本發(fā)明涉及非晶合金產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法。

背景技術(shù)：

非晶合金具有絕佳力學(xué)性能、高化學(xué)穩(wěn)定性及奢華外觀效果，因此在3C產(chǎn)品應(yīng)用上具有很大潛力。在手機(jī)應(yīng)用方面，非晶合金極適合用來制作手機(jī)外殼以達(dá)到高強(qiáng)度、耐刮、耐腐蝕、高質(zhì)感外觀效果。同時(shí)，考慮到非晶合金電子產(chǎn)品外殼本身設(shè)計(jì)需求，需要將非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板結(jié)合。但若同時(shí)要以非晶合金成型中板結(jié)構(gòu)，非晶合金電子產(chǎn)品外殼與非晶合金中板結(jié)合后，則會(huì)使得產(chǎn)品存在過重及散熱不夠好的問題。因此，較適合以其它材質(zhì)如鋁合金、鎂合金、不銹鋼或者特種塑膠等來制作中板，藉由與非晶合金電子產(chǎn)品外殼相結(jié)合以達(dá)到減輕重量及解決散熱性能需求的問題。

目前，非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的結(jié)合方法存在缺陷，以及結(jié)合強(qiáng)度不好是業(yè)內(nèi)亟待解決的問題?，F(xiàn)有技術(shù)中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的結(jié)合方法主要有焊接、粘接和鉚接三種。然而，如果采用焊接的方式，當(dāng)非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板結(jié)合時(shí)，焊接產(chǎn)生的熱量容易使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼發(fā)生結(jié)晶化、氧化或焊縫脆化等問題。而如果使用粘接的方式，則不僅要求待粘接的兩種材料表面具有一定的粗糙度及清潔度，更要求兩種材料之間有足夠的粘接面積，另外，通過粘接的方式，雖然可以達(dá)到結(jié)合效果，但是產(chǎn)品中的粘接膠料容易受到所使用環(huán)境(光、熱、濕等)的影響，進(jìn)而容易發(fā)生脆化、老化等問題，因而會(huì)導(dǎo)致粘接膠料失效。

另外，鉚接的方式是目前較具可行性方案之一，但是，現(xiàn)有技術(shù)中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板鉚接時(shí)需要使非晶合金電子產(chǎn)品外殼加熱至溫度為Tg～Tx之間，Tg～Tx之間的溫度由于較高，因而增加了非晶合金電子產(chǎn)品外殼結(jié)晶化及表面氧化的風(fēng)險(xiǎn)，即使其可在具有腔室的特殊設(shè)備中并且真空或惰性氣氛下進(jìn)行來避免上述結(jié)晶化及表面氧化的問題，但是，這樣會(huì)相應(yīng)的使生產(chǎn)成本增加，并且不具量產(chǎn)性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，該非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法能夠避免非晶合金電子產(chǎn)品外殼發(fā)生氧化及結(jié)晶化反應(yīng)，并能提高接合強(qiáng)度，降低生產(chǎn)投入，且具量產(chǎn)性。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

提供一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，它包括以下步驟：

步驟一，預(yù)結(jié)合：將非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合，其中，所述非晶合金電子產(chǎn)品外殼具有凸柱結(jié)構(gòu)，所述中板開設(shè)有通孔；所述非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)套入所述中板的通孔中，并通過夾治具鎖緊以使得所述非晶合金電子產(chǎn)品外殼與所述中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合，得到預(yù)結(jié)合的整體；

所述中板的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)；

步驟二，加熱：將步驟一得到的預(yù)結(jié)合的整體放入腔室內(nèi)，并對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行加熱到玻璃轉(zhuǎn)化溫度Tg以上，產(chǎn)生熔融物，并根據(jù)TTT圖來控制加熱過程以避免非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)發(fā)生晶化反應(yīng)；

步驟三，熔融物填入倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)：步驟二加熱凸柱結(jié)構(gòu)后產(chǎn)生的熔融物，通過自身的重力作用，填入所述中板的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)，以形成倒卡扣狀，以增加結(jié)合時(shí)的結(jié)合面從而增強(qiáng)接合強(qiáng)度性能；

步驟四，冷卻定型：待步驟三的熔融物填滿所述中板的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)后，進(jìn)行冷卻定型，即完成非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合。

上述技術(shù)方案中，所述凸柱結(jié)構(gòu)為實(shí)心圓柱、空心圓柱、實(shí)心圓臺(tái)、空心圓臺(tái)、實(shí)心圓錐、實(shí)心長方體或空心長方體中的一種。

