1.一種用于MOCVD反應(yīng)的加熱器結(jié)構(gòu)改進(jìn)裝置，其特征在于，包括：
電極引腳（4）；
加熱絲（1）：所述加熱絲（1）與所述電極引腳（4）相連；
氮化硼板（3）：所述氮化硼板（3）位于所述加熱絲（1）的下方；
支架（2）：所述支架（2）位于所述加熱絲（1）與所述氮化硼板（3）之間；
鎢板（8）：所述鎢板（8）位于所述氮化硼板（3）的下方；
基板（5）：所述基板（5）位于所述鎢板（8）的下方，分為正基板（51）與負(fù)基板（52），所述正基板（51）與所述負(fù)基板（52）位于同一水平面上，且兩個基板（5）之間不接觸；以及
連接桿（7）：所述連接桿（7）為圓柱體結(jié)構(gòu)，所述連接桿（7）一端與所述氮化硼板（3）相連，所述連接桿（7）另一端與所述基板（5）相連，且連接桿（7）穿過所述鎢板（8）。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于MOCVD反應(yīng)的加熱器結(jié)構(gòu)改進(jìn)裝置，其特征在于，所述基板（5）位于所述鎢板（8）下方3mm處。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于MOCVD反應(yīng)的加熱器結(jié)構(gòu)改進(jìn)裝置，其特征在于，所述加熱絲（1）為多條，多條加熱絲（1）共同圍成圓環(huán)狀結(jié)構(gòu)，且多條所述加熱絲（1）之間相互并聯(lián)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于MOCVD反應(yīng)的加熱器結(jié)構(gòu)改進(jìn)裝置，其特征在于，所述氮化硼板（3）與所述基板（5）之間通過連接桿（7）緊固連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于MOCVD反應(yīng)的加熱器結(jié)構(gòu)改進(jìn)裝置，其特征在于，所述連接桿（7）上設(shè)有外螺紋，所述氮化硼板上設(shè)有第一定位孔，所述鎢板（8）上設(shè)有第二定位孔以及所述基板（5）上設(shè)有第三定位孔，所述連接桿（7）依次穿過所述第一定位孔、第二定位孔和第三定位孔，螺母與所述外螺紋配合，旋擰于所述第一定位孔、第二定位孔以及第三定位孔的兩端。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于MOCVD反應(yīng)的加熱器結(jié)構(gòu)改進(jìn)裝置，其特征在于，所述連接桿（7）的外側(cè)設(shè)有絕緣陶瓷（6）。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于MOCVD反應(yīng)的加熱器結(jié)構(gòu)改進(jìn)裝置，其特征在于，所述絕緣陶瓷（6）分別貫穿所述鎢板（8）與所述基板（5），而不貫穿所述氮化硼板（3）。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于MOCVD反應(yīng)的加熱器結(jié)構(gòu)改進(jìn)裝置，其特征在于，所述支架（2）包括卡口和插柱，所述卡口設(shè)于支架（2）的一端，與所述加熱絲（1）連接，所述插柱設(shè)于支架（2）的另一端，插入所述氮化硼板（3）。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于MOCVD反應(yīng)的加熱器結(jié)構(gòu)改進(jìn)裝置，其特征在于，所述支架（2）為多個，且沿著所述加熱絲（1）呈周向間隔排列。