技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種N管反饋型自舉絕熱電路及四級反相器/緩沖器，N管反饋型自舉絕熱電路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管，四級反相器/緩沖器包括四個N管反饋型自舉絕熱電路；優(yōu)點是電路結(jié)構(gòu)簡單，延時和功耗都得到了降低，反饋管第五NMOS管或第六NMOS管的設(shè)置，使得在能量回收階段，輸出節(jié)點的能量回收到功率時鐘更加徹底，避免了因PMOS閾值電壓使得輸出節(jié)點不能完全回收到功率時鐘去而引起能量損耗，功耗得到很大優(yōu)化，由此，本發(fā)明的四級反相器/緩沖器在不影響電路性能的基礎(chǔ)上，延時、功耗和功耗延時積均較小。

技術(shù)研發(fā)人員：鄔楊波;胡建平;余峰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：寧波大學(xué)
文檔號碼：201610836630
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.21
技術(shù)公布日：2017.02.22