示例性實(shí)施例一般地涉及放大器，并且具體地涉及向互補(bǔ)金屬氧化物硅(cmos)放大器提供靜電放電保護(hù)。

背景技術(shù)：

無線通信系統(tǒng)中的無線設(shè)備(例如，蜂窩電話或智能電話)可以發(fā)射和接收數(shù)據(jù)用于雙向通信。無線設(shè)備可以包括用于數(shù)據(jù)發(fā)射的發(fā)射器和用于數(shù)據(jù)接收的接收器。對于數(shù)據(jù)發(fā)射，發(fā)射器可以利用數(shù)據(jù)來調(diào)制射頻(rf)載波信號以生成經(jīng)調(diào)制的rf信號，放大經(jīng)調(diào)制的rf信號以生成具有恰當(dāng)輸出功率電平的發(fā)射rf信號，并且經(jīng)由天線將發(fā)射rf信號發(fā)射到另一設(shè)備，諸如，例如基站。對于數(shù)據(jù)接收，接收器可以經(jīng)由天線獲得所接收的rf信號，并且可以放大和處理所接收的rf信號以恢復(fù)由另一設(shè)備發(fā)送的數(shù)據(jù)。

無線設(shè)備可以包括一個(gè)或多個(gè)放大器來處理模擬信號。例如，一些放大器可以提供用于相對低幅度的信號的處理增益(例如，電壓和/或電流增益)、用于相對敏感的信號的隔離、用于將信號驅(qū)動到傳輸線中的增加的電流、以及用于通過通信介質(zhì)發(fā)射信號的信號放大。

一些放大器可能被暴露于允許相對高的電壓不合意地耦合到放大器的一個(gè)或多個(gè)端子的環(huán)境。例如，靜電放電(esd)事件可能將相對高的電壓暴露于放大器。如果未被保護(hù)，則放大器可能被相對高的電壓損壞。例如，高電壓可能引起pn結(jié)失效或氧化物失效并且由此損壞放大器中包括的一個(gè)或多個(gè)晶體管。此外，隨著放大器內(nèi)設(shè)備的設(shè)備幾何結(jié)構(gòu)(例如，特征尺寸)縮小，放大器內(nèi)的設(shè)備變得易于在較低電壓下?lián)p壞。例如，與金屬氧化物半導(dǎo)體(mos)晶體管相關(guān)聯(lián)的破裂(rapture)電壓(例如，損壞pn結(jié)所需的電壓)可能隨著特征尺寸減小而減小。

因此，需要改進(jìn)用于放大器的esd保護(hù)。

附圖說明

示例性實(shí)施例通過示例的方式被說明并且不意圖被附圖中的圖所限制。貫穿附圖和說明書，相似的數(shù)字參考相似的元件。

圖1示出了根據(jù)一些示例性實(shí)施例的與無線通信系統(tǒng)進(jìn)行通信的無線設(shè)備。

圖2示出了圖1中的無線設(shè)備的示例性設(shè)計(jì)的框圖。

圖3描繪了根據(jù)一些實(shí)施例的cmos放大器的示例性實(shí)施例。

圖4描繪了根據(jù)一些實(shí)施例的cmos放大器的另一示例性實(shí)施例。

圖5示出了說明性流程圖，其描繪了根據(jù)一些實(shí)施例的用于保護(hù)cmos放大器的示例性操作。

具體實(shí)施方式

在以下描述中，闡述了許多具體細(xì)節(jié)，諸如具體組件、電路和過程的示例，以提供本公開的透徹理解。如本文使用的術(shù)語“耦合”意指直接耦合或通過一個(gè)或多個(gè)中介組件或電路被耦合。此外，在以下描述中并且為了解釋的目的，具體命名法和/或細(xì)節(jié)被闡述以提供示例性實(shí)施例的透徹理解。然而，對本領(lǐng)域的技術(shù)人員將明顯的是，這些具體細(xì)節(jié)可能不被要求以實(shí)踐示例性實(shí)施例。在其他實(shí)例中，公知的電路和設(shè)備以框圖形式示出以避免使本公開模糊不清。在本文描述的各種總線上提供的信號中的任何信號可以與其他信號時(shí)間復(fù)用并且在一個(gè)或多個(gè)共用總線上被提供。另外，電路元件或軟件塊之間的互連可以被示出為總線或單一信號線路。這些總線中的每個(gè)總線可以替換地是單一信號線路，并且這些單一信號線路中的每個(gè)單一信號線路可以替換地是總線，并且單一線路或總線可以表示用于組件之間的通信的大量物理或邏輯機(jī)制中的任何一個(gè)或多個(gè)。示例性實(shí)施例將不解釋為限于本文描述的具體示例，而是在它們的范圍內(nèi)包括由所附權(quán)利要求限定的所有實(shí)施例。

