技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種屏蔽極低頻磁場的正方形截面金屬屏蔽槽設(shè)計(jì)方法，該方法將正方形截面金屬屏蔽槽等效為同材料等周長的圓截面金屬屏蔽管，采用軸對稱屏蔽管的極低頻磁場屏蔽率簡化估算所述正方形截面金屬屏蔽槽的極低頻磁場屏蔽率，獲取符合設(shè)定極低頻磁場屏蔽率的正方形截面金屬屏蔽槽的材料與尺寸。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有提高正方形截面屏蔽槽設(shè)計(jì)效率等優(yōu)點(diǎn)，并可使金屬屏蔽槽的實(shí)際屏蔽率和設(shè)計(jì)屏蔽率之間的偏差達(dá)到5％以內(nèi)。

技術(shù)研發(fā)人員：辛亮;戴曉敏;戴明秋
受保護(hù)的技術(shù)使用者：國網(wǎng)上海市電力公司;上海高試電氣科技有限公司;上海交通大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.12
技術(shù)公布日：2017.09.05