本揭示內容是有關于一種頻率調諧技術，且特別是有關于頻率調諧裝置。

背景技術：

振蕩器(Oscillator)已被廣泛地使用于各種電子裝置中。舉例而言，振蕩器被應用于記憶體裝置或數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)，以提供具有預期頻率的時脈信號。然而，基于制程、電壓、及/或溫度(PVT)變異的原因，振蕩器可能具有非線性增益。如此，記憶體裝置的性能以及精確度將會降低。

技術實現(xiàn)要素：

本揭示內容的一些實施方式是關于一種頻率調諧裝置。頻率調諧裝置包含一振蕩器、一頻率偵測器以及一選擇電路。振蕩器用以產(chǎn)生一振蕩信號。振蕩器包含一第一調諧組以及一第二調諧組。第一調諧組用以將振蕩信號的頻率調整于一第一頻帶內。第二調諧組用以將振蕩信號的頻率調整于一第二頻帶內。頻率偵測器用以依據(jù)至少一信號產(chǎn)生一控制信號。該至少一信號代表振蕩信號的頻率。選擇電路用以依據(jù)控制信號啟動第一調諧組以及第二調諧組中的至少一者。

附圖說明

閱讀以下的詳細描述時搭配隨附的附圖，可對本揭示內容達到最佳的理解。強調的是，根據(jù)產(chǎn)業(yè)多種類特征構造標準實務可能并非依比例畫出，而僅為舉例目的之用。事實上，附圖中多種類特征構造的尺寸可任意增加或減少以利討論的明確性。

圖1是依據(jù)本揭示內容的一些實施例所繪示的一裝置的示意圖；

圖2是依據(jù)本揭示內容的一些實施例所繪示的圖1的振蕩器的示意圖；

圖3是依據(jù)本揭示內容的一些實施例所繪示的圖1的頻率偵測器以及圖1的選擇電路的電路圖；

圖4是依據(jù)本揭示內容的一些實施例所繪示的校正一振蕩器的頻率的方法的流程圖；

圖5是依據(jù)本揭示內容的一些實施例所繪示的圖2中開關電容電路的微調解析度與圖1中振蕩信號VO的頻率之間的關系；以及

圖6是依據(jù)本揭示內容的一些實施例所繪示的圖2中振蕩器的電容的形成示意圖。

具體實施方式

以下揭示內容提供許多不同實施例，例如實施所揭露專利標的不同特征構造。元件與排列的特定范例如下所敘述以簡化本揭示內容，并且僅為舉例說明并非用以限定本揭示內容。舉例而言，后段敘述中形成第一特征于第二特征上可能包含第一特征與第二特征是以直接接觸方式形成的實施例，也可能包含其他特征形成于第一第二特征間，以使第一及第二特征可能不是直接接觸的實施例。另外，本揭示內容可重復參考標號及/或文字于不同的例子中。這種重復是為了簡化及清楚的目的且并非限定所討論的不同實施例及/或配置之間的關系。

在全篇說明書所使用的用詞(terms)，通常具有每個用詞使用在此領域中以及在此揭示內容中平常意義。此說明書中使用的例子，包含于此所討論的任何用詞的例子，僅用以示例，且非用以限制任何舉例的用詞的范圍以及意義。同樣地，本揭示并不限制于本說明書中的各種例子。

雖然本文中所使用的“第一”、“第二”、“第三”…等可用以描述不同的元件，這些元件并非受限于這些用詞。這些用詞用以區(qū)別不同的元件。舉例而言，在不違背實施例的范圍的情況下，第一元件可被命名為第二元件，且相似地，第二元件可被命名為第一元件。如于此所討論的，用詞“及/或”包含一或多個被列舉的物件的任何以及所有的組合。

請參考圖1。圖1是依據(jù)本揭示內容的一些實施例所繪示的一裝置100的示意圖。在一些實施例中，裝置100被應用于一全數(shù)字鎖相環(huán)(all-digital phase locked loop；ADPLL)系統(tǒng)。在一些實施例中，裝置100用以運作為一數(shù)字受控振蕩器。