另外，下文關(guān)于附圖闡述的詳細(xì)描述意圖作為本公開的示例性實(shí)施例的描述，并且不意圖為表示本公開可以被實(shí)踐在其中的僅有實(shí)施例。貫穿這一描述使用的術(shù)語“示例性”意指“用作示例、實(shí)例或例證”，并且不應(yīng)當(dāng)必然被解釋為相對于其他實(shí)施例是優(yōu)選的或有利的。

圖1示出了根據(jù)一些示例性實(shí)施例的與無線通信系統(tǒng)120進(jìn)行通信的無線設(shè)備110。無線通信系統(tǒng)120可以是長期演進(jìn)(lte)系統(tǒng)、碼分多址(cdma)系統(tǒng)、全球移動通信系統(tǒng)(gsm)系統(tǒng)、無線局域網(wǎng)(wlan)系統(tǒng)、或某種其他無線系統(tǒng)。cdma系統(tǒng)可以實(shí)施寬帶cdma(wcdma)、cdma1x、演進(jìn)數(shù)據(jù)優(yōu)化(evdo)、時(shí)分同步cdma(td-scdma)、或某種其他版本的cdma。對了簡單，圖1示出了包括兩個(gè)基站130和132以及一個(gè)系統(tǒng)控制器140的無線通信系統(tǒng)120。一般而言，無線系統(tǒng)可以包括任何數(shù)目的基站和任何集合的網(wǎng)絡(luò)實(shí)體。

無線設(shè)備110也可以稱為用戶設(shè)備(ue)、移動站、終端、接入終端、訂戶單元、站，等等。無線設(shè)備110可以是蜂窩電話、智能電話、平板、無線調(diào)制解調(diào)器、個(gè)人數(shù)字助理(pda)、手持設(shè)備、膝上型計(jì)算機(jī)、智能本、上網(wǎng)本、無繩電話、無線本地環(huán)路(wll)站、藍(lán)牙設(shè)備，等等。無線設(shè)備110可以與無線通信系統(tǒng)120通信。無線設(shè)備110還可以接收來自廣播站(例如，廣播站134)的信號、來自一個(gè)或多個(gè)全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)(gnss)中的衛(wèi)星(例如，衛(wèi)星150)的信號，等等。無線設(shè)備110可以支持用于無線通信的一種或多種無線電技術(shù)，諸如lte、wcdma、cdma1x、evdo、td-scdma、gsm、802.11，等等。

圖2示出了圖1中的無線設(shè)備110的示例性設(shè)計(jì)的框圖。在這一示例性設(shè)計(jì)中，無線設(shè)備110包括耦合到主天線210的主收發(fā)器220、耦合到次天線212的次收發(fā)器222、以及數(shù)據(jù)處理器/控制器280。主收發(fā)器220包括一個(gè)數(shù)目(k個(gè))的接收器230pa至230pk以及一個(gè)數(shù)目(k個(gè))的發(fā)射器250pa至250pk以支持多個(gè)頻帶、多種無線電技術(shù)、載波聚合，等等。次收發(fā)器222包括一個(gè)數(shù)目(l個(gè))的接收器230sa至230sl以及一個(gè)數(shù)目(l個(gè))的發(fā)射器250sa至250sl以支持多個(gè)頻帶、多種無線電技術(shù)、載波聚合，接收分集、從多個(gè)發(fā)射天線到多個(gè)接收天線的多輸入多輸出(mimo)傳輸，等等。

