技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
處理基底(1)的方法，其中a)?為基底(1)提供：??導(dǎo)電涂層(2)，??至少一根絕緣線(3)，??涂層(2)的至少一個(gè)第一子區(qū)域(2.1)和第二子區(qū)域(2.2)，絕緣線(3)在它們之間延伸，??任選的至少一個(gè)缺陷(3.1)，其占絕緣線(3)總面積的比例小于10?%，b)?將第一電觸點(diǎn)(4.1)與第一子區(qū)域(2.1)并且第二電觸點(diǎn)(4.2)與第二子區(qū)域(2.2)連接，c)?將電壓Un施加在第一電觸點(diǎn)(4.1)和第二電觸點(diǎn)(4.2)之間，d)?測(cè)量電流是否在第一子區(qū)域(2.1)和第二子區(qū)域(2.2)之間流動(dòng)，e)?如果電流流動(dòng)，以大于或等于Un的電壓重復(fù)步驟c)和d)，直至在步驟d)中不能再測(cè)量到電流。

技術(shù)研發(fā)人員：V.舒爾茨;S.吉萊森
受保護(hù)的技術(shù)使用者：法國(guó)圣戈班玻璃廠
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.03
技術(shù)公布日：2017.08.25