上述技術(shù)方案中，所述步驟一預(yù)結(jié)合步驟中，當(dāng)預(yù)結(jié)合時(shí)，所述非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)的高度大于所述中板的通孔的深度，當(dāng)完成接合后，所述非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)套入所述中板的通孔中的深度為等于或小于所述通孔的深度；

上述技術(shù)方案中，所述非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)與所述中板的通孔之間為間隙配合或者過度配合。

上述技術(shù)方案中，所述步驟二加熱步驟中，具體加熱方式為激光或快速熔融加熱，即加熱到結(jié)晶轉(zhuǎn)化溫度與熔融溫度之間。

上述技術(shù)方案中，所述步驟二加熱步驟中，并在過程中增加惰性氣氛進(jìn)行吹氣以實(shí)現(xiàn)局部保護(hù)，防止非晶合金氧化或晶化，熔融填充滿接合位置后冷卻形成機(jī)械接合結(jié)構(gòu)。

上述技術(shù)方案中，所述步驟二加熱步驟中，加熱的時(shí)間為2s～60s。

上述技術(shù)方案中，所述步驟四冷卻定型步驟中，利用自然冷卻的方式進(jìn)行冷卻定型。

上述技術(shù)方案中，所述步驟一預(yù)結(jié)合步驟中，所述夾治具包括治具底座和治具上蓋，非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)套入所述中板的通孔中后，所述治具底座用于放置非晶合金電子產(chǎn)品外殼，所述治具上蓋壓住所述中板，通過所述治具底座和所述治具上蓋的壓合鎖緊使得所述非晶合金電子產(chǎn)品外殼與所述中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比較，有益效果在于：

(1)本發(fā)明提供的一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明是對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)加熱至Tg以上，其中，Tg為玻璃轉(zhuǎn)化溫度，并根據(jù)TTT圖來控制加熱過程以避免非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)發(fā)生晶化反應(yīng)。

(2)本發(fā)明提供的一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，由于中板的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)，結(jié)合時(shí)倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)區(qū)域會(huì)被非晶合金填充，整體看形成倒卡扣狀，以增加結(jié)合時(shí)的結(jié)合面從而增強(qiáng)結(jié)合強(qiáng)度性能，因此，能夠使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板之間的結(jié)合強(qiáng)度好，且具有能大量生產(chǎn)性、高生產(chǎn)效率和較低生產(chǎn)成本的優(yōu)點(diǎn)。

(3)本發(fā)明提供的一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，由于利用自然冷卻的方式進(jìn)行冷卻定型即可，不需要特殊冷卻處理，并且該非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法僅需結(jié)構(gòu)簡單的夾治具配合生產(chǎn)即可，因此，該非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法能夠進(jìn)一步降低生產(chǎn)投入，及縮短生產(chǎn)周期。

(4)本發(fā)明提供的一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，具有方法簡單，生產(chǎn)成本低，并能夠適用于大規(guī)模生產(chǎn)的特點(diǎn)。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的實(shí)施例1的非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明的實(shí)施例1的非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合和接合后的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本發(fā)明的實(shí)施例2的非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合和接合后的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4是本發(fā)明的實(shí)施例3的非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合和接合后的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5是本發(fā)明的實(shí)施例4的非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合和接合后的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6是本發(fā)明的實(shí)施例5的非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合和接合后的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖7是本發(fā)明的實(shí)施例6的非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合和接合后的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖8是本發(fā)明的實(shí)施例7的非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖9是本發(fā)明的實(shí)施例8的非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖10是本發(fā)明的實(shí)施例9的非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖11是本發(fā)明的實(shí)例應(yīng)用圖。其中，非晶合金邊框設(shè)有立凸柱結(jié)構(gòu)，對(duì)手件設(shè)有孔結(jié)構(gòu)，非晶合金邊框上示意出8個(gè)支撐臺(tái)，在支撐臺(tái)上有凸柱結(jié)構(gòu)，對(duì)手件上在對(duì)應(yīng)非晶合金的支撐臺(tái)的位置開設(shè)通孔(孔軸平行于鋁合金板厚度方向)。

圖12是三種沖頭的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖13是激光或快速熔融加熱方式的加熱曲線圖。

圖14是應(yīng)用中的非晶合金電子產(chǎn)品外殼的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖15是應(yīng)用中的鋁合金中板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖16是應(yīng)用中的圖14的非晶合金電子產(chǎn)品外殼與圖15的鋁合金中板之間的結(jié)合效果的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖中包括：

非晶合金電子產(chǎn)品外殼1、凸柱結(jié)構(gòu)11；

中板2、通孔21、倒角結(jié)構(gòu)201、圓凹結(jié)構(gòu)202；

夾治具3、治具底座31、治具上蓋32；

激光加熱頭4。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明所解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

