本發(fā)明涉及陶瓷電路器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種在陶瓷表面生成電路的工藝和陶瓷電路器件。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有制備陶瓷電路器件的技術(shù)主要有2種：

1.平面陶瓷的電路是通過先在陶瓷表面覆蓋金屬面，而后通過去除不需要的金屬區(qū)域形成表面電路，工藝包括pvd，電鍍，貼膜，曝光，顯影，蝕刻等，缺點是工藝線路復(fù)雜，只適合平面陶瓷，優(yōu)點是電路精細(xì)，適合大量生產(chǎn)，例如公告號為cn205987523u的中國專利文獻(xiàn)公開了一種多層陶瓷印制電路板包括至少兩塊相互覆合的陶瓷基pcb板；陶瓷基pcb板包括用于導(dǎo)熱和/或散熱以及電絕緣的陶瓷基底層、用于印制電子線路和/或布設(shè)導(dǎo)熱金屬面的中間層和具有共晶熔融特性的共晶材料組成的覆合層；各陶瓷基pcb板相向地兩兩貼合加熱，借助其上的覆合層共晶熔融焊接成多層陶瓷印制電路板。印制電子線路和/或布設(shè)導(dǎo)熱金屬面上的覆合層通過共晶熔融覆合實現(xiàn)層間的機械和電聯(lián)接，相較于已知結(jié)構(gòu)和工藝，大大提高了多層陶瓷印制電路板的導(dǎo)熱性能；陶瓷基底層具有很好的導(dǎo)熱性能和絕緣強度，使得該多層陶瓷印制電路板具有很好的導(dǎo)熱性能適合高功率和高熱流密度的應(yīng)用場合。

2.在陶瓷表面印刷/噴導(dǎo)電漿形成電路，工藝包括導(dǎo)電漿印刷，烘干，缺點是原料貴，導(dǎo)電性能不佳，電路不精細(xì)，三維面導(dǎo)體形成困難等，優(yōu)點是工藝簡單，例如公開號為cn2593332u的中國專利文獻(xiàn)公開了一種陶瓷電容器本體電極層結(jié)構(gòu)，該陶瓷電容器本體電極層采以印刷或電鍍導(dǎo)電漿所形成，且該導(dǎo)電漿得以粘度管制涂布面積或?qū)⒁绯霾糠纸?jīng)研磨處理，使其完全布滿于陶瓷電容器本體兩極面的截面積上，以令陶瓷電容器本體兩極面具有布滿導(dǎo)電漿無空隙的電極層，可避免電暈效應(yīng)，進(jìn)而達(dá)到提高抗電壓的工作電性。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種在陶瓷表面生成電路的工藝和陶瓷電路器件，本發(fā)明的工藝簡單，所制備的電路精細(xì)，成本低廉。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種在陶瓷表面生成電路的工藝，該工藝包括：采用激光在陶瓷材料的表面雕刻導(dǎo)體圖案；在所述導(dǎo)體圖案內(nèi)沉積金屬以形成金屬電路，得到陶瓷電路器件。

可選的，所述陶瓷材料為氧化鋁陶瓷、氮化鋁陶瓷、氮化硼陶瓷、氮化硅陶瓷、鈦酸鋇陶瓷或氧化鋯陶瓷。

可選的，所述陶瓷材料以陶瓷平板或陶瓷體形式進(jìn)行雕刻。

可選的，所述激光的波長為20～2000納米。

可選的，采用二維平面激光或者三維變焦激光設(shè)備進(jìn)行發(fā)射激光。

可選的，所述金屬為銅、鎳、鈀、銀或金中的一種或多種組合。

本發(fā)明還提供本發(fā)明提供的工藝所制備的陶瓷電路器件。

本發(fā)明具有如下優(yōu)點：

本發(fā)明的工藝簡單，可以在三維導(dǎo)體表面形成精細(xì)電路，且成本低廉。

附圖說明

圖1是本發(fā)明工藝一種具體實施方式的流程示意圖。

具體實施方式

以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。

如圖1所示，本發(fā)明提供一種在陶瓷表面生成電路的工藝，該工藝包括：采用激光在陶瓷材料的表面雕刻導(dǎo)體圖案；在所述導(dǎo)體圖案內(nèi)沉積金屬以形成金屬電路，得到陶瓷電路器件。