以圖1示例而言，裝置100包含振蕩器120、頻率偵測器140、以及選擇電路160。振蕩器120用以受選擇電路160所控制，以產(chǎn)生振蕩信號VO。在一些實施例中，振蕩器120包含調諧組122以及調諧組124。調諧組122用以將振蕩信號VO的頻率調整于第一頻帶內。調諧組124用以將振蕩信號VO的頻率調整于第二頻帶內。在一些實施例中，第二頻帶高于第一頻帶。等效而言，振蕩信號VO的頻率范圍被調諧組122以及調諧組124所劃分。在一些實施例中，第一頻帶的頻率范圍部分重疊于第二頻帶的頻率范圍。舉例而言，第一頻帶的范圍約介于9～17吉赫(GHz)，第二頻帶的范圍約介于16～19吉赫。兩者之間重疊的頻率范圍約為1吉赫。

第一頻帶范圍、第二頻帶范圍、以及重疊頻率范圍的安排以及值僅用以示例的目的。第一頻帶范圍、第二頻帶范圍、以及重疊頻率范圍的各種安排以及值皆在本揭示內容的考量范圍內。

頻率偵測器140用以偵測至少一信號F1，且對應地產(chǎn)生控制信號VC。在不同的實施例中，該至少一信號F1包含多個信號，這些信號足以代表振蕩信號VO的頻率。在一些實施例中，該至少一信號F1包含在ADPLL系統(tǒng)中的頻率控制字元，其用以校正振蕩信號VO的頻率。在一些進一步的實施例中，頻率控制字元包含用以校正制程、電壓以及溫度(PVT)變異的控制碼、用以選擇振蕩信號VO的頻率的控制碼、用以粗調的控制碼、及/或用以細調的控制碼。在一些實施例中，該至少一信號F1包含輸出自ADPLL系統(tǒng)中一參考累積器及/或一變動累積器的數(shù)據(jù)。在一些其他的實施例中，該至少一信號F1包含輸出自一時間數(shù)字轉換器(time-to-digital converter；TDC)的數(shù)據(jù)。在一些實施例中，該至少一信號F1包含輸出自一監(jiān)控電路的信號，監(jiān)控電路用以偵測振蕩信號VO的頻率。在一些取代的實施例中，信號F1包含來自一類比PPL系統(tǒng)的一控制電壓。

信號F1的安排僅用以示例的目的。信號F1能夠代表振蕩信號VO的頻率，信號F1的各種安排皆在本揭示內容的考量范圍內。

選擇電路160耦接于頻率偵測器140與振蕩器120之間。在一些實施例中，選擇電路160用以依據(jù)控制信號VC輸出選擇信號VS1以及選擇信號VS2，以啟動調諧組122以及調諧組124的其中一者。在一些實施例中，選擇信號VS1以及選擇信號VS2為多位信號。在一些實施例中，多位信號為二進制碼(binary code)的型式。在一些其他的實施例中，多位信號為溫度計碼(thermometer code)的型式。在這些安排下，振蕩信號VO的頻率能夠自動地被調整。在一些實施例中，選擇信號VS1～VS2是通過控制信號VC與信號F1的邏輯運算或者算術運算而產(chǎn)生。在一些實施例中，選擇信號VS1～VS2是通過控制信號VC與信號F1的不同位的邏輯運算或者算術運算而產(chǎn)生。

請參考圖2。圖2是依據(jù)本揭示內容的一些實施例所繪示的圖1的振蕩器120的示意圖。為便于了解，圖2中與圖1中相似的元件以相同元件符號標示。

在一些實施例中，振蕩器120包含電感電容振蕩器(LC-based oscillator)。以圖2示例而言，相較于圖1，振蕩器120還包含電感L1～L2以及形成交錯耦接對的開關M1～M2。電感L1耦接于電壓源與節(jié)點O+之間。電壓源用以提供電壓VDD。電感L2耦接于電壓源與節(jié)點O-之間。開關M1耦接于節(jié)點O+與地端之間。開關M1的控制端耦接節(jié)點O-。開關M2耦接于節(jié)點O-與地端之間。開關M2的控制端耦接于節(jié)點O+。調諧組122以及調諧組124耦接于節(jié)點O+以及節(jié)點O-之間。在一些實施例中，電感L1的電感值與電感L2的電感值相同。

