本發(fā)明涉及聲表面波器件的封裝結(jié)構(gòu),尤其是一種SAW濾波器的封裝結(jié)構(gòu)統(tǒng)。
背景技術(shù):
SAW即聲表面波器件,隨著濾波器封裝技術(shù)的日益發(fā)展,聲表面波濾波器(SAW濾波器)也向著高性能、體積小、重量輕、成本低的方向快速發(fā)展。同時因聲表面波濾波器產(chǎn)品性能和設(shè)計功能需求,需要保證濾波芯片功能區(qū)域不能接觸任何物質(zhì),即空腔結(jié)構(gòu)設(shè)計。
目前主要的封裝技術(shù)還是用引線鍵合的陶瓷、金屬、塑料封裝形式,現(xiàn)有的這類聲表面波濾波器封裝結(jié)構(gòu)存在以下缺點:
1、表面密封蓋成本較高;
2、產(chǎn)品的可靠性對基板及密封蓋平整度要求嚴苛,容易引起失效。
3、器件安裝的準確性、信號導(dǎo)線的影響、焊接的角度等這一系列的不確定性便造成了器件性能的不一致性,甚至對聲表面波濾波器造成破壞。
比如發(fā)明專利201510497602.7公開了一種聲表面波濾波器的免匹配封裝,包括PCB或者LTCC底座以及底座上面設(shè)有聲表面波濾波器。這類發(fā)明都是基于單顆濾波器獨立完成芯片封裝,同時因為不可避免使用了底座,這導(dǎo)致了整個封裝體積的增加,同時大批量生產(chǎn)中可能存在的濾波器性能波動的潛在影響。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足,本發(fā)明提供一種體積小、成本低、可靠性高的SAW濾波器的封裝結(jié)構(gòu),以及晶圓級SAW濾波器的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法;本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
一種SAW濾波器的封裝結(jié)構(gòu),包括基體,在基體中設(shè)有連通基體正面和背面的通孔,在基體正面表面、背面表面,以及通孔側(cè)壁覆蓋有絕緣層;
在基體正面的絕緣層上覆蓋一層壓電材料;在基體的正面和背面對應(yīng)通孔的部位分別設(shè)有正面引出電極和背面引出電極;
正面引出電極和背面引出電極通過通孔內(nèi)的金屬導(dǎo)電結(jié)構(gòu)連接;正面引出電極位于壓電材料表面,背面引出電極位于基體背面的絕緣層表面;正面引出電極以及正面引出電極外側(cè)的SAW濾波器邊緣被粘膠覆蓋;蓋板壓在粘膠之上;蓋板與基體正面的壓電材料之間具有空腔;
空腔中的壓電材料表面設(shè)有換能器電極;各換能器電極與其同一側(cè)的正面引出電極電連接;
基體背面的絕緣層表面還覆蓋一背面鈍化層,背面鈍化層覆蓋背面引出電極;在背面鈍化層上對應(yīng)背面引出電極的部分位置開口,制作焊球引出電極。
進一步地,金屬導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為通孔內(nèi)填充的實心金屬柱。
進一步地,金屬導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為通孔側(cè)壁上的空心金屬柱。
進一步地,蓋板材料為玻璃、陶瓷、硅或者金屬材料。
進一步地,金屬導(dǎo)電結(jié)構(gòu)材料為銅,鎳,錫,銀或金屬合金。
進一步地,換能器電極為叉指電極。
本發(fā)明還提出一種SAW濾波器的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,包括以下步驟:
步驟S1,提供晶圓作為基體,先在基體正面沉積絕緣層,然后在基體正面的絕緣層上沉積壓電材料;接著在壓電材料上制作正面引出電極和換能器電極;
步驟S2,然后采用粘膠將正面引出電極覆蓋,各處的粘膠厚度一致;粘膠需延伸至正面引出電極外側(cè)的SAW濾波器區(qū)域邊緣;
將蓋板鍵合至基體正面,蓋板壓在粘膠之上;蓋板與基體正面的壓電材料之間形成空腔;換能器電極位于空腔中的壓電材料表面;將基體從背面減薄至所需厚度;
步驟S3,在正面引出電極下方從基體的背面向正面刻蝕通孔,通孔一直通到正面引出電極的金屬;
步驟S4,將通孔側(cè)壁和基體背面沉積絕緣層和種子層,然后電鍍金屬,形成通孔內(nèi)的金屬導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和基體背面連接金屬導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的背面引出電極;
步驟S5,在基體背面制作覆蓋背面引出電極的背面鈍化層,并在背面鈍化層上對應(yīng)背面引出電極的部分位置開口,制作焊球引出電極;
步驟S6,最后將晶圓基體切割成單個SAW濾波器;切割時,保持正面引出電極外側(cè)的SAW濾波器邊緣被粘膠覆蓋;
進一步地,正面引出電極和換能器電極采用電鍍、或濺射、或印刷工藝制作。