實(shí)施例1。

參見圖1和圖2。一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，它包括以下步驟：

步驟一，預(yù)結(jié)合：將非晶合金電子產(chǎn)品外殼1與中板2進(jìn)行預(yù)結(jié)合，其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1具有凸柱結(jié)構(gòu)11，中板2開設(shè)有通孔21；非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11套入中板2的通孔21中，并通過夾治具3鎖緊以使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼1與中板2進(jìn)行預(yù)結(jié)合，得到預(yù)結(jié)合的整體；本實(shí)施例中，凸柱結(jié)構(gòu)11為實(shí)心圓柱；其中，中板2的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)201；

本實(shí)施例中，當(dāng)預(yù)結(jié)合時(shí)，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11的高度大于中板2的通孔21的深度，當(dāng)完成接合后，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11套入中板2的通孔21中的深度為等于或小于通孔21的深度；其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11與中板2的通孔21之間為間隙配合。

其中，夾治具3包括治具底座31和治具上蓋32，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11套入中板2的通孔21中后，治具底座31用于放置非晶合金電子產(chǎn)品外殼1，治具上蓋32壓住中板2，通過治具底座31和治具上蓋32的壓合鎖緊使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼1與中板2進(jìn)行預(yù)結(jié)合。

步驟二，加熱：將步驟一得到的預(yù)結(jié)合的整體放入腔室內(nèi)，并對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行加熱到玻璃轉(zhuǎn)化溫度Tg以上，產(chǎn)生熔融物，并根據(jù)TTT圖來控制加熱過程以避免非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)發(fā)生晶化反應(yīng)；

本實(shí)施例中，具體加熱方式為激光或快速熔融加熱，即加熱到結(jié)晶轉(zhuǎn)化溫度與熔融溫度之間，并在過程中增加惰性氣氛進(jìn)行吹氣以實(shí)現(xiàn)局部保護(hù)，防止非晶合金氧化或晶化，熔融填充滿接合位置后冷卻形成機(jī)械接合結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例中，加熱時(shí)間為30s；

步驟三，熔融物填入倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)：步驟二加熱凸柱結(jié)構(gòu)后產(chǎn)生的熔融物，通過自身的重力作用，填入所述中板的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)，以形成倒卡扣狀，以增加結(jié)合時(shí)的結(jié)合面從而增強(qiáng)接合強(qiáng)度性能；

步驟四，冷卻定型：待步驟三的熔融物填滿所述中板的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)后，進(jìn)行冷卻定型，即完成非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合。

本實(shí)施例的一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明是對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)加熱至Tg以上，其中，Tg為玻璃轉(zhuǎn)化溫度，并根據(jù)TTT圖來控制加熱過程以避免非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)發(fā)生晶化反應(yīng)。另外，由于中板的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)，結(jié)合時(shí)倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)區(qū)域會(huì)被非晶合金填充，整體看形成倒卡扣狀，以增加結(jié)合時(shí)的結(jié)合面從而增強(qiáng)結(jié)合強(qiáng)度性能，因此，能夠使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板之間的結(jié)合強(qiáng)度好，且具有能大量生產(chǎn)性、高生產(chǎn)效率和較低生產(chǎn)成本的優(yōu)點(diǎn)。

實(shí)施例2。

見圖3。一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，它包括以下步驟：

步驟一，預(yù)結(jié)合：將非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板2進(jìn)行預(yù)結(jié)合，其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼具有凸柱結(jié)構(gòu)11，中板2開設(shè)有通孔21；非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11套入中板2的通孔21中，并通過夾治具3鎖緊以使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板2進(jìn)行預(yù)結(jié)合，得到預(yù)結(jié)合的整體；本實(shí)施例中，凸柱結(jié)構(gòu)11為實(shí)心圓柱；其中，中板2的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)201；

本實(shí)施例中，當(dāng)預(yù)結(jié)合時(shí)，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11的高度大于中板2的通孔21的深度，當(dāng)完成接合后，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11套入中板2的通孔21中的深度為等于或小于通孔21的深度；其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11與中板2的通孔21之間為間隙配合。

其中，夾治具包括治具底座和治具上蓋，非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)套入中板的通孔21中后，治具底座用于放置非晶合金電子產(chǎn)品外殼，治具上蓋壓住中板，通過治具底座和治具上蓋的壓合鎖緊使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合。

步驟二，加熱：將步驟一得到的預(yù)結(jié)合的整體放入腔室內(nèi)，并對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行加熱到玻璃轉(zhuǎn)化溫度Tg以上，產(chǎn)生熔融物，并根據(jù)TTT圖來控制加熱過程以避免非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)發(fā)生晶化反應(yīng)；