在一些實施例中，調諧組122以及調諧組124的各者包含開關電容電路SC1～SCN。為了簡化，圖2只繪示了調諧組122中開關電容電路SC1的電路圖。調諧組122中開關電容電路SC2～SCN的電路架構以及調諧組124中開關電容電路SC1～SCN的電路架構相同于調諧組122中開關電容電路SC1的電路架構。在一些實施例中，開關電容電路SC1包含開關M3～M5以及電容C1～C2。在一些實施例中，電容C1的電容值與電容C2的電容值相同。

電容C1的第一端耦接節(jié)點O+，電容C1的第二端耦接開關M3的第一端。電容C2的第一端耦接開關M3的第二端，電容C2的第二端耦接節(jié)點O-。開關M4耦接于電容C1的第二端與地端之間。開關M5耦接于第二電容的第一端與地端之間。調諧組122中開關電容電路SC1～SCN的開關M3～M5用以依據(jù)選擇信號VS1導通。調諧組124中開關電容電路SC1～SCN的開關M3～M5用以依據(jù)選擇信號VS2導通。當開關M3導通，電容C1連接至電容C2。當開關M4導通，電容C1的第二端連接至地端。當開關M5導通，電容C2的第一端連接至地端。

在一些實施例中，為了在節(jié)點O+與節(jié)點O-之間產(chǎn)生振蕩信號VO，電感L1與耦接至電感L1的等效電容CSW1間發(fā)生共振，電感L2與耦接至電感L2的等效電容CSW2間發(fā)生共振。在一些實施例中，等效電容CSW1以及等效電容CSW2是依據(jù)開關電容電路SC1～SCN的運作狀態(tài)決定。對應地，隨著開關電容電路SC1～SCN的不同運作狀態(tài)，開關電容電路SC1～SCN的每一者能夠提供振蕩信號VO的一特定范圍的頻率。以不同的方式解釋，振蕩器120的增益能夠通過導通或截止開關電容電路SC1～SCN而被調整。

在一些實施例中，調諧組122以及調諧組124被應用在振蕩器120的微調中。示例而言，開關電容電路SC1～SCN以對稱的架構形成。等效電容CSW1的電容值大致與等效電容CSW2的電容值相同。因此，為了簡化，以下敘述將以等效電容CSW1為例進行說明。

如上所述，振蕩信號VO的頻率依據(jù)發(fā)生在開關電容電路SC1～SCN中的共振而調整。開關電容電路SC1的解析度△f_FINE用以微調振蕩器120的增益，△f_FINE能夠以以下公式(1)表達：

L是電感L1～L2的電感值，C_par是開關電容電路SC1的寄生電容，C_SW是等效電容CSW1以及等效電容CSW2的其中一者，且△C_FINE是開關電容電路SC1的電容的單位變異。

當開關電容電路SC1的開關M3～M5被導通，C_SW對應的電容值以下將被標記為C_{SW_ON}。取而代之地，當開關電容電路SC1的開關M3～M5被截止，C_SW對應的電容值以下將被標記為C_{SW_OFF}。在一些實施例中，當C_SW的電容值甚大于C_par的電容值，公式(1)能夠簡化成以下的公式(2)：

△f_{FINE_Min}是開關電容電路SC1的最小解析度，且△f_{FINE_Max}是開關電容電路SC1的最大解析度。

如此，若C_SW的值甚大于寄生電容C_par，△f_{FINE_Max}與△f_{FINE_Min}之間的關系能夠從以下公式(3)得到：

如上所述，當開關電容電路SC1～SCN其中一者的開關M1～M3導通，該開關電容電路SC1～SCN具有電容C_{SW_ON}。當開關電容電路SC1～SCN其中一者的開關M1～M3截止，該開關電容電路SC1～SCN具有電容C_{SW_OFF}。通過利用公式(3)，在不同的實施例中，第一頻帶以及第二頻帶能夠依據(jù)C_{SW_ON}與C_{SW_OFF}之間比例的約兩倍而決定。

