本發(fā)明涉及帶電路的懸掛基板和帶電路的懸掛基板的制造方法。

背景技術(shù)：

以往，作為安裝于硬盤驅(qū)動器的帶電路的懸掛基板，公知有具有磁頭的滑橇可搭載的帶電路的懸掛基板。

作為這樣的帶電路的懸掛基板，提出了例如為了對磁頭的位置和角度精細(xì)地進行調(diào)節(jié)而搭載有壓電元件的帶電路的懸掛基板(參照例如日本特開2015－125793號公報。)。

在上述的日本特開2015－125793號公報所記載的那樣的帶電路的懸掛基板中，研究使壓電元件更可靠地與帶電路的懸掛基板接合。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種能夠使壓電元件與端子可靠地接合的帶電路的懸掛基板和帶電路的懸掛基板的制造方法。

本發(fā)明[1]是一種帶電路的懸掛基板，其能夠搭載壓電元件，其包括：金屬支承基板；導(dǎo)體層，其具有能夠與所述壓電元件電連接的端子，與所述金屬支承基板之間隔開間隔地配置于所述金屬支承基板之上；第1絕緣層，其以支承所述導(dǎo)體層的方式配置于所述金屬支承基板與所述導(dǎo)體層之間；第2絕緣層，其以使所述端子暴露的方式配置于所述第1絕緣層和所述導(dǎo)體層之上，所述第1絕緣層包括在沿著所述金屬支承基板的厚度方向觀察時包含所述端子在內(nèi)的第1部分和在沿著所述厚度方向觀察時配置于與所述第1部分的位置不同的位置的第2部分，所述第1部分的厚度比所述第2部分的厚度薄。

根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，在第1絕緣層中，形成有能夠與壓電元件電連接的端子的第1部分比其他部分(第2部分)形成得薄，從而能夠?qū)穸确较蛏系膲弘娫c金屬支承基板之間的距離進行調(diào)整。

另外，通過將第1絕緣層形成得較薄，能夠確保端子與壓電元件之間的間隔，能夠向端子與壓電元件之間充分地填充接合劑。

其結(jié)果，能夠?qū)弘娫c端子可靠地接合。

本發(fā)明[2]根據(jù)上述[1]的帶電路的懸掛基板，其中，所述第1部分的面積在沿著所述厚度方向觀察時比所述端子的面積大。

根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠在第1部分之上使壓電元件與端子可靠地接合。

本發(fā)明[3]根據(jù)上述[2]的帶電路的懸掛基板，其中，所述第2絕緣層包括配置于所述第1部分之上的第3部分和配置于所述第2部分之上的第4部分，所述第3部分的厚度與所述第4部分的厚度相同。

根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠利用第3部分的厚度、以簡易的結(jié)構(gòu)確保端子與壓電元件之間的間隔。

本發(fā)明[4]是一種帶電路的懸掛基板的制造方法，其是上述[1]～[3]中任一項所述的帶電路的懸掛基板的制造方法，其包括如下工序：在所述金屬支承基板之上形成所述第1絕緣層的工序；在所述第1絕緣層之上形成所述導(dǎo)體層的工序；以使所述端子暴露的方式在所述第1絕緣層和所述導(dǎo)體層之上形成所述第2絕緣層的工序，通過對以均勻的厚度涂敷了的感光性樹脂的清漆進行灰度曝光，形成所述第1絕緣層的所述第1部分和所述第1絕緣層的所述第2部分。

根據(jù)這樣的方法，不另外增加工序，就能夠利用形成第1絕緣層的工序高效地調(diào)整第1部分的厚度。

因此，根據(jù)本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的制造方法，能夠高效地制造上述的帶電路的懸掛基板。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的第1實施方式的帶電路的懸掛基板的俯視圖。

