本實(shí)用新型涉及電磁兼容技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種電磁加熱系統(tǒng)及家用電器。

背景技術(shù)：

電器設(shè)備通過電源線連接至電網(wǎng)，電器設(shè)備自身產(chǎn)生的干擾信號(hào)可以通過電源線傳到電網(wǎng)上，對(duì)網(wǎng)上其他設(shè)備構(gòu)成危害。為此，制定了家電EMC(Electro Magnetic compatibility電磁兼容性)測(cè)試法規(guī)規(guī)定了傳導(dǎo)測(cè)試頻率范圍，以保障電器設(shè)備接入電網(wǎng)不會(huì)對(duì)電網(wǎng)造成信號(hào)污染。EMC包括兩個(gè)方面的要求：其一是指設(shè)備在正常運(yùn)行過程中對(duì)所在環(huán)境產(chǎn)生的電磁干擾不能超過一定的限值；其二是指器具對(duì)所在環(huán)境中存在的電磁干擾具有一定程度的抗擾度，即電磁敏感性。

一方面，為了通過家電EMC測(cè)試，家電產(chǎn)商需要為家電產(chǎn)品增設(shè)EMC濾波電路。現(xiàn)有技術(shù)中一般是通過在電源端增設(shè)多級(jí)低通濾波電路，并且該多級(jí)低通濾波電路多采用基于共模電感的二階濾波的方式，使得家電產(chǎn)品的能夠通過EMC測(cè)試；但是，單純采用多級(jí)低通濾波電路以提升家電的EMC余量，會(huì)導(dǎo)致生產(chǎn)成本增大，同時(shí)也增大了家電產(chǎn)品中電路設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度。

另一方面，隨著2016年新家電EMC測(cè)試法規(guī)的修訂，將傳導(dǎo)測(cè)試的頻率范圍由150kHz～30MHz變更為9KHz～30MHz。顯然，針對(duì)舊家電EMC測(cè)試法規(guī)要求所設(shè)計(jì)的EMC濾波電路相對(duì)于家電產(chǎn)品的濾波效果已經(jīng)無法滿足EMC測(cè)試法規(guī)的要求。

由此可知，一款設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、成本低廉且提升電路EMC余量的電路設(shè)計(jì)方案是目前業(yè)界的熱門研究方向。

需要說明的是，以上技術(shù)問題是本發(fā)明人在實(shí)踐本實(shí)用新型的過程中所發(fā)現(xiàn)的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是提供一種設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、成本低廉且能降低電磁加熱電路的地線信號(hào)的抖動(dòng)，降低對(duì)電網(wǎng)及電網(wǎng)中其他電路的干擾，改善電路的電磁兼容性的電磁加熱系統(tǒng)及家用電器，以至少解決背景技術(shù)中所闡述的技術(shù)問題。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型實(shí)施例一方面提供一種電磁加熱系統(tǒng)，該電磁加熱系統(tǒng)適于產(chǎn)生渦流以加熱物品，該電磁加熱系統(tǒng)包含線圈盤、控制電路和電源電路，

該線圈盤包含內(nèi)圈端子和外圈端子，上述電源電路包含濾波器；以及

上述線圈盤的內(nèi)圈端子連接至上述控制電路；以及上述線圈盤的外圈端子連接至上述濾波器。

優(yōu)選地，上述電源電路為直流電源電路，上述直流電源電路包含整流橋，以及上述濾波器還連接至上述整流橋的直流輸出端。

優(yōu)選地，上述濾波器為包含電感和電容的LC濾波器。

優(yōu)選地，該電磁加熱系統(tǒng)連接至市電網(wǎng)絡(luò)，上述線圈盤的內(nèi)圈端子的輸出電壓為310V，以及上述線圈盤的外圈端子的輸出電壓為1000V。

優(yōu)選地，上述控制電路包含用于控制上述線圈盤通斷的開關(guān)，以及與上述開關(guān)連接的開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路；其中上述開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路用于接收控制信號(hào)，并根據(jù)該控制信號(hào)輸入一驅(qū)動(dòng)電壓至上述開關(guān)，從而控制上述開關(guān)的導(dǎo)通或關(guān)斷。

