1.一種抗核輻射加固的置位復(fù)位D型觸發(fā)器，包括主觸發(fā)器（1）和從觸發(fā)器（2），其特征在于：所述的主觸發(fā)器（1）采用時(shí)域采樣鎖存器結(jié)構(gòu)；所述的從觸發(fā)器（2）采用DICE結(jié)構(gòu)的鎖存器結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗核輻射加固的置位復(fù)位D型觸發(fā)器，其特征在于，所述的主觸發(fā)器（1）包括：
二選一多路開(kāi)關(guān)（3），其采用C2MOS電路構(gòu)成；
置位復(fù)位電路（4），其采用C2MOS電路構(gòu)成，完成對(duì)觸發(fā)器的置位或復(fù)位，支持?jǐn)?shù)據(jù)的正常傳輸通路；和
時(shí)域采樣鎖存器（5），完成對(duì)數(shù)據(jù)的正確采樣，當(dāng)輸入數(shù)據(jù)在核輻射環(huán)境下發(fā)生瞬態(tài)錯(cuò)誤時(shí)，時(shí)域采樣鎖存器（5）通過(guò)內(nèi)部的判決電路，選擇正確的數(shù)據(jù)作為輸出數(shù)據(jù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種抗核輻射加固的置位復(fù)位D型觸發(fā)器，其特征在于，所述的從觸發(fā)器（2）包括：
DICE結(jié)構(gòu)鎖存器（6），完成對(duì)數(shù)據(jù)的鎖存，具有糾錯(cuò)能力；和
輸出置位復(fù)位電路（7），其完成輸出置位和復(fù)位的功能，支持?jǐn)?shù)據(jù)的正常傳輸通路。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種抗核輻射加固的置位復(fù)位D型觸發(fā)器，其特征在于，所述的D型觸發(fā)器有五個(gè)輸入端和一個(gè)輸出端，其中，所述五個(gè)輸入端分別是時(shí)鐘信號(hào)的正相輸入端clk和反相輸入端nclk、set置位控制輸入端、reset復(fù)位控制輸入端和數(shù)據(jù)信號(hào)輸入端d，所述一個(gè)輸出端是D型觸發(fā)器的輸出q，所述的主觸發(fā)器（1）接收d、set、reset以及clk、nclk，所述的從觸發(fā)器（2）接收所述主觸發(fā)器（1）輸出的q2、q3、v1、v2信號(hào)以及set、reset和clk、nclk信號(hào)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種抗核輻射加固的置位復(fù)位D型觸發(fā)器，其特征在于，所述主觸發(fā)器（1）在clk和nclk的控制下對(duì)d進(jìn)行鎖存處理后輸出四個(gè)信號(hào)，分別是q2、q3、v1和v2；所述的從觸發(fā)器在clk和nclk的控制下對(duì)q2、q3、v1、v2進(jìn)行鎖存處理后輸出q。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種抗核輻射加固的置位復(fù)位D型觸發(fā)器，其特征在于，所述的主觸發(fā)器（1）由eninv1、eninv2、and1、eninv3、eninv4、inv1、inv2和時(shí)域采樣電路組成，其中eninv1、eninv2組成一個(gè)二選一開(kāi)關(guān)，由時(shí)鐘clk和nclk控制，eninv1、eninv2電路由C2MOS構(gòu)成；eninv3和eninv4組成另一個(gè)二選一開(kāi)關(guān)，由時(shí)鐘reset和nreset控制，完成主觸發(fā)器（1）的置位和復(fù)位功能；inv1、inv2是加固緩沖反相器，對(duì)主觸發(fā)器（1）數(shù)據(jù)通路和reset信號(hào)緩沖反相。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種抗核輻射加固的置位復(fù)位D型觸發(fā)器，其特征在于：所述的從觸發(fā)器（2）有九個(gè)輸入端和一個(gè)輸出端，其中，所述的九個(gè)輸入端分別為q2、q3、v1、v2、clk、nclk、set、reset和nreset，所述的一個(gè)輸出端為q。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種抗核輻射加固的置位復(fù)位D型觸發(fā)器，其特征在于：所述的從觸發(fā)器（2）由六個(gè)C2MOS電路、三個(gè)加固反相器和一個(gè)DICE結(jié)構(gòu)鎖存器（6）組成，其中，所述的六個(gè)C2MOS電路是en-buff1、en-buff2、en-buff3、en-buff4、en-buff5、en-buff6。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種抗核輻射加固的置位復(fù)位D型觸發(fā)器，其特征在于：所述的en-buff1、en-buff2、en-buff3、en-buff4受時(shí)鐘信號(hào)clk、nclk的控制，當(dāng)clk為高電平，nclk為低電平時(shí)，分別接收來(lái)自所述的主觸發(fā)器（1）輸出的v1、q3、v2和q2數(shù)據(jù)；en-buff5受復(fù)位信號(hào)reset、nreset的控制，當(dāng)reset信號(hào)為低電平，nreset信號(hào)為高電平時(shí)，接收固定的高電平信號(hào)Vdd，完成對(duì)從觸發(fā)器（2）的復(fù)位；en-buff6受置位信號(hào)set、nset的控制，當(dāng)set信號(hào)為低電平，nset信號(hào)為高電平時(shí)，接收固定的低電平信號(hào)Vss，完成對(duì)從觸發(fā)器（2）的置位。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種抗核輻射加固的置位復(fù)位D型觸發(fā)器，其特征在于：所述的三個(gè)加固反相器是inv3、inv4和inv5，所述的inv3、inv4完成對(duì)DICE結(jié)構(gòu)鎖存器（6）輸出的兩路信號(hào)加固反相，生成從觸發(fā)器（2）的輸出信號(hào)q，inv5完成對(duì)set信號(hào)的加固反相，生成nset信號(hào)；所述的DICE結(jié)構(gòu)鎖存器（6）接收en-buff1、en-buff2、en-buff3、en-buff4輸出，加固鎖存之后輸出兩路相同的信號(hào)分別送入inv3和inv4的輸入。