本發(fā)明涉及由設(shè)于壓電基板上的電極激振聲表面波的聲表面波裝置。

背景技術(shù)：

過去，作為在通信設(shè)備等的rf(radiofrequency，射頻)電路中使用的帶通濾波器，使用聲表面波裝置。在便攜電話機等通信設(shè)備中，由于謀求小型化以及薄型化，因此朝著聲表面波裝置等的構(gòu)成部件的小型化以及薄型化不斷努力。在聲表面波裝置中，作為用于小型化以及薄型化的封裝結(jié)構(gòu)而提出wlp(waferlevelpackage，晶片級封裝)結(jié)構(gòu)(例如專利文獻1以及2)。

圖17以及圖18分別是表示專利文獻1以及2公開的具有wlp結(jié)構(gòu)的聲表面波裝置501以及502的截面圖。如圖17以及圖18所示那樣，聲表面波裝置501以及502分別具備設(shè)有idt(interdigitaltransducer，叉指式換能器)電極513以及514的壓電基板511以及512、支承構(gòu)件531以及532和覆蓋層521以及522。在聲表面波裝置501以及502中，分別由支承構(gòu)件531以及532和覆蓋層521以及522覆蓋形成有idt電極513以及514的區(qū)域，且為了不妨礙idt電極513以及514等的振動而在該idt電極的上方確保中空的空間。如以上那樣，在具有wlp結(jié)構(gòu)的聲表面波裝置中，通過將壓電基板利用為封裝的一部分來實現(xiàn)小型化。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：國際公開第2009/116222號

專利文獻2：jp特開2014-7727號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的課題

在專利文獻1公開的聲表面波裝置501中，如圖17所示那樣覆蓋層521層疊在支承構(gòu)件531。但由于覆蓋層521僅在支承構(gòu)件531的覆蓋層521側(cè)的端面與支承構(gòu)件531接合，因此覆蓋層521與支承構(gòu)件531的接合強度不充分。即，封裝結(jié)構(gòu)的強度不充分。

另一方面，在專利文獻2公開的聲表面波裝置502中，如圖18所示那樣，覆蓋層522在支承構(gòu)件532的覆蓋層522側(cè)的端面以及內(nèi)壁與支承構(gòu)件532接合。如此，由于覆蓋層522與支承構(gòu)件532的接合面積被做大，因此與專利文獻1公開的聲表面波裝置501相比，覆蓋層522與支承構(gòu)件532的接合強度更高。

但在專利文獻2公開的聲表面波裝置502中，通過加熱覆蓋層522使其下垂到支承構(gòu)件532的內(nèi)壁，來將覆蓋層522和支承構(gòu)件532的內(nèi)壁接合。在該情況下，有可能覆蓋層522會與idt電極514接觸。在覆蓋層522接觸到idt電極514的情況下，由于不能在idt電極514上確?？臻g，因此有在聲表面波裝置502中得不到所期望的特性的情況。

為此，本發(fā)明的目的在于，提供能確保idt電極上的空間且具有強度高的wlp結(jié)構(gòu)的聲表面波裝置。

用于解決課題的手段

為了達成上述目的，本發(fā)明的1個方式所涉及的聲表面波裝置具備：壓電基板，其在一方的主面設(shè)置激振聲表面波的電極；覆蓋層，其配置在與所述一方的主面對置的位置，覆蓋所述電極；支承構(gòu)件，其立設(shè)于所述一方的主面上的所述電極的周圍，在所述覆蓋層與所述電極分開的狀態(tài)下支承所述覆蓋層的所述壓電基板側(cè)的面；和接合構(gòu)件，其設(shè)于所述覆蓋層的所述壓電基板側(cè)的面，將所述覆蓋層和所述支承構(gòu)件接合，所述支承構(gòu)件中的所述覆蓋層側(cè)的端部的至少一部分存在于所述接合構(gòu)件內(nèi)，所述一方的主面所對應(yīng)的法線方向上的所述接合構(gòu)件的尺寸小于所述法線方向上的所述支承構(gòu)件的尺寸。

根據(jù)中這樣的構(gòu)成，由于能加大支承構(gòu)件與覆蓋層或接合構(gòu)件的接合面積，因此能強化支承構(gòu)件與覆蓋層的接合力。因此能實現(xiàn)強度高的具有wlp結(jié)構(gòu)的聲表面波裝置。另外，由于上述法線方向上的接合構(gòu)件的尺寸小于支承構(gòu)件的尺寸，因此即使支承構(gòu)件的覆蓋層側(cè)的端部到達覆蓋層的壓電基板側(cè)的面，接合構(gòu)件也不會與壓電基板相接。因此確保了電極的上方的空間。

另外也可以，構(gòu)成所述支承構(gòu)件的材料的楊氏模量為構(gòu)成所述覆蓋層的所述壓電基板側(cè)的面的材料的楊氏模量以下。

根據(jù)這樣的構(gòu)成，抑制了支承構(gòu)件陷埋到覆蓋層。因此抑制了覆蓋層的壓電基板側(cè)的面移動得比支承構(gòu)件的覆蓋層側(cè)的端面更靠壓電基板側(cè)。即，能維持覆蓋層與電極分開的狀態(tài)。由此確保了電極的上方的空間。

另外也可以，所述支承構(gòu)件在所述覆蓋層側(cè)的端部具有凸狀的形狀。

根據(jù)這樣的構(gòu)成，在制造聲表面波裝置時，能使支承構(gòu)件的覆蓋層側(cè)的端部容易地陷埋到接合構(gòu)件。

另外也可以，所述支承構(gòu)件與所述覆蓋層相接。

另外也可以，所述支承構(gòu)件不與所述覆蓋層相接。

另外也可以，所述接合構(gòu)件設(shè)置在所述覆蓋層的所述壓電基板側(cè)的面中的與所述電極對置的區(qū)域的周圍。

根據(jù)這樣的構(gòu)成，即使接合構(gòu)件的壓電基板側(cè)的端部因制造誤差等與壓電基板相接，也會確保電極的上方的空間。

另外也可以，所述接合構(gòu)件具備在所述法線方向上層疊的多個層。

根據(jù)這樣的構(gòu)成，能將層疊的至少一部分的層例如為了提高電極的上方的空間的液密性而利用。

另外，所述覆蓋層具備在所述法線方向上層疊的多個層。

根據(jù)這樣的構(gòu)成，能將層疊的至少一部分的層例如為了提高電極的上方的空間的液密性而利用。另外，還能將層疊的至少一部分的層為了印刷或刻印產(chǎn)品編號等而利用。

