本發(fā)明屬于微帶板制作領(lǐng)域，具體涉及一種分次蝕刻電鍍厚金微帶板的圖形制作方法。

背景技術(shù)：

鍍金厚度≥2μm的電鍍厚金是成熟應(yīng)用于微帶板的一種表面涂覆方式，具有優(yōu)良的可焊性、防腐性，同時具有極佳的電訊性能；尤其在金絲焊接工藝中，電鍍厚金的優(yōu)異性更是其他表面涂覆方式無可比擬的。目前，電鍍厚金的方式通常有兩種：一種是先蝕刻微帶圖形和工藝線，再通過工藝線導(dǎo)電電鍍厚金。另一種則是先電鍍厚金，再將鍍金層作為抗蝕層來蝕刻微帶圖形。前者可實現(xiàn)全覆蓋式電鍍厚金層的微帶圖形，但難點在于工藝線特別繁多，不論是人工去除工藝線，還是蝕刻去除工藝線，生產(chǎn)效率都非常低下。后者雖能實現(xiàn)無工藝線鍍金，卻會導(dǎo)致電鍍厚金pad位即微帶板的焊盤位的側(cè)壁無法被厚金包裹，進(jìn)而出現(xiàn)側(cè)面露銅現(xiàn)象，此方法制作出來的微帶板不能夠長期在空氣放置，尤其應(yīng)用于潮濕等苛刻環(huán)境時，裸露的銅逐步氧化腐蝕，極可能造成微帶線路信號匹配失效，使用風(fēng)險較大。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種更為高效快捷的分次蝕刻電鍍厚金微帶板的圖形制作方法。本發(fā)明既滿足了微帶線全覆蓋式鍍厚金需求，又滿足了減少連接工藝線的需求，同時又可滿足電訊性能、金絲焊接需求。本發(fā)明尤其適合制作應(yīng)用于潮濕等苛刻環(huán)境中的厚金微帶板，微帶板的成品品質(zhì)、工作穩(wěn)定性和可靠性均可得到有效保證。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用了以下技術(shù)方案：

一種分次蝕刻電鍍厚金微帶板的圖形制作方法，其特征在于包括以下步驟：

(1)、在基板銅面上進(jìn)行第一次覆膜；

(2)、微帶線周圍0.1-0.2mm范圍內(nèi)不曝光，微帶線圖形及其余部分進(jìn)行曝光處理；之后進(jìn)行顯影處理，從而將微帶線圖形單獨顯現(xiàn)出來；

(3)、進(jìn)行第一次酸性蝕刻，從而將微帶線按照其精度要求范圍蝕刻出來；

(4)、退除第一次銅面上附著的膜；

(5)、在基板銅面上進(jìn)行第二次覆膜；

(6)、將微帶線及其周圍0.1-0.2mm范圍內(nèi)的介質(zhì)部分不曝光，其他圖形部分不曝光，非圖形部分及工藝線進(jìn)行曝光處理；之后進(jìn)行顯影處理，從而將微帶線及非微帶線路圖形顯現(xiàn)出來；

(7)、電鍍厚金以形成厚金區(qū)；

(8)、退除第二次銅面上附著的膜；

(9)、執(zhí)行第二次堿性蝕刻，將厚金層作為抗蝕層進(jìn)行堿性蝕刻，獲得所需微帶板。

優(yōu)選的，所述步驟(1)中，第一次覆膜采用普通抗蝕干膜。

優(yōu)選的，所述步驟(2)中，曝光燈源采用uv燈源，利用光繪菲林成像來形成曝光區(qū)和非曝光區(qū)。

優(yōu)選的，所述步驟(2)及步驟(6)中，顯影處理時的顯影溶液選用0.2％的na2co3溶液或0.2％的k2co3溶液；所述步驟(4)及步驟(8)中，采用3％naoh溶液或3％koh溶液來退除基板銅面上附著的膜。

優(yōu)選的，所述步驟(3)中，第一次酸性蝕刻采用酸性氯化銅蝕刻液，控制cu²⁺濃度范圍：120-170g/l，hcl濃度范圍：100-120ml/l；所述步驟(7)中，電鍍厚金時采用弱酸性鍍金液，au濃度≥6g/l，酸度控制在ph值5.5-6.9之間，所得電鍍金厚度范圍2-4μm；所述步驟(9)中，第二次堿性蝕刻采用堿性氯化銅溶液蝕刻圖形，控制cu²⁺濃度范圍：120-170g/l，ph值：8.1-8.8。

優(yōu)選的，所述(5)步驟中，第二次覆膜時，可覆耐鍍金干膜，也可絲印耐鍍金濕膜。

優(yōu)選的，所述步驟(6)中，采用激光直接成像，以消除對位偏差造成的圖形對位失準(zhǔn)。

優(yōu)選的，所述步驟(6)中，位于微帶線及其周圍0.1-0.2mm范圍內(nèi)的介質(zhì)部分中的含有工藝線的部分做局部曝光處理，

優(yōu)選的，通過鉆孔方式獲得非金屬化通孔。

本發(fā)明的主要優(yōu)點在于：

1)、本發(fā)明通過提出分次蝕刻微帶線路圖形和非微帶線路圖形的概念，同時在工藝過程中自然的去除工藝線，并兼顧對微帶線路實現(xiàn)全覆蓋式鍍厚金操作，從而很好的解決了傳統(tǒng)的兩種鍍金方式所存在的相應(yīng)問題。本發(fā)明既滿足了微帶線路實行全覆蓋式鍍金的要求，又滿足了電訊性能及可靠性，還規(guī)避了含大量孤立焊盤、孤立數(shù)字線路、大量需要上金的孔不適用連接工藝線鍍金時弊端。本發(fā)明在保證了自身操作流程的清晰化和簡潔化的同時，尤其適合制作應(yīng)用于潮濕等苛刻環(huán)境中的厚金微帶板，微帶板的成品品質(zhì)、工作穩(wěn)定性和可靠性均可得到有效保證。

