本發(fā)明涉及場效應(yīng)晶體管射頻低噪聲放大器和集成電路領(lǐng)域，特別是針對超寬帶接收機(jī)前端的接收模塊應(yīng)用的一種高線性度、寬帶、低功耗低噪聲放大器。

背景技術(shù)：

隨著電子戰(zhàn)、軟件無線電、超寬帶通信、無線局域網(wǎng)(wlan)等軍用電子對抗與通信、民用通信市場的快速發(fā)展，射頻前端接收器也向高性能、高集成、低功耗的方向發(fā)展。因此市場迫切的需求超寬帶、高增益、高線性度、低功耗、低噪聲的射頻與微波低噪聲放大器芯片。

然而，當(dāng)傳統(tǒng)射頻與微波低噪聲放大器芯片設(shè)計中，一直存在一些設(shè)計難題，主要體現(xiàn)：

(1)低功耗、高增益、低噪聲放大指標(biāo)相互制約：由于市場的驅(qū)使，射頻前端接收器的待機(jī)功耗需要盡量降低，從而實現(xiàn)節(jié)能的功能，但是傳統(tǒng)的共源(或共射)低噪聲放大器設(shè)計中，滿足實現(xiàn)噪聲最優(yōu)的最佳噪聲偏置點，和滿足增益與跨導(dǎo)最大的偏置點往往不能實現(xiàn)放大器的功耗最低，因此兩個指標(biāo)不能很好地兼容。

(2)低功耗和高線性度指標(biāo)相互制約：傳統(tǒng)共源(或共射)低噪聲放大器設(shè)計中，高線性度指標(biāo)需要在固定工藝下選擇功率容量高且1db壓縮點高的放大器晶體管，而高功率容量往往需要消耗較大的直流功耗，因此低功耗和線性度兩者不能很好的兼容。

常見的低功耗、高線性度低噪聲放大器的電路結(jié)構(gòu)有很多，最典型的是電流復(fù)用式共源(或共射)放大器，但是，典型電流復(fù)用式共源(或共射)放大器，仍然存在一些設(shè)計不足，主要體現(xiàn)在：

(1)電流復(fù)用結(jié)構(gòu)需要采用饋電電感和大電容實現(xiàn)兩個共源(或共射)放大器的靜態(tài)偏置復(fù)用，這種大電感和大電容饋電結(jié)構(gòu)的自諧振頻率點較低，在實現(xiàn)超寬帶放大的時候，有可能自諧振頻率點會落入放大頻帶內(nèi)，從而惡化射頻特性；同時大電感和電容往往占用較大的芯片面積，從而提高了芯片成本；

(2)電流復(fù)用結(jié)構(gòu)往往采用傳統(tǒng)ab類偏置狀態(tài)為了獲得高增益和低噪聲系數(shù)，仍無法很好地解決低功耗和高線性度指標(biāo)相互制約的固有問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種基于增益補(bǔ)償技術(shù)的高線性寬帶堆疊低噪聲放大器，利用增益壓縮補(bǔ)償技術(shù)和晶體管堆疊技術(shù)，實現(xiàn)超寬帶下低功耗、高增益、高線性度、低噪聲以及良好的輸入輸出匹配特性且成本低等優(yōu)點。

本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下：

一種基于增益補(bǔ)償技術(shù)的高線性寬帶堆疊低噪聲放大器，包括依次連接的二堆疊低噪聲放大網(wǎng)絡(luò)、級間匹配網(wǎng)絡(luò)和二堆疊增益擴(kuò)張放大網(wǎng)絡(luò)；以及與所述二堆疊低噪聲放大網(wǎng)絡(luò)和二堆疊增益擴(kuò)張放大網(wǎng)絡(luò)均連接的第一供電偏置網(wǎng)絡(luò)和第二供電偏置網(wǎng)絡(luò)。

本發(fā)明的有益效果是：采用二堆疊低噪聲放大網(wǎng)絡(luò)和二堆疊增益擴(kuò)張放大網(wǎng)絡(luò)的優(yōu)勢是高增益，良好的輸入輸出匹配，便于實現(xiàn)增益壓縮補(bǔ)償；同時采用了增益壓縮補(bǔ)償技術(shù)，利用二堆疊增益擴(kuò)張放大網(wǎng)絡(luò)在一定偏置范圍內(nèi)抵消二堆疊低噪聲放大網(wǎng)絡(luò)的增益壓縮特性，這樣可以在低靜態(tài)功耗的條件下，實現(xiàn)較高的1db壓縮點，從而改善放大器的線性度指標(biāo)。

