本發(fā)明涉及振蕩器、電子設(shè)備以及移動(dòng)體。
背景技術(shù)：
：溫度補(bǔ)償型石英振蕩器(tcxo：temperaturecompensatedcrystaloscillator)具有石英振子以及用于使該石英振子振蕩的集成電路(ic：integratedcircuit)，該ic通過(guò)在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)對(duì)石英振子的振蕩頻率相對(duì)于期望的頻率(標(biāo)稱(chēng)頻率)的偏離(頻率偏差)進(jìn)行補(bǔ)償(溫度補(bǔ)償)來(lái)得到高頻率精度。例如在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了這樣的溫度補(bǔ)償型石英振蕩器(tcxo)。此外，溫度補(bǔ)償型石英振蕩器由于頻率穩(wěn)定度高，因此，被用于期望高性能、高可靠性的通信設(shè)備等。專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2014-53663號(hào)公報(bào)從振蕩器輸出的頻率信號(hào)(振蕩信號(hào))存在相位波動(dòng)。將該頻率信號(hào)的相位波動(dòng)中的、以比10hz低的頻率變動(dòng)的波動(dòng)稱(chēng)為漂移(wander)。在itu-t建議g.813中，規(guī)定了溫度恒定的狀態(tài)下的漂移性能。但是，在實(shí)用時(shí)，不容易使振蕩器在溫度被保持為恒定的環(huán)境下動(dòng)作。例如即使依據(jù)itu-t建議g.813，在將振蕩器用于汽車(chē)導(dǎo)航裝置或車(chē)輛用的計(jì)量?jī)x器類(lèi)的情況下、或者組裝于溫度因風(fēng)扇等的工作而急劇變化的裝置中的情況下等，在嚴(yán)酷的溫度環(huán)境下，也可能無(wú)法發(fā)揮充分的性能。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的幾個(gè)方式的目的之一在于提供一種能夠應(yīng)用于即使在嚴(yán)酷的溫度環(huán)境下也要求高頻率穩(wěn)定性的電子設(shè)備和移動(dòng)體的振蕩器。此外，本發(fā)明的幾個(gè)方式的目的之一在于提供一種包含上述振蕩器的電子設(shè)備以及移動(dòng)體。本發(fā)明是為了解決上述課題的至少一部分而完成的，能夠作為以下的方式或者應(yīng)用例而實(shí)現(xiàn)。[應(yīng)用例1]本應(yīng)用例的振蕩器是溫度補(bǔ)償型振蕩器，其中，該振蕩器包含振動(dòng)片、振蕩用電路以及溫度補(bǔ)償電路，在以基準(zhǔn)溫度為中心、±5℃的溫度范圍內(nèi)按照6分鐘周期而變動(dòng)的情況下，漂移性能滿(mǎn)足如下條件：在設(shè)觀測(cè)時(shí)間為τ時(shí)，0s＜τ≤0.1s的mtie值為6ns以下，0.1s＜τ≤1s的mtie值為27ns以下，1s＜τ≤10s的mtie值為250ns以下，10s＜τ≤100s的mtie值為1700ns以下，100s＜τ≤1000s的mtie值為6332ns以下。也可以通過(guò)振動(dòng)元件和振蕩用電路構(gòu)成例如皮爾斯振蕩電路、逆變式振蕩電路、考畢茲振蕩電路、哈特里振蕩電路等各種振蕩電路。在本應(yīng)用例的振蕩器中，在以基準(zhǔn)溫度為中心、±5℃的溫度范圍內(nèi)按照6分鐘周期而變動(dòng)的情況下，漂移性能滿(mǎn)足如下條件：在設(shè)觀測(cè)時(shí)間為τ時(shí)，0s＜τ≤0.1s的mtie值為6ns以下，0.1s＜τ≤1s的mtie值為27ns以下，1s＜τ≤10s的mtie值為250ns以下，10s＜τ≤100s的mtie值為1700ns以下，100s＜τ≤1000s的mtie值為6332ns以下，從而即使在溫度變動(dòng)的環(huán)境下，也具有優(yōu)異的漂移性能。因此，本應(yīng)用例的振蕩器還能夠用于在嚴(yán)酷的溫度環(huán)境下也要求高頻率穩(wěn)定性的電子設(shè)備和移動(dòng)體。[應(yīng)用例2]在上述應(yīng)用例的振蕩器中，在恒定地保持為所述基準(zhǔn)溫度的情況下，漂移性能滿(mǎn)足如下條件：0.1s＜τ≤1s的mtie值為15ns以下，1s＜τ≤10s的mtie值為23ns以下，10s＜τ≤100s的mtie值為100ns以下，100s＜τ≤1000s的mtie值為700ns以下。在本應(yīng)用例的振蕩器中，在恒定地保持為基準(zhǔn)溫度的情況下，漂移性能滿(mǎn)足如下條件：0.1s＜τ≤1s的mtie值為15ns以下，1s＜τ≤10s的mtie值為23ns以下，10s＜τ≤100s的mtie值為100ns以下，100s＜τ≤1000s的mtie值為700ns以下，從而與以往的溫度補(bǔ)償型石英振蕩器相比，具有優(yōu)異的漂移性能。因此，本應(yīng)用例的振蕩器還能夠用于要求高頻率穩(wěn)定性的電子設(shè)備和移動(dòng)體。[應(yīng)用例3]在上述應(yīng)用例的振蕩器中，可以是，該振蕩器包含：第1容器，其收納所述振動(dòng)片；電子部件，其具有所述振蕩用電路和所述溫度補(bǔ)償電路；以及第2容器，其收納所述第1容器和所述電子部件，所述電子部件被粘接于所述第1容器，在所述第2容器的內(nèi)表面與所述第1容器之間設(shè)有空間，在所述第2容器的內(nèi)表面與所述電子部件之間設(shè)有空間。在本應(yīng)用例的振蕩器中，電子部件被粘接于第1容器，在第2容器的內(nèi)表面與第1容器之間設(shè)有空間，在第2容器的內(nèi)表面與電子部件之間設(shè)有空間，因此，在電子部件中產(chǎn)生的熱在短時(shí)間內(nèi)傳導(dǎo)到振動(dòng)片，電子部件與振動(dòng)片的溫度差變小。其結(jié)果，基于溫度補(bǔ)償電路的溫度補(bǔ)償?shù)恼`差變小，能夠?qū)崿F(xiàn)上述優(yōu)異的漂移性能。[應(yīng)用例4]在上述應(yīng)用例的振蕩器中，可以是，所述第1容器具有：基座；以及蓋，其將所述基座密封，材質(zhì)是金屬，所述電子部件被粘接于所述蓋。在本應(yīng)用例的振蕩器中，粘接有電子部件的蓋的材質(zhì)是熱傳導(dǎo)率高的金屬，因此，在電子部件中產(chǎn)生的熱在短時(shí)間內(nèi)傳導(dǎo)到振動(dòng)片，電子部件與振動(dòng)片的溫度差變小。其結(jié)果，基于溫度補(bǔ)償電路的溫度補(bǔ)償?shù)恼`差變小，能夠?qū)崿F(xiàn)上述優(yōu)異的漂移性能。[應(yīng)用例5]在上述應(yīng)用例的振蕩器中，可以是，所述第2容器內(nèi)的空間為真空。在本應(yīng)用例的振蕩器中，第2容器內(nèi)的空間為真空，因此，能夠使第2容器外部的溫度變動(dòng)對(duì)電子部件以及振動(dòng)片帶來(lái)的影響變小。[應(yīng)用例6]本應(yīng)用例的振蕩器是溫度補(bǔ)償型振蕩器，其中，該振蕩器包含振動(dòng)片、振蕩用電路以及溫度補(bǔ)償電路，在恒定地保持為基準(zhǔn)溫度的情況下，漂移性能滿(mǎn)足如下條件：0.1s＜τ≤1s的mtie值為15ns以下，1s＜τ≤10s的mtie值為23ns以下，10s＜τ≤100s的mtie值為100ns以下，100s＜τ≤1000s的mtie值為700ns以下。