在圖2中示出的示例性設(shè)計(jì)中，每個(gè)接收器230(例如，230pa-230pk和230sa-230sl)包括低噪聲放大器(lna)240(例如，240pa-240pk和240sa-240sl)和接收電路242(例如，242pa-242pk和242sa-242sl)。對于數(shù)據(jù)接收，主天線210從基站和/或其他發(fā)射器站接收信號并且提供所接收的射頻(rf)信號，其通過天線接口電路224a被路由并且作為輸入rf信號被呈送給所選擇的接收器。天線接口電路224a可以包括開關(guān)、雙工器、發(fā)射濾波器、接收濾波器、匹配電路，等等。在一些實(shí)施例中，天線接口電路224b(以點(diǎn)狀線示出)可以在主收發(fā)器220之外。因此，lna240和/或功率放大器(pa)254可以具有從主收發(fā)器220外部可訪問的輸入和輸出。下文的描述假設(shè)接收器230pa是所選擇的接收器。在接收器230pa內(nèi)，lna240pa放大該輸入rf信號并且提供輸出rf信號。接收電路242pa將輸出rf信號從rf下變頻到基帶，對經(jīng)下變頻的信號進(jìn)行放大和濾波，并且向數(shù)據(jù)處理器/控制器280提供模擬輸入信號。接收電路242pa可以包括混頻器、濾波器、放大器、匹配電路、振蕩器、本地振蕩器(lo)生成器、鎖相環(huán)(pll)，等等。主收發(fā)器220中的每個(gè)剩余的接收器230可以按照與接收器230pa類似的方式操作。次收發(fā)器222內(nèi)的接收器230和相關(guān)聯(lián)的天線接口電路226a(或226b)可以按照與接收器230pa類似的方式操作。

在圖2中示出的示例性設(shè)計(jì)中，每個(gè)發(fā)射器250(例如，250pa-250pk和250sa-250sl)包括發(fā)射電路252(例如，252pa-252pk和252sa-252sl)和功率放大器(pa)254(例如，254pa-254pk和254sa-254sl)。對于數(shù)據(jù)發(fā)射，數(shù)據(jù)處理器/控制器280處理(例如，編碼和調(diào)制)將被發(fā)射的數(shù)據(jù)并且將模擬輸出信號提供給所選擇的發(fā)射器。下文的描述假設(shè)發(fā)射器250pa是所選擇的發(fā)射器。在發(fā)射器250pa內(nèi)，發(fā)射電路252pa對模擬輸出信號進(jìn)行放大、濾波和從基帶上變頻到rf并且提供經(jīng)調(diào)制的rf信號。發(fā)射電路252pa可以包括放大器、濾波器、混頻器、匹配電路、振蕩器、lo生成器、pll，等等。pa254pa接收和放大經(jīng)調(diào)制的rf信號并且提供具有恰當(dāng)輸出功率電平的發(fā)射rf信號。發(fā)射rf信號通過天線接口電路224a(或天線接口電路224b)被路由并且經(jīng)由主天線210被發(fā)射。主收發(fā)器220中的每個(gè)剩余的發(fā)射器250可以按照與發(fā)射器250pa類似的方式操作。次收發(fā)器222內(nèi)的發(fā)射器250和相關(guān)聯(lián)的天線接口電路226a(或226b)可以按照與接收器230pa類似的方式操作。

每個(gè)接收器230和發(fā)射器250還可以包括圖2中未示出的其他電路，諸如濾波器、匹配電路，等等。收發(fā)器220和222的全部或部分可以被實(shí)施在一個(gè)或多個(gè)模擬集成電路(ic)、rfic(rfic)、混合信號ic等上。例如，如下文描述的，收發(fā)器220和222內(nèi)的lna240和接收電路242可以被實(shí)施在多個(gè)ic芯片上。收發(fā)器220和222中的電路也可以按照其他方式被實(shí)施。

數(shù)據(jù)處理器/控制器280可以執(zhí)行用于無線設(shè)備110的各種功能。例如，數(shù)據(jù)處理器/控制器280可以執(zhí)行針對經(jīng)由接收器230被接收的數(shù)據(jù)和經(jīng)由發(fā)射器250被發(fā)射的數(shù)據(jù)的處理。數(shù)據(jù)處理器/控制器280可以控制收發(fā)器220和222內(nèi)的各種電路的操作。存儲器282可以存儲用于數(shù)據(jù)處理器/控制器280的程序代碼和數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)處理器/控制器280可以被實(shí)施在一個(gè)或多個(gè)專用集成電路(asic)和/或其他ic上。