在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還可以做如下改進(jìn)。

進(jìn)一步，所述二堆疊低噪聲放大網(wǎng)絡(luò)和二堆疊增益擴(kuò)張放大網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)相同；所述二堆疊低噪聲放大網(wǎng)絡(luò)和二堆疊增益擴(kuò)張放大網(wǎng)絡(luò)均由兩個不同尺寸的晶體管按照頂層晶體管的源極與底層晶體管的漏極通過微帶線相連堆疊構(gòu)成；所述底層晶體管的源極接負(fù)反饋微帶線，柵極連接匹配微帶線；所述頂層晶體管的柵極連接串聯(lián)的外掛穩(wěn)定電阻和外掛匹配電容。

采用上述進(jìn)一步方案的有益效果是：采用晶體管堆疊技術(shù)，兩個晶體管堆疊的結(jié)構(gòu)可以在低靜態(tài)功耗的條件下實現(xiàn)較高的增益，同時實現(xiàn)較高的功率容量，而且不需要像傳統(tǒng)共源(或共射)電流復(fù)用放大器中必須采用大電感和大電容實現(xiàn)直流復(fù)用；采用兩個不同尺寸的晶體管，可以改善堆疊晶體管的寄生參數(shù)在高頻段所導(dǎo)致的柵源失配現(xiàn)象，在實現(xiàn)超寬帶匹配的時候，微帶線用于補(bǔ)償堆疊晶體管間的高頻失配，同時可以改善諧波頻率處的放大器的穩(wěn)定性；外掛穩(wěn)定電阻是穩(wěn)定電阻，提高了穩(wěn)定性，外掛匹配電容作用是調(diào)整堆疊晶體管之間的匹配。

進(jìn)一步，所述頂層晶體管的漏極通過微帶線串接負(fù)反饋電阻、電容和電感，并反饋到底層晶體管的柵極匹配微帶線。

采用上述進(jìn)一步方案的有益效果是：反饋電路的優(yōu)勢是可以實現(xiàn)超寬帶的噪聲和阻抗匹配。

進(jìn)一步，射頻輸入信號輸入端in通過輸入隔直耦合電容連接所述二堆疊低噪聲放大器網(wǎng)絡(luò)的底層晶體管的柵極匹配微帶線；

所述二堆疊低噪聲放大網(wǎng)絡(luò)的頂層晶體管的漏極通過微帶線連接所述級間匹配網(wǎng)絡(luò)的匹配電感，所述級間匹配網(wǎng)絡(luò)的匹配電容連接所述二堆疊增益擴(kuò)張放大網(wǎng)絡(luò)的底層晶體管的柵極匹配微帶線。

采用上述進(jìn)一步方案的有益效果是：二堆疊低噪聲放大網(wǎng)絡(luò)的頂層晶體管的漏極通過微帶線連接所述級間匹配網(wǎng)絡(luò)的匹配電感，有助于提升輸出網(wǎng)絡(luò)的電抗特性，并改善負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò)的超寬帶匹配特性，同時級間匹配電感可以提高二堆疊增益擴(kuò)張放大網(wǎng)絡(luò)的輸入阻抗，改善二堆疊低噪聲放大網(wǎng)絡(luò)和二堆疊增益擴(kuò)張放大網(wǎng)絡(luò)的級間匹配特性。

進(jìn)一步，所述二堆疊增益擴(kuò)張放大網(wǎng)絡(luò)的頂層晶體管的漏極通過微帶線及隔直耦合電容連接射頻信號的輸出端out。

采用上述進(jìn)一步方案的有益效果是：利用漏極微帶線及隔直耦合電容可以配合復(fù)反饋網(wǎng)絡(luò)實現(xiàn)超寬帶輸出阻抗匹配。

進(jìn)一步，所述第一供電偏置網(wǎng)絡(luò)包括第一偏置電壓、以及均與所述第一偏置電壓連接的第一分壓電路和第二分壓電路，所述第一分壓電路連接所述二堆疊低噪聲放大網(wǎng)絡(luò)的頂層晶體管的柵極，所述第二分壓電路連接所述二堆疊增益擴(kuò)張放大網(wǎng)絡(luò)的頂層晶體管的柵極。