優(yōu)選地，上述開關(guān)為IGBT管，以及上述IGBT管的集電極連接至上述線圈盤的內(nèi)圈端子。

優(yōu)選地，該開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路包含：電阻，位于上述開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)和/或該上述開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路的輸出端，用于延長(zhǎng)上述開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路自接收到上述控制信號(hào)至控制上述開關(guān)動(dòng)作所需的時(shí)間。

優(yōu)選地，當(dāng)上述電阻位于上述開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路的輸出端時(shí)，上述電阻的阻值為10歐姆-100歐姆。

本實(shí)用新型實(shí)施例另一方面提供一種家用電器，包含上文所述的電磁加熱系統(tǒng)。

優(yōu)選地，該家用電器為電磁爐、電飯煲、電壓力鍋或電水壺。

通過上述技術(shù)方案，限定線圈盤的能夠輸出高壓信號(hào)的外圈端子連接至具有濾波器的電源電路，以降低線圈盤對(duì)主控板上濾波器件的影響，大大減少線圈盤直接耦合到電源線上的干擾信號(hào)，由此能夠簡(jiǎn)單、成本低廉地實(shí)現(xiàn)降低電磁加熱電路的地線信號(hào)的抖動(dòng)，并降低對(duì)電網(wǎng)及電網(wǎng)中其他電路的干擾，以改善電路的電磁兼容性的有益效果。

本實(shí)用新型實(shí)施例的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的具體實(shí)施方式部分予以詳細(xì)說明。

附圖說明

附圖是用來提供對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的具體實(shí)施方式一起用于解釋本實(shí)用新型實(shí)施例，但并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例的限制。在附圖中：

圖1是本實(shí)用新型一實(shí)施例的電磁加熱系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型另一實(shí)施例的電磁加熱系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3A-3C是在開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路不同位置設(shè)置阻性元件的電路連接圖；

圖4A是本實(shí)用新型一種實(shí)施方式的開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路連接圖；

圖4B-4E是對(duì)在圖4A中不同位置設(shè)置阻性元件的開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路連接圖；

圖5是本實(shí)用新型另一種實(shí)施方式的開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路連接圖；

圖6是本實(shí)用新型一種實(shí)施方式的電磁加熱家電控制電路連接圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的具體實(shí)施方式僅用于說明和解釋本實(shí)用新型，并不用于限制本實(shí)用新型。

本技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，本實(shí)用新型的說明書中使用的措辭“包括”是指存在上述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或組件，但是并不排除存在或添加一個(gè)或多個(gè)其他特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。應(yīng)該理解，當(dāng)我們稱元件被“連接”或“耦接”到另一元件時(shí)，它可以直接連接或耦接到其他元件，或者也可以存在中間元件。此外，這里使用的“連接”或“耦接”可以包括無線連接或無線耦接。這里使用的措辭“和/或”包括一個(gè)或更多個(gè)相關(guān)聯(lián)的列出項(xiàng)的全部或任一單元和全部組合。

參見圖1示出的是本實(shí)用新型一實(shí)施例的電磁加熱系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖，該電磁加熱系統(tǒng)10包含線圈盤101、控制電路102和電源電路103，該電磁加熱系統(tǒng)10適于產(chǎn)生渦流以加熱物品，該線圈盤101包含內(nèi)圈端子1011和外圈端子1012，電源電路103包含濾波器1031；其中外圈端子1011連接至濾波器1031，線圈盤的外圈端子1012連接至控制電路103。由于線圈盤在工作時(shí)，外圈端子的輸出端子的輸出電壓高于內(nèi)圈端子，例如：當(dāng)將該電磁加熱系統(tǒng)20接入市電網(wǎng)路時(shí)，在線圈盤201的內(nèi)圈端子2011的輸出電壓為310V，以及線圈盤201的外圈端子2012的輸出電壓為1000V，而將本技術(shù)方案通過限定將線圈盤的高壓輸出端子連接至濾波器，相比于將濾波器連接至內(nèi)圈端子，能夠更加充分利用濾波器的濾波性能，大大減少線圈盤直接耦合到電源線上的干擾信號(hào)，提升電路的EMC余量；利用本實(shí)施例中限定線圈盤的端子接法以解決提升EMC余量的技術(shù)問題是目前業(yè)界沒有公開的，而是本實(shí)用新型的發(fā)明人在實(shí)踐本實(shí)用新型的過程中所發(fā)現(xiàn)的。