本實(shí)施例中，具體加熱方式為激光或快速熔融加熱，即加熱到結(jié)晶轉(zhuǎn)化溫度與熔融溫度之間，并在過程中增加惰性氣氛進(jìn)行吹氣以實(shí)現(xiàn)局部保護(hù)，防止非晶合金氧化或晶化，熔融填充滿接合位置后冷卻形成機(jī)械接合結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例中，加熱時(shí)間為2s；

步驟三，熔融物填入倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)：步驟二加熱凸柱結(jié)構(gòu)后產(chǎn)生的熔融物，通過自身的重力作用，填入所述中板的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)，以形成倒卡扣狀，以增加結(jié)合時(shí)的結(jié)合面從而增強(qiáng)接合強(qiáng)度性能；

步驟四，冷卻定型：待步驟三的熔融物填滿所述中板的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)后，進(jìn)行冷卻定型，即完成非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合。

本實(shí)施例的一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明是對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)加熱至Tg以上，其中，Tg為玻璃轉(zhuǎn)化溫度，并根據(jù)TTT圖來控制加熱過程以避免非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)發(fā)生晶化反應(yīng)。另外，由于中板的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)，結(jié)合時(shí)倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)區(qū)域會(huì)被非晶合金填充，整體看形成倒卡扣狀，以增加結(jié)合時(shí)的結(jié)合面從而增強(qiáng)結(jié)合強(qiáng)度性能，因此，能夠使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板之間的結(jié)合強(qiáng)度好，且具有能大量生產(chǎn)性、高生產(chǎn)效率和較低生產(chǎn)成本的優(yōu)點(diǎn)。

實(shí)施例3。

見圖4。一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，它包括以下步驟：

步驟一，預(yù)結(jié)合：將非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板2進(jìn)行預(yù)結(jié)合，其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼具有凸柱結(jié)構(gòu)11，中板2開設(shè)有通孔21；非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11套入中板2的通孔21中，并通過夾治具鎖緊以使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板2進(jìn)行預(yù)結(jié)合，得到預(yù)結(jié)合的整體；本實(shí)施例中，凸柱結(jié)構(gòu)11為實(shí)心圓臺(tái)；其中，中板2的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)201；

本實(shí)施例中，當(dāng)預(yù)結(jié)合時(shí)，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11的高度大于中板2的通孔21的深度，當(dāng)完成接合后，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11套入中板2的通孔21中的深度為等于或小于通孔21的深度；其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11與中板2的通孔21之間為過度配合。

其中，夾治具包括治具底座和治具上蓋，非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)套入中板的通孔21中后，治具底座用于放置非晶合金電子產(chǎn)品外殼，治具上蓋壓住中板，通過治具底座和治具上蓋的壓合鎖緊使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合。

步驟二，加熱：將步驟一得到的預(yù)結(jié)合的整體放入腔室內(nèi)，并對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行加熱到玻璃轉(zhuǎn)化溫度Tg以上，產(chǎn)生熔融物，并根據(jù)TTT圖來控制加熱過程以避免非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)發(fā)生晶化反應(yīng)；

本實(shí)施例中，具體加熱方式為激光或快速熔融加熱，即加熱到結(jié)晶轉(zhuǎn)化溫度與熔融溫度之間，并在過程中增加惰性氣氛進(jìn)行吹氣以實(shí)現(xiàn)局部保護(hù)，防止非晶合金氧化或晶化，熔融填充滿接合位置后冷卻形成機(jī)械接合結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例中，加熱時(shí)間為10s；

步驟三，熔融物填入倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)：步驟二加熱凸柱結(jié)構(gòu)后產(chǎn)生的熔融物，通過自身的重力作用，填入所述中板的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)，以形成倒卡扣狀，以增加結(jié)合時(shí)的結(jié)合面從而增強(qiáng)接合強(qiáng)度性能；

步驟四，冷卻定型：待步驟三的熔融物填滿所述中板的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)后，進(jìn)行冷卻定型，即完成非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合。

本實(shí)施例的一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明是對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)加熱至Tg以上，其中，Tg為玻璃轉(zhuǎn)化溫度，并根據(jù)TTT圖來控制加熱過程以避免非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)發(fā)生晶化反應(yīng)。另外，由于中板的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)，結(jié)合時(shí)倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)區(qū)域會(huì)被非晶合金填充，整體看形成倒卡扣狀，以增加結(jié)合時(shí)的結(jié)合面從而增強(qiáng)結(jié)合強(qiáng)度性能，因此，能夠使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板之間的結(jié)合強(qiáng)度好，且具有能大量生產(chǎn)性、高生產(chǎn)效率和較低生產(chǎn)成本的優(yōu)點(diǎn)。