本發(fā)明工藝簡單，只有激光雕刻和化學(xué)鍍的方法即可制備陶瓷電路器件，本發(fā)明使用激光進(jìn)行制作導(dǎo)體線路，從而克服了電路不精細(xì)，三維導(dǎo)體形成困難的問題，另外在激光雕刻過的圖案上直接沉積金屬，解決原有方法成本高的問題。

陶瓷材料是本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的，陶瓷是指所有以粘土等無機非金屬礦物為原料的人工工業(yè)產(chǎn)品，包括由粘土或含有粘土的混合物經(jīng)混煉，成形，煅燒而制成的各種制品。例如，所述陶瓷材料可以為氧化鋁陶瓷、氮化鋁陶瓷、氮化硼陶瓷、氮化硅陶瓷、鈦酸鋇陶瓷或氧化鋯陶瓷。

本發(fā)明的優(yōu)勢在于采用激光雕刻形成導(dǎo)體圖案，從而使電路更加精細(xì)，而且如果采用三維變焦激光，使得復(fù)雜三維形狀的陶瓷表面電路加工變得簡單，例如，所述陶瓷材料以陶瓷平板或陶瓷體形式進(jìn)行雕刻，陶瓷體可以是三角形、方形或其它三維形狀的陶瓷材料。

激光是一種具備高強度瞬間能量的可見光，能夠?qū)⑻沾刹牧线M(jìn)行熔化，從而雕刻出導(dǎo)體線路，例如所述激光的波長可以為20～2000納米，可以采用二維平面激光或者三維變焦激光設(shè)備進(jìn)行發(fā)射激光，三維變焦激光主要用于三維形狀陶瓷體。

沉積金屬的方式可以為電鍍的方式，所形成的所述金屬為銅、鎳、鈀、銀或金中的一種或多種組合(如銅加鎳，銅加銀，銅加鎳加金)。

下面通過實施例來進(jìn)一步說明本發(fā)明，但是本發(fā)明并不因此而受到任何限制。

實施例

在陶瓷平板或陶瓷體的表面雕刻導(dǎo)體圖案，采用化學(xué)電鍍的方式在導(dǎo)體圖案上沉積金屬，形成電路，以得到陶瓷電路器件。該陶瓷體可以為三維模塑互連器件，其中可以內(nèi)置天線。所沉積的金屬及沉積條件如下所示：

銅：化學(xué)鍍銅，溫度40-60℃，化學(xué)鍍銅又稱無電解鍍銅，不需要通電；

鎳：化學(xué)鍍鎳，溫度70-90℃；

銀：化學(xué)鍍銀，溫度40-60℃；

鈀：化學(xué)鍍鈀，溫度70-90℃；

金：化學(xué)鍍金，溫度70-90℃。

雖然，上文中已經(jīng)用一般性說明及具體實施例對本發(fā)明作了詳盡的描述，但在本發(fā)明基礎(chǔ)上，可以對之作一些修改或改進(jìn)，這對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯而易見的。因此，在不偏離本發(fā)明精神的基礎(chǔ)上所做的這些修改或改進(jìn)，均屬于本發(fā)明要求保護(hù)的范圍。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種在陶瓷表面生成電路的工藝，該工藝包括：采用激光在陶瓷材料的表面雕刻導(dǎo)體圖案；在所述導(dǎo)體圖案上方沉積金屬以形成金屬電路，得到陶瓷電路器件。本發(fā)明的工藝簡單，可以在三維導(dǎo)體表面形成精細(xì)電路，且成本低廉。

技術(shù)研發(fā)人員：毛利堅;錢繼文;張獻(xiàn);蔡澤高
受保護(hù)的技術(shù)使用者：毛利堅;錢繼文;張獻(xiàn);蔡澤高
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.19
技術(shù)公布日：2017.09.29