在本應(yīng)用例的振蕩器中，在恒定地保持為基準(zhǔn)溫度的情況下，漂移性能滿(mǎn)足如下條件：0.1s＜τ≤1s的mtie值為15ns以下，1s＜τ≤10s的mtie值為23ns以下，10s＜τ≤100s的mtie值為100ns以下，100s＜τ≤1000s的mtie值為700ns以下，從而與以往的溫度補(bǔ)償型石英振蕩器相比，具有優(yōu)異的漂移性能。因此，本應(yīng)用例的振蕩器還能夠用于要求高頻率穩(wěn)定性的電子設(shè)備或移動(dòng)體。[應(yīng)用例7]本應(yīng)用例的電子設(shè)備具有上述任意一項(xiàng)所述的振蕩器。根據(jù)本應(yīng)用例，能夠?qū)崿F(xiàn)包含即使在嚴(yán)酷的溫度環(huán)境下也具有高頻率穩(wěn)定性的振蕩器在內(nèi)的電子設(shè)備。[應(yīng)用例8]本應(yīng)用例的移動(dòng)體具有上述任意一項(xiàng)所述的振蕩器。根據(jù)本應(yīng)用例，能夠?qū)崿F(xiàn)包含即使在嚴(yán)酷的溫度環(huán)境下也具有高頻率穩(wěn)定性的振蕩器在內(nèi)的移動(dòng)體。附圖說(shuō)明圖1是示意性地示出本實(shí)施方式的振蕩器的立體圖。圖2是示意性地示出本實(shí)施方式的振蕩器的剖視圖。圖3是示意性地示出本實(shí)施方式的振蕩器的俯視圖。圖4是示意性地示出本實(shí)施方式的振蕩器的仰視圖。圖5是示意性地示出本實(shí)施方式的振蕩器的封裝的基座的俯視圖。圖6本實(shí)施方式的振蕩器的功能框圖。圖7是示出本實(shí)施方式的振蕩器的制造方法的步驟的一例的流程圖。圖8是示出用于評(píng)價(jià)漂移性能的測(cè)量系統(tǒng)的圖。圖9是示意性地示出比較樣本的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖10是示出腔室內(nèi)的溫度分布的曲線圖。圖11是示出本實(shí)施方式的振蕩器的漂移性能(溫度變動(dòng))的評(píng)價(jià)結(jié)果的曲線圖。圖12是示出本實(shí)施方式的振蕩器的漂移性能(溫度恒定)的評(píng)價(jià)結(jié)果的曲線圖。圖13是示意性地示出第1變形例的振蕩器的封裝的基座的俯視圖。圖14是示出本實(shí)施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)的一例的功能框圖。圖15是示出本實(shí)施方式的電子設(shè)備的外觀的一例的圖。圖16是示出本實(shí)施方式的移動(dòng)體的一例的圖。標(biāo)號(hào)說(shuō)明1：振蕩器；2：集成電路(ic)；3：振動(dòng)元件；3a：激勵(lì)電極；3b：激勵(lì)電極；4：封裝；4a：基座；4b：蓋；6：外部端子；7：接合線；8：封裝；8a：基座；8b：蓋；9：粘接部件；10：振蕩用電路；11a：電極焊盤(pán)；11b：電極焊盤(pán)；12：連接部件；13a：電極焊盤(pán)；13b：電極焊盤(pán)；14a：引出布線；14b：引出布線；20：輸出電路；30：頻率調(diào)整電路；32：afc電路；40：溫度補(bǔ)償電路；41-1：1次電壓產(chǎn)生電路；41-n：n次電壓產(chǎn)生電路；42：加法電路；50：溫度傳感器；60：調(diào)節(jié)器電路；70：存儲(chǔ)部；72：非易失性存儲(chǔ)器；74：寄存器；80：串行接口電路；100：測(cè)量系統(tǒng)；102：電源；104：腔室；106：基準(zhǔn)信號(hào)發(fā)生器；108：函數(shù)發(fā)生器；110：間隔計(jì)數(shù)器；112：pc；300：電子設(shè)備；310：振蕩器；313：振子；320：cpu；330：操作部；340：rom；350：ram；360：通信部；370：顯示部；400：移動(dòng)體；410：振蕩器；420：控制器；430：控制器；440：控制器；450：電池；460：備用電池。具體實(shí)施方式下面，使用附圖詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。另外，以下說(shuō)明的實(shí)施方式并非不當(dāng)?shù)叵薅?quán)利要求書(shū)所記載的本發(fā)明的內(nèi)容。此外，以下說(shuō)明的結(jié)構(gòu)并非全部是本發(fā)明的必要結(jié)構(gòu)要素。1.振蕩器1.1.振蕩器的結(jié)構(gòu)圖1～圖4是示意性地示出本實(shí)施方式的振蕩器1的構(gòu)造的一例的圖。圖1是振蕩器1的立體圖。圖2是沿圖1的ii-ii線的剖視圖。圖3是振蕩器1的俯視圖。圖4是振蕩器1的仰視圖。但是，在圖3中，為了方便，省略了蓋8b的圖示。如圖1～圖4所示，振蕩器1構(gòu)成為包含作為電子部件的集成電路(ic：integratedcircuit)2、振動(dòng)元件(振動(dòng)片)3、封裝(第1容器)4以及封裝(第2容器)8。集成電路(ic)2收納于封裝8。集成電路(ic)2在封裝8內(nèi)，通過(guò)粘接部件9而被粘接(固定)于封裝4(蓋4b)。如后所述，集成電路(ic)2構(gòu)成為包含振蕩用電路10以及溫度補(bǔ)償電路40(參照?qǐng)D6)。作為振動(dòng)元件3，例如，能夠使用石英振動(dòng)元件、saw(surfaceacousticwave：表面聲波)諧振元件、其他壓電振動(dòng)元件、mems(microelectromechanicalsystems：微電子機(jī)械系統(tǒng))振動(dòng)元件等。作為振動(dòng)元件3的基板材料，可使用石英、鉭酸鋰、鈮酸鋰等壓電單晶體、鋯鈦酸鉛等壓電陶瓷等壓電材料或硅半導(dǎo)體材料等。作為振動(dòng)元件3的激勵(lì)手段，既可以使用基于壓電效應(yīng)的手段，也可以使用基于庫(kù)侖力的靜電驅(qū)動(dòng)。振動(dòng)元件3在其正面?zhèn)纫约胺疵鎮(zhèn)确謩e具有金屬的激勵(lì)電極3a以及激勵(lì)電極3b，以與包含激勵(lì)電極3a以及激勵(lì)電極3b在內(nèi)的振動(dòng)元件3的質(zhì)量對(duì)應(yīng)的期望的頻率(振蕩器1所要求的頻率)進(jìn)行振蕩。封裝4包含基座(封裝基座)4a以及對(duì)基座4a進(jìn)行密封的蓋(lid)4b。封裝4收納振動(dòng)元件3。具體而言，在基座4a設(shè)置有凹部，通過(guò)由蓋4b覆蓋凹部來(lái)收納振動(dòng)元件3。封裝4收納振動(dòng)元件3的空間例如是氮?dú)獾榷栊詺怏w的環(huán)境?；?a通過(guò)樹(shù)脂等粘接部件9而粘接(固定)于封裝8的基座8a。圖5是示意性地示出封裝4的基座4a的俯視圖。如圖5所示，在基座4a上設(shè)置有電極焊盤(pán)11a、11b、電極焊盤(pán)13a、13b以及引出布線14a、14b。另外，在本實(shí)施方式的情況下，基座4a具有配置有電極焊盤(pán)11a、11b的板狀的基座主體以及包圍電極焊盤(pán)11a、11b的框體。電極焊盤(pán)11a、11b分別與振動(dòng)元件3的2個(gè)激勵(lì)電極3a、3b電連接。在電極焊盤(pán)11a、11b上，借助于導(dǎo)電性粘接材料等連接部件12而粘接(固定)有振動(dòng)元件3。電極焊盤(pán)13a、13b分別與封裝4的2個(gè)外部端子(未圖示)電連接。封裝4的2個(gè)外部端子分別與集成電路(ic)2的2個(gè)端子(后述的圖6的xo端子以及xi端子)電連接。引出布線14a將電極焊盤(pán)11a與電極焊盤(pán)13a電連接。引出布線14b將電極焊盤(pán)11b與電極焊盤(pán)13b電連接。如圖2所示，在蓋4b上借助于粘接部件9而粘接(固定)有集成電路(ic)2。