本發(fā)明涉及控制器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種取消可控硅RC吸收回路的控制器。

背景技術(shù)：

目前，隨著科技發(fā)展，各種產(chǎn)品不斷交替更換，而人們對產(chǎn)品的要求也越來越高，原本功能單一的產(chǎn)品項目已經(jīng)不得不淘汰，現(xiàn)有市場上控制器采用普通可控硅RC吸收電路的質(zhì)量和功能已經(jīng)不能滿足人們的需要，如圖3所示，可控硅RC吸收電路占一定體積，且市場反饋RC電路有很大比例不良，采用高抗可控硅SCR模塊，驅(qū)動方式合理，保護到位，無需附加RC吸收電路，因此根據(jù)市場需要，亟需一款可控硅RC吸收回路的控制器來彌補現(xiàn)有技術(shù)中的不足。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺點，而提出的一種取消可控硅RC吸收回路的控制器。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用了如下技術(shù)方案：

本發(fā)明公開了一種取消可控硅RC吸收回路的控制器，包括可控硅控制器主體、紅外線發(fā)射裝置和可控硅控制器內(nèi)殼，所述可控硅控制器主體上表面安裝有開關(guān)鍵，且開關(guān)鍵右側(cè)安裝有模式鍵，所述可控硅控制器主體上表面安裝有顯示器裝置，且顯示器裝置下方安裝有工作指示燈裝置，所述可控硅控制器主體下方安裝有蓄電池裝置，所述可控硅控制器主體內(nèi)部安裝有可控硅控制器內(nèi)殼，所述可控硅控制器內(nèi)殼上方安裝有紅外線發(fā)射裝置，所述紅外線發(fā)射裝置下方安裝有數(shù)據(jù)連接線裝置，所述可控硅控制器內(nèi)殼上方安裝有高抗可控硅SCR模塊，所述可控硅控制器內(nèi)殼上方安裝有處理器裝置，所述可控硅控制器內(nèi)殼上方安裝有主板固定裝置。

優(yōu)選的，所述高抗可控硅SCR模塊為三端雙向可控硅開關(guān)。

優(yōu)選的，所述蓄電池裝置左側(cè)上方安裝有時間加鍵。

優(yōu)選的，所述蓄電池裝置右側(cè)上方安裝有時間減鍵。

優(yōu)選的，所述開關(guān)鍵下方安裝有溫度加鍵。

優(yōu)選的，所述模式鍵下方安裝有溫度減鍵。

本發(fā)明中，主要采用三端雙向的高抗可控硅SCR模塊，無需附加RC吸收電路，從而避免的常規(guī)情況下使用RC吸收電路所導(dǎo)致的電路成本過高、品質(zhì)不良率高等缺點，采用高抗可控硅SCR模塊，驅(qū)動方式合理，保護到位，無需附加RC吸收電路，控制器反饋更加流暢，增加其運行速度提升控制器整體的質(zhì)量，在可控硅控制器內(nèi)部安裝有主板固定裝置，可以有效的控制內(nèi)部零件的松緊性，使其更加牢固、安全，在可控硅控制器內(nèi)部上方安裝有紅外線發(fā)射裝置，能輕松的使用控制器來遙控物品，方便快捷。

附圖說明

圖1為本發(fā)明提出的一種取消可控硅RC吸收回路的控制器的外部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明提出的一種取消可控硅RC吸收回路的控制器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明提出的一種取消可控硅RC吸收回路的控制器未取消RC吸收回路的電路圖；

圖4為本發(fā)明提出的高抗可控硅SCR模塊取消RC吸收電路后的電路圖。

圖中：1可控硅控制器主體、2開關(guān)鍵、3溫度加鍵、4時間加鍵、5顯示器裝置、6工作指示燈裝置、7模式鍵、8溫度減鍵、9時間減鍵、10蓄電池裝置、11紅外線發(fā)射裝置、12數(shù)據(jù)連接線裝置、13高抗可控硅SCR模塊、14可控硅控制器內(nèi)殼、15主板固定裝置、16處理器裝置。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。

參照圖1-2，本發(fā)明公開了一種取消可控硅RC吸收回路的控制器，包括可控硅控制器主體1、紅外線發(fā)射裝置11和可控硅控制器內(nèi)部14，可控硅控制器主體1上表面安裝有開關(guān)鍵2，且開關(guān)鍵2右側(cè)安裝有模式鍵7，可控硅控制器主體1上表面安裝有顯示器裝置5，且顯示器裝置5下方安裝有工作指示燈裝置6，可控硅控制器主體1下方安裝有蓄電池裝置10，可控硅控制器主體1內(nèi)部安裝有可控硅控制器內(nèi)殼14，可控硅控制器內(nèi)殼14上方安裝有紅外線發(fā)射裝置11，紅外線發(fā)射裝置11下方安裝有數(shù)據(jù)連接線裝置12，可控硅控制器內(nèi)殼14上方安裝有高抗可控硅SCR模塊13，可控硅控制器內(nèi)殼14上方安裝有處理器裝置16，可控硅控制器內(nèi)殼14上方安裝有主板固定裝置15，蓄電池裝置10左側(cè)上方安裝有時間加鍵4,蓄電池裝置10右側(cè)上方安裝有時間減鍵9,開關(guān)鍵2下方安裝有溫度加鍵3,模式鍵7下方安裝有溫度減鍵8。

參照圖4，本實施例中的高抗可控硅SCR模塊13為三端雙向可控硅開關(guān)。

工作原理：當(dāng)使用該可控硅RC吸收回路的控制器時，先將電池安放進蓄電池裝置10里，保持可控硅控制器主體1的通電狀態(tài)，好隨時工作，拿起可控硅控制器主體1點擊開關(guān)鍵2，可控硅控制器主體1正常運行，可點擊模式鍵7來選擇適應(yīng)的模式，此時可點擊溫度加鍵3、溫度減鍵8、時間加鍵4、時間減鍵9通過紅外線發(fā)射裝置11來進行調(diào)節(jié)，控制是否進行中可通過工作指示燈裝置6來進行判斷，如失效應(yīng)采取修補措施，可在顯示器裝置5中觀看運行狀態(tài)，運行該可控硅RC吸收回路的控制器時，主板固定裝置15起到了固定作用，為了避免晃動而引起的機械故障和不適，運行時紅外線發(fā)射裝置11連接數(shù)據(jù)連接線裝置12通電發(fā)射紅外線作為信號，在可控硅控制器內(nèi)殼14的高抗可控硅SCR模塊13，當(dāng)發(fā)放指令時高抗可控硅SCR模塊13迅速處理信息，反饋速率極高，把信息迅速傳輸?shù)教幚砥餮b置16上，經(jīng)處理將信號發(fā)射出去，通過高抗可控硅SCR模塊13取消RC吸收回路，可杜絕RC損壞所帶來的品質(zhì)問題，給整機品質(zhì)提供保證。

以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實施方式，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案及其發(fā)明構(gòu)思加以等同替換或改變，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。