示例而言，請繼續(xù)參考圖2，當開關M3～M5截止時，等效電容CSW1(也就是電容C_{SW_OFF})實質上由耦接至電容C1的第二端的寄生電容(圖未示)以及開關M3的柵極-源極電容形成。當開關M3～M5導通時，電容C1的第二端透過開關M4耦接至地端。如此，當開關M3～M5導通時，等效電容CSW1(也就是電容C_{SW_ON})實質上由電容C1形成。如此，通過選擇開關M3～M5以及電容C1的尺寸，電容C_{SW_ON}與電容C_{SW_OFF}之間的比例就能夠被決定。等效而言，第一頻帶與第二頻帶能夠被線性地決定。舉例而言，當電容C_{SW_ON}與電容C_{SW_OFF}之間的比例被設定約為1時，由公式(3)得到的值約為2。相應地，第二頻帶的解析度被設計在例如約4～8百萬赫茲(million Hertz；MHZ)的范圍內。微調解析度以及頻帶的值僅用以示例的目的。微調解析度以及頻帶的各種值皆在本揭示內容的考量范圍內。

在一些作法中，振蕩器的增益為非線性。換句話說，這些作法中的振蕩器的增益納入了二次方程式的計算，這需要復雜的分析。相較于前述的作法，通過利用上述的公式(3)，第一頻帶與第二頻帶能夠更有效率地被設定。

請參考圖3。圖3是依據(jù)本揭示內容的一些實施例所繪示的圖1的頻率偵測器140以及圖1的選擇電路160的電路圖。為便于了解，圖3中與圖2以及圖1中相似的元件以相同元件符號標示。

以圖3示例而言，在一些實施例中，頻率偵測器140包含比較器142。比較器142用以比較該至少一信號F1與臨限頻率FTH，以產(chǎn)生控制信號VC。在一些實施例中，臨限頻率FTH是第一頻帶與第二頻帶之間的界線，例如，如以下圖5所繪示。

在一些實施例中，選擇電路160包含正反器(flip-flop)162與164、或門(OR)166以及與非門(NAND)168?；蜷T166具有一反相輸入端。正反器162用以依據(jù)參考頻率FREF以及信號F1輸出偵測信號VD1，例如包含微調信號。在一些實施例中，偵測信號VD1是多位信號。正反器164用以依據(jù)參考頻率FREF以及控制信號VC輸出偵測信號VD2?；蜷T166的反相輸入端用以接收偵測信號VD1，或門166的另一個輸入端用以接收偵測信號VD2，或門166的輸出端用以輸出選擇信號VS2。與非門168用以依據(jù)偵測信號VD1以及偵測信號VD2輸出選擇信號VS1。通過這種安排，當振蕩信號VO的頻率被期望超過臨限頻率FTH時，調諧組124能夠被選擇信號VS2啟動。如此，振蕩信號VO的頻率能夠被線性地調整于較高的頻率范圍內。

頻率偵測器140以及選擇電路160的安排以及實現(xiàn)僅用以示例的目的。頻率偵測器140以及選擇電路160的各種安排以及實現(xiàn)皆在本揭示內容的考量范圍內。

圖4是依據(jù)本揭示內容的一些實施例所繪示的校正一振蕩器的頻率的方法400的流程圖。為易于了解的目的，現(xiàn)在請參考圖1～圖4，方法400的操作將搭配圖1的裝置100描述。在一些實施例中，方法400包含操作S410～S460。

在操作S410，比較器142比較信號F1的頻率與臨限頻率FTH，以輸出控制信號VC。在操作S420，正反器162依據(jù)參考頻率FREF以及信號F1輸出偵測信號VD1。在操作S430，正反器164依據(jù)控制信號VC以及參考頻率FREF輸出偵測信號VD2。

圖5是依據(jù)本揭示內容的一些實施例所繪示的圖2中開關電容電路SC1～SCN的微調解析度與圖1中振蕩信號VO的頻率之間的關系。

舉例而言，如圖5的一些實施例示例而言，第一頻帶位于頻率f1至臨限頻率FTH的范圍內，第二頻帶位于臨限頻率FTH至頻率f2的范圍內。當信號F1的頻率低于臨限頻率FTH時，比較器142輸出具有邏輯值0的控制信號VC。在這種條件下，正反器162輸出具有邏輯值1的偵測信號VD1，且正反器164輸出具有邏輯值0的偵測信號VD2。取而代之地，當信號F1的頻率高于臨限頻率FTH時，比較器142輸出具有邏輯值1的控制信號VC。在這種條件下，正反器162輸出具有邏輯值0的偵測信號VD1，正反器164輸出具有邏輯值1的偵測信號VD2。