粘接部件9例如期望是導(dǎo)電性粘接材料。如圖3所示，在從上表面觀察振蕩器1的俯視圖中，集成電路(ic)2與封裝4(振動(dòng)元件3)重疊，在蓋4b上直接安裝有集成電路(ic)2。這樣，在振蕩器1中，通過(guò)將集成電路(ic)2粘接于收納有振動(dòng)元件3的封裝4的蓋4b，能夠使集成電路(ic)2與振動(dòng)元件3接近配置。由此，在集成電路(ic)2中產(chǎn)生的熱在短時(shí)間內(nèi)傳導(dǎo)到振動(dòng)元件3，因此，能夠減小集成電路(ic)2與振動(dòng)元件3的溫度差?；?a的材質(zhì)沒(méi)有特別限定，能夠使用氧化鋁等各種陶瓷。蓋4b的材質(zhì)例如是金屬。蓋4b的材質(zhì)期望是熱傳導(dǎo)率高的金屬，例如是鎳(ni)、鈷(co)、鐵合金(例如可伐合金)等。此外，蓋4b可以是通過(guò)這些熱傳導(dǎo)率高的金屬對(duì)板狀部件進(jìn)行涂層而得的部件。另外，板狀部件的材質(zhì)沒(méi)有特別限定。通過(guò)使蓋4b的材質(zhì)為熱傳導(dǎo)率高的金屬，在集成電路(ic)2中產(chǎn)生的熱在短時(shí)間內(nèi)傳導(dǎo)到振動(dòng)元件3，因此，能夠減小集成電路(ic)2與振動(dòng)元件3的溫度差。而且，例如，當(dāng)蓋4b與粘接部件9接觸的面的至少一部分為粗糙的狀態(tài)(粗糙面)時(shí)，蓋4b與粘接部件9的接合狀態(tài)良好，耐沖擊性、熱交換性良好。另外，粗糙面例如是具有基于激光加工的凹凸的狀態(tài)，例如比未進(jìn)行那樣的加工的收納空間側(cè)的面粗糙?；?a可以在陶瓷材料和蓋4b的封接部分之間存在密封用的金屬體。該金屬體可以是上述框體，也可以設(shè)置于由陶瓷材質(zhì)構(gòu)成的框體之上，還可以是例如接縫密封用的由鈷合金構(gòu)成的所謂的接縫環(huán)、或在陶瓷材料上直接配置金屬膜的結(jié)構(gòu)。在該情況下，由于金屬膜比接縫環(huán)薄，因此，將金屬膜直接配置于陶瓷材料上的結(jié)構(gòu)與接縫環(huán)的情況相比，能夠縮短蓋4b與陶瓷材料的距離，從蓋4b傳遞的熱能夠容易地傳遞到陶瓷材料、即振動(dòng)元件3。而且，蓋4b在密封于基座4a的狀態(tài)下，可以翹曲成靠振動(dòng)元件3側(cè)為凸?fàn)顟B(tài)，且靠集成電路(ic)2側(cè)為凹狀態(tài)。如果基于這樣的翹曲的凹處位于與集成電路(ic)2重疊的位置，則容易將粘接部件9貯存于凹處。而且由此，能夠在集成電路(ic)2與蓋4b之間配置充分量的粘接部件9，因此，兩者間的粘接良好，集成電路(ic)2與蓋4b和基座4a、即集成電路(ic)2與振動(dòng)元件3之間的熱交換性良好。此外，蓋4b朝振動(dòng)元件3側(cè)凸出，由此，與蓋4b為完全平坦的情況相比，成為蓋4b與振動(dòng)元件3接近的狀態(tài)，來(lái)自集成電路(ic)2的熱容易經(jīng)由蓋4b傳遞到振動(dòng)元件3。另外，作為使蓋4b翹曲的方法，準(zhǔn)備在固定到基座4a之前的狀態(tài)下例如為平坦的蓋4b，此后，使蓋4b與基座4a重疊。在使蓋4b與基座4a重疊之后，對(duì)蓋4b和基座4a進(jìn)行加熱，并使兩者接合。在該加熱時(shí)，使蓋4b的溫度比基座4a的基座主體低，或者選擇熱膨脹系數(shù)比基座主體小的蓋4b?；蛘?，也可以采用這兩者。由此，當(dāng)在密封后使蓋4b和基座4a的溫度下降時(shí)，蓋4b比基座4a收縮程度大，因此，能夠容易地使蓋4b翹曲。而且，通過(guò)使基座4a也朝振動(dòng)元件3側(cè)的相反側(cè)凸出，能夠在基座主體與后述的封裝8之間，將間隙設(shè)置為較寬，能夠使基座4a與封裝8之間的熱交換能力下降。另外，也可以在構(gòu)成該間隙的基座主體上設(shè)置安裝用的焊盤(pán)電極，在與其相對(duì)的封裝8的面上設(shè)置搭載用的焊盤(pán)電極，將安裝用焊盤(pán)電極與搭載用焊盤(pán)電極之間焊接接合。在這樣的結(jié)構(gòu)時(shí)，與基座4a平坦的情況相比，焊料也會(huì)變厚間隙增大的部分，因此，基座4a與封裝8之間的經(jīng)由焊料的熱交換能力下降，成為不容易受到外部干擾的影響的振蕩器1。封裝8包含基座(封裝基座)8a以及將基座8a密封的蓋(lid)8b。封裝8將集成電路(ic)2和收納有振動(dòng)元件3的封裝4收納于同一空間內(nèi)。具體而言，在基座8a設(shè)置有凹部，通過(guò)蓋8b覆蓋凹部，由此，收納集成電路(ic)2和封裝4。封裝8收納集成電路(ic)2和封裝4的空間例如是氮?dú)獾榷栊詺怏w的環(huán)境。在封裝8的內(nèi)表面與封裝4之間設(shè)有空間。在圖示的例子中，基座8a的內(nèi)壁面與封裝4不接觸，在它們之間設(shè)有空間(間隙)。此外，蓋8b與封裝4不接觸，在它們之間設(shè)有空間(間隙)。在封裝8的內(nèi)表面與集成電路(ic)2之間設(shè)有空間。在圖示的例子中，基座8a的內(nèi)壁面與集成電路(ic)2不接觸，在它們之間設(shè)有空間(間隙)。此外，蓋8b與集成電路(ic)2不接觸，在它們之間設(shè)有空間(間隙)?；?a的材質(zhì)沒(méi)有特別限定，能夠使用氧化鋁等各種陶瓷。蓋8b的材質(zhì)例如是金屬。本實(shí)施方式的蓋8b是板狀(平坦的形狀)，與具有凹陷的帽形狀相比，蓋8b的面積較小。因此，容易擋開(kāi)來(lái)自封裝側(cè)面方向的風(fēng)，因此，能夠抑制由外部氣體導(dǎo)致的溫度變動(dòng)。另外，為了用于陶瓷制的基座8a與蓋8b的接合而設(shè)置有封接體。封接體例如是包含鈷合金、au等材質(zhì)的金屬封接體或者玻璃、樹(shù)脂等非金屬封接體。在振蕩器1中，封裝8的蓋8b與集成電路(ic)2之間的距離d1比集成電路(ic)2與振動(dòng)元件3之間的距離d2大。在圖示的例子中，距離d1是蓋8b的下表面與集成電路(ic)2的上表面之間的距離，距離d2是集成電路(ic)2的下表面與振動(dòng)元件3的上表面之間的距離。這樣，通過(guò)使得與蓋8b相比，集成電路(ic)2更接近振動(dòng)元件3，能夠減小集成電路(ic)2與振動(dòng)元件3的溫度差。在基座8a的內(nèi)部或者凹部的正面設(shè)置有用于將集成電路(ic)2的2個(gè)端子(后述的圖6的xo端子以及xi端子)與振動(dòng)元件3的2個(gè)端子(激勵(lì)電極3a以及激勵(lì)電極3b)分別電連接的未圖示的布線。此外，在基座8a的內(nèi)部或者凹部的正面設(shè)置有與各外部端子6電連接的未圖示的布線，各布線與集成電路(ic)2的各端子通過(guò)金等的接合線7接合。另外，例如當(dāng)與粘接部件9接觸的面的至少一部分為粗糙的狀態(tài)(粗糙面)時(shí)，集成電路(ic)2與粘接部件9的接合狀態(tài)良好，耐沖擊性、熱交換性良好。另外，粗糙面例如是通過(guò)磨削加工而形成的具有條紋狀等的凹凸的狀態(tài)的面。如圖4所示，振蕩器1在底面(基座8a的反面)設(shè)置有作為電源端子的外部端子vdd1、作為接地端子的外部端子vss1、作為輸入有頻率控制用的信號(hào)的端子的外部端子vc1以及作為輸出端子的外部端子out1這4個(gè)外部端子6。向外部端子vdd1供給電源電壓，外部端子vss1接地。圖6是振蕩器1的功能框圖。如圖6所示，振蕩器1是包含振動(dòng)元件3以及用于使振動(dòng)元件3振蕩的集成電路(ic)2在內(nèi)的振蕩器。在集成電路(ic)2中，設(shè)置有作為電源端子的vdd端子、作為接地端子的vss端子、作為輸出端子的out端子、作為輸入有控制頻率的信號(hào)的端子的vc端子以及作為與振動(dòng)元件3連接的端子的xi端子和xo端子。