采用上述進(jìn)一步方案的有益效果是：通過調(diào)節(jié)二堆疊低噪聲放大網(wǎng)絡(luò)在ab類偏置狀態(tài)，二堆疊增益擴(kuò)張放大網(wǎng)絡(luò)在c類偏置狀態(tài)，可以實現(xiàn)增益補(bǔ)償。

進(jìn)一步，所述第一分壓電路和第二分壓電路結(jié)構(gòu)相同。

采用上述進(jìn)一步方案的有益效果是：采用相同結(jié)構(gòu)的分壓電路結(jié)構(gòu)，可以使得電路的對于加工工藝的敏感度降低，提升集成電路的批次一致性。

進(jìn)一步，所述第二供電偏置網(wǎng)絡(luò)包括第二偏置電壓、以及均與所述第二偏置電壓連接的第三分壓電路和第四分壓電路，所述第三分壓電路連接所述二堆疊低噪聲放大網(wǎng)絡(luò)的底層晶體管的柵極匹配微帶線，所述第四分壓電路連接所述二堆疊增益擴(kuò)張放大網(wǎng)絡(luò)的底層晶體管的柵極匹配微帶線。

采用上述進(jìn)一步方案的有益效果是：采用上述結(jié)構(gòu)可以在不惡化放大器噪聲系數(shù)的同時，實現(xiàn)良好的柵極饋電及寬帶匹配功能。

進(jìn)一步，所述第三分壓電路和第四分壓電路結(jié)構(gòu)相同。

附圖說明

圖1為本發(fā)明低噪聲放大器原理框圖；

圖2為本發(fā)明中基于增益補(bǔ)償技術(shù)的高線性寬帶堆疊低噪聲放大器電路圖。

具體實施方式

以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。

如圖1、圖2所示，本發(fā)明提供了一種基于增益補(bǔ)償技術(shù)的高線性寬帶堆疊低噪聲放大器,是一種以二堆疊低噪聲放大網(wǎng)絡(luò)和二堆疊增益擴(kuò)張放大網(wǎng)絡(luò)為核心的超寬帶高線性度堆疊低噪聲放大器，采用集成電路工藝進(jìn)行設(shè)計。

該低噪聲放大器包括依次連接的二堆疊低噪聲放大網(wǎng)絡(luò)、級間匹配網(wǎng)絡(luò)和二堆疊增益擴(kuò)張放大網(wǎng)絡(luò)；以及與所述二堆疊低噪聲放大網(wǎng)絡(luò)和二堆疊增益擴(kuò)張放大網(wǎng)絡(luò)均連接的第一供電偏置網(wǎng)絡(luò)和第二供電偏置網(wǎng)絡(luò)。所述二堆疊低噪聲放大網(wǎng)絡(luò)和二堆疊增益擴(kuò)張放大網(wǎng)絡(luò)均為有源網(wǎng)絡(luò)，第一供電偏置網(wǎng)絡(luò)和第二供電偏置網(wǎng)絡(luò)均為無源網(wǎng)絡(luò)。

采用二堆疊低噪聲放大網(wǎng)絡(luò)和二堆疊增益擴(kuò)張放大網(wǎng)絡(luò)的優(yōu)勢是高增益，良好的輸入輸出匹配；同時采用了增益壓縮補(bǔ)償技術(shù)，利用二堆疊增益擴(kuò)張放大網(wǎng)絡(luò)在一定偏置范圍內(nèi)抵消二堆疊低噪聲放大網(wǎng)絡(luò)的增益壓縮特性，這樣可以在低靜態(tài)功耗的條件下，實現(xiàn)較高的1db壓縮點，從而改善放大器的線性度指標(biāo)。所述二堆疊低噪聲放大網(wǎng)絡(luò)和二堆疊增益擴(kuò)張放大網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)相同；所述二堆疊低噪聲放大網(wǎng)絡(luò)由兩個不同尺寸的晶體管md1、md2，按照頂層晶體管md2的源極與底層晶體管md1的漏極通過微帶線tl3相連堆疊構(gòu)成；所述底層晶體管md1的源極接負(fù)反饋微帶線tl2，柵極連接匹配微帶線tl1；所述頂層晶體管md2的柵極連接串聯(lián)的外掛穩(wěn)定電阻r2和外掛匹配電容c2。所述頂層晶體管md2的漏極通過微帶線tl4串接負(fù)反饋電阻r1、電容c3和電感l(wèi)1，并反饋到底層晶體管的柵極匹配微帶線tl1，可以實現(xiàn)超寬帶的噪聲和阻抗匹配。