更具體地，參見圖2示出的是電磁加熱系統(tǒng)在一種具體實(shí)施例下的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，該電磁加熱系統(tǒng)20包含有線圈盤201、直流電源電路203和控制電路202，在直流電源電路203中包含整流橋2032和濾波器2031，濾波器2031的輸出端連接至線圈盤201的外圈端子2012,濾波器2031的輸入端連接至整流橋2032，能夠?qū)崿F(xiàn)在直流電源203側(cè)通過充分設(shè)置在線圈盤201的高壓輸出端子側(cè)的濾波器，充分利用濾波器的濾波性能以改善電路的電磁濾波性能；控制電路202中包含連接至線圈盤201的內(nèi)段端子的開關(guān)2021和與開關(guān)2021連接的開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路2022，其中開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路2022用于接收控制信號(hào)，并根據(jù)該控制信號(hào)輸入一驅(qū)動(dòng)電壓至開關(guān)2021，從而控制該開關(guān)2021的導(dǎo)通或關(guān)斷；由此實(shí)現(xiàn)基于控制電路202完成對(duì)線圈盤201的控制工作。

在本實(shí)用新型中，在未作相反說明的情況下，當(dāng)下文中提及時(shí)，術(shù)語“開關(guān)”指的是可以通過電信號(hào)實(shí)現(xiàn)通斷控制或者根據(jù)元器件自身的特性實(shí)現(xiàn)通斷控制的開關(guān)，例如MOSFET、三極管或IGBT，或帶有反并聯(lián)續(xù)流二極管的IGBT；當(dāng)下文中提及時(shí)，術(shù)語“阻尼元件”指任意通過對(duì)電流的流動(dòng)起阻礙作用以降低電荷聚集速度、延長(zhǎng)開關(guān)的控制端/柵極達(dá)到設(shè)定電壓的裝置，例如可以為電阻等。

這里需要特別說明的是，本實(shí)用新型的開關(guān)除可用于控制電磁加熱線圈的通斷，還可用于控制其他元器件或電路的通斷。

對(duì)于接入電網(wǎng)的電路，在開關(guān)導(dǎo)通/關(guān)斷的瞬間會(huì)對(duì)電網(wǎng)的其他負(fù)載的電流造成干擾。電磁加熱家電通常采用控制開關(guān)導(dǎo)通/關(guān)斷將直流電逆變?yōu)楦哳l電流，將該高頻電流通入電磁加熱線圈的方式加熱，開關(guān)的頻繁通斷使電網(wǎng)產(chǎn)生明顯抖動(dòng)，本實(shí)用新型繼續(xù)公開的開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路可以進(jìn)一步地改善電路電磁兼容性EMC，以減小電路對(duì)電網(wǎng)的干擾。

圖3A-3C是本實(shí)用新型不同實(shí)施方式的開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路的連接圖。如圖3A-3C所示的本實(shí)用新型三種實(shí)施方式的開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路，所述開關(guān)K用于控制電磁加熱線圈的通斷，該開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路用于接收控制信號(hào)，并根據(jù)該控制信號(hào)輸入一驅(qū)動(dòng)電壓Ud至所述開關(guān)K，從而控制所述開關(guān)K的導(dǎo)通或關(guān)斷，該開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路包含：阻性元件，位于所述開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)和/或該所述開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)電壓輸出端，用于延長(zhǎng)所述開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路自接收到所述控制信號(hào)至控制所述開關(guān)動(dòng)作所需的時(shí)間。由此，本實(shí)用新型所提供的電磁加熱系統(tǒng)創(chuàng)造性地將阻性元件應(yīng)用在與開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路中，能夠?qū)崿F(xiàn)在一定程度上改善電路電磁兼容性，并結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例上文所述的在線圈盤高壓端一側(cè)的濾波器，實(shí)現(xiàn)在線圈盤的兩側(cè)同時(shí)改善電路電磁兼容性，有效改善本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的電磁兼容系統(tǒng)的電磁兼容性，并且本實(shí)用新型實(shí)施例中的EMC改善方案的實(shí)施也不需要投入較多的附加成本，有助于本實(shí)用新型技術(shù)方案的推廣。