另外也可以，所述接合構(gòu)件由含環(huán)氧樹脂(epoxy)、聚氨酯、酚醛、聚酯、苯并環(huán)丁烯以及聚苯并噁唑的至少一種的材料構(gòu)成。

另外也可以，所述支承構(gòu)件由含聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、苯并環(huán)丁烯、聚苯并噁唑、金屬以及氧化硅的至少一種的材料構(gòu)成。

另外也可以，所述覆蓋層的所述壓電基板側(cè)的面由含聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、苯并環(huán)丁烯、聚苯并噁唑、硅、氧化硅、鉭酸鋰、鈮酸鋰的至少一種的材料構(gòu)成。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明，能提供能確保idt電極上的振動空間且具有強度充分的wlp結(jié)構(gòu)的聲表面波裝置。

附圖說明

圖1是實施方式1所涉及的聲表面波裝置的頂視圖。

圖2是實施方式1所涉及的聲表面波裝置的截面圖。

圖3是表示能分別構(gòu)成實施方式1所涉及的聲表面波裝置的覆蓋層以及支承構(gòu)件的材料的示例以及該材料的楊氏模量的表。

圖4是實施方式1的變形例1所涉及的聲表面波裝置的截面圖。

圖5是實施方式1的變形例2所涉及的聲表面波裝置的截面圖。

圖6是實施方式1的變形例3所涉及的聲表面波裝置的截面圖。

圖7a是實施方式1的變形例4的第1例所涉及的聲表面波裝置的截面圖。

圖7b是實施方式1的變形例4的第2例所涉及的聲表面波裝置的截面圖。

圖7c是實施方式1的變形例4的第3例所涉及的聲表面波裝置的截面圖。

圖7d是實施方式1的變形例4的第4例所涉及的聲表面波裝置的截面圖。

圖8是實施方式2所涉及的聲表面波裝置的頂視圖。

圖9是實施方式2所涉及的聲表面波裝置的截面圖。

圖10是實施方式2的變形例1所涉及的聲表面波裝置的截面圖。

圖11是實施方式2的變形例2所涉及的聲表面波裝置的截面圖。

圖12是實施方式2的變形例3所涉及的聲表面波裝置的截面圖。

圖13是實施方式2的變形例4所涉及的聲表面波裝置的截面圖。

圖14是實施方式2的變形例5所涉及的聲表面波裝置的截面圖。

圖15是實施方式2的變形例6所涉及的聲表面波裝置的截面圖。

圖16是實施方式2的變形例7所涉及的聲表面波裝置的截面圖。

圖17是專利文獻1公開的具有wlp結(jié)構(gòu)的聲表面波裝置的截面圖。

圖18是專利文獻2公開的具有wlp結(jié)構(gòu)的聲表面波裝置的截面圖。

具體實施方式

以下使用附圖來詳細說明本發(fā)明的實施方式。另外，以下說明的實施方式均表示總括或具體的示例。以下的實施方式所示的數(shù)值、形狀、材料、構(gòu)成要素、構(gòu)成要素的配置以及連接形態(tài)等都是一例，并非限定本發(fā)明的主旨。關(guān)于以下的實施方式在恒定構(gòu)成要素當中未記載于獨立權(quán)利要求的構(gòu)成要素，說明為任意的構(gòu)成要素。另外，附圖所示的構(gòu)成要素的大小或大小的比不一定準確。

(實施方式1)

[聲表面波裝置的整體構(gòu)成]

首先使用附圖來說明實施方式1所涉及的聲表面波裝置。

圖1是本實施方式所涉及的聲表面波裝置1a的頂視圖。

圖2是本實施方式所涉及的聲表面波裝置1a的截面圖。圖2表示圖1所示的ii-ii線的聲表面波裝置1a的截面。

如圖1以及圖2所示那樣，本實施方式所涉及的聲表面波裝置1a具備壓電基板10、電極部12、貫通導(dǎo)體16、焊料突起17、覆蓋層20、支承構(gòu)件30以及接合構(gòu)件40。

壓電基板10是在一方的主面設(shè)有激振聲表面波的idt電極13的基板。在本實施方式中，壓電基板10如圖1所示那樣，在頂視觀察下具有一邊為1mm程度的矩形的形狀，但壓電基板10的頂視觀察下的形狀并不限定于矩形，可以是任意的形狀。

壓電基板10是由例如鉭酸鋰(litao3)、鈮酸鋰(linbo3)、水晶等壓電單晶或壓電陶瓷構(gòu)成的基板。

電極部12是包含設(shè)于壓電基板10上的idt電極13以及與idt電極13連接的布線電極15(未圖示idt電極13與布線電極15的連接部)的層。

idt電極13是激振聲表面波的梳形電極。idt電極13例如由ti、al、cu、au、pt、ag、pd、ni等金屬或合金構(gòu)成。另外，idt電極13可以由上述的金屬或合金所構(gòu)成的多個層疊體構(gòu)成。

布線電極15是與idt電極13連接的電極，構(gòu)成將idt電極13和聲表面波裝置1a的外部的布線連接的布線路徑的一部分。布線電極15由與idt電極13同樣的材料構(gòu)成。

貫通導(dǎo)體16是經(jīng)由布線電極15與idt電極13連接的導(dǎo)電構(gòu)件，構(gòu)成將布線電極15和外部的布線連接的布線路徑的一部分。在貫通覆蓋層20、接合構(gòu)件40以及支承構(gòu)件30的孔填充導(dǎo)體來形成貫通導(dǎo)體16。貫通導(dǎo)體16由與idt電極13同樣的材料構(gòu)成。

