一種基于自舉電路的邏輯保護(hù)放大式柵極驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種LED驅(qū)動(dòng)電路，具體是指一種基于自舉電路的邏輯保護(hù)放大式柵極驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，由于LED燈具有能耗低、使用壽命長以及安全環(huán)保等特點(diǎn)，其已經(jīng)成為了人們生活照明的主流產(chǎn)品之一。由于LED燈不同于傳統(tǒng)的白熾燈，因此其需要由專用的驅(qū)動(dòng)電路來進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。然而，當(dāng)前人們廣泛使用的柵極驅(qū)動(dòng)電路由于其設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)的不合理性，導(dǎo)致了目前柵極驅(qū)動(dòng)電路存在能耗較高、電流噪音較大以及啟動(dòng)時(shí)間較長等缺陷。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的在于克服目前柵極驅(qū)動(dòng)電路存在的能耗較高、電流噪音較大以及啟動(dòng)時(shí)間較長的缺陷，提供一種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理，能有效降低能耗和電流噪音，明顯縮短啟動(dòng)時(shí)間的一種基于自舉電路的邏輯保護(hù)放大式柵極驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。
[0004]本實(shí)用新型的目的通過下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):一種基于自舉電路的邏輯保護(hù)放大式柵極驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，主要由驅(qū)動(dòng)芯片M，與驅(qū)動(dòng)芯片M相連接的驅(qū)動(dòng)電路，以及與驅(qū)動(dòng)芯片M相連接的自舉電路組成；所述自舉電路由場(chǎng)效應(yīng)管MOS，一端與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極相連接、另一端接地的電阻R5，正極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極相連接、負(fù)極與驅(qū)動(dòng)芯片M的INP管腳相連接的極性電容C6，負(fù)極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的柵極相連接、正極經(jīng)電阻Rl后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的漏極相連接的極性電容Cl，與極性電容Cl相并聯(lián)的電阻R2，正極與極性電容Cl的正極相連接、負(fù)極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極相連接的極性電容C5，以及一端與極性電容C5的正極相連接、另一端接地的電阻R4組成；所述場(chǎng)效應(yīng)管MOS的漏極還與驅(qū)動(dòng)芯片M的VCC管腳相連接。
[0005]同時(shí)，在場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極與驅(qū)動(dòng)芯片M的TD管腳之間還串接有邏輯保護(hù)放大電路；所述的邏輯保護(hù)放大電路主要由功率放大器P1，功率放大器P2，與非門IC1，與非門IC2，負(fù)極與功率放大器Pl的正極輸入端相連接、正極經(jīng)電阻R9后與與非門IC2的負(fù)極輸入端相連接的極性電容C7，一端與與非門ICl的負(fù)極輸入端相連接、另一端與功率放大器Pl的正極輸入端相連接的電阻R6，串接在功率放大器Pl的負(fù)極輸入端與輸出端之間的電阻R7，一端與與非門ICl的輸出端相連接、另一端與功率放大器P2的負(fù)極輸入端相連接的電阻R8，串接在功率放大器P2的正極輸入端與輸出端之間的極性電容C8，正極與與非門IC2的輸出端相連接、負(fù)極順次經(jīng)穩(wěn)壓二極管D2和電阻RlO后與功率放大器Pl的輸出端相連接的電容C9，P極與功率放大器P2的輸出端相連接、N極順次經(jīng)電阻R12和電阻Rll后與穩(wěn)壓二極管D2和電阻RlO的連接點(diǎn)相連接的二極管D3，以及N極與電容C9的負(fù)極相連接、P極與二極管D3和電阻R12的連接點(diǎn)相連接的穩(wěn)壓二極管D4組成；所述與非門ICl的正極輸入端與功率放大器Pl的負(fù)極輸入端相連接；功率放大器P2的輸出端與非門IC2的正極輸入端相連接，其正極輸入端則與功率放大器Pl的輸出端相連接；所述極性電容C7的正極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極相連接，而電阻R12與電阻Rll的連接點(diǎn)則與驅(qū)動(dòng)芯片M的TD管腳相連接。
