技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型公開一種不可重復(fù)觸發(fā)的CMOS集成單穩(wěn)態(tài)電路，包括有輸入控制電路U1、電阻電容串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)、鎖存器、時(shí)序控制網(wǎng)絡(luò)、參考電流源IREF、穩(wěn)壓二極管D1以及輸出反相器U6；該電阻電容串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)包括有電阻R1和電容C1；所述鎖存器的輸出端接輸出反相器U6的輸入端，其中，鎖存器包括或非門U4、電容C2、反相器U5和level?shift電路U3；本實(shí)用新型采用穩(wěn)定電流源對(duì)電容充電，以片上形式實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的暫穩(wěn)態(tài)時(shí)間寬度，避免使用大電阻，有效減小芯片面積，同時(shí)顯著減小PVT對(duì)充放電的影響。并且，MOS管M1、MOS管M2可對(duì)節(jié)點(diǎn)1、2進(jìn)行快速充放電，穩(wěn)定這兩點(diǎn)的電壓值以確保在下次觸發(fā)時(shí)電容兩端的跳變電壓值相等，從而穩(wěn)定充電時(shí)間常數(shù)。

技術(shù)研發(fā)人員：黃果池;林燦昌
受保護(hù)的技術(shù)使用者：加馳（廈門）微電子股份有限公司
文檔號(hào)碼：201621136814
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.19
技術(shù)公布日：2017.06.06