焊料突起17是經(jīng)由貫通導(dǎo)體16以及布線電極15與idt電極13連接的外部端子。

電介質(zhì)膜14是覆蓋idt電極13以及布線電極15而形成的保護膜。另外，電介質(zhì)膜14也可以為了改善聲表面波裝置1a的特性而用。電介質(zhì)膜14覆蓋idt電極13以及布線電極15那樣設(shè)于壓電基板10上。電介質(zhì)膜14例如由氧化硅、氮化硅等電介質(zhì)構(gòu)成。

覆蓋層20配置在與壓電基板10的一方的主面對置的位置，是覆蓋形成有idt電極13的區(qū)域的層。如圖1以及圖2所示那樣，在本實施方式中，覆蓋層20在頂視觀察下具有與壓電基板10同樣的矩形的形狀，但覆蓋層20的頂視觀察下的形狀并不限定于矩形，可以是任意的形狀。另外，覆蓋層20以及壓電基板10的頂視觀察下的形狀也可以相互不同。另外，在本實施方式中，覆蓋層20例如由含聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene：bcb)、聚苯并噁唑(polybenzoxazole：pbo)、硅、氧化硅、litao3、linbo3的至少一種的材料構(gòu)成。

支承構(gòu)件30立設(shè)于壓電基板10的一方的主面上的idt電極13的周圍，是在覆蓋層20idt與電極13分開的狀態(tài)下支承覆蓋層20的壓電基板10側(cè)的面的構(gòu)件。如圖1所示那樣，在本實施方式中，支承構(gòu)件30在頂視觀察下具有矩形環(huán)狀的形狀，但支承構(gòu)件30的形狀并不限定于此。支承構(gòu)件30的形狀設(shè)置在idt電極13的周圍的至少一部分，只要是能支承覆蓋層20的形狀即可。另外，支承構(gòu)件30具有環(huán)狀的形狀，包圍idt電極13，由此能由支承構(gòu)件30以及覆蓋層20將idt電極13與覆蓋層20之間的空間液密地密封。即，能抑制水等液體浸入idt電極13上的空間。另外，在本實施方式中，構(gòu)成支承構(gòu)件30的材料的楊氏模量是構(gòu)成覆蓋層20的壓電基板10側(cè)的面的材料的楊氏模量以下。關(guān)于支承構(gòu)件30以及覆蓋層20的楊氏模量的關(guān)系，之后詳述。構(gòu)成支承構(gòu)件30的材料只要是具有上述的楊氏模量的材料即可，沒有特別限定。支承構(gòu)件30對應(yīng)于構(gòu)成覆蓋層20的壓電基板10側(cè)的面的材料，例如由含聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、bcb、pbo、金屬以及氧化硅的至少一種的材料構(gòu)成。

接合構(gòu)件40設(shè)于覆蓋層20的壓電基板10側(cè)的面，是將覆蓋層20和支承構(gòu)件30接合的構(gòu)件。構(gòu)成接合構(gòu)件40的材料并沒有特別限定，但期望構(gòu)成接合構(gòu)件40的材料的楊氏模量不足構(gòu)成支承構(gòu)件30的材料的楊氏模量。由此能使支承構(gòu)件30容易地陷埋在接合構(gòu)件40。接合構(gòu)件40例如由含環(huán)氧樹脂、聚氨酯、酚醛、聚酯、bcb以及pbo的至少一種的材料構(gòu)成。

如以上那樣，本實施方式所涉及的聲表面波裝置1a具有用壓電基板10、覆蓋層20、支承構(gòu)件30以及接合構(gòu)件40包圍idt電極13的上方的空間的wlp結(jié)構(gòu)。以下詳述本實施方式所涉及的聲表面波裝置1a的wlp結(jié)構(gòu)的構(gòu)成。

如圖2所示那樣，在本實施方式中，支承構(gòu)件30的覆蓋層20側(cè)的端部存在于接合構(gòu)件40內(nèi)。即，支承構(gòu)件30從接合構(gòu)件40的壓電基板10側(cè)的端部陷埋到接合構(gòu)件40。由此，支承構(gòu)件30不僅在覆蓋層20側(cè)的端面，在該端面的近旁的側(cè)面(與壓電基板10的主面所對應(yīng)的法線方向平行的面)也與接合構(gòu)件40相接。由此，與支承構(gòu)件30僅在覆蓋層20側(cè)的端面與接合構(gòu)件40相接的情況相比，支承構(gòu)件30與接合構(gòu)件40的接合面積變大。因此，支承構(gòu)件30與接合構(gòu)件40之間的接合力得以強化。另外，關(guān)于接合構(gòu)件40與覆蓋層20之間的接合，由于也能使接合構(gòu)件40與覆蓋層20之間的接合面積大于支承構(gòu)件30的覆蓋層20側(cè)端面的面積，因此能強化接合力。如以上那樣，由于能強化支承構(gòu)件30與接合構(gòu)件40之間的接合力以及接合構(gòu)件40與覆蓋層20之間的接合力，因此能實現(xiàn)強度高的wlp結(jié)構(gòu)。

另外，在本實施方式中，壓電基板10的設(shè)有idt電極13的主面所對應(yīng)的法線方向上的接合構(gòu)件40的尺寸(圖2所示的尺寸y)小于該法線方向上的支承構(gòu)件30的尺寸(圖2所示的尺寸x)。由此，就算支承構(gòu)件30的覆蓋層20側(cè)的端部進一步陷埋到接合構(gòu)件40而到達覆蓋層20的壓電基板10側(cè)的面，接合構(gòu)件40的壓電基板10側(cè)的端部也不會與壓電基板10相接。因此確保了idt電極13的上方的空間。

進而在本實施方式中，如圖1以及圖2所示那樣，接合構(gòu)件40設(shè)于覆蓋層20的壓電基板10側(cè)的面中與idt電極13對置的區(qū)域的周圍。由此，即使接合構(gòu)件40的壓電基板10側(cè)的端部因制造誤差等與壓電基板10相接，也會確保idt電極13的上方的空間。