圖3描繪了根據(jù)一些實(shí)施例的cmos放大器300的示例性實(shí)施例。在一些實(shí)施例中，cmos放大器300可以被包括在如上文描述的lna240、接收電路242、pa254、和/或發(fā)射電路252內(nèi)。cmos放大器300可以放大無線設(shè)備110內(nèi)的信號，諸如可以被發(fā)射和/或接收的經(jīng)調(diào)制的rf信號。如所示出的，cmos放大器300包括晶體管p1、晶體管n1、第一退化電感器310、第二退化電感器311、包括保護(hù)二極管302-303的主保護(hù)電路301、包括保護(hù)二極管320-324的輔保護(hù)電路304、以及供電鉗位器(supplyclamp)305。在一些實(shí)施例中，晶體管p1可以是pmos晶體管并且晶體管n1可以是nmos晶體管。cmos放大器300還可以包括輸入端子340和輸出端子341。

晶體管p1和晶體管n1可以耦合在一起以形成用于cmos放大器300的反相放大器。例如，晶體管p1的柵極端子可以耦合到晶體管n1的柵極端子，并且可以形成用于反相放大器的輸入端子(以及用于cmos放大器300的輸入端子340)。晶體管p1的源極端子可以耦合到供電電壓，諸如vdd。晶體管n1的源極端子可以耦合到地面。晶體管p1的漏極端子可以耦合到晶體管n1的漏極端子并且可以形成用于反相放大器的輸出端子(以及用于cmos放大器300的輸出端子341)。

在一些實(shí)施例中，退化電感器310和311可以耦合到晶體管p1和晶體管n1以(除了其他事物之外還)減小cmos放大器300對晶體管p1和/或晶體管n1的絕對增益的依賴性。例如，由晶體管p1和/或晶體管n1提供的絕對增益可以被退化電感器310和311減小，作為交換而提供用于cmos放大器300的更加可預(yù)測(即使較低)的增益。在一些其他實(shí)施例中，退化電感器310和311可以改進(jìn)與cmos放大器300相關(guān)聯(lián)的線性度。因此，可以使得由cmos放大器300提供的輸出信號與由退化電感器310和/或退化電感器311提供給cmos放大器的輸入信號更加成比例。在一些實(shí)施例中，第一退化電感器310可以將晶體管p1的源極端子耦合到供電電壓，并且第二退化電感器311可以將晶體管n1的源極端子耦合到地面。

cmos放大器300可以由主保護(hù)電路301、供電鉗位器305和輔保護(hù)電路304保護(hù)而免于一些esd事件。esd事件可能發(fā)生在靜電通過cmos放大器300的一個(gè)或多個(gè)端子被接收時(shí)。與esd事件相關(guān)聯(lián)的電壓可能足以損壞晶體管p1和/或晶體管n1。在一些實(shí)施例(例如，使用納米cmos技術(shù)實(shí)現(xiàn)的晶體管)中，低至五伏的電壓可能足以損壞晶體管(例如，晶體管p1和/或晶體管n1)。與esd事件相關(guān)聯(lián)的電壓可能是125伏或更高。主保護(hù)電路301、供電鉗位器305和輔保護(hù)電路304可以防止晶體管p1和/或晶體管n1暴露于與esd事件有關(guān)的高電壓。

主保護(hù)電路301可以在相對高的電壓通過地面(例如，經(jīng)由接地端子，為了簡單未示出)或通過輸入端子340被接收時(shí)提供放電路徑。主保護(hù)電路301可以包括保護(hù)二極管302和保護(hù)二極管303。在一些實(shí)施例中，接收到高電壓可以被稱為電容性放電模型(cdm)事件。例如，當(dāng)所接收的高電壓關(guān)于地面為正時(shí)，那么高電壓可以被稱為負(fù)cdm事件。以類似的方式，當(dāng)所接收的高電壓關(guān)于地面為負(fù)時(shí)，那么高電壓可以被稱為正cdm事件。