上述方案中，開關(guān)用于控制電磁加熱線圈或其他元件與控制電源VCC連接，開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路接收控制信號(hào)PPG，并根據(jù)控制信號(hào)PPG將驅(qū)動(dòng)電壓VCC輸入到開關(guān)K，以使開關(guān)K導(dǎo)通，實(shí)現(xiàn)控制電磁加熱線圈或其他元件接入電源；開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路或根據(jù)控制信號(hào)PPG將驅(qū)動(dòng)電壓從開關(guān)K斷開，以使開關(guān)K關(guān)斷，實(shí)現(xiàn)控制電磁加熱線圈或其他元件從電源斷開。

為延遲開關(guān)的導(dǎo)通或關(guān)斷，在所述開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)或在所述驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)電壓輸出端Ud設(shè)置阻性元件，以對(duì)電流產(chǎn)生阻礙作用，使從開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路接收所述控制信號(hào)PPG到控制開關(guān)K導(dǎo)通/關(guān)斷的時(shí)間延長(zhǎng)，降低開關(guān)K的動(dòng)作速度，減小對(duì)電網(wǎng)中其他電路/電器的干擾，改善電路的電磁兼容性。

圖3A為在開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)電壓輸出端Ud設(shè)置阻性元件的電路連接圖，圖3B為在開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)設(shè)置阻性元件的電路連接圖，圖3C為在開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)電壓輸出端Ud設(shè)置和開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)設(shè)置阻性元件的電路連接圖。

如圖3A-3C所示，阻尼元件的設(shè)置，旨在減小驅(qū)動(dòng)電路的電流，降低電路中電荷的聚集速度，使達(dá)到開關(guān)導(dǎo)通的電壓的時(shí)間延長(zhǎng)；以及在開關(guān)關(guān)斷的瞬間，降低電路放電的速度，延長(zhǎng)開關(guān)的關(guān)斷時(shí)間。

圖3A為本實(shí)用新型一種實(shí)施方式的開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路連接圖。如圖5所示的本實(shí)用新型一種實(shí)施方式的開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路，包括：第一晶體管T1，該第一晶體管T1的柵極接收所述控制信號(hào)PPG，集電極接電壓源(+18V)，發(fā)射極接地；以及第二晶體管T2及第三晶體管T3，該第二晶體管T2的集電極接電壓源(+18V)，發(fā)射極與所述第三晶體管T3的發(fā)射極相連，所述第三晶體管T2集電極接地，該第二晶體管T2及第三晶體管T3的柵極均連接至所述第一晶體管T1的集電極，其中所述驅(qū)動(dòng)電壓即電壓源(+18V)輸出端Ud位于所述第二晶體管T2的發(fā)射極與所述第三晶體管T3的發(fā)射極的連接點(diǎn)處。

上述方案中，由第一晶體管T1的柵極接收控制信號(hào)PPG，其發(fā)射極接地，集電極接電壓源，電壓源作為驅(qū)動(dòng)電壓，電壓源例如可為18V的電源，第一晶體管T1柵極所接控制信號(hào)PPG例如可為高電平為5V、低電平為0V的方波；在控制信號(hào)PPG為低電平即0V時(shí)，第一晶體管T1關(guān)斷時(shí)，第二晶體管T2導(dǎo)通，驅(qū)動(dòng)電壓(+18V)經(jīng)第二晶體管T2輸入到開關(guān)K，使開關(guān)導(dǎo)通；在控制信號(hào)PPG為高電平時(shí)，第一晶體管T1導(dǎo)通，第二晶體管T2柵極被拉至近地電壓，第二晶體管T2關(guān)斷，第三晶體管T3瞬時(shí)導(dǎo)通，開關(guān)經(jīng)第三晶體管T3放電，放電結(jié)束后，開關(guān)K關(guān)斷，第三晶體管T3關(guān)斷。