另外，進而在本實施方式中，如上述那樣，構(gòu)成支承構(gòu)件30的材料的楊氏模量為構(gòu)成覆蓋層20的壓電基板10側(cè)的面的材料的楊氏模量以下。由此，就算支承構(gòu)件30的覆蓋層20側(cè)的端部貫通接合構(gòu)件40到達覆蓋層20，也能抑制支承構(gòu)件30陷埋到覆蓋層20。因此抑制了覆蓋層20的壓電基板10側(cè)的面比支承構(gòu)件30的覆蓋層20側(cè)的端面移動得更靠壓電基板10側(cè)。即，能維持覆蓋層20與idt電極13分開的狀態(tài)。由此確保了idt電極13的上方的空間。

用圖3來說明分別構(gòu)成滿足上述的楊氏模量的關(guān)系的覆蓋層20以及支承構(gòu)件30的材料的組合。

圖3是表示能分別構(gòu)成本實施方式所涉及的聲表面波裝置1a的覆蓋層20以及支承構(gòu)件30的材料的示例以及該材料的楊氏模量的表。

根據(jù)圖3所示的材料與楊氏模量的關(guān)系，例如在作為覆蓋層20而使用聚酰亞胺的情況下，作為支承構(gòu)件30，能使用具有聚酰亞胺的楊氏模量以下的楊氏模量的聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、bcb等。

[聲表面波裝置的制造方法]

接下來說明本實施方式所涉及的聲表面波裝置1a的制造方法的一例。

首先準備壓電基板10。在本實施方式中例如使用42°y切割litao3基板。

接下來在壓電基板10的一方的主面用光刻技術(shù)形成抗蝕劑圖案。在形成該抗蝕劑圖案的壓電基板10上成膜導(dǎo)電性膜后，除去抗蝕劑圖案，由此形成idt電極13以及布線電極15。在本實施方式中，例如作為idt電極13，從壓電基板10側(cè)成膜ti膜以及alcu膜，作為布線電極15，從壓電基板10側(cè)成膜ti膜以及a1膜。構(gòu)成idt電極13以及布線電極15的各膜例如能用蒸鍍法等成膜。

接下來，在壓電基板10上成膜電介質(zhì)膜14來覆蓋idt電極13以及布線電極15。在本實施方式中，例如作為電介質(zhì)膜14，用cvd(chemicalvapordeposition，化學氣相沉積)法等成膜氧化硅膜。

接下來，在壓電基板10的形成idt電極13等的一側(cè)的主面上的idt電極13的周圍形成支承構(gòu)件30。在本實施方式中，支承構(gòu)件30例如由環(huán)氧樹脂構(gòu)成。關(guān)于支承構(gòu)件30，例如在壓電基板10上成膜感光性環(huán)氧樹脂，用光刻法形成支承構(gòu)件30的圖案。支承構(gòu)件30的壓電基板10的主面所對應(yīng)的法線方向上的尺寸例如為10μm～20μm程度。另外，支承構(gòu)件30如圖2所示那樣形成于布線電極15上。

接下來，在支承構(gòu)件30上貼附由接合構(gòu)件40以及覆蓋層20這二層構(gòu)成的預(yù)先層疊的薄片狀的復(fù)合件。接合構(gòu)件40例如由環(huán)氧樹脂構(gòu)成，圖案形成為與支承構(gòu)件30對應(yīng)的圖案。接合構(gòu)件40的壓電基板10的主面所對應(yīng)的法線方向上的尺寸例如為5μm～15μm程度。另外，覆蓋層20例如由聚酰亞胺構(gòu)成，接合上述接合構(gòu)件40。覆蓋層20的厚度例如為10μm～30μm程度。

貼附在支承構(gòu)件30的接合構(gòu)件40以及覆蓋層20，在支承構(gòu)件30陷埋到接合構(gòu)件40的狀態(tài)被置于300℃上下的環(huán)境下，由此硬化。由此支承構(gòu)件30和覆蓋層20通過接合構(gòu)件40接合。另外，為了使支承構(gòu)件30充分陷埋到接合構(gòu)件40，也可以在上述硬化工序之前對覆蓋層20以及接合構(gòu)件40朝向壓電基板10施加壓力。

接下來說明貫通導(dǎo)體16以及焊料突起17的形成方法的概要。

首先在覆蓋層20和支承構(gòu)件30重疊的部分從覆蓋層20側(cè)照射激光。由此除去覆蓋層20以及支承構(gòu)件30的一部分，從而使布線電極15在覆蓋層20側(cè)露出。

接下來從覆蓋層20側(cè)成膜鍍覆供電層。鍍覆供電層從布線電極15側(cè)具有ti以及ni的層。接下來，用抗蝕劑圖案覆蓋上述的用激光除去的部分以外。

接下來進行ni電解鍍，使未被抗蝕劑圖案覆蓋的部分(即被上述的激光除去的部分)生長ni鍍覆膜。接下來直接進行au電解鍍，使ni鍍覆膜上生長au鍍覆膜。

接下來在除去抗蝕劑圖案后，通過蝕刻除去鍍覆供電膜。由此形成貫通導(dǎo)體16。

接下來通過絲網(wǎng)印刷在au鍍覆上同步焊料膏，通過回流焊工序形成焊料突起17。接下來進行助焊劑清洗。

能如以上那樣制造圖1以及圖2所示的聲表面波裝置1a。另外，通常聲表面波裝置1a在基板上形成多個，通過劃片切割而單片化。

(實施方式1的變形例1)

接下來使用附圖來說明實施方式1的變形例1所涉及的聲表面波裝置。

圖4是本變形例所涉及的聲表面波裝置1b的截面圖。

如圖4所示那樣，本變形例所涉及的聲表面波裝置1b在接合構(gòu)件40b以及支承構(gòu)件30b的構(gòu)成與上述實施方式1所涉及的聲表面波裝置1a相異，在其他構(gòu)成上一致。在本變形例所涉及的聲表面波裝置1b中，支承構(gòu)件30b貫通接合構(gòu)件40b與覆蓋層20相接。另外，在本說明書中，將支承構(gòu)件30b貫通接合構(gòu)件40b的構(gòu)成也定義為支承構(gòu)件30b「陷埋」到接合構(gòu)件40b的一個方式。