在一個(gè)實(shí)施例中，如果在輸入端子340處接收到高的正電壓(例如，負(fù)cdm事件)，那么保護(hù)二極管303可以操作(例如，被正向偏置)并且將高的正電壓從輸入端子340傳導(dǎo)去往供電電壓端子(例如，vdd)、通過供電鉗位器305、并且去往地面。在一些實(shí)施例中，電壓供電端子可以是浮置的并且可以不提供放電電流路徑。供電鉗位器305的操作在下文更詳細(xì)地描述。因此，當(dāng)在輸入端子340處接收的電壓大于或等于與保護(hù)二極管303相關(guān)聯(lián)的正向電壓時(shí)，那么保護(hù)二極管303可以將輸入端子340處的電壓傳導(dǎo)到地面。在另一實(shí)施例中，如果在輸入端子340處接收到高的負(fù)電壓(例如，正cdm事件)，那么保護(hù)二極管302可以操作并且通過輸入端子340傳導(dǎo)高的負(fù)電壓。在一些實(shí)施例中，與保護(hù)二極管302和/或保護(hù)二極管303相關(guān)聯(lián)的正向電壓可以操作為用于由主保護(hù)電路301提供的放電路徑的閾值電壓。當(dāng)電壓超過該閾值電壓時(shí)，保護(hù)二極管302和/或保護(hù)二極管303可以提供放電路徑。例如，如果在接地端子處接收到高的正電壓(例如，正cdm事件)，那么保護(hù)二極管302可以操作并且通過輸入端子340傳導(dǎo)高電壓。在這種情況下，接地端子處的電壓可以大于與保護(hù)二極管302相關(guān)聯(lián)的正向電壓。

供電鉗位器305可以操作為鉗位電路并且在相對高的電壓在供電電壓端子處被接收時(shí)提供放電路徑。在一些實(shí)施例中，供電鉗位器305可以包括晶體管，諸如nmos晶體管(為了簡單未示出)，其被配置為在電源端子處的電壓超過閾值電壓時(shí)傳導(dǎo)(例如，接通)。例如，供電鉗位器305可以感測供電電壓端子處的電壓電平。當(dāng)該電壓電平超過閾值電壓時(shí)，供電鉗位器305可以接通并且將來自供電電壓端子的電壓傳導(dǎo)到接地端子。在一些實(shí)施例中，在正常操作條件下，閾值電壓可以足夠高以允許正常的操作，但是足夠低以防止由相對高的電壓不合意施加到cmos放大器300所產(chǎn)生的晶體管損壞。例如，如果cmos放大器300的正常操作電壓是3.3伏，那么供電鉗位器305可以被配置為在供電電壓端子處的電壓達(dá)到或超過4伏時(shí)接通。

輔保護(hù)電路304可以保護(hù)晶體管p1和晶體管n1的所選擇的結(jié)而免于由esd事件所致的相對高的電壓電平。在一些實(shí)施例中，輔保護(hù)電路304在結(jié)合主保護(hù)電路301和供電鉗位器305一起被使用時(shí)可以供給附加的esd保護(hù)。在一些實(shí)施例中，附加的esd保護(hù)可以改進(jìn)具有一個(gè)或多個(gè)寄生電感器和/或電阻器的電路中的esd性能。輔保護(hù)電路304可以包括保護(hù)二極管320-324。在一個(gè)實(shí)施例中，保護(hù)二極管320可以通過限制晶體管p1的柵極端子與源極端子之間的電壓差來保護(hù)晶體管p1。例如，保護(hù)二極管320可以限制晶體管p1的源極端子與柵極端子之間的電壓差不大于與保護(hù)二極管320相關(guān)聯(lián)的正向電壓。因此，如果在輸入端子340處接收到來自esd事件的高的正電壓(例如，當(dāng)輸入端子340處的電壓處于比供電電壓端子高的電壓電勢時(shí)的負(fù)cdm事件)，那么保護(hù)二極管320可以確保晶體管p1的柵極端子與源極端子之間的電壓差被限制于與保護(hù)二極管320相關(guān)聯(lián)的正向電壓。以這種方式，保護(hù)二極管320可以保護(hù)晶體管p1的柵/源結(jié)。