vdd端子、vss端子、out端子以及vc端子在集成電路(ic)2的正面露出，并分別與設(shè)置于封裝8的外部端子vdd1、vss1、out1、vc1連接。此外，xi端子與振動(dòng)元件3的一端(一個(gè)端子)連接，xo端子與振動(dòng)元件3的另一端(另一個(gè)端子)連接。在本實(shí)施方式中，集成電路(ic)2構(gòu)成為包含振蕩用電路10、輸出電路20、頻率調(diào)整電路30、afc(automaticfrequencycontrol：自動(dòng)頻率控制)電路32、溫度補(bǔ)償電路40、溫度傳感器50、調(diào)節(jié)器電路60、存儲(chǔ)部70以及串行接口(i/f)電路80。另外，集成電路(ic)2可以采用省略或者變更這些要素的一部分、或追加其他要素的結(jié)構(gòu)。調(diào)節(jié)器電路60根據(jù)從vdd端子供給的電源電壓vdd(正的電壓)，生成作為振蕩用電路10、頻率調(diào)整電路30、afc電路32、溫度補(bǔ)償電路40、輸出電路20的一部分或者全部的電源電壓或者基準(zhǔn)電壓的恒定電壓。存儲(chǔ)部70具有非易失性存儲(chǔ)器72和寄存器74，構(gòu)成為能夠從外部端子經(jīng)由串行接口電路80對(duì)非易失性存儲(chǔ)器72或者寄存器74進(jìn)行讀/寫(xiě)。在本實(shí)施方式中，與振蕩器1的外部端子連接的集成電路(ic)2的端子只有vdd、vss、out、vc這4個(gè)，因此，串行接口電路80例如在vdd端子的電壓比閾值高時(shí)，接收從vc端子輸入的時(shí)鐘信號(hào)和從out端子輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)，對(duì)非易失性存儲(chǔ)器72或者寄存器74進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀/寫(xiě)。非易失性存儲(chǔ)器72是用于存儲(chǔ)各種控制數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)部，例如，可以是eeprom(electricallyerasableprogrammableread-onlymemory：電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)或閃存等可改寫(xiě)的各種非易失性存儲(chǔ)器，也可以是一次性prom(onetimeprogrammablereadonlymemory：一次性可編程只讀存儲(chǔ)器)那樣的不可改寫(xiě)的各種非易失性存儲(chǔ)器。在非易失性存儲(chǔ)器72中存儲(chǔ)有用于控制頻率調(diào)整電路30的頻率調(diào)整數(shù)據(jù)和用于控制溫度補(bǔ)償電路40的溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)(1次補(bǔ)償數(shù)據(jù)、···、n次補(bǔ)償數(shù)據(jù))。而且，在非易失性存儲(chǔ)器72中還存儲(chǔ)有用于分別控制輸出電路20和afc電路32的數(shù)據(jù)(未圖示)。頻率調(diào)整數(shù)據(jù)是用于調(diào)整振蕩器1的頻率的數(shù)據(jù)，在振蕩器1的頻率偏離期望的頻率的情況下，通過(guò)改寫(xiě)頻率調(diào)整數(shù)據(jù)，能夠進(jìn)行微調(diào)，使得振蕩器1的頻率接近期望的頻率。溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)(1次補(bǔ)償數(shù)據(jù)、···、n次補(bǔ)償數(shù)據(jù))是在振蕩器1的溫度補(bǔ)償調(diào)整工序中計(jì)算的、振蕩器1的頻率溫度特性的校正用的數(shù)據(jù)，例如，可以是與振動(dòng)元件3的頻率溫度特性的各次數(shù)成分對(duì)應(yīng)的1次～n次系數(shù)值。這里，作為溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)的最大次數(shù)n，選擇抵消振動(dòng)元件3的頻率溫度特性而且還能夠校正集成電路(ic)2的溫度特性的影響的值。例如，n可以是比振動(dòng)元件3的頻率溫度特性的主要的次數(shù)大的整數(shù)值。例如，如果振動(dòng)元件3是at切石英振動(dòng)元件，則頻率溫度特性呈3次曲線，由于其主要的次數(shù)為3，因此，可以選擇比3大的整數(shù)值(例如，5或者6)作為n。另外，溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)可以包含1次～n次的全部次數(shù)的補(bǔ)償數(shù)據(jù)，也可以?xún)H包含1次～n次中的一部分次數(shù)的補(bǔ)償數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)于非易失性存儲(chǔ)器72中的各數(shù)據(jù)在集成電路(ic)2的電源接通時(shí)(vdd端子的電壓從0v上升至期望的電壓時(shí))從非易失性存儲(chǔ)器72傳送到寄存器74，并保存于寄存器74。而且，向頻率調(diào)整電路30輸入保存于寄存器74中的頻率調(diào)整數(shù)據(jù)，向溫度補(bǔ)償電路40輸入保存于寄存器74中的溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)(1次補(bǔ)償數(shù)據(jù)、···、n次補(bǔ)償數(shù)據(jù))，還向輸出電路20和afc電路32輸入保存于寄存器74中的各控制用的數(shù)據(jù)。在非易失性存儲(chǔ)器72是不可改寫(xiě)的情況下，在振蕩器1的檢查時(shí)，從外部端子經(jīng)由串行接口電路80對(duì)保存有從非易失性存儲(chǔ)器72傳送來(lái)的各數(shù)據(jù)的寄存器74的各比特直接寫(xiě)入各數(shù)據(jù)，并進(jìn)行調(diào)整/選擇，使得振蕩器1滿(mǎn)足期望的特性，調(diào)整/選擇后的各數(shù)據(jù)最終被寫(xiě)入非易失性存儲(chǔ)器72。此外，在非易失性存儲(chǔ)器72是可改寫(xiě)的情況下，在振蕩器1的檢查時(shí)，可以從外部端子經(jīng)由串行接口電路80向非易失性存儲(chǔ)器72寫(xiě)入各數(shù)據(jù)。但是，向非易失性存儲(chǔ)器72的寫(xiě)入一般花費(fèi)時(shí)間，因此，在振蕩器1的檢查時(shí)，為了縮短檢查時(shí)間，可以從外部端子經(jīng)由串行接口電路80對(duì)寄存器74的各比特直接寫(xiě)入各數(shù)據(jù)，并將調(diào)整/選擇后的各數(shù)據(jù)最終寫(xiě)入到非易失性存儲(chǔ)器72。振蕩用電路10通過(guò)將振動(dòng)元件3的輸出信號(hào)放大并反饋給振動(dòng)元件3，使振動(dòng)元件3振蕩，輸出基于振動(dòng)元件3的振蕩的振蕩信號(hào)。例如，可以通過(guò)保存于寄存器74中的控制數(shù)據(jù)，控制振蕩用電路10的振蕩級(jí)電流。頻率調(diào)整電路30產(chǎn)生與保存于寄存器74中的頻率調(diào)整數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的電壓，并施加于作為振蕩用電路10的負(fù)載電容而發(fā)揮功能的可變電容元件(未圖示)的一端。