所述二堆疊增益擴(kuò)張放大網(wǎng)絡(luò)由兩個不同尺寸的晶體管md3、md4，按照頂層晶體管md4的源極與底層晶體管md3的漏極通過微帶線tl7相連堆疊構(gòu)成；所述底層晶體管md3的源極接負(fù)反饋微帶線tl6，柵極連接匹配微帶線tl5；所述頂層晶體管md4的柵極連接串聯(lián)的外掛穩(wěn)定電阻r4和外掛匹配電容c6。所述頂層晶體管md4的漏極通過微帶線tl8串接負(fù)反饋電阻r3、電容c5和電感l(wèi)3，并反饋到底層晶體管的柵極匹配微帶線tl5，可以實現(xiàn)超寬帶的噪聲和阻抗匹配。

采用晶體管堆疊技術(shù)，兩個晶體管堆疊的結(jié)構(gòu)可以在低靜態(tài)功耗的條件下實現(xiàn)較高的增益，同時實現(xiàn)較高的功率容量，而且不需要像傳統(tǒng)共源(或共射)電流復(fù)用放大器中必須采用大電感和大電容實現(xiàn)直流復(fù)用；采用兩個不同尺寸的晶體管，可以改善堆疊晶體管的寄生參數(shù)在高頻段所導(dǎo)致的柵源失配現(xiàn)象，在實現(xiàn)超寬帶匹配的時候，微帶線用于補(bǔ)償堆疊晶體管間的高頻失配，同時可以改善諧波頻率處的放大器的穩(wěn)定性；外掛穩(wěn)定電阻是穩(wěn)定電阻，提高了穩(wěn)定性，外掛匹配電容作用是調(diào)整堆疊晶體管之間的匹配。

射頻輸入信號輸入端in通過輸入隔直耦合電容c1連接所述二堆疊低噪聲放大器網(wǎng)絡(luò)的底層晶體管md1的柵極匹配微帶線tl1；所述二堆疊增益擴(kuò)張放大網(wǎng)絡(luò)的頂層晶體管md4的漏極通過微帶線tl8及隔直耦合電容c7連接射頻信號的輸出端out，利用漏極微帶線tl8及隔直耦合電容c7可以配合復(fù)反饋網(wǎng)絡(luò)實現(xiàn)超寬帶輸出阻抗匹配。

所述二堆疊低噪聲放大網(wǎng)絡(luò)的頂層晶體管md2的漏極通過微帶線tl4連接所述級間匹配網(wǎng)絡(luò)的匹配電感l(wèi)2，所述級間匹配網(wǎng)絡(luò)的匹配電容c4連接所述二堆疊增益擴(kuò)張放大網(wǎng)絡(luò)的底層晶體管md3的柵極匹配微帶線tl5。二堆疊低噪聲放大網(wǎng)絡(luò)的頂層晶體管md2的漏極通過微帶線tl4連接所述級間匹配網(wǎng)絡(luò)的匹配電感l(wèi)2，有助于提升輸出網(wǎng)絡(luò)的電抗特性，并改善負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò)的超寬帶匹配特性，同時級間匹配電感l(wèi)2可以提高二堆疊增益擴(kuò)張放大網(wǎng)絡(luò)的輸入阻抗，改善二堆疊低噪聲放大網(wǎng)絡(luò)和二堆疊增益擴(kuò)張放大網(wǎng)絡(luò)的級間匹配特性。

所述第一供電偏置網(wǎng)絡(luò)包括第一偏置電壓vdd、以及均與所述第一偏置電壓vdd連接的第一分壓電路和第二分壓電路，所述第一分壓電路連接所述二堆疊低噪聲放大網(wǎng)絡(luò)的頂層晶體管md2的柵極，所述第二分壓電路連接所述二堆疊增益擴(kuò)張放大網(wǎng)絡(luò)的頂層晶體管md4的柵極。通過調(diào)節(jié)二堆疊低噪聲放大網(wǎng)絡(luò)在ab類偏置狀態(tài)，二堆疊增益擴(kuò)張放大網(wǎng)絡(luò)在c類偏置狀態(tài)，可以實現(xiàn)增益補(bǔ)償。

