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一種取消可控硅RC吸收回路的控制器的制作方法

文檔序號(hào):12374686閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

1.一種取消可控硅RC吸收回路的控制器,包括可控硅控制器主體(1)、紅外線(xiàn)發(fā)射裝置(11)和可控硅控制器內(nèi)殼(14),其特征在于,所述可控硅控制器主體(1)上表面安裝有開(kāi)關(guān)鍵(2),且開(kāi)關(guān)鍵(2)右側(cè)安裝有模式鍵(7),所述可控硅控制器主體(1)上表面安裝有顯示器裝置(5),且顯示器裝置(5)下方安裝有工作指示燈裝置(6),所述可控硅控制器主體(1)下方安裝有蓄電池裝置(10),所述可控硅控制器主體(1)內(nèi)部安裝有可控硅控制器內(nèi)殼(14),所述可控硅控制器內(nèi)殼(14)上方安裝有紅外線(xiàn)發(fā)射裝置(11),所述紅外線(xiàn)發(fā)射裝置(11)下方安裝有數(shù)據(jù)連接線(xiàn)裝置(12),所述可控硅控制器內(nèi)殼(14)上方安裝有高抗可控硅SCR模塊(13),所述可控硅控制器內(nèi)殼(14)上方安裝有處理器裝置(16),所述可控硅控制器內(nèi)殼(14)上方安裝有主板固定裝置(15)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種取消可控硅RC吸收回路的控制器,其特征在于,所述高抗可控硅SCR模塊(13)為三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種取消可控硅RC吸收回路的控制器,其特征在于,所述蓄電池裝置(10)左側(cè)上方安裝有時(shí)間加鍵(4)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種取消可控硅RC吸收回路的控制器,其特征在于,所述蓄電池裝置(10)右側(cè)上方安裝有時(shí)間減鍵(9)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種取消可控硅RC吸收回路的控制器,其特征在于,所述開(kāi)關(guān)鍵(2)下方安裝有溫度加鍵(3)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種取消可控硅RC吸收回路的控制器,其特征在于,所述模式鍵(7)下方安裝有溫度減鍵(8)。

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