實(shí)施例4。

見圖5。一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，它包括以下步驟：

步驟一，預(yù)結(jié)合：將非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板2進(jìn)行預(yù)結(jié)合，其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼具有凸柱結(jié)構(gòu)11，中板2開設(shè)有通孔21；非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11套入中板2的通孔21中，并通過夾治具鎖緊以使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板2進(jìn)行預(yù)結(jié)合，得到預(yù)結(jié)合的整體；本實(shí)施例中，凸柱結(jié)構(gòu)11為實(shí)心圓臺(tái)；其中，中板2的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)201；

本實(shí)施例中，當(dāng)預(yù)結(jié)合時(shí)，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11的高度大于中板2的通孔21的深度，當(dāng)完成接合后，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11套入中板2的通孔21中的深度為等于或小于通孔21的深度；其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11與中板2的通孔21之間為過度配合。

其中，夾治具包括治具底座和治具上蓋，非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)套入中板的通孔21中后，治具底座用于放置非晶合金電子產(chǎn)品外殼，治具上蓋壓住中板，通過治具底座和治具上蓋的壓合鎖緊使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合。

步驟二，加熱：將步驟一得到的預(yù)結(jié)合的整體放入腔室內(nèi)，并對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行加熱到玻璃轉(zhuǎn)化溫度Tg以上，產(chǎn)生熔融物，并根據(jù)TTT圖來控制加熱過程以避免非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)發(fā)生晶化反應(yīng)；

本實(shí)施例中，具體加熱方式為激光或快速熔融加熱，即加熱到結(jié)晶轉(zhuǎn)化溫度與熔融溫度之間，并在過程中增加惰性氣氛進(jìn)行吹氣以實(shí)現(xiàn)局部保護(hù)，防止非晶合金氧化或晶化，熔融填充滿接合位置后冷卻形成機(jī)械接合結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例中，加熱時(shí)間為10s；

步驟三，熔融物填入倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)：步驟二加熱凸柱結(jié)構(gòu)后產(chǎn)生的熔融物，通過自身的重力作用，填入所述中板的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)，以形成倒卡扣狀，以增加結(jié)合時(shí)的結(jié)合面從而增強(qiáng)接合強(qiáng)度性能；

步驟四，冷卻定型：待步驟三的熔融物填滿所述中板的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)后，進(jìn)行冷卻定型，即完成非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合。

本實(shí)施例的一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明是對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)加熱至Tg以上，其中，Tg為玻璃轉(zhuǎn)化溫度，并根據(jù)TTT圖來控制加熱過程以避免非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)發(fā)生晶化反應(yīng)。另外，由于中板的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)，結(jié)合時(shí)倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)區(qū)域會(huì)被非晶合金填充，整體看形成倒卡扣狀，以增加結(jié)合時(shí)的結(jié)合面從而增強(qiáng)結(jié)合強(qiáng)度性能，因此，能夠使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板之間的結(jié)合強(qiáng)度好，且具有能大量生產(chǎn)性、高生產(chǎn)效率和較低生產(chǎn)成本的優(yōu)點(diǎn)。

實(shí)施例5。

見圖6。一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，它包括以下步驟：

步驟一，預(yù)結(jié)合：將非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板2進(jìn)行預(yù)結(jié)合，其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼具有凸柱結(jié)構(gòu)11，中板2開設(shè)有通孔21；非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11套入中板2的通孔21中，并通過夾治具鎖緊以使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板2進(jìn)行預(yù)結(jié)合，得到預(yù)結(jié)合的整體；本實(shí)施例中，凸柱結(jié)構(gòu)11為空心圓柱；其中，中板2的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)201；

本實(shí)施例中，當(dāng)預(yù)結(jié)合時(shí)，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11的高度大于中板2的通孔21的深度，當(dāng)完成接合后，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11套入中板2的通孔21中的深度為等于或小于通孔21的深度；其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11與中板2的通孔21之間為間隙配合。

其中，夾治具包括治具底座和治具上蓋，非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)套入中板的通孔中后，治具底座用于放置非晶合金電子產(chǎn)品外殼，治具上蓋壓住中板，通過治具底座和治具上蓋的壓合鎖緊使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合。

步驟二，加熱：將步驟一得到的預(yù)結(jié)合的整體放入腔室內(nèi)，并對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行加熱到玻璃轉(zhuǎn)化溫度Tg以上，產(chǎn)生熔融物，并根據(jù)TTT圖來控制加熱過程以避免非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)發(fā)生晶化反應(yīng)；