在本變形例所涉及的聲表面波裝置1b中，也與上述實施方式1所涉及的聲表面波裝置1a同樣，支承構(gòu)件30b在覆蓋層20側(cè)的端面的近旁的側(cè)面與接合構(gòu)件40b相接。另外，支承構(gòu)件30b的覆蓋層20側(cè)的端面與覆蓋層20相接。由此，支承構(gòu)件30b在覆蓋層20側(cè)的端面與覆蓋層20接合，且在該端面的近旁的側(cè)面隔著接合構(gòu)件40b與覆蓋層20接合。由此，與支承構(gòu)件30b僅在覆蓋層20側(cè)的端面與覆蓋層20相接的情況相比，支承構(gòu)件30b與覆蓋層20的接合力得以強化。因此能實現(xiàn)強度高的wlp結(jié)構(gòu)。

另外，在本變形例中，也與上述實施方式1同樣，壓電基板10的設(shè)有idt電極13的主面所對應(yīng)的法線方向上的接合構(gòu)件40b的尺寸小于該法線方向上的支承構(gòu)件30b的尺寸。由此如本變形例那樣，即使支承構(gòu)件30b的覆蓋層20側(cè)的端面與覆蓋層20的壓電基板10側(cè)的面相接，接合構(gòu)件40b的壓電基板10側(cè)的端部也不會與壓電基板10相接。因此確保了idt電極13的上方的空間。

另外，在本變形例中也與上述實施方式1同樣，構(gòu)成支承構(gòu)件30b的材料的楊氏模量為構(gòu)成覆蓋層20的壓電基板10側(cè)的面的材料的楊氏模量以下。由此在本變形例中也與上述實施方式1同樣，能維持覆蓋層20與idt電極13分開的狀態(tài)。由此確保了idt電極13的上方的空間。

(實施方式1的變形例2)

接下來使用附圖來說明實施方式1的變形例2所涉及的聲表面波裝置。

圖5是本變形例所涉及的聲表面波裝置1c的截面圖。

如圖5所示那樣，本變形例所涉及的聲表面波裝置1c在接合構(gòu)件40c以及支承構(gòu)件30c的構(gòu)成上與上述實施方式1所涉及的聲表面波裝置1a相異，在其他構(gòu)成上一致。在本變形例所涉及的聲表面波裝置1c中，支承構(gòu)件30c的覆蓋層20側(cè)的端面的至少一部分陷埋到接合構(gòu)件40c。另外，如圖5的左側(cè)所示的接合構(gòu)件40c與支承構(gòu)件30c的位置關(guān)系那樣，也將支承構(gòu)件30c的覆蓋層20側(cè)的端部的僅一部分陷埋到接合構(gòu)件40c的構(gòu)成定義為支承構(gòu)件30c「陷埋」到接合構(gòu)件40c的狀態(tài)的1個方式。

在本變形例所涉及的聲表面波裝置1c中，也與上述實施方式1所涉及的聲表面波裝置1a同樣，支承構(gòu)件30c在覆蓋層20側(cè)的端面的近旁的側(cè)面(與壓電基板10的主面的法線方向平行的面)與接合構(gòu)件40c相接。另外，支承構(gòu)件30c的覆蓋層20側(cè)的端面的至少一部分與接合構(gòu)件40c相接。由此，與支承構(gòu)件30c僅在覆蓋層20側(cè)的端面的一部分與接合構(gòu)件40c接合的情況相比，支承構(gòu)件30與接合構(gòu)件40c的接合力得以強化。另外，能使接合構(gòu)件40c與覆蓋層20之間的接合面積也大于支承構(gòu)件30的覆蓋層20側(cè)端面的面積。因此能實現(xiàn)強度高的wlp結(jié)構(gòu)。

另外，在本變形例中也與上述實施方式1同樣，壓電基板10的設(shè)有idt電極13的主面所對應(yīng)的法線方向上的接合構(gòu)件40c的尺寸，小于該法線方向上的支承構(gòu)件30c的尺寸。另外，構(gòu)成支承構(gòu)件30c的材料的楊氏模量為構(gòu)成覆蓋層20的壓電基板10側(cè)的面的材料的楊氏模量以下。由此在本變形例中也與上述實施方式1同樣，確保了idt電極13的上方的空間。

(實施方式1的變形例3)

接下來使用附圖來說明實施方式1的變形例3所涉及的聲表面波裝置。

圖6是本變形例所涉及的聲表面波裝置1d的截面圖。

如圖6所示那樣，本變形例所涉及的聲表面波裝置1d在支承構(gòu)件30d的構(gòu)成上與上述實施方式1所涉及的聲表面波裝置1a相異，在其他構(gòu)成上一致。在本變形例所涉及的聲表面波裝置1d中，支承構(gòu)件30d在覆蓋層20側(cè)的端部，朝向覆蓋層20地具有凸狀的曲面形狀。

在本變形例所涉及的聲表面波裝置1c中，也與上述實施方式1所涉及的聲表面波裝置1a同樣，支承構(gòu)件30d陷埋到接合構(gòu)件40d。由此與支承構(gòu)件30d僅在覆蓋層20側(cè)端與接合構(gòu)件40d接合的情況相比，支承構(gòu)件30d與接合構(gòu)件40d的接合力得以強化。另外，接合構(gòu)件40d與覆蓋層20之間的接合面積也能大于支承構(gòu)件30d的覆蓋層20側(cè)端的面積。因此能實現(xiàn)強度高的wlp結(jié)構(gòu)。進而，通過支承構(gòu)件30d具有上述形狀，在制造聲表面波裝置1d時，能使支承構(gòu)件30d的覆蓋層20側(cè)的端部容易地陷埋到接合構(gòu)件40d。