請繼續(xù)參考圖4，在操作S440，或門166依據(jù)偵測信號VD1～VD2輸出選擇信號VS2。在操作S450，與非門168依據(jù)偵測信號VD1～VD2輸出選擇信號VS1。

舉例而言，如上所述，當信號F1的頻率低于臨限頻率FTH時，也就是說，振蕩信號VO的頻率目前位于第一頻帶內，偵測信號VD2具有邏輯值0。對應地，與非門168輸出具有邏輯值1的選擇信號VS1，或門166輸出具有邏輯值0的選擇信號VS2。取而代之地，當信號F1的頻率高于臨限頻率FTH時，也就是說，振蕩信號VO的頻率目前位于第二頻帶內，偵測信號VD2具有邏輯值1。對應地，與非門168輸出具有邏輯值0的選擇信號VS1，或門166輸出具有邏輯值1的選擇信號VS2。

請繼續(xù)參考圖4。在操作S460，調諧組122以及調諧組124的其中一者被啟動以調整振蕩信號VO的頻率。

舉例而言，如上所述，當振蕩信號VO的頻率目前位于第一頻帶內，選擇信號VS1具有邏輯值1且選擇信號VS2具有邏輯值0。相應地，調諧組122的開關電容電路SC1～SCN被選擇以調整振蕩信號VO的頻率。取而代之地，當振蕩信號VO的頻率目前位于第二頻帶內，選擇信號VS1具有邏輯值0且選擇信號VS2具有邏輯值1。相應地，調諧組124的開關電容電路SC1～SCN被選擇以調整振蕩信號VO的頻率。

上述敘述中的方法400包含示例性的操作，但這些操作不必依上述順序被執(zhí)行。按照本揭示內容的精神與范圍，本揭示內容的方法400中的操作的順序能夠被改變，或者這些操作能夠視情況地同時或部分同時被執(zhí)行。舉例而言，在一些其他的實施例中，調諧組122以及調諧組124同時導通，以進一步延展振蕩信號VO的頻率調整范圍。

在一些方式中，如圖5所繪示的曲線501，振蕩器在微調解析度中具有非線性特性。相較于這種方式，如圖5所繪示的曲線502～503，振蕩信號VO的頻率范圍落于第一頻帶以及第二頻帶的其中一者內。曲線502對應于第一頻帶，曲線503對應于第二頻帶。等效而言，圖1的振蕩器120被第一頻帶以及第二頻帶的安排所補償。如此，振蕩器120的線性度被改善。

請參考圖6。圖6是依據(jù)本揭示內容的一些實施例所繪示的圖2中振蕩器120的電容C1～C2的形成的示意圖。為便于了解，圖6中與圖2中相似的元件以相同元件符號標示。

在一些實施例中，以圖6示例而言，在圖2的調諧組122以及調諧組124的任一者的開關電容電路SC1～SCN中的電容C1～C2是以多指(multi-finger)結構形成。舉例而言，在一些實施例中，電容C1～C2是以金屬-絕緣體-金屬(metal-insulator-metal；MIM)電容形成。在一些實施例中，電容C1～C2是以金屬-氧化物-金屬(metal-oxide-metal；MOM)電容形成。

進一步而言，在一些實施例中，以圖6示例而言，調諧組124的電容C1～C2形成在調諧組122的電容C1～C2上。舉例而言，調諧組124的電容C1～C2利用金屬層601形成多指結構，且調諧組122的電容C1～C2利用金屬層602形成多指結構。利用金屬層601所形成的多指結構形成且堆疊在利用金屬層602所形成的多指結構上。通過堆疊電容C1～C2，調諧組122以及調諧組124的尺寸得以被減小。在一些其他的實施例中，調諧組122的電容C1～C2形成在調諧組124的電容C1～C2上。