圖2是圖1所示的帶電路的懸掛基板的A－A剖視圖。

圖3A～圖3E是第1實施方式的帶電路的懸掛基板的制造方法，圖3A表示準(zhǔn)備金屬支承基板的工序，圖3B表示在金屬支承基板之上形成感光性樹脂的覆膜、并進行灰度曝光的工序，圖3C表示對灰度曝光后的覆膜進行顯影、形成基底絕緣層的工序，圖3D表示在基底絕緣層之上形成導(dǎo)體圖案的工序，圖3E表示形成覆蓋絕緣層的工序。

圖4是表示本發(fā)明的第2實施方式的帶電路的懸掛基板的俯視圖。

圖5是圖4所示的帶電路的懸掛基板的A－A剖視圖。

圖6A～圖6D是第2實施方式的帶電路的懸掛基板的制造方法，圖6A表示準(zhǔn)備金屬支承基板的工序，圖6B表示在金屬支承基板之上形成基底絕緣層的工序，圖6C表示在基底絕緣層之上形成第1導(dǎo)體圖案的工序，圖6D表示在金屬支承基板、基底絕緣層以及第1導(dǎo)體圖案之上形成感光性樹脂的覆膜、并進行灰度曝光的工序。

圖7A～圖7C是接著圖6D的第2實施方式的帶電路的懸掛基板的制造方法，圖7A表示對灰度曝光后的覆膜進行顯影、形成中間絕緣層的工序，圖7B表示在中間絕緣層之上形成第2導(dǎo)體圖案的工序，圖7C表示形成覆蓋絕緣層的工序。

具體實施方式

(第1實施方式)

參照圖1～圖3E對第1實施方式的帶電路的懸掛基板1進行說明。

如圖1所示，帶電路的懸掛基板1形成為沿著紙面上下方向延伸的平帶形狀。如圖1中以假想線所示，可搭載滑橇30和壓電元件31。

此外，在以下的說明中，后述的磁頭連接端子13所配置的那一側(cè)是帶電路的懸掛基板1的前側(cè)，后述的外部連接端子14所配置的那一側(cè)是帶電路的懸掛基板1的后側(cè)。另外，與連結(jié)前側(cè)和后側(cè)的方向(前后方向)以及后述的金屬支承基板2的厚度方向這兩者正交的方向是帶電路的懸掛基板1的寬度方向。

如圖1和圖2所示，帶電路的懸掛基板1包括金屬支承基板2、作為第1絕緣層的一個例子的基底絕緣層3、作為導(dǎo)體層的一個例子的導(dǎo)體圖案4以及作為第2絕緣層的一個例子的覆蓋絕緣層5。此外，在圖1中，為了更明確地表示導(dǎo)體圖案4的結(jié)構(gòu)，省略了覆蓋絕緣層5。

金屬支承基板2一體地具有框部7、支承部8以及配線部9。

框部7配置于金屬支承基板2的前端部?？虿?具有后端部縮小的俯視呈大致矩形的框形狀。

支承部8配置于框部7的內(nèi)側(cè)。支承部8形成為俯視呈大致矩形的平板形狀。支承部8的前端部與框部7的前側(cè)的內(nèi)周緣連續(xù)。支承部8的后端部與框部7的后側(cè)的內(nèi)周緣隔開間隔。支承部8的寬度方向端部與框部7的寬度方向的內(nèi)周緣隔開間隔。即、在支承部8與框部7之間形成有朝向前側(cè)敞開的俯視呈大致U字形狀的開口10。

配線部9與框部7的后端部連續(xù)而向后方延伸。配線部9形成為平帶形狀。

基底絕緣層3配置于金屬支承基板2之上?；捉^緣層3形成為沿著前后方向延伸的平帶形狀。在基底絕緣層3形成有開口11和多個(兩個)凹部12。

開口11在基底絕緣層3的前端部配置于寬度方向中央部。開口11形成為俯視呈大致矩形形狀。開口11沿著厚度方向貫通基底絕緣層3。開口11使金屬支承基板2的支承部8暴露。開口11的后側(cè)周緣部配置于比支承部8的后端緣靠后方的位置。開口11的后側(cè)周緣部與支承部8的后端緣隔開間隔。