在一個(gè)實(shí)施例中，保護(hù)二極管321-323可以通過限制晶體管p1和晶體管n1的柵極端子與共同耦合的漏極端子之間的電壓差來保護(hù)晶體管p1和/或晶體管n1。如果在輸入端子340處接收到高的正電壓(例如，當(dāng)輸出端子341處于比輸入端子340低的電壓電勢時(shí)的負(fù)cdm事件)，那么保護(hù)二極管323可以限制晶體管p1和晶體管n1的柵極端子與晶體管p1和晶體管n1的漏極端子之間的電壓差。因此，如果在輸入端子340處接收到來自esd事件的高的正電壓，那么保護(hù)二極管323可以確保晶體管p1和晶體管n1的柵極端子與漏極端子之間的電壓差被限制于與保護(hù)二極管323相關(guān)聯(lián)的正向電壓。在一些實(shí)施例中，保護(hù)二極管323可以確保晶體管n1的柵極端子與源極端子之間的電壓差可以被限制于與保護(hù)二極管323相關(guān)聯(lián)的正向電壓。

以類似的方式，保護(hù)二極管321-322還可以保護(hù)晶體管p1和/或晶體管n1。例如，如果在輸出端子341處接收到高的負(fù)電壓(例如，當(dāng)輸出端子341處于比輸入端子340高的電壓電勢時(shí)的正cdm事件)，那么保護(hù)二極管321-322可以限制晶體管p1和晶體管n1的柵極端子與晶體管p1和晶體管n1的共同耦合的漏極端子之間的電壓差。在一些實(shí)施例中，如所示出的，保護(hù)二極管321-322可以串聯(lián)地耦合在輸入端子340與輸出端子341之間。因此，輸出端子341與輸入端子340之間電壓差可以被限制于基于與保護(hù)二極管321相關(guān)聯(lián)的正向電壓和與保護(hù)二極管322相關(guān)聯(lián)的正向電壓的電壓和。以這種方式，保護(hù)二極管321-323可以保護(hù)晶體管p1和晶體管n1的柵極/漏極結(jié)。在其他實(shí)施例中，保護(hù)二極管321-323可以保護(hù)晶體管p1的柵/源結(jié)。在一些實(shí)施例中，輸入端子340可以耦合到晶體管p1和晶體管n1的柵極端子。類似地，輸出端子341可以耦合到晶體管p1和晶體管n1的漏極端子。因此，保護(hù)二極管321-323還可以限制輸入端子340與輸出端子341之間的電壓差。

在一些實(shí)施例中，保護(hù)二極管324可以通過限制晶體管n1的柵極端子與源極端子之間的電壓差來保護(hù)晶體管n1。例如，通過限制晶體管n1的柵極端子與源極端子之間的電壓差不大于與保護(hù)二極管324相關(guān)聯(lián)的正向電壓，保護(hù)二極管324可以保護(hù)晶體管n1。因此，如果通過接地端子接收到來自esd事件的高的正電壓(例如，正cdm事件)，那么保護(hù)二極管324可以確保晶體管n1的柵極端子與源極端子之間的電壓差被限制于與保護(hù)二極管324相關(guān)聯(lián)的正向電壓。以這種方式，保護(hù)二極管324可以保護(hù)晶體管n1的柵/源結(jié)。

在一些實(shí)施例中，輔二極管304還可以保護(hù)晶體管p1和晶體管n1免于可能跨cmos放大器300內(nèi)可能包括的寄生電感器而被感生的電壓。例如，cmos放大器300可能包括寄生電感器360。盡管僅一個(gè)寄生電感器360被示出，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將認(rèn)識到cmos放大器300的其他電路支路內(nèi)可以包括另外的寄生電感器。如果與esd事件相關(guān)聯(lián)的相對大的電壓耦合到輸入端子340，那么相對大的電壓可能響應(yīng)于由esd事件產(chǎn)生的電流流動的迅速改變而跨寄生電感器360被感生。因?yàn)榕cesd事件相關(guān)聯(lián)的時(shí)間可能相當(dāng)小，所以跨寄生電感器的被感生的電壓可能為大(例如，)。在一些實(shí)施例中，跨寄生電感器360感生的電壓可能引起晶體管n1的柵極端子與源極端子之間以及晶體管p1的柵極端子與源極端子之間的潛在損壞性電壓。在一些情況下，輔二極管304可以限制晶體管p1和晶體管n1的端子之間的電壓(包括由cmos放大器300內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)寄生電感器引起的電壓)的幅度。