圖4B-4D是對(duì)在圖4A的實(shí)施例的基礎(chǔ)上設(shè)置阻性元件的電路連接圖。如圖4B所示的一種實(shí)施方式的開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路，包括第一阻性元件R1，串聯(lián)在所述驅(qū)動(dòng)電壓輸出端與所述開關(guān)K之間。即在第二晶體管T2和第三晶體管T3的發(fā)射極共接處和開關(guān)之間設(shè)置阻性元件R1，在控制信號(hào)PPG為低電平，第一晶體管T1關(guān)斷而第二晶體管T2導(dǎo)通時(shí)，驅(qū)動(dòng)電壓經(jīng)第二晶體管T2和第一阻性元件R1接入開關(guān)，驅(qū)動(dòng)電壓經(jīng)第二晶體管T2到開關(guān)的電流減小，電荷積聚得到開關(guān)K導(dǎo)通所需電壓的時(shí)間延長(zhǎng)，從而延長(zhǎng)開關(guān)K導(dǎo)通的時(shí)間；在控制信號(hào)PPG為高電平時(shí)，第一晶體管T1導(dǎo)通而第二晶體管T2關(guān)斷時(shí)，第三晶體管T3瞬時(shí)導(dǎo)通，開關(guān)K經(jīng)第一阻性元件R1和第三晶體管T3向地放電，因設(shè)置第一阻性元件R1，放電電流減小，放電速度減慢，從而延長(zhǎng)放電結(jié)束的時(shí)間，使開關(guān)關(guān)斷的時(shí)間延長(zhǎng)。

上述實(shí)施例中，第一阻性元件R1設(shè)置為同時(shí)連接第二晶體管T2所在的導(dǎo)通支路和第三晶體管T3所在的關(guān)斷支路，在導(dǎo)通支路和關(guān)斷支路分別工作時(shí)，均接入兩者，實(shí)現(xiàn)開關(guān)的導(dǎo)通和關(guān)斷均被延遲，降低開關(guān)的導(dǎo)通和關(guān)斷速度。

如圖4C所示的一種實(shí)施方式的開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路，包括第二阻性元件R2，串聯(lián)在所述電壓源與所述第二晶體管T2的集電極之間。本實(shí)施例的開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路在導(dǎo)通支路上設(shè)置第二阻性元件，連接在第二晶體管T2的集電極和驅(qū)動(dòng)電壓之間，則在控制信號(hào)PPG為低電平，第一晶體管T1關(guān)斷而第二晶體管T2導(dǎo)通時(shí)，驅(qū)動(dòng)電壓經(jīng)第二阻性元件R2和第二晶體管T2接入開關(guān)，驅(qū)動(dòng)電壓經(jīng)第二晶體管T2到開關(guān)的電流減小，電荷積聚達(dá)到開關(guān)導(dǎo)通所需電壓的時(shí)間延長(zhǎng)，從而延長(zhǎng)開關(guān)K導(dǎo)通的時(shí)間。

如圖4D所示的一種實(shí)施方式的開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路，包括第三阻性元件R3，串聯(lián)在所述驅(qū)動(dòng)電壓輸出端與所述第三晶體管T3的發(fā)射極之間。該實(shí)施例的開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路在關(guān)斷支路設(shè)置阻性元件R3，在控制信號(hào)為高電平時(shí)，第一晶體管T1導(dǎo)通而第二晶體管T2關(guān)斷時(shí)，第三晶體管T3瞬時(shí)導(dǎo)通，開關(guān)經(jīng)第三阻性元件R3和第三晶體管T3向地放電，因設(shè)置第三阻性元件R3R3，放電電流減小，放電速度減慢，從而延長(zhǎng)放電結(jié)束的時(shí)間，使開關(guān)關(guān)斷的時(shí)間延長(zhǎng)。

圖4B-4D的針對(duì)阻性元件不同設(shè)置位置的實(shí)施例，三種阻性元件可單獨(dú)設(shè)置，也可根據(jù)設(shè)計(jì)需要進(jìn)行組合設(shè)置，例如同時(shí)設(shè)置第一阻性元件R1和第二阻性元件R2、同時(shí)設(shè)置第一阻性元件R1和第三阻性元件R3、同時(shí)設(shè)置第二阻性元件R2和第三阻性元件R3，或同時(shí)設(shè)置第一阻性元件R1、第二阻性元件R2和第三阻性元件R3。