多個凹部12配置于開口11的后側(cè)。多個凹部12在寬度方向上彼此隔開間隔地并列配置。凹部12在俯視時即沿著金屬支承基板2的厚度方向觀察形成為大致矩形形狀。凹部12從基底絕緣層3的上表面朝向金屬支承基板2凹陷。形成有凹部12的部分是基底絕緣層3的第1部分3A。另外，形成有凹部12的部分以外的部分是基底絕緣層3的第2部分3B。即、第2部分3B在俯視時配置于與第1部分3A的位置不同的位置。在基底絕緣層3中，第1部分3A的厚度比第2部分3B的厚度薄。

導(dǎo)體圖案4形成于基底絕緣層3的上表面。即、導(dǎo)體圖案4隔開間隔地配置于金屬支承基板2之上，由基底絕緣層3支承。換言之，基底絕緣層3配置于金屬支承基板2與導(dǎo)體圖案4之間。導(dǎo)體圖案4具有多個(8個)磁頭連接端子13、多個(8個)外部連接端子14、多個(8個)第1配線15、多個(兩個)作為端子的一個例子的壓電元件連接端子16、多個(兩個)電源端子17、多個(兩個)第2配線18以及多個(兩個)接地端子19。

多個磁頭連接端子13配置于基底絕緣層3的開口11的前側(cè)。多個磁頭連接端子13彼此隔開間隔地沿著寬度方向并列配置。磁頭連接端子13形成為俯視呈大致矩形形狀(方形焊盤(日文：角ランド)形狀)。

多個外部連接端子14配置于配線部9之上的基底絕緣層3的后端部。多個外部連接端子14彼此隔開間隔地沿著寬度方向并列配置。外部連接端子14具有俯視大致矩形形狀(方形焊盤形狀)。此外，外部連接端子14與外部控制基板(未圖示)等連接，能夠根據(jù)外部控制基板(未圖示)的結(jié)構(gòu)任意選擇其形狀、配置、接合方法。

多個第1配線15跨框部7和配線部9地彼此隔開間隔地配置。第1配線15從所對應(yīng)的磁頭連接端子13的前端部穿過開口11的寬度方向外側(cè)而與所對應(yīng)的外部連接端子14連續(xù)。

壓電元件連接端子16在俯視時配置于凹部12的內(nèi)側(cè)。壓電元件連接端子16形成于第1部分3A的上表面。壓電元件連接端子16形成為俯視呈大致矩形形狀(方形焊盤形狀)。在俯視時，壓電元件連接端子16的面積比第1部分3A的面積小。即、壓電元件連接端子16在俯視時包含于第1部分3A。

多個電源端子17在配線部9之上的基底絕緣層3的后端部配置于比所有外部連接端子14靠寬度方向內(nèi)方的位置。多個電源端子17在寬度方向上彼此隔開間隔地并列配置。電源端子17形成為俯視大致矩形形狀(方形焊盤形狀)。此外，電源端子17與外部的配線電路基板(未圖示)等連接，能夠根據(jù)外部的配線電路基板(未圖示)的結(jié)構(gòu)，任意選擇其形狀、配置、接合方法。

多個第2配線18跨框部7和配線部9地彼此隔開間隔地配置。第2配線18與所對應(yīng)的壓電元件連接端子16和電源端子17連續(xù)。

多個接地端子19配置于金屬支承基板2的支承部8的后端部。多個接地端子19在寬度方向上彼此隔開間隔地并列配置。接地端子19形成為俯視呈大致矩形形狀(方形焊盤形狀)。接地端子19與支承部8的上表面接觸。接地端子19與支承部8電連接。

覆蓋絕緣層5配置于基底絕緣層3和導(dǎo)體圖案4之上。覆蓋絕緣層5使磁頭連接端子13、外部連接端子14、壓電元件連接端子16以及電源端子17暴露并包覆第1配線15和第2配線18。覆蓋絕緣層5以均勻的厚度形成。即、在覆蓋絕緣層5中，配置于基底絕緣層3的第1部分3A之上的部分(第3部分5A)的厚度與配置于基底絕緣層3的第2部分3B之上的部分(第4部分5B)的厚度相同。