圖4描繪了根據(jù)一些實(shí)施例的cmos放大器400的另一示例性實(shí)施例。cmos放大器400可以類似于cmos放大器300，但是可以包括一個(gè)或多個(gè)附加元件。例如，cmos放大器400可以包括與cmos放大器300共同的晶體管p1、晶體管n1、第一退化電感器310、第二退化電感器311、主保護(hù)電路301、輔保護(hù)電路304、以及供電鉗位器305。另外，cmos放大器400可以包括與一個(gè)或多個(gè)保護(hù)二極管串聯(lián)的一個(gè)或多個(gè)電阻器402-404。在一個(gè)實(shí)施例中，電阻器402可以與保護(hù)二極管320串聯(lián)耦合，電阻器403可以與保護(hù)二極管323串聯(lián)耦合，并且電阻器404可以與保護(hù)二極管324串聯(lián)耦合。在一些實(shí)施例中，其他數(shù)目的電阻器可以與保護(hù)二極管320-324和/或保護(hù)二極管302和303一起被包括。例如，電阻器可以與保護(hù)二極管321串聯(lián)耦合，和/或第二電阻器可以與電阻器402-404之一耦合(為了簡單未示出)。在更其他的實(shí)施例中，電阻器402-404中的一個(gè)或多個(gè)可以被省略。

電阻器402-404可以結(jié)合相關(guān)聯(lián)的保護(hù)二極管而使得附加電壓能夠被耗散。例如，保護(hù)二極管320和電阻器402可以將晶體管p1的柵極端子與源極端子之間的電壓差限制于與保護(hù)二極管320相關(guān)聯(lián)的正向電壓和跨電阻器402的相關(guān)聯(lián)的電壓。以類似的方式，電阻器403和保護(hù)二極管323可以限制晶體管p1和晶體管n1的柵極端子與漏極端子之間的電壓差，并且電阻器404和保護(hù)二極管324可以限制n1晶體管的源極端子與柵極端子之間的電壓差。在一些實(shí)施例中，用于電阻器402-404的電阻值的范圍可以是從1至5歐姆，但是可以使用其他適合的電阻值。

圖5示出了說明性流程圖，其描繪了根據(jù)一些實(shí)施例的用于保護(hù)cmos放大器的示例性操作500。一些實(shí)施例可以利用附加的操作、較少的操作、按不同順序的操作、并行的操作、和/或不同地利用一些操作來執(zhí)行本文描述的操作。還參考圖2和圖3，第一保護(hù)二極管被耦合在cmos放大器300的pmos晶體管p1的柵極端子與源極端子之間(502)。在一些實(shí)施例中，第一保護(hù)二極管可以包括保護(hù)二極管320(參見圖3)。接著，晶體管p1的柵極端子與源極端子之間的電壓差被限制(504)。在一些實(shí)施例中，該電壓差可以被限制于與第一保護(hù)二極管相關(guān)聯(lián)的正向電壓。在其他實(shí)施例中，例如，當(dāng)晶體管p1的柵極端子耦合到cmos放大器300的輸入端子、并且晶體管p1的源極端子耦合到供電電壓時(shí)，第一保護(hù)二極管可以限制cmos放大器300的輸入與供電電壓之間的電壓差。在一些實(shí)施例中，退化電感器310可以被耦合在晶體管p1的源極端子與供電電壓之間。退化電感器310可以減小cmos放大器300對晶體管p1的絕對增益的依賴性。

接著，第二保護(hù)二極管被耦合在晶體管p1的柵極端子與漏極端子之間(506)。在一些實(shí)施例中，第二保護(hù)二極管可以包括保護(hù)二極管323(參見圖3)。在其他實(shí)施例中，第二保護(hù)二極管可以包括保護(hù)二極管321和322。在更其他的實(shí)施例中，第二保護(hù)二極管可以包括保護(hù)二極管321-323。接著，晶體管p1的柵極端子與漏極端子之間的電壓差被限制(508)。

在一些實(shí)施例中，cmos放大器300的輸入端子與輸出端子之間的電壓差也可以被限制。例如，當(dāng)cmos放大器300的輸入端子340耦合到晶體管p1的柵極端子、并且cmos放大器300的輸出端子341耦合到晶體管p1的漏極端子時(shí)，那么cmos放大器300的輸入端子340與輸出端子341之間的電壓差可以被限制。