由此，在規(guī)定的溫度(例如，25℃)并且vc端子的電壓為規(guī)定的電壓(例如，vdd/2)的條件下的振蕩用電路10的振蕩頻率(基準(zhǔn)頻率)被控制(微調(diào))為大致期望的頻率。afc電路32產(chǎn)生與vc端子的電壓對(duì)應(yīng)的電壓，并施加于作為振蕩用電路10的負(fù)載電容而發(fā)揮功能的可變電容元件(未圖示)的一端。由此，振蕩用電路10的振蕩頻率(振動(dòng)元件3的振蕩頻率)根據(jù)vc端子的電壓值而被控制。例如，可以通過(guò)保存于寄存器74中的控制數(shù)據(jù)來(lái)控制afc電路32的增益。溫度傳感器50是輸出與其周邊的溫度對(duì)應(yīng)的信號(hào)(例如，與溫度對(duì)應(yīng)的電壓)的溫敏元件。溫度傳感器50可以是溫度越高則輸出電壓越高的正極性溫度傳感器，也可以是溫度越高則輸出電壓越低的負(fù)極性溫度傳感器。另外，作為溫度傳感器50，在保證振蕩器1的動(dòng)作的期望的溫度范圍內(nèi)，期望輸出電壓相對(duì)于溫度變化盡可能線性地變化。溫度補(bǔ)償電路40輸入有來(lái)自溫度傳感器50的輸出信號(hào)，產(chǎn)生用于補(bǔ)償振動(dòng)元件3的頻率溫度特性的電壓(溫度補(bǔ)償電壓)，并施加于作為振蕩用電路10的負(fù)載電容而發(fā)揮功能的可變電容元件(未圖示)的一端。由此，振蕩用電路10的振蕩頻率被控制為不依賴(lài)于溫度而大致恒定。在本實(shí)施方式中，溫度補(bǔ)償電路40構(gòu)成為包含1次電壓產(chǎn)生電路41-1～n次電壓產(chǎn)生電路41-n以及加法電路42。1次電壓產(chǎn)生電路41-1～n次電壓產(chǎn)生電路41-n分別輸入有來(lái)自溫度傳感器50的輸出信號(hào)，并根據(jù)保存于寄存器74中的1次補(bǔ)償數(shù)據(jù)～n次補(bǔ)償數(shù)據(jù)，產(chǎn)生用于補(bǔ)償頻率溫度特性的1次成分至n次成分的1次補(bǔ)償電壓～n次補(bǔ)償電壓。加法電路42將1次電壓產(chǎn)生電路41-1～n次電壓產(chǎn)生電路41-n分別產(chǎn)生的1次補(bǔ)償電壓～n次補(bǔ)償電壓相加并輸出。該加法電路42的輸出電壓是溫度補(bǔ)償電路40的輸出電壓(溫度補(bǔ)償電壓)。輸出電路20輸入有振蕩用電路10輸出的振蕩信號(hào)，生成外部輸出用的振蕩信號(hào)，并經(jīng)由out端子輸出到外部。例如，可以通過(guò)保存于寄存器74中的控制數(shù)據(jù)，控制輸出電路20中的振蕩信號(hào)的分頻比和輸出電平。振蕩器1的輸出頻率范圍例如是10mhz以上800mhz以下。這樣構(gòu)成的振蕩器1作為在期望的溫度范圍內(nèi)，不依賴(lài)于溫度而輸出與外部端子vc1的電壓對(duì)應(yīng)的恒定頻率的振蕩信號(hào)的壓控型的溫度補(bǔ)償型振蕩器(如果振動(dòng)元件3是石英振動(dòng)元件，則是vc-tcxo(voltagecontrolledtemperaturecompensatedcrystaloscillator：壓控溫度補(bǔ)償晶體振蕩器))而發(fā)揮功能。1.2.振蕩器的制造方法圖7是示出本實(shí)施方式的振蕩器1的制造方法的步驟的一例的流程圖?？梢允÷曰蛘咦兏鼒D7的工序s10～s70的一部分或者追加其他工序。此外，可以在可能的范圍內(nèi)，適當(dāng)變更各工序的順序。在圖7的例子中，首先，將集成電路(ic)2和振動(dòng)元件3(收納有振動(dòng)元件3的封裝4)搭載于封裝8(基座8a)(s10)。通過(guò)工序s10，集成電路(ic)2與振動(dòng)元件3借助設(shè)置于基座8a的內(nèi)部或者凹部的正面的布線而連接，當(dāng)向集成電路(ic)2供給電源時(shí)，成為集成電路(ic)2與振動(dòng)元件3電連接的狀態(tài)。接下來(lái)，通過(guò)蓋8b將基座8a密封，進(jìn)行熱處理，將蓋8b與基座8a粘接(s20)。通過(guò)該工序s20，振蕩器1的組裝結(jié)束。接下來(lái)，調(diào)整振蕩器1的基準(zhǔn)頻率(基準(zhǔn)溫度t0(例如，25℃)下的頻率)(s30)。在該工序s30中，在基準(zhǔn)溫度t0下，使振蕩器1振蕩來(lái)測(cè)量頻率，以使得頻率偏差接近0的方式確定頻率調(diào)整數(shù)據(jù)。接下來(lái)，調(diào)整振蕩器1的vc靈敏度(s40)。在該工序s40中，在基準(zhǔn)溫度t0下，在對(duì)外部端子vc1施加規(guī)定的電壓(例如，0v或vdd)的狀態(tài)下，使振蕩器1振蕩來(lái)測(cè)量頻率，以得到期望的vc靈敏度的方式確定afc電路32的調(diào)整數(shù)據(jù)。接下來(lái)，進(jìn)行振蕩器1的溫度補(bǔ)償調(diào)整(s50)。在該溫度補(bǔ)償調(diào)整工序s50中，在期望的溫度范圍(例如，-40℃以上85℃以下)內(nèi)，在多個(gè)溫度下測(cè)量振蕩器1的頻率，并根據(jù)測(cè)量結(jié)果，生成用于校正振蕩器1的頻率溫度特性的溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)(1次補(bǔ)償數(shù)據(jù)、···、n次補(bǔ)償數(shù)據(jù))。具體而言，溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)的計(jì)算程序使用多個(gè)溫度下的頻率的測(cè)量結(jié)果，并通過(guò)以溫度(溫度傳感器50的輸出電壓)為變量的n次式，對(duì)振蕩器1的頻率溫度特性(包含振動(dòng)元件3的頻率溫度特性和集成電路(ic)2的溫度特性)進(jìn)行近似，生成與近似式對(duì)應(yīng)的溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)(1次補(bǔ)償數(shù)據(jù)、···、n次補(bǔ)償數(shù)據(jù))。例如，在溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)的計(jì)算程序中，將基準(zhǔn)溫度t0時(shí)的頻率偏差設(shè)為0，并且，生成使期望的溫度范圍內(nèi)的頻率偏差的寬度變小的溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)(1次補(bǔ)償數(shù)據(jù)、···、n次補(bǔ)償數(shù)據(jù))。接下來(lái)，將在工序s30、s40以及s50中得到的各數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于存儲(chǔ)部70的非易失性存儲(chǔ)器72(s60)。最后，測(cè)量振蕩器1的頻率溫度特性，判定是否合格(s70)。在該工序s70中，一邊使溫度逐漸變化，一邊測(cè)量振蕩器1的頻率，評(píng)價(jià)在期望的溫度范圍(例如，-40℃以上85℃以下)內(nèi)，頻率偏差是否處于規(guī)定范圍內(nèi)，如果頻率偏差在規(guī)定范圍內(nèi)，則判定為合格品，如果不在規(guī)定范圍內(nèi)，則判定為不合格品。1.3.振蕩器的漂移性能漂移是指從振蕩器輸出的頻率信號(hào)(振蕩信號(hào))的相位波動(dòng)中的、以比10hz低的頻率變動(dòng)的波動(dòng)。