1.一種MOS管參數(shù)退化電路，其特征在于，包括：NMOS管與PMOS管；
所述NMOS管的柵極與所述PMOS管的柵極連接，所述NMOS管的漏極與所述PMOS管的漏極連接；所述PMOS管的柵極接電源；
所述NMOS管的源極接收控制信號，所述控制信號采用電平信號；
所述控制信號為高電平信號時，所述NMOS管的溝道產(chǎn)生熱載流子；
其中，所述熱載流子注入到柵氧化層的過程中產(chǎn)生界面態(tài)和氧化層陷落電荷，從而造成氧化層的損傷，使NMOS管的器件參數(shù)退化；
所述NMOS管的柵極與所述PMOS管的柵極接收輸入信號，所述NMOS管的漏極與所述PMOS管的漏極輸出與所述輸入信號反相的輸出信號；所述NMOS管與所述PMOS管連接成反相器；
所述輸入信號為低電平信號時，所述PMOS管導通，所述NMOS管截止，所述輸出信號為高電平信號；所述輸入信號為高電平信號時，所述PMOS管截止，所述NMOS管導通，所述輸出信號為低電平信號。
2.根據(jù)權利要求1所述的MOS管參數(shù)退化電路，其特征在于，還包括：緩沖器；
所述緩沖器的輸出端與所述NMOS管的源極連接；
所述緩沖器的輸入端接收所述控制信號，并將所述控制信號傳輸至所述NMOS管的源極。
3.一種MOS管參數(shù)退化測試電路，其特征在于，包括：參數(shù)測量電路和權利要求1或2的MOS管參數(shù)退化電路；
所述MOS管參數(shù)退化電路的輸入端為所述NMOS管的柵極與所述PMOS管的柵極連接形成，所述MOS管參數(shù)退化電路的輸出端為所述NMOS管的漏極與所述PMOS管的漏極連接形成；
所述MOS管參數(shù)退化電路的輸入端與輸出端連接，所述參數(shù)測量電路的輸入端與所述MOS管參數(shù)退化電路的輸出端連接；
所述NMOS管的源極接收所述高電平信號，所述NMOS管的器件參數(shù)退化；
所述MOS管參數(shù)退化電路的輸入端接收所述輸入信號，所述MOS管參數(shù)退化電路的輸出端輸出震蕩信號；所述參數(shù)測量電路的輸入端接收所述震蕩信號，并測量所述震蕩信號的頻率，根據(jù)所述震蕩信號的頻率與基準頻率比值的變化率可以計算MOS管器件參數(shù)的退化程度；
其中，所述基準頻率為所述NMOS管的器件參數(shù)未退化時的震蕩信號頻率。
4.一種MOS管參數(shù)退化預警電路，其特征在于，包括：第一MOS管參數(shù)退化電路、第二MOS管參數(shù)退化電路、選擇器以及參數(shù)測量電路；所述第一MOS管參數(shù)退化電路采用權利要求1或2的MOS管參數(shù)退化電路，所述第二MOS管參數(shù)退化電路采用權利要求1或2的MOS管參數(shù)退化電路；
第一MOS管參數(shù)退化電路中的所述NMOS管的柵極與所述PMOS管的柵極連接成所述第一MOS管參數(shù)退化電路的輸入端，第一MOS管參數(shù)退化電路中的所述NMOS管的漏極與所述PMOS管的漏極連接成所述第一MOS管參數(shù)退化電路的輸出端；所述第一MOS管參數(shù)退化電路的輸入端與輸出端連接；
第二MOS管參數(shù)退化電路中的所述NMOS管的柵極與所述PMOS管的柵極連接成所述第二MOS管參數(shù)退化電路的輸入端，第二MOS管參數(shù)退化電路中的所述NMOS管的漏極與所述PMOS管的漏極連接成所述第二MOS管參數(shù)退化電路的輸出端；所述第二MOS管參數(shù)退化電路的輸入端與輸出端連接；