接著，第三保護(hù)二極管被耦合在cmos放大器300的nmos晶體管n1的源極端子與柵極端子之間(510)。在一個(gè)實(shí)施例中，第三保護(hù)二極管可以包括保護(hù)二極管324。接著，晶體管n1的源極端子與柵極端子之間的電壓差被限制(512)。在一些實(shí)施例中，該電壓差可以被限制于與第三保護(hù)二極管相關(guān)聯(lián)的正向電壓。在其他實(shí)施例中，例如，當(dāng)晶體管n1的柵極端子耦合到輸入端子340、并且晶體管n1的源極端子耦合到地面時(shí)，第三保護(hù)二極管可以限制地面與cmos放大器300的輸入端子340之間的電壓差。在一些實(shí)施例中，退化電感器311可以被耦合在晶體管n1的源極端子與地面之間。退化電感器311可以減小cmos放大器300對晶體管n1的絕對增益的依賴性。

接著，輸出信號由cmos放大器300基于輸入信號來生成(514)。例如，輸入信號可以在cmos放大器300的輸入端子340處被接收。輸入信號可以由晶體管p1和/或晶體管n1放大。晶體管p1和/或晶體管n1可以經(jīng)由輸出端子341生成用于cmos放大器300的輸出信號。

關(guān)于本文公開的實(shí)施例所描述的各種說明性邏輯塊、模塊和電路可以利用被設(shè)計(jì)為執(zhí)行本文描述的功能的以下各項(xiàng)而被實(shí)施或執(zhí)行：通用處理器、數(shù)字信號處理器(dsp)、專用集成電路(asic)、現(xiàn)場可編程門陣列(fpga)或其他可編程邏輯器件、離散門或晶體管邏輯、分立硬件組件、或它們的任何組合。通用處理器可以是微處理器，但是在替換方式中，處理器可以是任何常規(guī)的處理器、控制器、微控制器、或狀態(tài)機(jī)。處理器還可以被實(shí)施為計(jì)算設(shè)備的組合，例如，dsp和微處理器的組合、多個(gè)微處理器、一個(gè)或多個(gè)微處理器結(jié)合dsp核心、或任何其他這樣的配置。

在一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施例中，所描述的功能可以被實(shí)施在硬件、軟件、固件、或者它們的任何組合中。如果被實(shí)施在軟件中，則功能可以作為計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上的一個(gè)或多個(gè)指令或代碼被存儲或被傳輸。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)包括計(jì)算機(jī)存儲介質(zhì)和通信介質(zhì)兩者，通信介質(zhì)包括促進(jìn)計(jì)算機(jī)程序從一個(gè)地方傳送到另一地方的任何介質(zhì)。存儲介質(zhì)可以是能夠由計(jì)算機(jī)訪問的任何可用介質(zhì)。通過示例而非限制的方式，這樣的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可以包括ram、rom、eeprom、cd-rom或其他光盤存儲裝置、磁盤存儲裝置或其他磁存儲設(shè)備、或者可以被用來以指令或數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的形式承載或存儲期望的程序代碼并且可以由計(jì)算機(jī)訪問的任何其他介質(zhì)。此外，任何連接恰當(dāng)?shù)乇环Q為計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)。例如，如果軟件使用同軸電纜、光纖電纜、雙絞線、數(shù)字訂戶線路(dsl)、或無線技術(shù)(諸如紅外、無線電和微波)從網(wǎng)站、服務(wù)器或其他遠(yuǎn)程源被傳輸，則同軸電纜、光纖電纜、雙絞線、dsl、或無線技術(shù)(諸如紅外、無線電和微波)被包括在介質(zhì)的定義中。如本文使用的盤和碟包括緊致碟(cd)、激光碟、光碟、數(shù)字多功能碟(dvd)、軟盤和藍(lán)光碟，其中盤通常磁性地再現(xiàn)數(shù)據(jù)，而碟利用激光而光學(xué)地再現(xiàn)數(shù)據(jù)。上面的組合也應(yīng)當(dāng)被包括在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的范圍之內(nèi)。

在前述說明書中，示例性實(shí)施例已經(jīng)參考它們的具體示例性實(shí)施例被描述。然而，將明顯的是，各種修改和改變可以對其作出而不偏離所附權(quán)利要求中闡述的本公開的較寬范圍。說明書和附圖因此將在說明性意義而不是限制性意義上來看待。