漂移性能由mtie(maximumtimeintervalerror，最大時(shí)間間隔誤差)來(lái)規(guī)定。mtie是指將相對(duì)于基準(zhǔn)時(shí)鐘的相位變動(dòng)量的觀測(cè)結(jié)果劃分為某個(gè)觀測(cè)時(shí)間τ間隔時(shí)的、觀測(cè)時(shí)間τ內(nèi)的相位變動(dòng)量的峰到峰(peaktopeak)的最大值。即，觀測(cè)時(shí)間τ內(nèi)的相對(duì)于基準(zhǔn)時(shí)鐘的相位變動(dòng)量的峰到峰(peaktopeak)的最大值是觀測(cè)時(shí)間τ內(nèi)的mtie值。圖8是示出用于評(píng)價(jià)振蕩器1的漂移性能的(用于測(cè)量mtie值的)測(cè)量系統(tǒng)100的圖。如圖8所示，測(cè)量系統(tǒng)100包含振蕩器1、電源102、腔室104、基準(zhǔn)信號(hào)發(fā)生器106、函數(shù)發(fā)生器108、間隔計(jì)數(shù)器110以及pc(個(gè)人計(jì)算機(jī))112。在本評(píng)價(jià)中使用的振蕩器1的結(jié)構(gòu)如上述“1.1.振蕩器的結(jié)構(gòu)”(參照?qǐng)D1～圖4)中說(shuō)明的那樣。另外，封裝4的收納有振動(dòng)元件3的空間、封裝8的收納有集成電路(ic)2和封裝4的空間是氮?dú)猸h(huán)境。此外，振動(dòng)元件3是石英振動(dòng)元件。從電源102向振蕩器1供給有電源電壓vcc＝3.3v。振蕩器1的輸出頻率(標(biāo)稱(chēng)頻率)為19.2mhz。振蕩器1是cmos輸出形式，電容負(fù)載是15pf。振蕩器1收納于能夠進(jìn)行溫度控制的腔室104內(nèi)。腔室104內(nèi)的溫度由pc112控制。在測(cè)量系統(tǒng)100中，由函數(shù)發(fā)生器108根據(jù)基準(zhǔn)信號(hào)發(fā)生器106輸出的10mhz的頻率信號(hào)，生成與振蕩器1的輸出頻率相同的19.2mhz的頻率信號(hào)，由此得到基準(zhǔn)信號(hào)(基準(zhǔn)時(shí)鐘)。被測(cè)量信號(hào)(振蕩器1的頻率信號(hào))和基準(zhǔn)信號(hào)被輸入到間隔計(jì)數(shù)器110。在間隔計(jì)數(shù)器110中，測(cè)量被測(cè)量信號(hào)相對(duì)于基準(zhǔn)信號(hào)的相位變動(dòng)量，根據(jù)該測(cè)量結(jié)果，在pc112中計(jì)算mtie值。另外，作為比較例，準(zhǔn)備以往的溫度補(bǔ)償型石英振蕩器(比較樣本c1)，也對(duì)比較樣本c1同樣地進(jìn)行漂移性能的評(píng)價(jià)。圖9是示意性地示出比較樣本c1的結(jié)構(gòu)的剖視圖。在比較樣本c1中，如圖9所示，基座8a具有在2個(gè)主面分別設(shè)置有凹部的h型構(gòu)造。在比較樣本c1中，在設(shè)置于基座8a的一個(gè)主面的凹部中收納有振動(dòng)元件3，在設(shè)置于另一個(gè)主面的凹部中收納有集成電路(ic)2。另外，比較樣本c1的其他結(jié)構(gòu)與振蕩器1同樣。(1)使溫度變動(dòng)的情況下的漂移性能首先，使用圖8所示的測(cè)量系統(tǒng)100評(píng)價(jià)使腔室104內(nèi)的溫度變動(dòng)的情況下的振蕩器1的漂移性能。圖10是示出腔室104內(nèi)的溫度分布的曲線圖。另外，圖10所示的曲線圖的橫軸是時(shí)間(分)，縱軸是腔室104內(nèi)的溫度。這里，在測(cè)量系統(tǒng)100中，根據(jù)圖10所示的溫度分布來(lái)使腔室104內(nèi)的溫度變動(dòng)，并且進(jìn)行振蕩器1的mtie值的測(cè)量。具體而言，如圖10所示，使腔室104內(nèi)的溫度以基準(zhǔn)溫度t0(25℃)為中心在±5℃的溫度范圍內(nèi)按照6分鐘周期變動(dòng)。更具體而言，使腔室104的溫度反復(fù)如下過(guò)程：使溫度歷時(shí)3分鐘從20℃直線上升至30℃，然后，使溫度歷時(shí)3分鐘從30℃直線下降至20℃。另外，也對(duì)比較樣本c1進(jìn)行同樣的測(cè)量。圖11是示出在以基準(zhǔn)溫度t0(25℃)為中心、±5℃的溫度范圍內(nèi)按照6分鐘周期而變動(dòng)的情況下的振蕩器1以及比較樣本c1的漂移性能的評(píng)價(jià)結(jié)果(mtie值的測(cè)量結(jié)果)的曲線圖。圖11所示的曲線圖的橫軸是觀測(cè)時(shí)間τ(秒)，縱軸是mtie值(10-9秒)。下述表1是示出τ＝0.1s(秒)、τ＝1s、τ＝10s、τ＝100s、τ＝1000s時(shí)的振蕩器1以及比較樣本c1的mtie值的表。【表1】τ[s]振蕩器1的mtie值[ns]比較樣本c1的mtie值[ns]0.16131273710246351100167827041000633212520如圖11以及表1所示，在振蕩器1中，在以基準(zhǔn)溫度為中心、±5℃的溫度范圍內(nèi)按照6分鐘周期而變動(dòng)的情況下，漂移性能滿(mǎn)足如下條件：0s＜τ≤0.1s的mtie值為6ns(納秒)以下、0.1s＜τ≤1s的mtie值為27ns以下、1s＜τ≤10s的mtie值為250ns以下、10s＜τ≤100s的mtie值為1700ns以下、100s＜τ≤1000s的mtie值為6332ns以下。這樣，振蕩器1與比較樣本c1相比，具有優(yōu)異的漂移性能。(2)恒定地保持為基準(zhǔn)溫度的情況下的漂移性能接下來(lái)，使用圖8所示的測(cè)量系統(tǒng)100，評(píng)價(jià)將腔室104內(nèi)的溫度恒定地保持為基準(zhǔn)溫度t0(25℃)的情況下的振蕩器1的漂移性能。這里，在測(cè)量系統(tǒng)100中，將腔室104內(nèi)的溫度恒定地保持為基準(zhǔn)溫度t0(25℃)，進(jìn)行振蕩器1的mtie值的測(cè)量。另外，也對(duì)比較樣本c1進(jìn)行同樣的測(cè)量。圖12是示出將腔室104內(nèi)的溫度恒定地保持為基準(zhǔn)溫度t0(25℃)的情況下的、振蕩器1以及比較樣本c1的漂移性能的評(píng)價(jià)結(jié)果(mtie值的測(cè)量結(jié)果)的曲線圖。圖12所示的曲線圖的橫軸是觀測(cè)時(shí)間τ(秒)，縱軸是mtie值(10-9秒)。下述表2是示出τ＝0.1s、τ＝1s、τ＝10s、τ＝100s、τ＝1000s時(shí)的振蕩器1以及比較樣本c1的mtie值的表?！颈?】τ[s]振蕩器1的mtie值[ns]比較樣本c1的mtie值[ns]0.113291153510238310010052010006564825如圖12以及表2所示，在振蕩器1中，在恒定地保持為基準(zhǔn)溫度t0(25℃)的情況下，漂移性能滿(mǎn)足如下條件：0.1s＜τ≤1s的mtie值為15ns以下，1s＜τ≤10s的mtie值為23ns以下，10s＜τ≤100s的mtie值為100以下，100s＜τ≤1000s的mtie值為700ns以下。這樣，振蕩器1即使僅采取溫度恒定的條件，與比較樣本c1相比，也具有優(yōu)異的漂移性能。本實(shí)施方式的振蕩器1例如具有以下的特征。在振蕩器1中，在以基準(zhǔn)溫度t0為中心、±5℃的溫度范圍內(nèi)按照6分鐘周期而變動(dòng)的情況下，漂移性能滿(mǎn)足如下條件：0s＜τ≤0.1s的mtie值為6ns以下，0.1s＜τ≤1s的mtie值為27ns以下，1s＜τ≤10s的mtie值為250ns以下，10s＜τ≤100s的mtie值為1700ns以下，100s＜τ≤1000s的mtie值為6332ns以下。