本發(fā)明涉及軟硬結合pcb板領域技術，尤其是指一種制程穩(wěn)定可靠的軟硬結合板及其制作方法。

背景技術：

目前，主要有pcb、fpc及軟硬結合pcb板三種設計應用情形，其中，軟硬結合pcb板在手機等電子產(chǎn)品中應用較多，現(xiàn)有的軟硬結合pcb板，容易出現(xiàn)脫離現(xiàn)象，其制程可靠性及良率均較低、使用穩(wěn)定性不佳。因此，本專利申請中，申請人研究了一種新的軟硬結合pcb板結構及制作方法，有效解決了前述問題。

技術實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明針對現(xiàn)有技術存在之缺失，其主要目的是提供一種制程穩(wěn)定可靠的軟硬結合板及其制作方法，其通過共用基材層使軟硬板連接成一體，提高了軟硬板的結合強度，有效解決現(xiàn)有技術中軟硬板易脫離的問題，提高了產(chǎn)品的質量及良率。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下之技術方案：

一種制程穩(wěn)定可靠的軟硬結合板，包括有t形結構的共用基材層，所述共用基材層具有橫向部及一體連接于橫向部中間部位的縱向部，所述橫向部的橫向長度為15.00±0.15毫米、縱向寬度為4.00±0.15毫米，所述縱向部的縱向長度為10.00±0.15毫米、橫向寬度為5.00±0.15毫米；所述橫向部上分布有pcb硬板區(qū)，所述縱向部上分布有折彎區(qū)、pcb軟板區(qū)；所述共用基材層具有相對設置的第一側、第二側；所述共用基材層包括有自第一側朝向第二側依次設置的第一防靜電層、第一銅箔層、第一耐高溫薄膜層、第一pi薄膜層、pe薄膜層、第二pi薄膜層、第二耐高溫薄膜層、第二銅箔層、第二防靜電層；

所述共用基材層上第一側對應pcb硬板區(qū)自內(nèi)而外依次設置有第一半固化層、第一補強層、第一銅箔層及第一阻焊層，所述共用基材層上第二側對應pcb硬板區(qū)自內(nèi)而外依次設置有第二半固化層、第二補強層、第二銅箔層及第二阻焊層，所述共用基材層上第二側外表面對應pcb硬板區(qū)進一步設置有正極鎳磚塊及負極鎳磚塊，所述正極鎳磚塊及負極鎳磚塊的尺寸均是橫向長度為4.00±0.15毫米、縱向寬度為3.00±0.15毫米、厚度0.30毫米0.05毫米，正極鎳磚塊及負極鎳磚塊之間的間距為4.00±0.15毫米；

所述共用基材層上第一側對應pcb軟板區(qū)及折彎區(qū)自內(nèi)而外依次設置有第一塑膠層、第一保護膜層及第一電磁屏蔽膜層，所述共用基材層上第二側對應pcb軟板區(qū)及折彎區(qū)自內(nèi)而外依次設置有第二塑膠層、第二保護膜層及第二電磁屏蔽膜層；所述共用基材層上第一側外表面對應pcb軟板區(qū)進一步設置有連接器，所述連接器的左、右側均具有沿縱向依次排布的p-端子、ntc端子、id端子及p+端子；以及，所述共用基材層上第二側外表面對應pcb軟板區(qū)進一步設置有sus補強板，所述sussus補強板的外表面覆設有背膠層；

所述第一塑膠層、第二塑膠層均朝向pcb硬板區(qū)延伸形成有延伸搭接部，兩者的延伸搭接部分別位于pcb硬板區(qū)的相應第一防靜電層、第二防靜電層外側，pcb硬板區(qū)的第一半固化層壓合于第一塑膠層的延伸搭接部外側，pcb硬板區(qū)的第二半固化層壓合于第二塑膠層的延伸搭接部外側。

作為一種優(yōu)選方案，所述縱向部呈矩形結構，所述縱向部的延伸末端具有兩個拐角，其一拐角設計為r0.5毫米圓弧倒角，其另一拐角設計為c0.5毫米斜邊倒角。

作為一種優(yōu)選方案，所述sus補強板呈矩形結構，其具有依次定義的第一角、第二角、第三角及第四角，其第一角設計為c0.5毫米斜邊倒角，所述第一角與前述縱向部上設計為c0.5毫米斜邊倒角的拐角相對應，其第二角、第三角及第四角均設計為r0.5毫米圓弧倒角，所述第二角與前述縱向部上設計為r0.5毫米圓弧倒角的拐角相對應。