另外，在本變形例中也與上述實施方式1同樣，壓電基板10的設(shè)有idt電極13的主面所對應(yīng)的法線方向上的接合構(gòu)件40d的尺寸，小于該法線方向上的支承構(gòu)件30d的尺寸。另外，構(gòu)成支承構(gòu)件30d的材料的楊氏模量為構(gòu)成覆蓋層20的壓電基板10側(cè)的面的材料的楊氏模量以下、。由此在本變形例中也與上述實施方式1同樣，確保了idt電極13的上方的空間。

本變形例所涉及的支承構(gòu)件30d的形成方法并沒有特別限定。例如在用感光性樹脂形成支承構(gòu)件的情況下，通過使顯影時間長于通常，能形成在端部具有凸狀的曲面的支承構(gòu)件30d。另外，也可以通過在支承構(gòu)件的端部實施離子濺射等物理蝕刻來形成支承構(gòu)件30d。另外，也可以通過減小支承構(gòu)件的寬度(即圖6中左右方向的寬度)形成支承構(gòu)件來形成支承構(gòu)件30d。在該情況下，支承構(gòu)件30d的寬度對應(yīng)于構(gòu)成支承構(gòu)件30d的材料適宜決定。

(實施方式1的變形例4)

接下來使用附圖來說明實施方式1的變形例4所涉及的聲表面波裝置。

圖7a是本變形例的第1例所涉及的聲表面波裝置101a的截面圖。

圖7b是本變形例的第2例所涉及的聲表面波裝置101b的截面圖。

圖7c是本變形例的第3例所涉及的聲表面波裝置101c的截面圖。

圖7d是本變形例的第4例所涉及的聲表面波裝置101d的截面圖。

如圖7a～圖7d所示那樣，本變形例所涉及的聲表面波裝置101a～101d在支承構(gòu)件130a～130d以及接合構(gòu)件140a～140d具有錐形這一點上與上述實施方式1所涉及的聲表面波裝置1a相異，在其他構(gòu)成上一致。

在圖7a以及圖7b所示的支承構(gòu)件130a以及130b中，從壓電基板10側(cè)到覆蓋層20側(cè)，寬度(即圖7a以及圖7b中的左右方向的寬度)漸減。另一方面，在圖7c以及圖7d所示的支承構(gòu)件130c以及130d中，從壓電基板10側(cè)到覆蓋層20側(cè)寬度漸增。

在圖7a以及圖7d所示的接合構(gòu)件140a以及140d中，從壓電基板10側(cè)到覆蓋層20側(cè)寬度漸增。另一方面，在圖7b以及圖7c所示的接合構(gòu)件140b以及140c中，從壓電基板10側(cè)到覆蓋層20側(cè)寬度漸減。

在本變形例所涉及的聲表面波裝置101a～101d中，也與上述實施方式1所涉及的聲表面波裝置1a同樣，支承構(gòu)件130a～130d分別陷埋到接合構(gòu)件140a～140d。由此與支承構(gòu)件130a～130d分別僅在覆蓋層20側(cè)端與接合構(gòu)件140a～140d接合的情況相比，支承構(gòu)件130a～130d與接合構(gòu)件140a～140d的接合力得以強化。另外，能使接合構(gòu)件140a～140d與覆蓋層20之間的接合面積也大于支承構(gòu)件130a～130d的覆蓋層20側(cè)端的面積。因此能實現(xiàn)強度高的wlp結(jié)構(gòu)。

進而在本變形例的第1例以及第2例中，通過讓支承構(gòu)件130a以及130b具有上述形狀，在制造聲表面波裝置101a以及101b時，能使支承構(gòu)件130a以及130b的覆蓋層20側(cè)的端部分別容易地陷埋到接合構(gòu)件140a以及140b。由此能在將支承構(gòu)件130a以及130b分別與接合構(gòu)件140a以及140b接合時，減低對壓電基板10以及覆蓋層20施加的壓力。由此在本變形例的第1例以及第2例所涉及的聲表面波裝置101a以及101b中，能減低覆蓋層20以及壓電基板10的破損以及變形。

另外，在本變形例的第3例以及第4例中，通過支承構(gòu)件130c以及130d具有上述形狀，能使各支承構(gòu)件與各接合構(gòu)件的接合面積維持得與上述實施方式1所涉及的聲表面波裝置1a中的接合面積同等。并且能減低壓電基板10上的各支承構(gòu)件的專有面積。因此，在本變形例的第3例以及第4例所涉及的聲表面波裝置101c以及101d中，能使壓電基板10小型化。

另外，在本變形例中也與上述實施方式1同樣，壓電基板10的設(shè)有idt電極13的主面所對應(yīng)的法線方向上的各接合構(gòu)件的尺寸小于該法線方向上的各支承構(gòu)件的尺寸。另外，構(gòu)成各支承構(gòu)件的材料的楊氏模量為構(gòu)成覆蓋層20的壓電基板10側(cè)的面的材料的楊氏模量以下。由此在本變形例中也與上述實施方式1同樣，確保了idt電極13的上方的空間。

本變形例所涉及的各支承構(gòu)件以及各接合構(gòu)件的形成方法，并沒有特別限定。例如也可以通過對各支承構(gòu)件以及各接合構(gòu)件實施離子濺射等物理蝕刻來將各支承構(gòu)件以及各接合構(gòu)件整形成錐形。

另外，在圖7a～圖7d所示的各例中，各支承構(gòu)件以及各接合構(gòu)件均具有錐形，但本變形例的構(gòu)成并不限定于這些示例。例如也可以僅支承構(gòu)件以及接合構(gòu)件的一方具有錐形。

進而在對構(gòu)件使用感光性樹脂的情況下，可以控制光刻中的曝光條件(對焦、曝光量)來形成錐形或倒錐形。

(實施方式2)