圖4E是本實(shí)用新型一種實(shí)施方式的開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路連接圖，該實(shí)施例的開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路，同時(shí)設(shè)置第一阻性元件R1、第二阻性元件R2和第三阻性元件R3。該實(shí)施例的開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路，在控制信號(hào)為低電平，第一晶體管T1關(guān)斷而第二晶體管T2導(dǎo)通時(shí)，驅(qū)動(dòng)電壓經(jīng)第二阻性元件R2、第二晶體管T2和第一阻性元件R1接入開關(guān)，驅(qū)動(dòng)電壓經(jīng)第二晶體管T2到開關(guān)的電流減小，電荷積聚得到開關(guān)導(dǎo)通所需電壓的時(shí)間延長(zhǎng)，從而延長(zhǎng)開關(guān)K導(dǎo)通的時(shí)間；在控制信號(hào)為高電平時(shí)，第一晶體管T1導(dǎo)通而第二晶體管T2關(guān)斷時(shí)，第三晶體管T3瞬時(shí)導(dǎo)通，開關(guān)K經(jīng)第一阻性元件R1、第三阻性元件R3和第三晶體管T3向地放電，因設(shè)置第一阻性元件R1和第三阻性元件R3，放電電流減小，放電速度減慢，從而延長(zhǎng)放電結(jié)束的時(shí)間，使開關(guān)關(guān)斷的時(shí)間延長(zhǎng)。

根據(jù)本實(shí)用新型一種實(shí)施方式，所述阻性元件為電阻。

根據(jù)本實(shí)用新型一種實(shí)施方式，所述開關(guān)可以為IGBT管、三極管或場(chǎng)效應(yīng)管中的一種。

圖4B-4E所示的實(shí)施例中，開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)的開關(guān)采用IGBT。驅(qū)動(dòng)電壓輸出端Ud輸入到控制IGBT的柵極，以控制IGBT的導(dǎo)通或關(guān)斷，上述方案中，設(shè)置R1、R2、R3以優(yōu)化電路，改善電路的電磁兼容性。R3用于調(diào)節(jié)IGBT的關(guān)斷速度，阻值越大，IGBT的關(guān)斷速度越慢，改善EMC的效果越好。當(dāng)R3小于30歐姆，對(duì)于EMC的改善效果不明顯；大于100歐姆，IGBT的關(guān)斷損耗會(huì)非常大，容易造成IGBT溫度過高，所以，R3阻值選擇范圍30歐姆-100歐姆。

R2用于調(diào)節(jié)IGBT的導(dǎo)通速度，阻值越大，IGBT的導(dǎo)通速度越慢，EMC效果越好。當(dāng)R2小于10歐姆，對(duì)于EMC的改善效果不明顯；大于100歐姆，IGBT的關(guān)斷損耗會(huì)非常大，容易造成IGBT溫度過高，所以，R2阻值選擇范圍10歐姆～100歐姆。

R1用于調(diào)節(jié)IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷速度，R1會(huì)同時(shí)調(diào)節(jié)導(dǎo)通和關(guān)斷速度，阻值越大，IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷速度越慢，EMC效果越好。當(dāng)R1小于10歐姆，對(duì)于EMC的改善效果不明顯；大于100歐姆，IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷損耗會(huì)非常大，容易造成IGBT溫度過高，所以，R1阻值選擇范圍10歐姆～100歐姆。

在實(shí)際調(diào)試時(shí)，R1、R2、R3根據(jù)測(cè)試結(jié)果在上述選值范圍內(nèi)時(shí)為最優(yōu)值，兼顧對(duì)EMC的改善效果并不會(huì)對(duì)電路中開關(guān)IGBT溫升造成較大的影響。

圖5是本實(shí)用新型另一種實(shí)施方式的開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路連接圖。如圖5所示的一種實(shí)施方式的開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路，其中，開關(guān)K為帶有反并聯(lián)續(xù)流二極管VD的IGBT管。