接下來，參照圖3A～圖3E，對帶電路的懸掛基板1的制造方法進行說明。

為了制造帶電路的懸掛基板1，如圖3A所示，首先，準(zhǔn)備金屬支承基板2。

作為形成金屬支承基板2的材料，可列舉出例如不銹鋼、42合金、鋁、銅－鈹、磷青銅等金屬材料，優(yōu)選的是，可列舉出不銹鋼。

金屬支承基板2的厚度例如是15μm以上，例如是50μm以下，優(yōu)選是30μm以下。

接下來，如圖3B所示，在金屬支承基板2的上表面以均勻的厚度涂敷感光性樹脂的清漆并使該清漆干燥。由此，在金屬支承基板2的上表面形成具有均勻的厚度的感光性樹脂的覆膜F1。

作為感光性樹脂，可列舉出例如聚酰亞胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚醚腈樹脂、聚醚砜樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂、聚萘二甲酸乙二醇酯樹脂、聚氯乙烯樹脂等合成樹脂。優(yōu)選的是，可列舉出聚酰亞胺。

接下來，將光掩模M1配置于覆膜F1的上側(cè)，隔著光掩模M1對覆膜F1進行灰度曝光。

光掩模M1具有由遮光部分M11、全透過部分M12以及半透過部分M13構(gòu)成的灰度圖案。

遮光部分M11與不形成基底絕緣層3的部分相對。遮光部分M11對朝向覆膜F1的光進行遮擋。

全透過部分M12與形成基底絕緣層3的第2部分3B的部分相對。全透過部分M12使朝向覆膜F1的光透過。

半透過部分M13與形成基底絕緣層3的第1部分3A的部分相對。半透過部分M13使朝向覆膜F1的光衰減成比透過全透過部分M12的光的強度低的強度并透過。

接下來，對覆膜F1進行顯影。

于是，覆膜F1中的、與遮光部分M11相對的部分被顯影液溶解而去除。另外，覆膜F1中的、與全透過部分M12相對的部分沒有被顯影液溶解而殘留。另外，覆膜F1中的、與半透過部分M13相對的部分被顯影液部分地溶解，而以比與全透過部分M12相對的部分薄的厚度殘留。

之后，根據(jù)需要，對覆膜F1進行加熱固化。

由此，如圖3C所示，在金屬支承基板2的上表面如上述那樣以具有第1部分3A和第2部分3B的圖案形成基底絕緣層3。

基底絕緣層3的第1部分3A的厚度L1例如是1μm以上，優(yōu)選是3μm以上，例如是15μm以下，優(yōu)選是10μm以下。

基底絕緣層3的第2部分3B的厚度L2例如是3μm以上，優(yōu)選是5μm以上，例如是35μm以下，優(yōu)選是15μm以下。

在將第2部分3B的厚度L2設(shè)為100％時，第1部分3A的厚度L1例如是10％以上，優(yōu)選是30％以上，例如是95％以下，優(yōu)選是80％以下。