電容C1～C2的安排以及實現(xiàn)僅用以示例的目的。電容C1～C2的各種安排以及實現(xiàn)皆在本揭示內容的考量范圍內。舉例而言，在一些其他的實施例中，調諧組122以及調諧組124的電容C1～C2是以水平分布的多指電容形成。

為易于了解，上述實施例是搭配兩個調諧組122以及124進行描述。在不同的實施例，不同數(shù)量的調諧組能夠被應用至圖1的裝置100，例如包含任何多于2或等于2的整數(shù)。舉例而言，在一些其他的實施例中，圖2的振蕩器120包含3個調諧組，以調整振蕩信號的頻率。相應地，3個調諧組能夠以圖6的多指結構且彼此堆疊而形成。另外，在上述的示例中，調諧組122以及調諧組124能夠應用至ADPLL系統(tǒng)中的PVT調諧組、帶調諧組(band tuning banks)、粗調調諧組、及/或細調調諧組。

在本文中所使用的用詞“耦接”亦可指“電性耦接”，且用詞“連接”亦可指“電性連接”。“耦接”及“連接”亦可指二個或多個元件相互配合或相互互動。

在一些實施例中，一種頻率調諧裝置被揭示。頻率調諧裝置包含一振蕩器、一頻率偵測器以及一選擇電路。振蕩器用以產(chǎn)生一振蕩信號。振蕩器包含一第一調諧組以及一第二調諧組。第一調諧組用以將振蕩信號的頻率調整于一第一頻帶內。第二調諧組用以將振蕩信號的頻率調整于一第二頻帶內。頻率偵測器用以依據(jù)至少一信號產(chǎn)生一控制信號。該至少一信號代表振蕩信號的頻率。選擇電路用以依據(jù)控制信號啟動第一調諧組以及第二調諧組中的至少一者。

在一些實施例中，第一調諧組以及第二調諧組的每一者包含一開關電容電路。開關電容電路用以于開關電容電路導通時具有一第一電容。開關電容電路用以于開關電容電路截止時具有一第二電容。第一頻帶以及第二頻帶是依據(jù)第一頻帶與第二頻帶間比例的兩倍所決定。

在一些實施例中，開關電容電路包含至少一電容性單元。第二調諧組的該至少一電容性單元形成且堆疊于第一調諧組的該至少一電容性單元上。

在一些實施例中，該至少一電容性單元是以一多指結構形成。

在一些實施例中，第一頻帶的一頻率范圍部分重疊于第二頻帶的一頻率范圍。

在一些實施例中，振蕩器還包含一第一電感性單元、一第二電感性單元以及一開關單元的交錯耦接對。第一電感性單元耦接一第一節(jié)點。第二電感性單元耦接一第二節(jié)點。交錯耦接對耦接第一節(jié)點與第二節(jié)點。第一調諧組以及第二調諧組耦接于第一節(jié)點與第二節(jié)點之間。

在一些實施例中，第一調諧組以及第二調諧組的每一者包含多個開關電容電路。開關電容電路耦接于第一節(jié)點與第二節(jié)點之間。這些開關電容電路中的一第一開關電容電路包含一第一電容性單元、一第二電容性單元、一第一開關單元、一第二開關單元以及一第三開關單元。第一電容性單元耦接第一節(jié)點。第二電容性單元耦接第二節(jié)點。第一開關單元用以依據(jù)一選擇信號導通，以連接第一電容性單元與第二電容性單元。第二開關單元用以依據(jù)選擇信號導通，以將第一電容性單元連接至地端。第三開關單元用以依據(jù)選擇信號導通，以將第二電容性單元連接至地端。

在一些實施例中，選擇電路用以依據(jù)控制信號以及該至少一信號產(chǎn)生選擇信號，以啟動第一調諧組以及第二調諧組的至少一者。

在一些實施例中，頻率偵測器包含一比較器以及多個數(shù)字電路。比較器用以比較該至少一信號與一參考頻率，以產(chǎn)生控制信號。數(shù)字電路用以依據(jù)參考頻率、控制信號以及該至少一信號產(chǎn)生選擇信號。