接下來使用附圖來說明實施方式2所涉及的聲表面波裝置。

圖8是本實施方式所涉及的聲表面波裝置1e的頂視圖。

圖9是本實施方式所涉及的聲表面波裝置1e的截面圖。圖9表示圖8所示的viii-viii線的聲表面波裝置1e的截面。

如圖8以及圖9所示那樣，本實施方式所涉及的聲表面波裝置1e在接合構(gòu)件40e的形狀上與上述實施方式1所涉及的聲表面波裝置1a相異，在其他點上一致。具體地，本實施方式所涉及的接合構(gòu)件40e未進行圖案形成，具有頂視觀察下有與覆蓋層20同樣形狀的薄片狀的形狀。由此在本實施方式所涉及的接合構(gòu)件40e的制造中，由于不需要圖案形成，因此相比上述實施方式1所涉及的接合構(gòu)件40，能削減制造所需的成本以及時間。

另外，在本實施方式中，壓電基板10的設(shè)有idt電極13的主面所對應(yīng)的法線方向上的接合構(gòu)件40e的尺寸，小于該法線方向上的支承構(gòu)件30的尺寸。由此即使如本實施方式那樣在idt電極13的上方設(shè)置接合構(gòu)件40e，也會確保idt電極13的上方的空間。

另外，在本實施方式所涉及的聲表面波裝置1e中，也與上述實施方式1所涉及的聲表面波裝置1a等同樣，能實現(xiàn)強度高的wlp結(jié)構(gòu)。

(實施方式2的變形例1)

接下來使用附圖來說明實施方式2的變形例1所涉及的聲表面波裝置。

圖10是本變形例所涉及的聲表面波裝置1f的截面圖。

如圖10所示那樣，本變形例所涉及的聲表面波裝置1f在接合構(gòu)件40f以及支承構(gòu)件30f的構(gòu)成上與上述實施方式2所涉及的聲表面波裝置1e相異，在其他構(gòu)成上一致。在本變形例所涉及的聲表面波裝置1f中，支承構(gòu)件30f貫通接合構(gòu)件40f而與覆蓋層20相接。

另外，在本實施方式中，壓電基板10的設(shè)有idt電極13的主面所對應(yīng)的法線方向上的接合構(gòu)件40f的尺寸，也小于該法線方向上的支承構(gòu)件30f的尺寸。由此，在本變形例所涉及的聲表面波裝置1f中，也與上述實施方式1的變形例1所涉及的聲表面波裝置1b同樣，能實現(xiàn)強度高的wlp結(jié)構(gòu)。另外，關(guān)于聲表面波裝置1f的其他效果，與實施方式2所涉及的聲表面波裝置1e同樣。

(實施方式2的變形例2)

接下來使用附圖來說明實施方式2的變形例2所涉及的聲表面波裝置。

圖11是本變形例所涉及的聲表面波裝置1g的截面圖。

如圖11所示那樣，本變形例所涉及的聲表面波裝置1g在接合構(gòu)件40g以及支承構(gòu)件30g的構(gòu)成上與上述實施方式2所涉及的聲表面波裝置1e相異，在其他構(gòu)成上一致。本變形例所涉及的接合構(gòu)件40g具備在壓電基板10的主面所對應(yīng)的法線方向上層疊的多個層。具體地，接合構(gòu)件40g具備相異的兩個層即第一接合構(gòu)件41g以及第二接合構(gòu)件42g。第一接合構(gòu)件41g是配置于接合構(gòu)件40g的壓電基板10側(cè)的層，具有與上述實施方式2所涉及的接合構(gòu)件40e同樣的構(gòu)成。第二接合構(gòu)件42g是配置于第一接合構(gòu)件41g的覆蓋層20側(cè)的層。構(gòu)成第二接合構(gòu)件42g的材料并沒有特別限定。第二接合構(gòu)件42g例如為了提高idt電極13的上方的空間的液密性而利用。

關(guān)于本變形例所涉及的聲表面波裝置1g的其他效果，與上述實施方式2所涉及的聲表面波裝置1e同樣。

(實施方式2的變形例3)

接下來使用附圖來說明實施方式2的變形例3所涉及的聲表面波裝置。

圖12是本變形例所涉及的聲表面波裝置1h的截面圖。

如圖12所示那樣，本變形例所涉及的聲表面波裝置1h在接合構(gòu)件40h以及支承構(gòu)件30h的構(gòu)成上與上述實施方式2所涉及的聲表面波裝置1e相異，在其他構(gòu)成上一致。本變形例所涉及的接合構(gòu)件40h與上述變形例所涉及的聲表面波裝置1g同樣，具備相異的兩個層即第一接合構(gòu)件41h以及第二接合構(gòu)件42h。另外，支承構(gòu)件30h貫通第一接合構(gòu)件41h并陷埋到第二接合構(gòu)件42h。

本變形例所涉及的聲表面波裝置1h也能起到與上述變形例2所涉及的聲表面波裝置1g同樣的效果。

(實施方式2的變形例4)

接下來使用附圖來說明實施方式2的變形例4所涉及的聲表面波裝置。

圖13是本變形例所涉及的聲表面波裝置1j的截面圖。

如圖13所示那樣，本變形例所涉及的聲表面波裝置1j在接合構(gòu)件40j以及支承構(gòu)件30j的構(gòu)成上與上述實施方式2所涉及的聲表面波裝置1e相異，在其他構(gòu)成上一致。本變形例所涉及的接合構(gòu)件40j與上述變形例所涉及的聲表面波裝置1g以及1h同樣，具備相異的兩個層即第一接合構(gòu)件41j以及第二接合構(gòu)件42j。另外，支承構(gòu)件30j貫通第一接合構(gòu)件41j以及第二接合構(gòu)件42j并與覆蓋層20相接。

本變形例所涉及的聲表面波裝置1j也能起到與上述變形例所涉及的聲表面波裝置1g以及1h同樣的效果。

(實施方式2的變形例5)