所述第一分壓電路和第二分壓電路結(jié)構(gòu)相同，采用相同結(jié)構(gòu)的分壓電路結(jié)構(gòu)，可以使得電路的對于加工工藝的敏感度降低，提升集成電路的批次一致性。其中，第一分壓電路和第二分壓電路可以為現(xiàn)有技術(shù)的常見分壓電路。第一分壓電路也可以為與第一偏置電壓vdd連接的串接的分壓電阻r5、r7，在分壓電阻r5、r7的連接線上連接電阻r6的一端，電阻r6的另一端連接頂層晶體管md2的柵極，在r7與vdd連接線之間連接接地電容c8，且在在r7與vdd連接線之間和級間匹配網(wǎng)絡(luò)的匹配電感l(wèi)2的輸入端連接一電阻。同理，第二分壓電路也可以為與第一偏置電壓vdd連接的串接的分壓電阻r8、r10，在分壓電阻r8、r10的連接線上連接電阻r9的一端，電阻r9的另一端連接頂層晶體管md4的柵極，在r10與vdd連接線之間連接接地電容c9，且在在r10與vdd連接線之間和頂層晶體管md4的漏極微帶線tl4連接一電阻。

所述第二供電偏置網(wǎng)絡(luò)包括第二偏置電壓vgg、以及均與所述第二偏置電壓vgg連接的第三分壓電路和第四分壓電路，所述第三分壓電路連接所述二堆疊低噪聲放大網(wǎng)絡(luò)的底層晶體管md1的柵極匹配微帶線tl1，所述第四分壓電路連接所述二堆疊增益擴(kuò)張放大網(wǎng)絡(luò)的底層晶體管md3的柵極匹配微帶線tl5，采用此結(jié)構(gòu)可以在不惡化放大器噪聲系數(shù)的同時，實現(xiàn)良好的柵極饋電及寬帶匹配功能

所述第三分壓電路和第四分壓電路結(jié)構(gòu)相同，可以為現(xiàn)有技術(shù)的常見分壓電路。第三分壓電路也可以為與第二偏置電壓vgg連接的串接分壓電阻r13、電感l(wèi)4和電阻r11，其中，電阻r11連接至底層晶體管md1的柵極匹配微帶線tl1，在分壓電阻r13和電感l(wèi)4之間連接接地分壓電阻r12，在電阻r11和電感l(wèi)4之間連接接地電容c10。同理，第四分壓電路也可以為與第二偏置電壓vgg連接的串接分壓電阻r14、電感l(wèi)5和電阻r16，其中，電阻r16連接至底層晶體管md3的柵極匹配微帶線tl5，在分壓電阻r14和電感l(wèi)5之間連接接地分壓電阻r15，在電阻r16和電感l(wèi)5之間連接接地電容c11。

通過調(diào)節(jié)第一供電偏置網(wǎng)絡(luò)和第二供電偏置網(wǎng)絡(luò)中的分壓電阻r5、r7和r12、r13的大小，使得二堆疊低噪聲放大網(wǎng)絡(luò)的晶體管工作在弱ab類偏置狀態(tài)，此時二堆疊低噪聲放大網(wǎng)絡(luò)呈現(xiàn)的是ab類放大器的高增益、低噪聲狀態(tài)，同時隨著輸入功率的增大，ab類放大器呈現(xiàn)增益壓縮特性；通過調(diào)節(jié)第一供電偏置網(wǎng)絡(luò)和第二供電偏置網(wǎng)絡(luò)中的分壓電阻r8、r10和r14、r15的大小，使得二堆疊增益擴(kuò)張放大網(wǎng)絡(luò)的晶體管工作在弱c類偏置狀態(tài)，此時二堆疊增益擴(kuò)張放大網(wǎng)絡(luò)呈現(xiàn)的靜態(tài)功耗很低，同時隨著輸入功率的增大，增益先擴(kuò)張后壓縮特性。

