跨沿第一軸的至少三個(gè)點(diǎn)支撐壓電層。

6、在示例方面，公開了一種微聲濾波器。該微聲濾波器包括電極結(jié)構(gòu)、基底層、壓電層和電介質(zhì)。電極結(jié)構(gòu)包括多個(gè)指狀物，該多個(gè)指狀物跨具有垂直于多個(gè)指狀物的第一軸和平行于多個(gè)指狀物的第二軸的平面布置。壓電層具有面向基底層的表面。電介質(zhì)包括中間層和至少三個(gè)柱。中間層跨壓電層的表面設(shè)置。中間層具有面向基底層的表面。該至少三個(gè)柱延伸經(jīng)過由中間層的表面限定的平面并且朝向基底層延伸以在中間層與基底層之間限定腔體。該至少三個(gè)柱跨沿第一軸的至少三個(gè)點(diǎn)定位。

技術(shù)特征：

1.一種裝置，所述裝置包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述電介質(zhì)被配置為在所述基底層與所述電介質(zhì)的至少一部分之間限定所述腔體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述至少三個(gè)點(diǎn)中的一個(gè)或多個(gè)點(diǎn)對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)指狀物中的一個(gè)或多個(gè)指狀物沿所述第一軸的位置。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述一個(gè)或多個(gè)指狀物包括所述多個(gè)指狀物的子集。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中所述多個(gè)指狀物包括所述電極結(jié)構(gòu)的全部指狀物。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述電介質(zhì)和所述壓電層粘附在一起。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其中所述至少三個(gè)柱中的一個(gè)柱沿垂直于所述第一軸和所述第二軸的第三軸定位在所述多個(gè)指狀物中的一個(gè)指狀物與所述基底層之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中：

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中：

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述電極結(jié)構(gòu)部分地嵌入所述電介質(zhì)內(nèi)并且部分地嵌入所述壓電層內(nèi)。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中：

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述電極結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述壓電層的背離所述基底層的表面上。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中：

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述電介質(zhì)包括以下中的一者或多者：

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述電介質(zhì)的厚度介于約五十納米與兩微米之間。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述壓電層被配置為激勵(lì)反對(duì)稱板模式。

18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，所述裝置進(jìn)一步包括設(shè)置在所述壓電層的背離所述基底層的表面上的電介質(zhì)層。

19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，所述裝置進(jìn)一步包括設(shè)置在所述電介質(zhì)與所述基底層之間的至少一個(gè)聲反射鏡。

20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，所述裝置進(jìn)一步包括設(shè)置在所述電介質(zhì)與所述基底層之間的電荷俘獲層。

21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中：

22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，所述裝置進(jìn)一步包括：

23.一種裝置，所述裝置包括：

24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的裝置，其中：

25.一種制造微聲濾波器的方法，所述方法包括：

26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中：

27.一種微聲濾波器，所述微聲濾波器包括：

28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的微聲濾波器，其中所述電極結(jié)構(gòu)定位在所述壓電層的面向所述基底層的一側(cè)上。

29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的微聲濾波器，其中所述壓電層具有用于激勵(lì)板模式的晶體結(jié)構(gòu)。

30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的微聲濾波器，其中

技術(shù)總結(jié)
公開了一種用于使用電介質(zhì)部分地懸置壓電層的裝置。在示例方面，該裝置包括具有基底層(126)、壓電層(128)、與該壓電層接觸的電極結(jié)構(gòu)(310)以及電介質(zhì)(130)的微聲濾波器。該電極結(jié)構(gòu)包括多個(gè)指狀物，該多個(gè)指狀物跨具有垂直于該多個(gè)指狀物的第一軸(406)和平行于該多個(gè)指狀物的第二軸(408)的平面布置。該電介質(zhì)被配置為將該壓電層與該基底層隔開并且在該壓電層與該基底層之間限定腔體(316)。該電介質(zhì)還被配置為跨沿該第一軸的至少三個(gè)點(diǎn)(314)支撐該壓電層。

技術(shù)研發(fā)人員：B·布拉施克,S·齊默曼,W·艾格納
受保護(hù)的技術(shù)使用者：RF360新加坡私人有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19