本實(shí)施例中，具體加熱方式為激光或快速熔融加熱，即加熱到結(jié)晶轉(zhuǎn)化溫度與熔融溫度之間，并在過程中增加惰性氣氛進(jìn)行吹氣以實(shí)現(xiàn)局部保護(hù)，防止非晶合金氧化或晶化，熔融填充滿接合位置后冷卻形成機(jī)械接合結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例中，加熱時(shí)間為20s；

步驟三，熔融物填入倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)：步驟二加熱凸柱結(jié)構(gòu)后產(chǎn)生的熔融物，通過自身的重力作用，填入所述中板的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)，以形成倒卡扣狀，以增加結(jié)合時(shí)的結(jié)合面從而增強(qiáng)接合強(qiáng)度性能；

步驟四，冷卻定型：待步驟三的熔融物填滿所述中板的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)后，進(jìn)行冷卻定型，即完成非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合。

本實(shí)施例的一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明是對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)加熱至Tg以上，其中，Tg為玻璃轉(zhuǎn)化溫度，并根據(jù)TTT圖來控制加熱過程以避免非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)發(fā)生晶化反應(yīng)。另外，由于中板的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)，結(jié)合時(shí)倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)區(qū)域會(huì)被非晶合金填充，整體看形成倒卡扣狀，以增加結(jié)合時(shí)的結(jié)合面從而增強(qiáng)結(jié)合強(qiáng)度性能，因此，能夠使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板之間的結(jié)合強(qiáng)度好，且具有能大量生產(chǎn)性、高生產(chǎn)效率和較低生產(chǎn)成本的優(yōu)點(diǎn)。

實(shí)施例6。

見圖7。一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，它包括以下步驟：

步驟一，預(yù)結(jié)合：將非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板2進(jìn)行預(yù)結(jié)合，其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼具有凸柱結(jié)構(gòu)11，中板2開設(shè)有通孔21；非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11套入中板2的通孔21中，并通過夾治具鎖緊以使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板2進(jìn)行預(yù)結(jié)合，得到預(yù)結(jié)合的整體；本實(shí)施例中，凸柱結(jié)構(gòu)11為空心圓柱；其中，中板2的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)201；

本實(shí)施例中，當(dāng)預(yù)結(jié)合時(shí)，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11的高度大于中板2的通孔21的深度，當(dāng)完成接合后，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11套入中板2的通孔21中的深度為等于或小于通孔21的深度；其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11與中板2的通孔21之間為間隙配合。

其中，夾治具包括治具底座和治具上蓋，非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)套入中板的通孔中后，治具底座用于放置非晶合金電子產(chǎn)品外殼，治具上蓋壓住中板，通過治具底座和治具上蓋的壓合鎖緊使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合。

步驟二，加熱：將步驟一得到的預(yù)結(jié)合的整體放入腔室內(nèi)，并對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行加熱到玻璃轉(zhuǎn)化溫度Tg以上，產(chǎn)生熔融物，并根據(jù)TTT圖來控制加熱過程以避免非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)發(fā)生晶化反應(yīng)；

本實(shí)施例中，具體加熱方式為激光或快速熔融加熱，即加熱到結(jié)晶轉(zhuǎn)化溫度與熔融溫度之間，并在過程中增加惰性氣氛進(jìn)行吹氣以實(shí)現(xiàn)局部保護(hù)，防止非晶合金氧化或晶化，熔融填充滿接合位置后冷卻形成機(jī)械接合結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例中，加熱時(shí)間為40s；

步驟三，熔融物填入倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)：步驟二加熱凸柱結(jié)構(gòu)后產(chǎn)生的熔融物，通過自身的重力作用，填入所述中板的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)，以形成倒卡扣狀，以增加結(jié)合時(shí)的結(jié)合面從而增強(qiáng)接合強(qiáng)度性能；

步驟四，冷卻定型：待步驟三的熔融物填滿所述中板的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)后，進(jìn)行冷卻定型，即完成非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合。

本實(shí)施例的一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明是對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)加熱至Tg以上，其中，Tg為玻璃轉(zhuǎn)化溫度，并根據(jù)TTT圖來控制加熱過程以避免非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)發(fā)生晶化反應(yīng)。另外，由于中板的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)，結(jié)合時(shí)倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)區(qū)域會(huì)被非晶合金填充，整體看形成倒卡扣狀，以增加結(jié)合時(shí)的結(jié)合面從而增強(qiáng)結(jié)合強(qiáng)度性能，因此，能夠使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板之間的結(jié)合強(qiáng)度好，且具有能大量生產(chǎn)性、高生產(chǎn)效率和較低生產(chǎn)成本的優(yōu)點(diǎn)。