附圖說明

圖1為由本發(fā)明制作出的微帶板的表面示意圖。

圖2為本發(fā)明的流程圖。

圖3-8為處于本發(fā)明的不同操作步驟時的微帶板截面變化圖。

圖中各標(biāo)號與具體結(jié)構(gòu)名稱的對應(yīng)關(guān)系如下：

d1-第一次蝕刻出的全覆蓋鍍金層微帶線

d2-以厚金為抗蝕層第二次蝕刻出的圖形

10-基板20-銅面30-普通干膜40-金屬化通孔

50-微帶線60-厚金區(qū)

具體實施方式

圖1作為具體的實施例圖，給出了根據(jù)本發(fā)明而制作出的微帶板的表面結(jié)構(gòu)。其中，d1為第一次蝕刻出的全覆蓋鍍金層微帶線，d2為以厚金為抗蝕層第二次蝕刻出的圖形。

為便于理解，此處結(jié)合圖2-8對本發(fā)明的實施過程作以下進(jìn)一步描述：

本發(fā)明的具體操作步驟參照圖2所示，具體操作流程則如下：

(1)、如圖3所示，在基板10的銅面20上貼覆普通干膜30，干膜品牌無特殊要求。同時，在基板10上布置需要電鍍厚金的金屬化通孔40。

(2)、微帶線周圍0.1-0.2mm范圍內(nèi)不曝光，微帶線50及其余部分曝光，目的是只將微帶線圖形做出，其他圖形不做出來。曝光之后用0.2％的na2co3溶液或0.2％的k2co3溶液顯影，以將微帶線圖形單獨顯現(xiàn)出來，具體如圖4所示。在該步驟中，曝光燈源選擇uv燈，用光繪底片作為曝光菲林。

(3)、執(zhí)行第一次酸性蝕刻，從而將微帶線按照其精度要求范圍蝕刻出來，形成如圖5所示結(jié)構(gòu)。在進(jìn)行第一次酸性蝕刻時，采用酸性氯化銅蝕刻液，控制cu²⁺濃度范圍：120-170g/l，hcl濃度范圍：100-120ml/l；

(4)、采用3％naoh溶液或3％koh溶液，用來退除第一次銅面上附著的膜。

(5)、在基板銅面上進(jìn)行第二次覆膜，可覆耐鍍金干膜也可絲印耐鍍金濕膜。

(6)、將前步驟制作出來的微帶線及其周圍0.1-0.2mm范圍內(nèi)的介質(zhì)部分不曝光，其他圖形部分不曝光，非圖形部分及工藝線進(jìn)行曝光處理。曝光處理之后用0.2％的na2co3溶液或0.2％的k2co3溶液顯影，以將微帶線及其之外的圖形顯現(xiàn)出來，此時微帶板截面形狀如圖6所示。

步驟(6)的操作中，不曝光部分在0.2％的na2co3溶液或0.2％的k2co3溶液作用下，表面的耐鍍金濕膜溶解到顯影液中，曝光部分保留在銅面上；而微帶線及其他圖形，在此操作步驟中會全部裸露出待鍍銅面，從而達(dá)到顯性目的。此步驟必須采用激光直接成像，以消除對位偏差造成的圖形對位失準(zhǔn)。同時，注意將位于微帶線及其周圍0.1-0.2mm范圍內(nèi)的介質(zhì)部分中的含有工藝線的部分做局部曝光處理，以便于利用蝕刻法去除全部工藝線。

(7)、電鍍厚金以形成厚金區(qū)60，此時微帶板截面形狀如圖7所示。電鍍厚金時，采用弱酸性鍍金液，au濃度≥6g/l，酸度控制在ph值5.5-6.9之間，所得電鍍金厚度范圍2-4μm。

(8)、采用3％naoh溶液或3％koh溶液退除第二次銅面上附著的膜。

(9)、執(zhí)行第二次堿性蝕刻，將厚金層作為抗蝕層進(jìn)行堿性蝕刻，此時微帶板成型后的截面形狀如圖8所示。在進(jìn)行第二次堿性蝕刻時，采用堿性氯化銅溶液來蝕刻圖形，控制cu²⁺濃度范圍：120-170g/l，ph值：8.1-8.8，自動補(bǔ)加氨水，利用空氣使溶液循環(huán)再生。

在上述操作中，如需在基板10上獲得前述的非金屬化通孔40，可在步驟(9)之后通過鉆孔的方式實現(xiàn)。

實踐證明，本發(fā)明既能滿足微帶線全覆蓋式鍍厚金需求，又滿足了減少工藝線及無工藝線鍍金需求，同時又滿足電訊性能、金絲焊接需求，尤其是針對應(yīng)用于苛刻環(huán)境中的厚金微帶板，本發(fā)明的上述分次蝕刻電鍍厚金的微帶板圖形制作方法能最好的解決此問題。本發(fā)明通過提出分次蝕刻微帶線路圖形和非微帶線路圖形的概念，同時在工藝過程中自然的去除工藝線，并兼顧對微帶線路實現(xiàn)全覆蓋式鍍厚金操作，從而在保證了自身操作流程的清晰化和簡潔化的同時，尤其適合制作應(yīng)用于潮濕等苛刻環(huán)境中的厚金微帶板，微帶板的成品品質(zhì)、工作穩(wěn)定性和可靠性均可得到有效保證。