本發(fā)明涉及電路板生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種單面電路板的快速蝕刻方法。
背景技術(shù)：
酸性蝕刻機(jī)原設(shè)計(jì)主要生產(chǎn)雙面板，通過上下噴淋對(duì)雙面板進(jìn)行蝕刻，單面電路板在使用蝕刻機(jī)只能用到上噴，導(dǎo)致下噴沒有起到應(yīng)有的作用，造成設(shè)備使用率低，各項(xiàng)成本浪費(fèi)，原設(shè)計(jì)上蝕刻斷和去膜段的速度均為12米/分鐘，在生產(chǎn)單面電路板的情況下生產(chǎn)率很低。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
發(fā)明目的：為克服現(xiàn)有技術(shù)不足，本發(fā)明旨于提供一種單面電路板的快速蝕刻方法。
技術(shù)方案：為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：
一種單面電路板的快速蝕刻方法，包括以下步驟：
1)、把兩塊單面電路板合并擺放；
2)、用酸性蝕刻機(jī)噴淋上下兩塊單面電路板進(jìn)行蝕刻；
3)、過蝕刻段后再分開去膜。
工作原理：本發(fā)明由于原設(shè)計(jì)上蝕刻斷和去膜段的速度均為12米/分鐘，改進(jìn)單面板正反兩塊合并擺放后，使單面板的生產(chǎn)量成雙倍。
優(yōu)選，所述步驟3)中通過改動(dòng)變頻器把去膜段速度提高到最快20米/分鐘。
優(yōu)選，所述步驟2)中蝕刻速度為24米/分鐘。
本發(fā)明未提及的技術(shù)均為現(xiàn)有技術(shù)。
有益效果：本發(fā)明單面電路板的快速蝕刻方法操作簡單，能提升工作效率，使生產(chǎn)效率翻倍，能節(jié)約各項(xiàng)成本。
具體實(shí)施方式
為了更好地理解本發(fā)明，下面結(jié)合實(shí)施例進(jìn)一步闡明本發(fā)明的內(nèi)容，但本發(fā)明的內(nèi)容不僅僅局限于下面的實(shí)施例。
實(shí)施例1
一種單面電路板的快速蝕刻方法，包括以下步驟：
1)、把兩塊單面電路板合并擺放；
2)、用酸性蝕刻機(jī)噴淋上下兩塊單面電路板進(jìn)行蝕刻；
3)、過蝕刻段后再分開去膜。
步驟2)中蝕刻速度為24米/分鐘步驟；3)中通過改動(dòng)變頻器把去膜段速度提高到最快20米/分鐘。
本發(fā)明由于原設(shè)計(jì)上蝕刻斷和去膜段的速度均為12米/分鐘，改進(jìn)單面板正反兩塊合并擺放后，使單面板的生產(chǎn)量成雙倍。本發(fā)明單面電路板的快速蝕刻方法操作簡單，能提升工作效率，使生產(chǎn)效率翻倍，能節(jié)約各項(xiàng)成本。
以上僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出：對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以對(duì)各設(shè)施位置進(jìn)行調(diào)整，這些調(diào)整也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。