一種如前述制程穩(wěn)定可靠的軟硬結合板的制作方法，包括如下步驟

（1）制得前述共用基材層以作為將pcb硬板區(qū)、折彎區(qū)及pcb軟板區(qū)三者結合成一體的共用結構；

（2）在共用基材層上分別形成pcb硬板區(qū)、折彎區(qū)及pcb軟板區(qū)，其中，折彎區(qū)與pcb硬板區(qū)之間形成搭接進一步加強pcb硬板區(qū)與pcb軟板區(qū)之間的結合穩(wěn)固性；

（3）于pcb軟板區(qū)的兩側外表面分別相應設置連接器及、sus補強板；于pcb硬板區(qū)的一側外表面設置正極鎳磚塊及負極鎳磚塊。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果，具體而言，由上述技術方案可知，其主要是通過先制得共用基材層以作為將pcb硬板區(qū)、折彎區(qū)及pcb軟板區(qū)三者結合成一體的共用結構；然后，在共用基材層上分別形成pcb硬板區(qū)、折彎區(qū)及pcb軟板區(qū)，其中，折彎區(qū)與pcb硬板區(qū)之間形成搭接進一步加強pcb硬板區(qū)與pcb軟板區(qū)之間的結合穩(wěn)固性；再于pcb軟板區(qū)的兩側外表面分別相應設置連接器及、sus補強板；于pcb硬板區(qū)的一側外表面設置正極鎳磚塊及負極鎳磚塊；如此，獲得軟硬結合板，其制程穩(wěn)定可靠，提高了產(chǎn)品質量及良率，有效解決現(xiàn)有技術中軟硬板易脫離的問題，同時，提高了產(chǎn)品的質量及制作良率，現(xiàn)有的軟硬結合板的良率大多在30-40%左右，有少數(shù)可達60%左右，利用本發(fā)明專利申請之軟硬結合板技術，其制作良率可達90%以上，大幅提升了良率，適于推廣應用，也有利于相關電子產(chǎn)品的技術發(fā)展。

為更清楚地闡述本發(fā)明的結構特征和功效，下面結合附圖與具體實施例來對本發(fā)明進行詳細說明。

附圖說明

圖1是本發(fā)明之實施例的立體結構示圖；

圖2是本發(fā)明之實施例的第一側視圖；

圖3是圖2中a處的局部放大示圖；

圖4是本發(fā)明之實施例的右端視圖；

圖5是本發(fā)明之實施例的第二側視圖；

圖6是本發(fā)明之實施例的截面結構示圖。

附圖標識說明：

100、pcb硬板區(qū)200、pcb軟板區(qū)

300、折彎區(qū)11、第一防靜電層

12、第一銅箔層

13、第一耐高溫薄膜層14、第一pi薄膜層

15、pe薄膜層16、第二pi薄膜層

17、第二耐高溫薄膜層18、第二銅箔層

19、第二防靜電層

21、第一半固化層22、第一補強層

23、第一銅箔層24、第一阻焊層

25、第二半固化層26、第二補強層

27、第二銅箔層28、第二阻焊層

31、第一塑膠層311、延伸搭接部

32、第一保護膜層33、第一電磁屏蔽膜層

34、第二塑膠層341、延伸搭接部

35、第二保護膜層36、第二電磁屏蔽膜層

40、sus補強板50、背膠層

60、連接器71、正極鎳磚塊

72、負極鎳磚塊81、其一拐角

82、另一拐角91、第一角

92、第二角93、第三角

94、第四角。

具體實施方式

請參照圖1至圖6所示，其顯示出了本發(fā)明之實施例的具體結構，所述制程穩(wěn)定可靠的軟硬結合板，包括有共用基材層，t形結構的共用基材層，所述共用基材層具有橫向部及一體連接于橫向部中間部位的縱向部，所述橫向部的橫向長度為15.00±0.15毫米、縱向寬度為4.00±0.15毫米，所述縱向部的縱向長度為10.00±0.15毫米、橫向寬度為5.00±0.15毫米；所述橫向部上分布有pcb硬板區(qū)100，所述縱向部上分布有折彎區(qū)200、pcb軟板區(qū)300折彎區(qū)200。所述共用基材層具有相對設置的第一側、第二側；所述共用基材層包括有自第一側朝向第二側依次設置的第一防靜電層11、第一銅箔層12、第一耐高溫薄膜層13、第一pi薄膜層14、pe薄膜層15、第二pi薄膜層16、第二耐高溫薄膜層17、第二銅箔層18、第二防靜電層19。