[0006]所述驅(qū)動(dòng)電路由變壓器T，串接于驅(qū)動(dòng)芯片M的VCC管腳與BOOST管腳之間的二極管Dl，串接于驅(qū)動(dòng)芯片M的BOOST管腳與TG管腳之間的電容C2，串接于驅(qū)動(dòng)芯片M的TG管腳與TS管腳之間的電阻R3，以及基極與驅(qū)動(dòng)芯片M的TG管腳相連接、集電極順次經(jīng)電容C3和電容C4后接地、而發(fā)射極接地的晶體管Ql組成；所述變壓器T的原邊線圈的同名端與電容C3和電容C4的連接點(diǎn)相連接，其非同名端則與晶體管Ql的發(fā)射極相連接后接地；同時(shí)，晶體管Ql的發(fā)射極還與驅(qū)動(dòng)芯片M的TS管腳相連接，所述變壓器T的副邊線圈上設(shè)有抽頭Yl和抽頭Y2。
[0007]為確保使用效果，所述驅(qū)動(dòng)芯片M優(yōu)先采用LTC4440A集成芯片來實(shí)現(xiàn)。
[0008]本實(shí)用新型較現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)及有益效果:
[0009](I)本實(shí)用新型整體結(jié)構(gòu)非常簡單，其制作和使用非常方便。
[0010](2)本實(shí)用新型的啟動(dòng)時(shí)間僅為傳統(tǒng)柵極驅(qū)動(dòng)電路啟動(dòng)時(shí)間的1/4，其啟動(dòng)時(shí)間極短。
[0011](3)本實(shí)用新型采用自舉電路來為驅(qū)動(dòng)芯片提供控制信號(hào)，因此具有很高的輸入阻抗，能確保整個(gè)電路的性能穩(wěn)定。
【附圖說明】
[0012]圖1為本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖2為本實(shí)用新型的邏輯保護(hù)放大電路結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步地詳細(xì)說明，但本實(shí)用新型的實(shí)施方式不限于此。
實(shí)施例
[0015]如圖1所示，本實(shí)用新型主要由驅(qū)動(dòng)芯片M，與驅(qū)動(dòng)芯片M相連接的驅(qū)動(dòng)電路，與驅(qū)動(dòng)芯片M相連接的自舉電路，以及串接在驅(qū)動(dòng)芯片M與自舉電路之間的邏輯保護(hù)放大電路組成。
[0016]所述自舉電路由場(chǎng)效應(yīng)管M0S、極性電容Cl、極性電容C5、極性電容C6、電阻Rl、電阻R2、電阻R4和電阻R5組成。連接時(shí)，電阻R5的一端與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極相連接，其另一端接地；極性電容C6的正極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極相連接，其負(fù)極與驅(qū)動(dòng)芯片M的INP管腳相連接；極性電容Cl的負(fù)極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的柵極相連接，其正極經(jīng)電阻Rl后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的漏極相連接，而電阻R2則與極性電容Cl相并聯(lián)。
[0017]所述極性電容C5的正極與極性電容Cl的正極相連接，其負(fù)極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極相連接。而電阻R4的一端與極性電容C5的正極相連接，其另一端接地。
[0018]為確保場(chǎng)效應(yīng)管MOS和驅(qū)動(dòng)芯片M的正常工作，因此該場(chǎng)效應(yīng)管MOS的漏極還與驅(qū)動(dòng)芯片M的VCC管腳相連接，且該驅(qū)動(dòng)芯片M的VCC管腳需要外接+12V的電源。
[0019]為確保使用效果，該驅(qū)動(dòng)芯片M優(yōu)先采用凌力爾特公司生產(chǎn)的高頻率N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)芯片，即LTC4440A集成芯片來實(shí)現(xiàn)。該驅(qū)動(dòng)芯片M的特點(diǎn)是能以高達(dá)80V的輸入電壓工作，且能在高達(dá)100V瞬態(tài)時(shí)可連續(xù)工作。
[0020]所述的驅(qū)動(dòng)電路則由變壓器T、二極管D1、電容C2、電阻R3、電容C3、電容C4及晶體管Ql組成。連接時(shí)，二極管Dl的P極與驅(qū)動(dòng)芯片M的VCC管腳相連接，其N極則與驅(qū)動(dòng)芯片M的BOOST管腳相連接。電容C2的正極與驅(qū)動(dòng)芯片M的BOOST管腳相連接，其負(fù)極則與驅(qū)動(dòng)芯片M的TG管腳相連接。為確保驅(qū)動(dòng)芯片M的正常運(yùn)行，其VCC端需要外接+12V的電壓。