一種頻率調諧方法亦被揭示。頻率調諧方法包含以下操作。至少一信號被一頻率偵測器偵測以產(chǎn)生一控制信號，該至少一信號代表一振蕩信號的頻率。一第一調諧組以及一第二調諧組的其中一者被一選擇電路依據(jù)控制信號啟動，以調整振蕩信號的頻率。第一調諧組對應于一第一頻帶，第二調諧組對應一第二頻帶，且振蕩信號用以落于第一頻帶以及第二頻帶中的其中一者內。

在一些實施例中，一選擇信號被選擇電路依控制信號、一參考頻率以及該至少一信號所產(chǎn)生，以啟動第一調諧組以及第二調諧組的其中一者。

在一些實施例中，該至少一信號與一臨限頻率被一比較器比較，以產(chǎn)生控制信號。臨限頻率是第一頻帶與第二頻帶之間的界線。

在一些實施例中，當該至少一信號的頻率高于第一頻帶時，第二調諧組被啟動。當該至少一信號的頻率低于第一頻帶時，第二調諧組被啟動。

在一些實施例中，第一調諧組以及第二調諧組的每一者包含一開關電容電路。頻率調諧方法還包含以下操作。依據(jù)一第一電容與一第二電容之間比例的兩倍決定第一頻帶以及第二頻帶。開關電容電路用以于開關電容電路導通時具有第一電容。開關電容電路用以于開關電容電路截止時具有第二電容。

一種頻率調諧裝置亦被揭示。頻率調諧裝置包含一選擇電路、一第一調諧組以及一第二調諧組。選擇電路用以依據(jù)至少一信號產(chǎn)生一第一選擇信號以及一第二選擇信號。該至少一信號代表振蕩信號的頻率。第一調諧組用以依據(jù)第一選擇信號產(chǎn)生位于一第一頻帶內的振蕩信號。第二調諧組用以依據(jù)第二選擇信號產(chǎn)生位于一第二頻帶內的振蕩信號。振蕩信號的頻率依據(jù)該至少一信號而落于第一頻帶以及第二頻帶中的其中一者內。

在一些實施例中，第一調諧組以及第二調諧組的每一者包含一開關電容電路。開關電容電路用以于開關電容電路導通時具有一第一電容。開關電容電路用以于開關電容電路截止時具有一第二電容。第一頻帶以及第二頻帶是依據(jù)第一頻帶與第二頻帶間比例的兩倍所決定。

在一些實施例中，開關電容電路包含至少一電容性單元。第二調諧組的該至少一電容性單元形成且堆疊于第一調諧組的該至少一電容性單元上。

在一些實施例中，頻率調諧裝置還包含一頻率偵測器。頻率偵測器用以依據(jù)該至少一信號產(chǎn)生一控制信號。該至少一信號代表振蕩信號的頻率。選擇電路用以依據(jù)控制信號產(chǎn)生第一選擇信號以及第二選擇信號。

在一些實施例中，頻率調諧裝置還包含一第一電感性單元、一第二電感性單元以及一開關單元的交錯耦接對。第一電感性單元耦接一第一節(jié)點。第二電感性單元耦接一第二節(jié)點。交錯耦接對耦接第一節(jié)點與第二節(jié)點。第一調諧組以及第二調諧組耦接于第一節(jié)點與第二節(jié)點之間。

在一些實施例中，第一調諧組以及第二調諧組的每一者包含多個開關電容電路。開關電容電路耦接于第一節(jié)點與第二節(jié)點之間。這些開關電容電路中的一第一開關電容電路包含一第一電容性單元、一第二電容性單元、一第一開關單元、一第二開關單元以及一第三開關單元。第一電容性單元耦接第一節(jié)點。第二電容性單元耦接第二節(jié)點。第一開關單元用以依據(jù)一第一選擇信號導通，以連接第一電容性單元與第二電容性單元。第二開關單元用以依據(jù)第一選擇信號導通，以將第一電容性單元連接至地端。第三開關單元用以依據(jù)第一選擇信號導通，以將第二電容性單元連接至地端。

技術領域通常知識者可以容易理解到揭露的實施例實現(xiàn)一或多個前述舉例的優(yōu)點。閱讀前述說明書之后，技術領域通常知識者將有能力對如同此處揭露內容作多種類的更動、置換、等效物以及多種其他實施例。因此本揭示內容的保護范圍當視權利要求書所界定的范圍與其均等范圍為準。