所述共用基材層上第一側對應pcb硬板區(qū)100自內(nèi)而外依次設置有第一半固化層21、第一補強層22、第一銅箔層23及第一阻焊層24，所述共用基材層上第二側對應pcb硬板區(qū)100自內(nèi)而外依次設置有第二半固化層25、第二補強層26、第二銅箔層27及第二阻焊層28。所述共用基材層上第二側外表面對應pcb硬板區(qū)100進一步設置有正極鎳磚塊71及負極鎳磚塊72，所述正極鎳磚塊71及負極鎳磚塊72的尺寸均是橫向長度為4.00±0.15毫米、縱向寬度為3.00±0.15毫米、厚度0.30毫米0.05毫米，正極鎳磚塊71及負極鎳磚塊72之間的間距為4.00±0.15毫米。

所述共用基材層上第一側對應pcb軟板區(qū)300及折彎區(qū)200自內(nèi)而外依次設置有第一塑膠層31、第一保護膜層32及第一電磁屏蔽膜層33，所述共用基材層上第二側對應pcb軟板區(qū)300及折彎區(qū)200自內(nèi)而外依次設置有第二塑膠層34、第二保護膜層35及第二電磁屏蔽膜層36；所述共用基材層上第一側外表面對應pcb軟板區(qū)進一步設置有連接器60，所述連接器60的左、右側均具有沿縱向依次排布的p-端子、ntc端子、id端子及p+端子；以及，所述共用基材層上第二側外表面對應pcb軟板區(qū)300進一步設置有sus補強板40，所述sus補強板40的外表面覆設有背膠層50。

所述第一塑膠層31、第二塑膠層34均朝向pcb硬板區(qū)100延伸形成有延伸搭接部(圖示311、341)，兩者的延伸搭接部分別位于pcb硬板區(qū)100的相應第一防靜電層11、第二防靜電層19外側，pcb硬板區(qū)100的第一半固化層21壓合于第一塑膠層31的延伸搭接部311外側，pcb硬板區(qū)100的第二半固化層25壓合于第二塑膠層34的延伸搭接部341外側。

本實施例中,所述縱向部呈矩形結構，所述縱向部的延伸末端具有兩個拐角，其一拐角81設計為r0.5毫米圓弧倒角，其另一拐角82設計為c0.5毫米斜邊倒角。所述sus補強板呈矩形結構，其具有依次定義的第一角91、第二角92、第三角93及第四角94，其第一角91設計為c0.5毫米斜邊倒角，所述第一角91與前述縱向部上設計為c0.5毫米斜邊倒角的拐角81相對應，其第二角92、第三角93及第四角94均設計為r0.5毫米圓弧倒角，所述第二角92與前述縱向部上設計為r0.5毫米圓弧倒角的拐角82相對應。

接下來,大致介紹前述制程穩(wěn)定可靠的軟硬結合板的制作方法，包括如下步驟:（1）制得前述共用基材層以作為將pcb硬板區(qū)100、折彎區(qū)200及pcb軟板區(qū)300三者結合成一體的共用結構；（2）在共用基材層上分別形成pcb硬板區(qū)100、折彎區(qū)200及pcb軟板區(qū)300，其中，折彎區(qū)200與pcb硬板區(qū)300之間形成搭接進一步加強pcb硬板區(qū)100與pcb軟板區(qū)300之間的結合穩(wěn)固性；（3）于pcb軟板區(qū)300的兩側外表面分別相應設置連接器60及sus補強板40；于pcb硬板區(qū)100的一側外表面設置正極鎳磚塊71及負極鎳磚塊72。

綜上所述，本發(fā)明的設計重點在于，其主要是通過共用基材層使軟硬板連接成一體，提高了軟硬板的結合強度，有效解決現(xiàn)有技術中軟硬板易脫離的問題，同時，提高了產(chǎn)品的質量及制作良率，現(xiàn)有的軟硬結合板的良率大多在30-40%左右，有少數(shù)可達60%，利用本專利申請之新型的軟硬結合板技術，其制作良率可達80%以上，大幅提升了良率，適于推廣應用，也有利于相關電子產(chǎn)品的技術發(fā)展。

以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明的技術范圍作任何限制，故凡是依據(jù)本發(fā)明的技術實質對以上實施例所作的任何細微修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術方案的范圍內(nèi)。