接下來使用附圖來說明實施方式2的變形例5所涉及的聲表面波裝置。

圖14是本變形例所涉及的聲表面波裝置1k的截面圖。

如圖14所示那樣，本變形例所涉及的聲表面波裝置1k在覆蓋層20k的構(gòu)成上與上述實施方式2的變形例4所涉及的聲表面波裝置1j相異，在其他構(gòu)成上一致。本變形例所涉及的覆蓋層20k具備在壓電基板10的主面所對應(yīng)的法線方向上層疊的多個層。具體地，覆蓋層20k具備相異的兩個層即第一覆蓋層21k以及第二覆蓋層22k。第一覆蓋層21k是配置于覆蓋層20k的壓電基板10側(cè)的層，具有與上述實施方式1以及2所涉及的覆蓋層20同樣的構(gòu)成。第二覆蓋層22k是圖14中配置于第一覆蓋層21k的上方(即遠離壓電基板10一側(cè))的面的層。構(gòu)成第二覆蓋層22k的材料并沒有特別限定。第二覆蓋層22k例如為了提高idt電極13的上方的空間的液密性而利用。另外，第二覆蓋層22k也可以為了在聲表面波裝置1k印刷或刻印產(chǎn)品編號等而利用。

另外，本變形例所涉及的聲表面波裝置1k也能起到與上述變形例所涉及的聲表面波裝置1g、1h以及1j同樣的效果。

(實施方式2的變形例6)

接下來使用附圖來說明實施方式2的變形例6所涉及的聲表面波裝置。

圖15是本變形例所涉及的聲表面波裝置1l的截面圖。

如圖15所示那樣，本變形例所涉及的聲表面波裝置1l在覆蓋層20l的構(gòu)成上與上述實施方式2的變形例1所涉及的聲表面波裝置1f相異，在其他構(gòu)成上一致。本變形例所涉及的覆蓋層20l具備在壓電基板10的主面所對應(yīng)的法線方向上層疊的多個層。具體地，覆蓋層20l具備相異的兩個層即第一覆蓋層21l以及第三覆蓋層23l。第一覆蓋層21l是配置于圖15中的覆蓋層20l的上方(遠離壓電基板10一側(cè))的面的層，具有與上述實施方式1以及2所涉及的覆蓋層20同樣的構(gòu)成。第三覆蓋層23l是圖14中配置于第一覆蓋層21k的壓電基板10側(cè)的面的層。構(gòu)成第三覆蓋層23l的材料只要是比支承構(gòu)件30f楊氏模量更高的材料即可，沒有特別限定。第三覆蓋層23l例如為了提高idt電極13的上方的空間的液密性而利用。

另外，本變形例所涉及的聲表面波裝置1l也能起到與上述變形例所涉及的聲表面波裝置1f同樣的效果。

(實施方式2的變形例7)

接下來使用附圖來說明實施方式2的變形例7所涉及的聲表面波裝置。

圖16是本變形例所涉及的聲表面波裝置1m的截面圖。

如圖16所示那樣，本變形例所涉及的聲表面波裝置1m在覆蓋層20m的構(gòu)成上與上述實施方式2的變形例6所涉及的聲表面波裝置1l相異，在其他構(gòu)成上一致。本變形例所涉及的覆蓋層20m具備在壓電基板10的主面所對應(yīng)的法線方向上層疊的多個層。具體地，覆蓋層20m具備第一覆蓋層21m、第二覆蓋層22m以及第三覆蓋層23m。

第一覆蓋層21m是配置于覆蓋層20m的厚度方向的中央附近的層，具有與上述實施方式1以及2所涉及的覆蓋層20同樣的構(gòu)成。

第二覆蓋層22m是圖16中配置于第一覆蓋層21m的上方(即遠離壓電基板10一側(cè))的面的層，具有與上述實施方式2的變形例5所涉及的第二覆蓋層22k同樣的構(gòu)成。

第三覆蓋層23m是圖16中配置于第一覆蓋層21k的壓電基板10側(cè)的面的層，具有與上述實施方式2的變形例6所涉及的第三覆蓋層23l同樣的構(gòu)成。

另外，本變形例所涉及的聲表面波裝置1m也能起到與上述變形例所涉及的聲表面波裝置1k以及1l同樣的效果。

(其他變形例等)

以上說明了本發(fā)明的各實施方式所涉及的聲表面波裝置，但本發(fā)明并不限定于各個實施方式。例如對上述各實施方式實施如下那樣變形的方式也能包含在本發(fā)明中。

例如將上述各實施方式以及它們的變形例中的特征部分任意組合而實現(xiàn)的形態(tài)也包含在本發(fā)明中。

另外，關(guān)于上述實施方式1所涉及的聲表面波裝置1a的制造方法，作為使支承構(gòu)件30陷埋到接合構(gòu)件40的方法，示出對覆蓋層20以及接合構(gòu)件40朝向壓電基板10施加壓力的方法。但使支承構(gòu)件30陷埋到接合構(gòu)件40的方法并不限定于此。例如也可以預(yù)先在與接合構(gòu)件40的支承構(gòu)件30對應(yīng)的部分設(shè)置凹部，在該凹部內(nèi)插入支承構(gòu)件30。

另外，在上述各實施方式所涉及的聲表面波裝置中具備覆蓋idt電極13以及布線電極15的電介質(zhì)膜14，但也可以沒有電介質(zhì)膜14。

另外，也可以在上述實施方式1所涉及的發(fā)明中運用實施方式2的變形例2～7所涉及的各接合構(gòu)件以及各覆蓋層的層疊結(jié)構(gòu)。

產(chǎn)業(yè)上的利用可能性

本發(fā)明作為小型且薄型的聲表面波裝置而能廣泛運用在便攜電話等通信設(shè)備中。

標號的說明

1a、1b、1c、1d、1e、1f、1g、1h、1j、1k、1l、1m、101a、101b、101c、101d、501、502聲表面波裝置

10、511、512壓電基板

11基板部

12電極部

13、513、514idt電極

14電介質(zhì)膜

15布線電極

20、20k、20l、20m、521、522覆蓋層

21k、21l、21m第一覆蓋層

22k、22m第二覆蓋層

23l、23m第三覆蓋層

30、30b、30c、30d、30f、30g、30h、30j、130a、130b、130c、130d、531、532支承構(gòu)件

40、40b、40c、40d、40e、40f、40g、40h、40j、140a、140b、140c、140d接合構(gòu)件

41g、41h、41j第一接合構(gòu)件

42g、42h、42j第二接合構(gòu)件