實(shí)施例7。

一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，它包括以下步驟：

步驟一，預(yù)結(jié)合：將非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合，其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼具有凸柱結(jié)構(gòu)，中板開設(shè)有通孔；非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)套入中板的通孔中，并通過夾治具鎖緊以使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合，得到預(yù)結(jié)合的整體；本實(shí)施例中，凸柱結(jié)構(gòu)為空心圓臺(tái)；其中，中板2的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)201；

本實(shí)施例中，當(dāng)預(yù)結(jié)合時(shí)，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11的高度大于中板2的通孔21的深度，當(dāng)完成接合后，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11套入中板2的通孔21中的深度為等于或小于通孔21的深度；其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)與中板的通孔之間為過度配合。

其中，夾治具包括治具底座和治具上蓋，非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)套入中板的通孔中后，治具底座用于放置非晶合金電子產(chǎn)品外殼，治具上蓋壓住中板，通過治具底座和治具上蓋的壓合鎖緊使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合。

步驟二，加熱：將步驟一得到的預(yù)結(jié)合的整體放入腔室內(nèi)，并對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行加熱到玻璃轉(zhuǎn)化溫度Tg以上，產(chǎn)生熔融物，并根據(jù)TTT圖來控制加熱過程以避免非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)發(fā)生晶化反應(yīng)；

本實(shí)施例中，具體加熱方式為激光或快速熔融加熱，即加熱到結(jié)晶轉(zhuǎn)化溫度與熔融溫度之間，并在過程中增加惰性氣氛進(jìn)行吹氣以實(shí)現(xiàn)局部保護(hù)，防止非晶合金氧化或晶化，熔融填充滿接合位置后冷卻形成機(jī)械接合結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例中，加熱時(shí)間為50s；

步驟三，熔融物填入倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)：步驟二加熱凸柱結(jié)構(gòu)后產(chǎn)生的熔融物，通過自身的重力作用，填入所述中板的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)，以形成倒卡扣狀，以增加結(jié)合時(shí)的結(jié)合面從而增強(qiáng)接合強(qiáng)度性能；

步驟四，冷卻定型：待步驟三的熔融物填滿所述中板的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)后，進(jìn)行冷卻定型，即完成非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合。

本實(shí)施例的一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明是對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)加熱至Tg以上，其中，Tg為玻璃轉(zhuǎn)化溫度，并根據(jù)TTT圖來控制加熱過程以避免非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)發(fā)生晶化反應(yīng)。另外，由于中板的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)，結(jié)合時(shí)倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)區(qū)域會(huì)被非晶合金填充，整體看形成倒卡扣狀，以增加結(jié)合時(shí)的結(jié)合面從而增強(qiáng)結(jié)合強(qiáng)度性能，因此，能夠使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板之間的結(jié)合強(qiáng)度好，且具有能大量生產(chǎn)性、高生產(chǎn)效率和較低生產(chǎn)成本的優(yōu)點(diǎn)。

實(shí)施例8。

一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，它包括以下步驟：

步驟一，預(yù)結(jié)合：將非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合，其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼具有凸柱結(jié)構(gòu)，中板開設(shè)有通孔；非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)套入中板的通孔中，并通過夾治具鎖緊以使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合，得到預(yù)結(jié)合的整體；本實(shí)施例中，凸柱結(jié)構(gòu)為實(shí)心圓錐；其中，中板2的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)201；

本實(shí)施例中，當(dāng)預(yù)結(jié)合時(shí)，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11的高度大于中板2的通孔21的深度，當(dāng)完成接合后，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11套入中板2的通孔21中的深度為等于或小于通孔21的深度；其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)與中板的通孔之間為間隙配合。

其中，夾治具包括治具底座和治具上蓋，非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)套入中板的通孔中后，治具底座用于放置非晶合金電子產(chǎn)品外殼，治具上蓋壓住中板，通過治具底座和治具上蓋的壓合鎖緊使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合。

步驟二，加熱：將步驟一得到的預(yù)結(jié)合的整體放入腔室內(nèi)，并對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行加熱到玻璃轉(zhuǎn)化溫度Tg以上，產(chǎn)生熔融物，并根據(jù)TTT圖來控制加熱過程以避免非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)發(fā)生晶化反應(yīng)；

本實(shí)施例中，具體加熱方式為激光或快速熔融加熱，即加熱到結(jié)晶轉(zhuǎn)化溫度與熔融溫度之間，并在過程中增加惰性氣氛進(jìn)行吹氣以實(shí)現(xiàn)局部保護(hù)，防止非晶合金氧化或晶化，熔融填充滿接合位置后冷卻形成機(jī)械接合結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例中，加熱時(shí)間為25s；