這里，在itu-t建議g.813中規(guī)定了溫度恒定的狀態(tài)下的漂移性能。在振蕩器1中，使溫度變動(dòng)的情況下的漂移性能在0s＜τ≤100s的范圍內(nèi)，滿(mǎn)足在itu-t建議g.813中規(guī)定的溫度恒定的狀態(tài)下的漂移性能。此外，在100s＜τ≤1000的范圍內(nèi)，雖然劣于規(guī)定的漂移性能，但也能夠得到與其接近的性能。這樣，在振蕩器1中，即使在溫度變動(dòng)的環(huán)境下，也具有優(yōu)異的漂移性能。因此，振蕩器1還能夠用于在嚴(yán)酷的溫度環(huán)境下也要求高頻率穩(wěn)定性的電子設(shè)備和移動(dòng)體。在振蕩器1中，在恒定地保持為基準(zhǔn)溫度t0的情況下，漂移性能滿(mǎn)足如下條件：0.1s＜τ≤1s的mtie值為15ns以下，1s＜τ≤10s的mtie值為23ns以下，10s＜τ≤100s的mtie值為100ns以下，100s＜τ≤1000s的mtie值為700ns以下。該振蕩器1的漂移性能充分地滿(mǎn)足在itu-t建議g.813中規(guī)定的漂移性能，振蕩器1具有優(yōu)異的漂移性能。此外，在振蕩器1中，與以往的溫度補(bǔ)償型石英振蕩器(比較樣本c1)相比，使溫度變動(dòng)的情況下的漂移性能與將溫度保持為恒定的情況下的漂移性能之差較小。即，對(duì)于振蕩器1，可以說(shuō)即使在嚴(yán)酷的溫度環(huán)境下，漂移性能的下降也較小。這樣，振蕩器1與以往的溫度補(bǔ)償型石英振蕩器(比較樣本c1)相比，即使在嚴(yán)酷的溫度環(huán)境下，也具有優(yōu)異的漂移性能，因此，例如后述那樣，通過(guò)將振蕩器1用于通信設(shè)備等，能夠?qū)崿F(xiàn)即使在嚴(yán)酷的溫度環(huán)境下也具有優(yōu)異的通信性能的通信設(shè)備。此外，例如，也能夠?qū)⒄袷幤?應(yīng)用于利用了恒溫槽型石英振蕩器(ocxo)那樣的、具有高頻率穩(wěn)定性的電子設(shè)備和移動(dòng)體。其結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)電子設(shè)備和移動(dòng)體的小型化、節(jié)電化。振蕩器1包含：收納振動(dòng)元件3的封裝4；具有振蕩用電路10和溫度補(bǔ)償電路40的集成電路(ic)2；以及收納封裝4和集成電路(ic)2的封裝8，集成電路(ic)2被粘接于封裝4，在封裝8的內(nèi)表面與封裝4之間設(shè)有空間，在封裝8的內(nèi)表面與集成電路(ic)2之間設(shè)有空間。由此，在集成電路(ic)2中產(chǎn)生的熱在短時(shí)間內(nèi)傳導(dǎo)到振動(dòng)元件3，集成電路(ic)2與振動(dòng)元件3的溫度差變小。其結(jié)果，基于溫度補(bǔ)償電路40的溫度補(bǔ)償?shù)恼`差變小，能夠?qū)崿F(xiàn)上述優(yōu)異的漂移性能。在振蕩器1中，封裝4具有基座4a以及將基座4a密封并且材質(zhì)為金屬的蓋4b，集成電路(ic)2被粘接于蓋4b。粘接有集成電路(ic)2的蓋4b的材質(zhì)是熱傳導(dǎo)率高的金屬，因此，在集成電路(ic)2中產(chǎn)生的熱在短時(shí)間內(nèi)傳導(dǎo)到振動(dòng)元件3，集成電路(ic)2與振動(dòng)元件3的溫度差變小。其結(jié)果，在振蕩器1中，基于溫度補(bǔ)償電路40的溫度補(bǔ)償?shù)恼`差變小，能夠?qū)崿F(xiàn)上述優(yōu)異的漂移性能。1.4.振蕩器的變形例接下來(lái)，對(duì)本實(shí)施方式的振蕩器的變形例進(jìn)行說(shuō)明。(1)第1變形例圖13是示意性地示出第1變形例的振蕩器的封裝4的基座4a的俯視圖。圖13與圖5對(duì)應(yīng)。在第1變形例的振蕩器中，如圖13所示，設(shè)置于基座4a上的電極焊盤(pán)11a、11b、電極焊盤(pán)13a、13b以及引出布線14a、14b的配置與上述圖5所示的配置不同。如圖13所示，在俯視圖中(從基座4a的底面的垂線方向觀察)，在繪制穿過(guò)基座4a的中心的假想直線l，將基座4a二等分時(shí)，電極焊盤(pán)13a以及電極焊盤(pán)13b位于設(shè)置有電極焊盤(pán)11a以及電極焊盤(pán)11b的一側(cè)。因此，與圖5所示的配置相比，能夠使引出布線14a的長(zhǎng)度與引出布線14b的長(zhǎng)度之差變小。在圖示的例子中，引出布線14a的長(zhǎng)度與引出布線14b的長(zhǎng)度相等。在第1變形例的振蕩器中，在俯視圖中，在繪制穿過(guò)基座4a的中心的假想直線l，將基座4a二等分時(shí)，電極焊盤(pán)13a以及電極焊盤(pán)13b位于設(shè)置有電極焊盤(pán)11a以及11b的一側(cè)。因此，能夠使引出布線14a的長(zhǎng)度與引出布線14b的長(zhǎng)度之差變小。由此，能夠使來(lái)自封裝4外部的熱經(jīng)由電極焊盤(pán)13a、引出布線14a、電極焊盤(pán)11a而傳遞到振動(dòng)元件3的路徑的路徑長(zhǎng)度和經(jīng)由電極焊盤(pán)13b、引出布線14b、電極焊盤(pán)11b而傳遞到振動(dòng)元件3的路徑的路徑長(zhǎng)度之差變小。其結(jié)果，例如與上述圖5所示的振蕩器1的例子相比，能夠降低振動(dòng)元件3的溫度不均，能夠使集成電路(ic)2與振動(dòng)元件3的溫度差更小。因此，根據(jù)第1變形例，能夠?qū)崿F(xiàn)具有比上述圖11以及圖12所示的振蕩器1的漂移性能優(yōu)異的漂移性能的振蕩器。(2)第2變形例在上述實(shí)施方式中，封裝4的收納振動(dòng)元件3的空間以及封裝8的收納集成電路(ic)2和封裝4的空間是氮?dú)猸h(huán)境，但這些空間也可以是氦氣環(huán)境。由于氦氣比氮?dú)鉄醾鲗?dǎo)率高，因此，能夠使集成電路(ic)2與振動(dòng)元件3的溫度差更小。其結(jié)果，根據(jù)本變形例，能夠?qū)崿F(xiàn)具有比上述圖11以及圖12所示的振蕩器1的漂移性能優(yōu)異的漂移性能的振蕩器。此外，也可以是，封裝4的收納振動(dòng)元件3的空間為氮?dú)狻⒑獾榷栊詺怏w的環(huán)境，封裝8內(nèi)的空間(收納集成電路(ic)2和封裝4的空間)為真空(壓力比大氣壓低的狀態(tài))。由此，能夠使集成電路(ic)2與振動(dòng)元件3的溫度差變小，并且減小封裝8外部的溫度變動(dòng)對(duì)集成電路(ic)2以及振動(dòng)元件3帶來(lái)的影響。其結(jié)果，根據(jù)本變形例，能夠?qū)崿F(xiàn)具有比上述圖11以及圖12所示的振蕩器1的漂移性能優(yōu)異的漂移性能的振蕩器。2.電子設(shè)備圖14是示出本實(shí)施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)的一例的功能框圖。此外，圖15是示出作為本實(shí)施方式的電子設(shè)備的一例的智能手機(jī)的外觀的一例的圖。本實(shí)施方式的電子設(shè)備300構(gòu)成為包含振蕩器310、cpu(centralprocessingunit：中央處理器)320、操作部330、rom(readonlymemory：只讀存儲(chǔ)器)340、ram(randomaccessmemory：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)350、通信部360以及顯示部370。