技術(shù)特征：

1.一種增強(qiáng)電壓緩沖器線性度的電路，其特征在于，包括電壓緩沖器及負(fù)載電容C_S，所述電壓緩沖器包括第一晶體管M₀、第二晶體管M₁及偏置電流源I；所述第一晶體管M₀的柵極連接輸入信號，漏極連接電源電壓，源級連接負(fù)載電容C_S的輸入端以及第二晶體管M₁的漏極；所述第二晶體管M₁的柵極連接固定偏置電壓，源級連接偏置電流源I的輸入端；偏置電流源I的輸入端與負(fù)載電容C_S的輸出端連接，偏置電流源I的輸出端接地。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強(qiáng)電壓緩沖器線性度的電路，其特征在于，所述偏置電流源I的輸入端與負(fù)載電容C_S的輸出端直接連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強(qiáng)電壓緩沖器線性度的電路，其特征在于，所述偏置電流源I的輸入端與負(fù)載電容C_S的輸出端之間通過交流耦合電容C_ac連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的增強(qiáng)電壓緩沖器線性度的電路，其特征在于，所述第一晶體管M₀和第二晶體管M₁為NMOS管。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的增強(qiáng)電壓緩沖器線性度的電路，其特征在于，所述第一晶體管M₀和第二晶體管M₁為PMOS管。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的增強(qiáng)電壓緩沖器線性度的電路，其特征在于，所述第一晶體管M₀和第二晶體管M₁為雙極型晶體管。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的增強(qiáng)電壓緩沖器線性度的電路，其特征在于，所述負(fù)載電容C_S為采樣電容。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的增強(qiáng)電壓緩沖器線性度的電路，其特征在于，所述負(fù)載電容C_S為模數(shù)轉(zhuǎn)換器中的采樣電容。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的增強(qiáng)電壓緩沖器線性度的電路，其特征在于，所述電壓緩沖器為集成芯片。