本發(fā)明的優(yōu)點在于:實現(xiàn)了體積小、成本低的聲表面波濾波器的封裝結(jié)構(gòu),最終產(chǎn)品安全可靠;解決了現(xiàn)有傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)體積大、工藝復(fù)雜同時性價比低的問題,同時因為采用了晶圓級封裝工藝,使產(chǎn)品的每個部分都保持了質(zhì)量的一致性,這也解決了封裝可靠性低、單個成本高等問題。
附圖說明
圖1為本發(fā)明的基體正面絕緣層、壓電材料、正面引出電極制作示意圖。
圖2為本發(fā)明的蓋板與基體鍵合示意圖。
圖3為本發(fā)明的從基體背面刻蝕通孔示意圖。
圖4為本發(fā)明的電鍍形成通孔內(nèi)的金屬導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和背面引出電極示意圖。
圖5為本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
下面結(jié)合具體附圖和實施例對本發(fā)明作進一步說明。
SAW濾波器的封裝結(jié)構(gòu),如圖5所示,包括基體1,在基體1中設(shè)有連通基體正面和背面的通孔2,在基體1正面表面、背面表面,以及通孔2內(nèi)表面覆蓋有絕緣層3;
在基體1中設(shè)有連通基體正面和背面的通孔2,在基體1正面表面、背面表面,以及通孔2側(cè)壁覆蓋有絕緣層3;
在基體1正面的絕緣層3上覆蓋一層壓電材料4;在基體1的正面和背面對應(yīng)通孔2的部位分別設(shè)有正面引出電極51和背面引出電極6;正面引出電極51和背面引出電極6通過通孔2內(nèi)的金屬導(dǎo)電結(jié)構(gòu)7連接;正面引出電極51位于壓電材料4表面,背面引出電極6位于基體背面的絕緣層表面;正面引出電極51以及正面引出電極51外側(cè)的SAW濾波器邊緣被粘膠8覆蓋;蓋板9壓在粘膠8之上;蓋板9與基體正面的壓電材料4之間具有空腔10;
空腔10中的壓電材料4表面設(shè)有換能器電極52;各換能器電極52與其同一側(cè)的正面引出電極51電連接;
基體1背面的絕緣層表面還覆蓋一背面鈍化層11,背面鈍化層11覆蓋背面引出電極6;在背面鈍化層11上對應(yīng)背面引出電極6的部分位置開口,制作焊球12引出電極。
上述金屬導(dǎo)電結(jié)構(gòu)7可以是通孔2內(nèi)填充的實心金屬柱,或者是通孔2側(cè)壁上的空心金屬柱。
蓋板9材料可以為玻璃、陶瓷、硅或者金屬材料。
金屬導(dǎo)電結(jié)構(gòu)7材料可以是銅,鎳,錫,銀,金或其他金屬以及金屬合金。
本發(fā)明提出了此種SAW濾波器的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,包括以下步驟:
步驟S1,如圖1所示,提供晶圓作為基體1,先在基體1正面沉積絕緣層3,然后在基體1正面的絕緣層3上沉積壓電材料4;接著在壓電材料4上制作正面引出電極51和換能器電極52;
此步驟中,晶圓的材料可以是硅或金剛石;絕緣層3的材料為二氧化硅;正面引出電極51和換能器電極52采用電鍍、或濺射、或印刷工藝制作;基體1正面的絕緣層3既起到壓電材料4與基體1的絕緣作用,也增強了壓電材料的粘附性。
換能器電極52通常為叉指電極;
步驟S2,如圖2所示,然后采用粘膠8將正面引出電極51覆蓋,各處的粘膠8厚度一致;粘膠8需延伸至正面引出電極51外側(cè)的SAW濾波器區(qū)域邊緣;
將蓋板9鍵合至基體1正面,蓋板9壓在粘膠8之上;蓋板9與基體1正面的壓電材料4之間形成空腔10;換能器電極52位于空腔10中的壓電材料4表面;將基體1從背面減薄至所需厚度;
粘膠8將正面引出電極5包覆,保護了金屬電極,防止腐蝕,同時粘結(jié)蓋板8與基體1,起到隔絕外界空氣的作用;
目前的SAW濾波器產(chǎn)品都是單個芯片封裝,而單個封裝沒法保證每個封蓋的均勻性一致,而本申請的整片晶圓可以保證質(zhì)量的一致性,使每個SAW濾波器產(chǎn)品都在同一個水平,涂的粘膠8都是一樣的厚度,這樣每個SAW濾波器產(chǎn)品都能有好的可靠性,同時保證蓋板9一致的嚴格平整度。
步驟S3,如圖3所示,在正面引出電極51下方從基體1的背面向正面刻蝕通孔2,通孔2一直通到正面引出電極51的金屬;
步驟S4,如圖4所示,將通孔2側(cè)壁和基體1背面沉積絕緣層3和種子層(種子層圖4中未畫出),然后電鍍金屬,形成通孔2內(nèi)的金屬導(dǎo)電結(jié)構(gòu)7和基體1背面連接金屬導(dǎo)電結(jié)構(gòu)7的背面引出電極6;
其中,金屬導(dǎo)電結(jié)構(gòu)7可以是實心金屬柱,或者空心金屬柱;
步驟S5,如圖5所示,最后在基體1背面制作覆蓋背面引出電極6的背面鈍化層11,并在背面鈍化層11上對應(yīng)背面引出電極6的部分位置開口,制作焊球12引出電極。
步驟S6,最后將晶圓基體切割成單個SAW濾波器;切割時,保持正面引出電極51外側(cè)的SAW濾波器邊緣被粘膠8覆蓋;
該封裝結(jié)構(gòu)方案實現(xiàn)了SAW濾波器的晶圓級封裝,該方案成本低,同時產(chǎn)品結(jié)構(gòu)緊致,特別是總體厚度有較大薄化,比目前的SAW濾波器成本低、可靠性高。