接下來，如圖3D所示，利用添加法或消減法等，在基底絕緣層3的上表面形成導(dǎo)體圖案4。

對于形成導(dǎo)體圖案4的材料，可列舉出例如銅、鎳、金、軟釬料、或它們的合金等導(dǎo)體材料等，優(yōu)選的是，可列舉出銅。

導(dǎo)體圖案4的厚度例如是3μm以上，優(yōu)選是5μm以上，例如是50μm以下，優(yōu)選是20μm以下。

第1配線15和第2配線18的寬度例如是5μm以上，優(yōu)選是8μm以上，例如是200μm以下，優(yōu)選是100μm以下。

另外，第1配線15之間的寬度方向間隔例如是5μm以上，優(yōu)選是8μm以上，例如是1000μm以下，優(yōu)選是100μm以下。

另外，第1配線15與第2配線18之間的寬度方向間隔例如是5μm以上，優(yōu)選是8μm以上，例如是1000μm以下，優(yōu)選是100μm以下。

另外，磁頭連接端子13的寬度例如是15μm以上，優(yōu)選是20μm以上，例如是1000μm以下，優(yōu)選是800μm以下。

另外，磁頭連接端子13之間的間隔例如是15μm以上，優(yōu)選是20μm以上，例如是1000μm以下，優(yōu)選是800μm以下。

另外，外部連接端子14的寬度例如是15μm以上，優(yōu)選是20μm以上，例如是1000μm以下，優(yōu)選是800μm以下。

另外，外部連接端子14之間的間隔例如是15μm以上，優(yōu)選是20μm以上，例如是1000μm以下，優(yōu)選是800μm以下。

另外，外部連接端子14與電源端子17之間的間隔例如是5μm以上，優(yōu)選是8μm以上，例如是1000μm以下，優(yōu)選是100μm以下。

另外，壓電元件連接端子16的寬度例如是15μm以上，優(yōu)選是20μm以上，例如是1000μm以下，優(yōu)選是800μm以下。

另外，壓電元件連接端子16之間的間隔例如是15μm以上，優(yōu)選是20μm以上，例如是1000μm以下，優(yōu)選是800μm以下。

另外，接地端子19的寬度例如是15μm以上，優(yōu)選是20μm以上，例如是1000μm以下，優(yōu)選是800μm以下。

另外，接地端子19之間的間隔例如是15μm以上，優(yōu)選是20μm以上，例如是1000μm以下，優(yōu)選是800μm以下。

接下來，以包覆導(dǎo)體圖案4的方式在基底絕緣層3之上涂敷感光性樹脂的清漆，并使該清漆干燥，之后，進行曝光和顯影并進行加熱固化。此外，此時，不進行灰度曝光。即、使用具有僅由遮光部分和全透過部分構(gòu)成的圖案的光掩模，使遮光部分與沒有形成覆蓋絕緣層5的部分相對，使全透過部分與形成覆蓋絕緣層5的部分相對，并進行曝光。

由此，如圖3E所示，覆蓋絕緣層5以上述的圖案形成。

作為形成覆蓋絕緣層5的材料，可列舉出與上述的基底絕緣層3同樣的感光性樹脂。

覆蓋絕緣層5的厚度例如是1μm以上，例如是40μm以下，優(yōu)選是10μm以下。

之后，將金屬支承基板2加工成上述的外形形狀。此時，如圖2所示，形成開口10。

為了對金屬支承基板2進行加工，可使用例如干蝕刻(例如、等離子體蝕刻)、濕蝕刻(例如、化學(xué)蝕刻)等蝕刻法、例如、鉆頭穿孔、例如、激光加工等方法。優(yōu)選的是，利用蝕刻法進行加工。

由此，完成帶電路的懸掛基板1。

接下來，參照圖1和圖2，對滑橇30和壓電元件31相對于帶電路的懸掛基板1的安裝進行說明。

如圖1所示，滑橇30利用粘接劑等固定于金屬支承基板2的支承部8?；?0在前端部具有未圖示的磁頭。磁頭連接端子13借助軟釬料等接合劑與滑橇30的未圖示的磁頭的端子接合，彼此電連接。

如圖1和圖2所示，壓電元件31形成為沿著前后方向延伸的俯視呈大致矩形形狀。壓電元件31的前端部借助銀糊劑、低融點軟釬料等接合劑32與接地端子19接合。壓電元件31的后端部借助銀糊劑、低融點軟釬料等接合劑32與壓電元件連接端子16接合。壓電元件31借助電源端子17和第2配線18供給電力，通過對該電力的電壓進行控制，壓電元件31沿著前后方向伸縮。通過壓電元件31伸縮，能夠?qū)?0的位置進行微調(diào)整。

根據(jù)該帶電路的懸掛基板1，如圖2所示，在基底絕緣層3中，形成有壓電元件連接端子16的第1部分3A比其他部分(第2部分3B)薄地形成，從而能夠調(diào)整厚度方向上的壓電元件31與金屬支承基板2之間的距離。