所述第一MOS管參數(shù)退化電路的輸出端與所述選擇器的第一輸入端連接，所述第二MOS管參數(shù)退化電路的輸出端與所述選擇器的第二輸入端連接；所述選擇器的輸出端與所述參數(shù)測量電路的輸入端連接；
所述第一MOS管參數(shù)退化電路中的所述NMOS管的源極接收所述高電平信號，所述第二MOS管參數(shù)退化電路中的所述NMOS管的源極接收所述低電平信號；所述第二MOS管參數(shù)退化電路為所述第一MOS管參數(shù)退化電路的參考電路；
所述選擇器的使能端接收第一使能信號，所述選擇器在第一使能信號的控制下連通所述第一MOS管參數(shù)退化電路與所述參數(shù)測量電路；所述第一MOS管參數(shù)退化電路的輸入端接收所述輸入信號，并輸出第一震蕩信號至所述參數(shù)測量電路，所述參數(shù)測量電路測量所述第一震蕩信號頻率；
所述選擇器的使能端接收第一使能信號，所述選擇器在第一使能信號的控制下連通所述第二MOS管參數(shù)退化電路與所述參數(shù)測量電路；所述第二MOS管參數(shù)退化電路的輸入端接收所述輸入信號，并輸出第二震蕩信號至所述參數(shù)測量電路，所述參數(shù)測量電路測量所述第二震蕩信號頻率；
通過計算所述第一震蕩信號頻率與所述第二震蕩信號頻率的比值的變化率可以反應MOS管參數(shù)的退化程度，當MOS管參數(shù)的退化程度超過預設值時，發(fā)出預警信號。
5.根據(jù)權利要求4所述的MOS管參數(shù)退化預警電路，其特征在于，還包括：輸出緩存電路；
所述輸出緩存電路的輸入端與所述選擇器的輸出端連接，所述輸出緩存電路的輸出端與所述參數(shù)測量電路的輸入端連接；
所述選擇器接收所述第一震蕩信號或者所述第二震蕩信號，并將所述第一震蕩信號或者所述第二震蕩信號轉(zhuǎn)發(fā)至所述輸出緩存電路，所述輸出緩存電路用于保持與恢復所述第一震蕩信號或者所述第二震蕩信號，并將所述第一震蕩信號或者所述第二震蕩信號傳輸至所述參數(shù)測量電路。
6.根據(jù)權利要求4或5所述的MOS管參數(shù)退化預警電路，其特征在于，所述參數(shù)測量電路的使能端接收第二使能信號，所述參數(shù)測量電路在第二使能信號的控制下對所述第一震蕩信號或第二震蕩信號的頻率進行測量。
7.一種MOS管參數(shù)退化測試電路，其特征在于，包括：參數(shù)測量電路和2N+1權利要求1或2的MOS管參數(shù)退化電路，其中N為正整數(shù)；
每個所述MOS管參數(shù)退化電路中的所述NMOS管的柵極與所述PMOS管的柵極連接形成每個所述MOS管參數(shù)退化電路的輸入端，每個所述MOS管參數(shù)退化電路中的所述NMOS管的漏極與所述PMOS管的漏極連接形成每個所述MOS管參數(shù)退化電路的輸出端；
前一個所述MOS管參數(shù)退化電路的輸出端與下一個所述MOS管參數(shù)退化電路的輸入端連接；所述參數(shù)測量電路的輸入端與其中一個所述MOS管參數(shù)退化電路的輸出端連接；
各個所述MOS管參數(shù)退化電路中的所述NMOS管的源極均接收相同的所述高電平信號；
其中一個所述MOS管參數(shù)退化電路的輸入端接收所述輸入信號，其中一個所述MOS管參數(shù)退化電路的輸出端輸出震蕩信號，所述參數(shù)測量電路的輸入端接收所述震蕩信號，并測量所述震蕩信號頻率；
根據(jù)所述震蕩信號的頻率與基準頻率比值的變化率可以計算MOS管器件參數(shù)的退化程度；
其中，所述基準頻率為所述NMOS管的器件參數(shù)未退化時的震蕩信號頻率。