另外，本實(shí)施方式的電子設(shè)備可以采用省略或者變更圖14的結(jié)構(gòu)要素(各部分)的一部分、或者附加其他結(jié)構(gòu)要素的結(jié)構(gòu)。振蕩器310具有集成電路(ic)312和振子313。集成電路(ic)312使振子313振蕩而產(chǎn)生振蕩信號(hào)。該振蕩信號(hào)從振蕩器310的外部端子被輸出到cpu320。cpu320根據(jù)存儲(chǔ)于rom340等中的程序，將從振蕩器310輸入的振蕩信號(hào)作為時(shí)鐘信號(hào)來(lái)進(jìn)行各種計(jì)算處理、控制處理。具體而言，cpu320進(jìn)行與來(lái)自操作部330的操作信號(hào)對(duì)應(yīng)的各種處理、控制通信部360以便與外部裝置進(jìn)行數(shù)據(jù)通信的處理、發(fā)送用于使顯示部370顯示各種信息的顯示信號(hào)的處理等。操作部330是由操作鍵或按鈕開(kāi)關(guān)等構(gòu)成的輸入裝置，向cpu320輸出與用戶(hù)操作對(duì)應(yīng)的操作信號(hào)。rom340存儲(chǔ)有cpu320用于進(jìn)行各種計(jì)算處理和控制處理的程序和數(shù)據(jù)等。ram350被用作cpu320的作業(yè)區(qū)域，臨時(shí)存儲(chǔ)從rom340讀出的程序和數(shù)據(jù)、從操作部330輸入的數(shù)據(jù)、cpu320按照各種程序而執(zhí)行的運(yùn)算結(jié)果等。通信部360進(jìn)行用于建立cpu320與外部裝置之間的數(shù)據(jù)通信的各種控制。顯示部370是由lcd(liquidcrystaldisplay：液晶顯示器)等構(gòu)成的顯示裝置，根據(jù)從cpu320輸入的顯示信號(hào)顯示各種信息。可以在顯示部370上設(shè)置作為操作部330而發(fā)揮功能的觸摸板。通過(guò)使用例如上述振蕩器1作為振蕩器310，能夠?qū)崿F(xiàn)包含即使在嚴(yán)酷的溫度環(huán)境下也具有優(yōu)異的漂移性能的振蕩器在內(nèi)的電子設(shè)備。作為這樣的電子設(shè)備300，可考慮各種電子設(shè)備，例如，可以舉出個(gè)人計(jì)算機(jī)(例如移動(dòng)型個(gè)人計(jì)算機(jī)、膝上型個(gè)人計(jì)算機(jī)、平板型個(gè)人計(jì)算機(jī))、智能手機(jī)或移動(dòng)電話等移動(dòng)終端、數(shù)字照相機(jī)、噴墨式排出裝置(例如噴墨打印機(jī))、路由器和開(kāi)關(guān)等存儲(chǔ)區(qū)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、局域網(wǎng)設(shè)備、移動(dòng)終端基站用設(shè)備、電視機(jī)、攝像機(jī)、錄像機(jī)、車(chē)載導(dǎo)航裝置、實(shí)時(shí)時(shí)鐘裝置、尋呼機(jī)、電子記事本(還包含帶通信功能的)、電子辭典、計(jì)算器、電子游戲設(shè)備、游戲用控制器、文字處理器、工作站、視頻電話、防盜用電視監(jiān)視器、電子望遠(yuǎn)鏡、pos終端、醫(yī)療設(shè)備(例如電子體溫計(jì)、血壓計(jì)、血糖計(jì)、心電圖計(jì)測(cè)裝置、超聲波診斷裝置、電子內(nèi)窺鏡)、魚(yú)群探測(cè)器、各種測(cè)量設(shè)備、計(jì)量?jī)x器類(lèi)(例如車(chē)輛、飛機(jī)、船舶的計(jì)量?jī)x器類(lèi))、飛行模擬器、頭戴式顯示器、運(yùn)動(dòng)軌跡儀、運(yùn)動(dòng)跟蹤器、運(yùn)動(dòng)控制器、pdr(步行者位置方位計(jì)測(cè))等。作為本實(shí)施方式的電子設(shè)備300的一例，例如可列舉作為終端基站用裝置等而發(fā)揮功能的傳送裝置，其將上述振蕩器310用作基準(zhǔn)信號(hào)源或者電壓可變型振蕩器(vco)等，通過(guò)有線或者無(wú)線與終端進(jìn)行通信。通過(guò)應(yīng)用振蕩器1作為振蕩器310，能夠?qū)崿F(xiàn)可用于例如通信基站等的期望高性能、高可靠性的電子設(shè)備。此外，作為本實(shí)施方式的電子設(shè)備300的另一例，可以是通信裝置，在該通信裝置中，通信部360接收外部時(shí)鐘信號(hào)，cpu320(處理部)包含根據(jù)該外部時(shí)鐘信號(hào)和振蕩器310的輸出信號(hào)(內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào))來(lái)控制振蕩器310的頻率的頻率控制部。該通信裝置例如可以是用于層(stratum)3等基干網(wǎng)絡(luò)設(shè)備或毫微微小區(qū)中的通信設(shè)備。3.移動(dòng)體圖16是示出本實(shí)施方式的移動(dòng)體的一例的圖(俯視圖)。圖16所示的移動(dòng)體400構(gòu)成為包含振蕩器410；進(jìn)行發(fā)動(dòng)機(jī)系統(tǒng)、制動(dòng)系統(tǒng)、無(wú)鑰匙進(jìn)入系統(tǒng)等的各種控制的控制器420、430、440；電池450；以及備用電池460。另外，本實(shí)施方式的移動(dòng)體也可以采用省略圖16的結(jié)構(gòu)要素(各部分)的一部分或者附加其他結(jié)構(gòu)要素的結(jié)構(gòu)。振蕩器410具有未圖示的集成電路(ic)和振動(dòng)元件，集成電路(ic)使振動(dòng)元件振蕩而產(chǎn)生振蕩信號(hào)。該振蕩信號(hào)從振蕩器410的外部端子被輸出到控制器420、430、440，例如作為時(shí)鐘信號(hào)而被使用。電池450向振蕩器410以及控制器420、430、440供給電力。備用電池460在電池450的輸出電壓下降至閾值以下時(shí)，向振蕩器410以及控制器420、430、440供給電力。通過(guò)應(yīng)用例如上述振蕩器1作為振蕩器410，能夠?qū)崿F(xiàn)包含即使在嚴(yán)酷的溫度環(huán)境下也具有優(yōu)異的漂移性能的振蕩器在內(nèi)的移動(dòng)體。作為這樣的移動(dòng)體400，可考慮各種移動(dòng)體，例如，能夠舉出汽車(chē)(也包含電動(dòng)汽車(chē))、噴氣式飛機(jī)或直升機(jī)等飛機(jī)、船舶、火箭、人造衛(wèi)星等。本發(fā)明不限于本實(shí)施方式，能夠在本發(fā)明主旨的范圍內(nèi)實(shí)施各種變形。上述的實(shí)施方式及變形例只是一個(gè)例子，但不限于這些例子。例如，也能夠?qū)⒏鲗?shí)施方式及變形例適當(dāng)組合。本發(fā)明包含與在實(shí)施方式中說(shuō)明的結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)(例如，功能、方法以及結(jié)果相同的結(jié)構(gòu)或者目的以及效果相同的結(jié)構(gòu))。另外，本發(fā)明包含置換在實(shí)施方式中說(shuō)明的結(jié)構(gòu)的非本質(zhì)部分而成的結(jié)構(gòu)。此外，本發(fā)明包含能夠起到與在實(shí)施方式中說(shuō)明的結(jié)構(gòu)相同的作用效果的結(jié)構(gòu)或達(dá)到相同目的的結(jié)構(gòu)。此外，本發(fā)明包含對(duì)在實(shí)施方式中說(shuō)明的結(jié)構(gòu)附加公知技術(shù)而成的結(jié)構(gòu)。當(dāng)前第1頁(yè)12