本發(fā)明的工作過程為：射頻輸入信號通過輸入端in進(jìn)入電路，通過輸入隔直耦合電容c1，然后進(jìn)入從p1點進(jìn)入柵極匹配微帶線tl1，然后進(jìn)入晶體管md1和md2、微帶線tl3和外掛穩(wěn)定電阻r2、外掛匹配電容c2、源極負(fù)反饋微帶線tl2構(gòu)成的二堆疊低噪聲放大器網(wǎng)絡(luò)，然后從該網(wǎng)絡(luò)中md2的漏極輸出、然后進(jìn)入微帶線tl4，然后從p2點進(jìn)入級間匹配網(wǎng)絡(luò)中的匹配電感l(wèi)2，同時p2點有部分信號以負(fù)反饋的方式通過負(fù)反饋電阻r1、電容c3、電感l(wèi)1返回到二堆疊低噪聲放大器網(wǎng)絡(luò)的輸入端p1點，通過匹配電感l(wèi)2的信號進(jìn)入隔直耦合電容c4，然后進(jìn)入從p3點進(jìn)入柵極匹配微帶線tl5，然后進(jìn)入晶體管md3和md4、微帶線tl7和外掛穩(wěn)定電阻r4、外掛匹配電容c6、源極負(fù)反饋微帶線tl6構(gòu)成的二堆疊增益擴(kuò)張放大網(wǎng)絡(luò)，然后從該網(wǎng)絡(luò)中md4的漏極輸出、然后進(jìn)入微帶線tl8，然后從p4點進(jìn)入隔直耦合電容c7，同時有部分信號以負(fù)反饋的方式通過負(fù)反饋電阻r3、電容c5、電感l(wèi)3返回到二堆疊增益擴(kuò)張放大網(wǎng)絡(luò)的輸入端p3點，通過隔直耦合電容c7的信號從輸出端口輸出。

基于以上電路分析，本發(fā)明提出的一種基于增益補(bǔ)償技術(shù)的高線性度堆疊低噪聲放大器與以往的基于集成電路工藝的低噪聲放大器結(jié)構(gòu)的不同之處在于：

1.核心架構(gòu)采用二堆疊放大網(wǎng)絡(luò)。

二堆疊放大網(wǎng)絡(luò)與傳統(tǒng)單一晶體管，以及傳統(tǒng)共源(或共射)電流復(fù)用放大器在結(jié)構(gòu)上有很大不同，此處不做贅述。

二堆疊放大網(wǎng)絡(luò)與傳統(tǒng)cascode晶體管的不同之處在于堆疊的柵極補(bǔ)償電容上，二堆疊放大網(wǎng)絡(luò)的柵極補(bǔ)償電容是容值較小的電容，用于實現(xiàn)柵極電壓的同步擺動，而傳統(tǒng)cascode晶體管的堆疊柵極補(bǔ)償電容是容值較大的電容，用于實現(xiàn)柵極的交流接地。

2.基于增益補(bǔ)償技術(shù)的雙級低噪聲放大架構(gòu)：

以往設(shè)計方法中往往采用兩級或者兩級以上的放大器實現(xiàn)高增益指標(biāo)，各級放大器均工作在ab類狀態(tài)，放大器呈現(xiàn)增益壓縮特性，這樣末級放大器就必須采用壓縮點較高的大尺寸晶體管來提升線性度指標(biāo)，而本發(fā)明中采用工作在弱c類狀態(tài)的二堆疊增益擴(kuò)張放大網(wǎng)絡(luò)來抵消弱ab類狀態(tài)的二堆疊低噪聲放大網(wǎng)絡(luò)的增益壓縮特性，從而提升1db壓縮點指標(biāo)，同時又具有很低的靜態(tài)功耗。

在整個基于增益補(bǔ)償技術(shù)的高線性度堆疊低噪聲放大器電路中，晶體管的尺寸和其他直流饋電電阻、補(bǔ)償電容、反饋器件的大小是綜合考慮整個電路的增益、帶寬和輸出功率等各項指標(biāo)后決定的，通過后期的版圖設(shè)計與合理布局，可以更好地實現(xiàn)所要求的各項指標(biāo)，實現(xiàn)在超寬帶條件下的低噪聲、高增益、高線性度和良好的輸入輸出匹配特性、芯片面積小且成本低。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。