步驟三，熔融物填入倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)：步驟二加熱凸柱結(jié)構(gòu)后產(chǎn)生的熔融物，通過自身的重力作用，填入所述中板的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)，以形成倒卡扣狀，以增加結(jié)合時(shí)的結(jié)合面從而增強(qiáng)接合強(qiáng)度性能；

步驟四，冷卻定型：待步驟三的熔融物填滿所述中板的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)后，進(jìn)行冷卻定型，即完成非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合。

本實(shí)施例的一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明是對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)加熱至Tg以上，其中，Tg為玻璃轉(zhuǎn)化溫度，并根據(jù)TTT圖來控制加熱過程以避免非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)發(fā)生晶化反應(yīng)。另外，由于中板的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)，結(jié)合時(shí)倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)區(qū)域會(huì)被非晶合金填充，整體看形成倒卡扣狀，以增加結(jié)合時(shí)的結(jié)合面從而增強(qiáng)結(jié)合強(qiáng)度性能，因此，能夠使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板之間的結(jié)合強(qiáng)度好，且具有能大量生產(chǎn)性、高生產(chǎn)效率和較低生產(chǎn)成本的優(yōu)點(diǎn)。

實(shí)施例9。

一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，它包括以下步驟：

步驟一，預(yù)結(jié)合：將非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合，其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼具有凸柱結(jié)構(gòu)，中板開設(shè)有通孔；非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)套入中板的通孔中，并通過夾治具鎖緊以使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合，得到預(yù)結(jié)合的整體；本實(shí)施例中，凸柱結(jié)構(gòu)為實(shí)心長方體；其中，中板2的通孔的上部設(shè)置有圓凹結(jié)構(gòu)202；

本實(shí)施例中，當(dāng)預(yù)結(jié)合時(shí)，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11的高度大于中板2的通孔21的深度，當(dāng)完成接合后，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11套入中板2的通孔21中的深度為等于或小于通孔21的深度；其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)與中板的通孔之間為過度配合。

其中，夾治具包括治具底座和治具上蓋，非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)套入中板的通孔中后，治具底座用于放置非晶合金電子產(chǎn)品外殼，治具上蓋壓住中板，通過治具底座和治具上蓋的壓合鎖緊使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合。

步驟二，加熱：將步驟一得到的預(yù)結(jié)合的整體放入腔室內(nèi)，并對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行加熱到玻璃轉(zhuǎn)化溫度Tg以上，產(chǎn)生熔融物，并根據(jù)TTT圖來控制加熱過程以避免非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)發(fā)生晶化反應(yīng)；

本實(shí)施例中，具體加熱方式為激光或快速熔融加熱，即加熱到結(jié)晶轉(zhuǎn)化溫度與熔融溫度之間，并在過程中增加惰性氣氛進(jìn)行吹氣以實(shí)現(xiàn)局部保護(hù)，防止非晶合金氧化或晶化，熔融填充滿接合位置后冷卻形成機(jī)械接合結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例中，加熱時(shí)間為40s；

步驟三，熔融物填入倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)：步驟二加熱凸柱結(jié)構(gòu)后產(chǎn)生的熔融物，通過自身的重力作用，填入所述中板的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)，以形成倒卡扣狀，以增加結(jié)合時(shí)的結(jié)合面從而增強(qiáng)接合強(qiáng)度性能；

步驟四，冷卻定型：待步驟三的熔融物填滿所述中板的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)后，進(jìn)行冷卻定型，即完成非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合。

本實(shí)施例的一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明是對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)加熱至Tg以上，其中，Tg為玻璃轉(zhuǎn)化溫度，并根據(jù)TTT圖來控制加熱過程以避免非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)發(fā)生晶化反應(yīng)。另外，由于中板的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)，結(jié)合時(shí)倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)區(qū)域會(huì)被非晶合金填充，整體看形成倒卡扣狀，以增加結(jié)合時(shí)的結(jié)合面從而增強(qiáng)結(jié)合強(qiáng)度性能，因此，能夠使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板之間的結(jié)合強(qiáng)度好，且具有能大量生產(chǎn)性、高生產(chǎn)效率和較低生產(chǎn)成本的優(yōu)點(diǎn)。

其中，常用合金的玻璃轉(zhuǎn)化溫度如表1所示。

表1常用合金的玻璃轉(zhuǎn)化溫度

其中，本發(fā)明的一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法的實(shí)施例1至10，所制得的熔接產(chǎn)品的結(jié)合拉拔力的測試數(shù)據(jù)如表2所示。

表2結(jié)合拉拔力測試數(shù)據(jù)對(duì)比表

最后應(yīng)當(dāng)說明的是，以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作了詳細(xì)地說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的實(shí)質(zhì)和范圍。