在此，在對厚度方向上的壓電元件31與金屬支承基板2之間的距離進行調(diào)整的情況下，也研究較薄地形成覆蓋絕緣層5。不過，若較薄地形成覆蓋絕緣層5、在其較薄地形成的部分之上載置壓電元件31，則壓電元件連接端子16與壓電元件31之間的間隔變窄，有可能難以確保接合劑32的量。

在這點上，根據(jù)該帶電路的懸掛基板1，較薄地形成基底絕緣層3。

因此，與較薄地形成覆蓋絕緣層5的情況相比，能夠確保壓電元件連接端子16與壓電元件31之間的間隔，能夠向壓電元件連接端子16與壓電元件31之間充分地填充接合劑32。

其結(jié)果，能夠?qū)弘娫?1與壓電元件連接端子16可靠地接合。

另外，根據(jù)該帶電路的懸掛基板1，如圖1所示，沿著厚度方向觀察，第1部分3A的面積比壓電元件連接端子16的面積大。

因此，在第1部分3A之上能夠?qū)弘娫?1與壓電元件連接端子16可靠地接合。

另外，根據(jù)該帶電路的懸掛基板1，如圖2所示，在覆蓋絕緣層5中，配置于基底絕緣層3的第1部分3A之上的第3部分5A的厚度與配置于基底絕緣層3的第2部分3B之上的第4部分5B的厚度相同。

因此，在基底絕緣層3中，形成有壓電元件連接端子16的第1部分3A較薄地形成，一邊能夠調(diào)整厚度方向上的壓電元件31與金屬支承基板2之間的距離，一邊能夠利用第3部分5A的厚度、以簡易的結(jié)構(gòu)確保壓電元件連接端子16與壓電元件31之間的間隔。

其結(jié)果，能夠?qū)弘娫?1與壓電元件連接端子16更可靠地接合。

另外，根據(jù)該帶電路的懸掛基板1的制造方法，如圖3B和圖3C所示，通過對以均勻的厚度涂敷了的感光性樹脂的清漆進行灰度曝光，在基底絕緣層3形成第1部分3A和第2部分3B。

因此，不另外增加工序，就能夠利用形成基底絕緣層3的工序，高效地調(diào)整第1部分3A的厚度。

(第2實施方式)

接下來，參照圖4～圖7C，對第2實施方式的帶電路的懸掛基板40進行說明。此外，在第2實施方式中，對于與上述的第1實施方式同樣的構(gòu)件，標(biāo)注同樣的附圖標(biāo)記，省略其說明。

在上述的第1實施方式中，在基底絕緣層3形成厚度較薄的第1部分3A，在第1部分3A之上形成有壓電元件連接端子16。

相對于此，在第2實施方式中，如圖6D和圖7A所示，在中間絕緣層41形成厚度較薄的第1部分41A，在第1部分之上形成壓電元件連接端子16。

如圖4和圖5所示，第2實施方式的帶電路的懸掛基板40具有第1導(dǎo)體圖案4A和作為導(dǎo)體層的一個例子的第2導(dǎo)體圖案4B來替代第1實施方式的導(dǎo)體圖案4。帶電路的懸掛基板40具有作為第1絕緣層的一個例子的中間絕緣層41。即、第2實施方式的帶電路的懸掛基板40具有金屬支承基板2、基底絕緣層3、第1導(dǎo)體圖案4A、中間絕緣層41、第2導(dǎo)體圖案4B以及覆蓋絕緣層5。此外，在圖4中，為了更明確地表示第1導(dǎo)體圖案4A和第2導(dǎo)體圖案4B的結(jié)構(gòu)，省略了中間絕緣層41和覆蓋絕緣層5。

第1導(dǎo)體圖案4A形成于基底絕緣層3的上表面。第1導(dǎo)體圖案4A具有多個(7個)磁頭連接端子13A、多個(7個)外部連接端子14A以及多個(7個)第1配線15A。