根據(jù)本實(shí)用新型一種實(shí)施方式，還包括限流電阻R4、R5和R6，R4連接+18V電壓源和第一晶體管T1的集電極，用以在第一晶體管T1導(dǎo)通時(shí)對(duì)第一晶體管T1所在的導(dǎo)通支路限流，對(duì)其進(jìn)行過流保護(hù)，R5連接控制信號(hào)PPG和第一晶體管T1的柵極，對(duì)輸入控制信號(hào)電流進(jìn)行限制，R6一端連接開關(guān)的柵極，另一端和IGBT開關(guān)的發(fā)射極共接后接地。

圖6是本實(shí)用新型一種實(shí)施方式的電磁加熱家電控制電路，包含如上一種實(shí)施方式的開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路，開關(guān)為IGBT管，IGBT管的集電極連接至線圈盤的內(nèi)圈端子，發(fā)射機(jī)連接至電源電路。單相交流電源經(jīng)過整流后輸出直流電(V+，V-)，經(jīng)過π型濾波電路濾除諧波后，經(jīng)開關(guān)IGBT輸入到電磁線圈。通過控制信號(hào)經(jīng)開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路控制開關(guān)IGBT的導(dǎo)通或關(guān)斷，將直流電(V+，V-)逆變?yōu)楦哳l電流，如20kHz以上的高頻電流，通入電磁線圈將電信號(hào)轉(zhuǎn)變成交變的電磁信號(hào)，被加熱體上在交變的電磁信號(hào)中產(chǎn)生渦流及磁滯運(yùn)動(dòng)，因而產(chǎn)生熱量。

上述實(shí)施方式中，將π型濾波電路與通過阻性元件延遲開關(guān)IGBT導(dǎo)通/關(guān)斷的時(shí)間相結(jié)合的方式，能滿足EMC要求且大大優(yōu)化成本。

根據(jù)本實(shí)用新型一種實(shí)施方式，電磁加熱家電為電磁爐。例如可以為其他電磁加熱家電，如電水壺、電飯煲或電壓力鍋等。

開關(guān)IGBT是電磁爐的核心部件，單片機(jī)等處理單元輸入控制信號(hào)PPG控制IGBT的開關(guān)，使得電磁爐線圈盤跟諧振電容形成諧振，讓磁能轉(zhuǎn)換成電能，在鍋具底部產(chǎn)生渦流，轉(zhuǎn)換成熱能，使得鍋具發(fā)熱。IGBT的開關(guān)頻率大概在20KHz～30KHz，如此高的開關(guān)頻率，會(huì)對(duì)系統(tǒng)產(chǎn)生很大的電磁干擾。為了滿足EMC要求，目前的做法是增加濾波電路，吸收IGBT產(chǎn)生的電磁干擾。

本實(shí)施方式的電磁爐的加熱控制電路采用上述任一種實(shí)施方式的開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路，控制IGBT的導(dǎo)通/關(guān)斷，通過延遲自接收到控制信號(hào)到IGBT導(dǎo)通/關(guān)斷的時(shí)間，降低IGBT的開關(guān)速度，降低對(duì)系統(tǒng)產(chǎn)生的電磁干擾和造成的電網(wǎng)抖動(dòng)，改善電路的電磁兼容性。

上述方案通過在開關(guān)電路設(shè)置阻性元件，設(shè)置方式較靈活、電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，改進(jìn)成本較低。

以上結(jié)合附圖詳細(xì)描述了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，但是，本實(shí)用新型并不限于上述實(shí)施方式中的具體細(xì)節(jié)，在本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi)，可以對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行多種簡(jiǎn)單變型，這些簡(jiǎn)單變型均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。

另外需要說明的是，在上述具體實(shí)施方式中所描述的各個(gè)具體技術(shù)特征，在不矛盾的情況下，可以通過任何合適的方式進(jìn)行組合。為了避免不必要的重復(fù)，本實(shí)用新型對(duì)各種可能的組合方式不再另行說明。

此外，本實(shí)用新型的各種不同的實(shí)施方式之間也可以進(jìn)行任意組合，只要其不違背本實(shí)用新型的思想，其同樣應(yīng)當(dāng)視為本實(shí)用新型所公開的內(nèi)容。