8.一種MOS管參數(shù)退化預警電路，其特征在于，包括：應力環(huán)振電路、基準環(huán)振電路、選擇器和參數(shù)測量電路；所述應力環(huán)振電路與所述基準環(huán)振電路均包括2N+1權利要求1或2的MOS管參數(shù)退化電路，其中N為正整數(shù)；
每個所述MOS管參數(shù)退化電路中的所述NMOS管的柵極與所述PMOS管的柵極連接成每個所述MOS管參數(shù)退化電路的輸入端，每個所述MOS管參數(shù)退化電路中的所述NMOS管的漏極與所述PMOS管的漏極連接成每個所述MOS管參數(shù)退化電路的輸出端；
所述應力環(huán)振電路中的前一個所述MOS管參數(shù)退化電路的輸出端與下一個所述MOS管參數(shù)退化電路的輸入端連接；所述基準環(huán)振電路中的前一個所述MOS管參數(shù)退化電路的輸出端與下一個所述MOS管參數(shù)退化電路的輸入端連接；
所述應力環(huán)振電路中的其中一個所述MOS管參數(shù)退化電路的輸出端與所述選擇器的第一輸入端連接，所述基準環(huán)振電路中的其中一個所述MOS管參數(shù)退化電路的輸出端與所述選擇器的第二輸入端連接，所述選擇器的輸出端與所述參數(shù)測量電路的輸入端連接；
所述應力環(huán)振電路中的各個所述MOS管參數(shù)退化電路中的所述NMOS管的源極均接收相同的所述高電平信號；所述基準環(huán)振電路中的各個所述MOS管參數(shù)退化電路中的所述NMOS管的源極均接收相同的所述低電平信號；
所述選擇器的使能端接收第一使能信號，所述選擇器在第一使能信號的控制下連通所述參數(shù)測量電路與所述應力環(huán)振電路中的其中一個所述MOS管參數(shù)退化電路；所述應力環(huán)振電路中的其中一個所述MOS管參數(shù)退化電路的輸入端接收所述輸入信號，并輸出第一震蕩信號至所述參數(shù)測量電路，所述參數(shù)測量電路測量所述第一震蕩信號頻率；
所述選擇器的使能端接收第一使能信號，所述選擇器在第一使能信號的控制下連通所述參數(shù)測量電路與所述基準環(huán)振電路中的其中一個所述MOS管參數(shù)退化電路；所述基準環(huán)振電路中的其中一個所述MOS管參數(shù)退化電路的輸入端接收所述輸入信號，并輸出第二震蕩信號至所述參數(shù)測量電路，所述參數(shù)測量電路測量所述第二震蕩信號頻率；
通過計算所述第一震蕩信號頻率與所述第二震蕩信號頻率的比值的變化率可以反應MOS管參數(shù)的退化程度，當MOS管參數(shù)的退化程度超過預設值時，發(fā)出預警信號。
9.根據(jù)權利要求8所述的MOS管參數(shù)退化預警電路，其特征在于，還包括：輸出緩存電路；
所述輸出緩存電路的輸入端與所述選擇器的輸出端連接，所述輸出緩存電路的輸出端與所述參數(shù)測量電路的輸入端連接；
所述選擇器接收所述第一震蕩信號或者所述第二震蕩信號，并將所述第一震蕩信號或者所述第二震蕩信號轉(zhuǎn)發(fā)至所述輸出緩存電路，所述輸出緩存電路用于保持與恢所述第一震蕩信號或者所述第二震蕩信號，并將所述第一震蕩信號或者所述第二震蕩信號傳輸至所述參數(shù)測量電路。
10.根據(jù)權利要求8或9所述的MOS管參數(shù)退化預警電路，其特征在于，所述參數(shù)測量電路的使能端接收第二使能信號，所述參數(shù)測量電路在第二使能信號的控制下對所述第一震蕩信號或第二震蕩信號的頻率進行測量。