多個磁頭連接端子13A與第1實施方式的磁頭連接端子13同樣地、彼此隔開間隔地沿著寬度方向并列配置。

多個外部連接端子14A與第1實施方式的外部連接端子14同樣地、彼此隔開間隔地沿著寬度方向并列配置。

多個第1配線15A與第1實施方式的第1配線15同樣地、彼此隔開間隔地配置，從所對應(yīng)的磁頭連接端子13A的前端部穿過開口11的寬度方向外側(cè)，與所對應(yīng)的外部連接端子14A連續(xù)。

第2導(dǎo)體圖案4B形成于基底絕緣層3的上表面和中間絕緣層41的上表面。第2導(dǎo)體圖案4B具有1個磁頭連接端子13B、1個外部連接端子14B、1個第1配線15B、上述的壓電元件連接端子16、電源端子17、第2配線18以及接地端子19。此外，除了壓電元件連接端子16、電源端子17、第2配線18以及接地端子19形成于中間絕緣層41之上以外，與第1實施方式是相同的。

磁頭連接端子13B形成于基底絕緣層3的上表面。磁頭連接端子13B與多個磁頭連接端子13A沿著寬度方向隔開間隔地配置。

外部連接端子14B形成于基底絕緣層3的上表面。外部連接端子14B與多個外部連接端子14A沿著寬度方向隔開間隔地配置。

第1配線15B從磁頭連接端子13B的前端部穿過開口11的寬度方向外側(cè)，與外部連接端子14B連續(xù)。第1配線15B在磁頭連接端子13B的前側(cè)與第1導(dǎo)體圖案4A的第1配線15A交叉。第1配線15B至少在與第1導(dǎo)體圖案4A的第1配線15A交叉的部分形成于中間絕緣層41的上表面，在除此以外的部分形成于基底絕緣層3的上表面。第1配線15B在除了與第1導(dǎo)體圖案4A的第1配線15A交叉的部分以外的部分，與多個第1配線15A沿著寬度方向隔開間隔地配置。

中間絕緣層41至少設(shè)置于第1導(dǎo)體圖案4A的第1配線15A與第2導(dǎo)體圖案4B的第1配線15B交叉的部分、壓電元件連接端子16、電源端子17、第2配線18以及接地端子19之下。此外，在壓電元件連接端子16、電源端子17、第2配線18以及接地端子19之下沒有設(shè)置基底絕緣層3，中間絕緣層41直接形成于金屬支承基板2的上表面。中間絕緣層41在第1導(dǎo)體圖案4A的第1配線15A與第2導(dǎo)體圖案4B的第1配線15B交叉的部分，配置于第2導(dǎo)體圖案4B與基底絕緣層3之間。中間絕緣層41在第1導(dǎo)體圖案4A的第1配線15A與第2導(dǎo)體圖案4B的第1配線15B交叉的部分，包覆了第1導(dǎo)體圖案4A的第1配線15A。

覆蓋絕緣層5形成于基底絕緣層3、中間絕緣層41、第1導(dǎo)體圖案4A的第1配線15A(未被中間絕緣層41覆蓋的部分)、第2導(dǎo)體圖案4B的第1配線15B、以及第2配線18的上表面。即、覆蓋絕緣層5配置于中間絕緣層41和第2導(dǎo)體圖案4B上。覆蓋絕緣層5包覆第1導(dǎo)體圖案4A的第1配線15A(未被中間絕緣層41覆蓋的部分)和第2導(dǎo)體圖案4B的第1配線15B。此外，磁頭連接端子13A、13B、外部連接端子14A、14B、壓電元件連接端子16以及電源端子17從覆蓋絕緣層5暴露。

并且，在第2實施方式中，在中間絕緣層41形成有多個凹部42。

凹部42配置于與第1實施方式的凹部12的位置相同的位置，形成為與第1實施方式的凹部12的形狀相同的形狀。凹部42從中間絕緣層41的上表面朝向金屬支承基板2凹陷。形成有凹部42的部分是中間絕緣層41的第1部分41A。另外，形成有凹部42的部分以外的部分是中間絕緣層41的第2部分41B。即、在俯視時，第2部分41B配置于與第1部分41A的位置不同的位置。在中間絕緣層41中，第1部分41A的厚度比第2部分41B的厚度薄。

