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石墨烯膜作窗戶的電磁屏蔽室的制作方法

文檔序號(hào):11962511閱讀:667來源:國(guó)知局
石墨烯膜作窗戶的電磁屏蔽室的制作方法與工藝

本發(fā)明屬于電磁屏蔽技術(shù)領(lǐng)域,主要涉及一種石墨烯膜作窗戶的電磁屏蔽室。



背景技術(shù):

電磁屏蔽室廣泛應(yīng)用于具有較高保密要求的工作場(chǎng)所,為了保證其電磁屏蔽效果,現(xiàn)有的電磁屏蔽室一般為金屬材料制成的封閉體,在電磁屏蔽室的內(nèi)部不能看到電磁屏蔽室外部的環(huán)境,工作人員工作在這種電磁屏蔽室中,心理上會(huì)產(chǎn)生壓抑感,時(shí)間久了不利于工作人員的身心健康。

2010 年,英國(guó)曼徹斯特大學(xué)的兩位教授Andre Geim 和Konstantin Novoselov 因?yàn)槭状纬晒Ψ蛛x出穩(wěn)定的石墨烯獲得諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng),掀起了全世界對(duì)石墨烯研究的熱潮。石墨烯(Graphene)是一種單分子層二維晶體,具有已知材料最高的強(qiáng)度(Science, 2008, 321 , 385-388)以及優(yōu)異的導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性,是目前最理想的二維納米材料。基于其優(yōu)異的導(dǎo)電性、熱導(dǎo)率、機(jī)械性能和低密度,石墨烯可以作為碳基的電磁屏蔽材料。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供一種石墨烯膜作窗戶的電磁屏蔽室。

本發(fā)明的技術(shù)方案是:

一種石墨烯膜作窗戶的電磁屏蔽室,包括電磁屏蔽室,電磁屏蔽室設(shè)有電磁屏蔽門,電磁屏蔽室的墻體上設(shè)有開口,開口中嵌裝有石墨烯膜。

優(yōu)選的,所述的石墨烯膜內(nèi)側(cè)的開口的內(nèi)壁設(shè)有滑槽,滑槽中設(shè)有可沿滑槽推拉的擋板。

優(yōu)選的,所述的石墨烯膜為單層石墨烯膜。

本發(fā)明的有益效果是:

本發(fā)明的石墨烯膜作窗戶的電磁屏蔽室的窗戶為石墨烯膜制成,石墨烯膜不僅具有電磁屏蔽效果,而且單層石墨烯的透光率能達(dá)到98%。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,實(shí)用性強(qiáng),具有很高的推廣應(yīng)用價(jià)值。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖2是圖1中的局部剖視圖;

圖3是圖2的A-A剖視圖;

圖中:1.電磁屏蔽室本體、2.電磁屏蔽門、3.石墨烯膜、4.擋板、11.滑槽。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例一:參見圖1,一種石墨烯膜作窗戶的電磁屏蔽室,包括電磁屏蔽室1,電磁屏蔽室1設(shè)有電磁屏蔽門2,電磁屏蔽室1的墻體上設(shè)有開口,開口中嵌裝有石墨烯膜3。石墨烯膜1為單層石墨烯膜。

石墨烯(Graphene)是由碳原子構(gòu)成的只有一層原子厚度的二維晶體,具有高導(dǎo)電性、高強(qiáng)度、超輕薄等特性。石墨烯既是最薄的材料,也是最強(qiáng)韌的材料,斷裂強(qiáng)度比最好的鋼材還要高200倍,同時(shí)它又有很好的彈性,拉伸幅度能達(dá)到自身尺寸的20%,石墨烯幾乎是完全透明的,只吸收2.3%的光。另一方面,它非常致密,即使是最小的氣體原子(氫原子)也無法穿透。石墨烯的電阻率只約10-6Ω·cm,比銅或銀更低,為世上電阻率最小的材料。

本實(shí)施例中石墨烯膜為單層石墨烯膜。單層石墨烯(Graphene):指由一層以苯環(huán)結(jié)構(gòu)(即六角形蜂巢結(jié)構(gòu))周期性緊密堆積的碳原子構(gòu)成的一種二維碳材料,單層石墨烯的透光率能達(dá)到98%。

實(shí)施例二:參見圖2-3,實(shí)施例二與實(shí)施例一基本相同,相同之處不再贅述,不同之處是:

為了防止人們從電磁屏蔽室1外部透過石墨烯膜3看到電磁屏蔽室1的內(nèi)部,可以在石墨烯膜3內(nèi)側(cè)的開口的內(nèi)壁設(shè)有滑槽11,滑槽11中設(shè)有可沿滑槽11推拉的擋板4。電磁屏蔽室內(nèi)的工作人員可以根據(jù)需要拉動(dòng)擋板,擋板在滑槽中滑動(dòng),需要遮擋時(shí),將擋板從滑槽中完全拉出,此時(shí)擋板能夠完全擋住石墨烯膜;不需要遮擋時(shí),將擋板完全推入滑槽中,增強(qiáng)電磁屏蔽室的保密效果。

以上所述的實(shí)施例僅僅是對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行描述,在不脫離本發(fā)明設(shè)計(jì)精神的前提下,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案作出的各種變形和改進(jìn),均應(yīng)落入本發(fā)明權(quán)利要求書確定的保護(hù)范圍內(nèi)。

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