技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
公開(kāi)了一種包括靜電放電(ESD)保護(hù)電路的CMOS放大器(300)。在一個(gè)實(shí)施例中，該CMOS放大器可以包括PMOS晶體管(P1)、NMOS晶體管(N1)、主保護(hù)二極管(301)、以及一個(gè)或多個(gè)輔保護(hù)二極管(304)以限制CMOS放大器的端子之間的電壓差。在一些實(shí)施例中，輔保護(hù)二極管可以限制CMOS放大器的輸入端子與供電電壓之間、CMOS放大器的輸入端子與地面之間、以及CMOS放大器的輸入端子與輸出端子之間的電壓差。

技術(shù)研發(fā)人員：A·A·M·尤塞夫;P·S·S·古德姆;E·R·沃利;潘東玲;L-C·常
受保護(hù)的技術(shù)使用者：高通股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.01.27
技術(shù)公布日：2017.10.17