接下來，參照圖6A～圖7C，對帶電路的懸掛基板40的制造方法進行說明。

為了制造帶電路的懸掛基板40，如圖6A所示，首先，準(zhǔn)備與第1實施方式同樣的金屬支承基板2。

接下來，在金屬支承基板2之上涂敷感光性樹脂的清漆，并使該清漆干燥，之后，進行曝光和顯影，并進行加熱固化。此外，在第2實施方式中，此時，不進行灰度曝光。即、使用具有僅由遮光部分和全透過部分構(gòu)成的圖案的光掩模，使遮光部分與不形成基底絕緣層3的部分相對，使全透過部分與形成基底絕緣層3的部分相對，并進行曝光。

由此，如圖6B所示，基底絕緣層3以上述的圖案形成。

接下來，如圖6C所示，利用添加法或消減法等，在基底絕緣層3的上表面形成第1導(dǎo)體圖案4A。

接下來，如圖6D所示，在金屬支承基板2、基底絕緣層3以及第1導(dǎo)體圖案4A的上表面以均勻的厚度涂敷感光性樹脂的清漆，使該清漆干燥。由此，在金屬支承基板2的上表面形成具有均勻的厚度的感光性樹脂的覆膜F2。

接下來，將光掩模M2配置于覆膜F2的上側(cè)，隔著光掩模M2對覆膜F2進行灰度曝光。光掩模M2具有由遮光部分M21、全透過部分M22以及半透過部分M23構(gòu)成的灰度圖案。

遮光部分M21與沒有形成中間絕緣層41的部分相對。全透過部分M22與形成中間絕緣層41的第2部分41B的部分相對。半透過部分M23與形成中間絕緣層41的第1部分41A的部分相對。

接下來，對覆膜F2進行顯影，之后，根據(jù)需要，對覆膜F2進行加熱固化。

由此，如圖7A所示，在金屬支承基板2、基底絕緣層3以及第1導(dǎo)體圖案4A的上表面以上述的圖案形成中間絕緣層41。

中間絕緣層41的第1部分41A的厚度L11例如是1μm以上，優(yōu)選是3μm以上，例如是15μm以下，優(yōu)選是10μm以下。

中間絕緣層41的第2部分41B的厚度L12例如是3μm以上，優(yōu)選是5μm以上，例如是35μm以下，優(yōu)選是15μm以下。

在將第2部分41B的厚度L12設(shè)為100％時，第1部分41A的厚度L11例如是10％以上，優(yōu)選是30％以上，例如是95％以下，優(yōu)選是80％以下。

接下來，如圖7B所示，利用添加法或消減法等，在基底絕緣層3的上表面和中間絕緣層41的上表面形成第2導(dǎo)體圖案4B。

接下來，以包覆第1導(dǎo)體圖案4A和第2導(dǎo)體圖案4B的方式，在基底絕緣層3和中間絕緣層41之上涂敷感光性樹脂的清漆，使該清漆干燥，之后，進行曝光和顯影，并進行加熱固化。此外，此時不進行灰度曝光。即、使用具有僅由遮光部分和全透過部分構(gòu)成的圖案的光掩模，使遮光部分與不形成覆蓋絕緣層5的部分相對，使全透過部分與形成覆蓋絕緣層5的部分相對，并進行曝光。

由此，如圖7C所示，覆蓋絕緣層5以上述的圖案形成。

之后，將金屬支承基板2加工成上述的外形形狀。

由此，如圖5所示，完成帶電路的懸掛基板40。

在第2實施方式中，也能夠獲得與第1實施方式同樣的作用效果。

(其他實施方式)

此外，在上述的第2實施方式中，在與壓電元件連接端子16重疊的部分，也能夠在中間絕緣層41與金屬支承基板2之間設(shè)置基底絕緣層3。

此外，作為本發(fā)明的例示的實施方式提供了上述說明，但這只不過是例示，并不進行限定性地解釋。本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員所清楚的本發(fā)明的變形例包含于權(quán)利要求書中。