本發(fā)明涉及一種處理系統(tǒng)，具體是指一種基于大數(shù)據(jù)的污水管網(wǎng)監(jiān)測裝置用信號處理系統(tǒng)。

背景技術：

現(xiàn)在的社會是一個高速發(fā)展的社會，科技發(fā)達，信息流通，人們之間的交流越來越密切，生活也越來越方便，大數(shù)據(jù)就是這個高科技時代的產物。大數(shù)據(jù)是指以多元形式，自許多來源搜集而來的龐大數(shù)據(jù)組，具有較強的實時性。隨著信息科技的不斷發(fā)展，大數(shù)據(jù)被廣泛的用于污水管網(wǎng)監(jiān)測裝置。目前的基于大數(shù)據(jù)的污水管網(wǎng)監(jiān)測裝置主要由大數(shù)據(jù)處理中心、監(jiān)測點采集盒、區(qū)域信號收發(fā)系統(tǒng)、區(qū)域信號處理系統(tǒng)和區(qū)域數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)組成；而大數(shù)據(jù)處理中心得到的污水數(shù)據(jù)信息是否準確則主要取決于區(qū)域信號處理系統(tǒng)對信號處理是否準確。

然而，現(xiàn)有的基于大數(shù)據(jù)的污水管網(wǎng)監(jiān)測裝置的區(qū)域信號處理系統(tǒng)存在信號處理效果差，導致數(shù)據(jù)處理中心得到的污水數(shù)據(jù)信息準確度不高，致使污水管網(wǎng)監(jiān)控人員不能準確的了解污水管網(wǎng)內的污水信息，不能對污水進行有效的治理，從而使人們的生活環(huán)境受到嚴重的影響。

因此，提供一種能提高信號處理效果的基于大數(shù)據(jù)的污水管網(wǎng)監(jiān)測裝置用信號處理系統(tǒng)則顯得優(yōu)為重要。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有的基于大數(shù)據(jù)的污水管網(wǎng)監(jiān)測裝置的區(qū)域信號處理系統(tǒng)存在信號處理效果差的缺陷，本發(fā)明提供一種基于大數(shù)據(jù)的污水管網(wǎng)監(jiān)測裝置用信號處理系統(tǒng)。

本發(fā)明通過以下技術方案來實現(xiàn)：一種基于大數(shù)據(jù)的污水管網(wǎng)監(jiān)測裝置用信號處理系統(tǒng)，主要由處理芯片U，三極管VT2，正極經電阻R8后與處理芯片U的IN管腳相連接、負極經電感L后與處理芯片U的COMP管腳相連接的極性電容C6，一端與三極管VT2的基極相連接、另一端與處理芯片U的COMP管腳相連接的電阻R11，N極與三極管VT2的基極相連接、P極經電阻R9后與處理芯片U的B管腳相連接的二極管D5，正極與處理芯片U的B管腳相連接、負極經可調電阻R10后與三極管VT2的基極相連接的極性電容C7，分別與處理芯片U的IN管腳和VC管腳相連接的二階低通濾波電路，以及分別與處理芯片U的CS管腳、G管腳、CLK管腳和OUT管腳相連接的頻率誤差校正電路組成；所述三極管VT2的發(fā)射極與處理芯片U的OUT管腳相連接、其集電極接地；所述處理芯片U的GND管腳接地；所述處理芯片U的VC管腳與外部12V直流電源相連接。

進一步的，所述二階低通濾波電路由放大器P1，三極管VT1，場效應管MOS，正極經電阻R4后與三極管VT1的基極相連接、負極作為二階低通濾波電路的輸入端的極性電容C3，負極與放大器P1的正極相連接、正極經電阻R3后與三極管VT1的集電極相連接的極性電容C2，P極與場效應管MOS的漏極相連接、N極與極性電容C2的負極相連接的二極管D2，正極與場效應管MOS的柵極相連接、負極經電阻R2后與三極管VT1的集電極相連接的極性電容C1，N極與場效應管MOS的源極相連接、P極與處理芯片U的VC管腳相連接的穩(wěn)壓二極管D1，一端與穩(wěn)壓二極管D1的P極相連接、另一端與接地的電阻R1，P極與三極管VT1的集電極相連接、N極與三極管VT1的發(fā)射極相連接的二極管D3，P極與放大器P1的負極相連接、N極經電阻R5后與放大器P1的輸出端相連接的二極管D4，正極經電阻R6后與放大器P1的負極相連接、負極與放大器P1的輸出端相連接的極性電容C4，以及正極電阻R7后與放大器P1的輸出端相連接、負極接地的極性電容C5組成；所述極性電容C2的負極接地；所述放大器P1的正極還與極性電容C3的正極相連接、其輸出端還分別與三極管VT1的發(fā)射極和處理芯片U的IN管腳相連接、其負極接地。

所述頻率誤差校正電路由放大器P2，三極管VT3，三極管VT4，P極與處理芯片U的CS管腳相連接、N極與三極管VT4的基極相連接的二極管D6，正極與處理芯片U的G管腳相連接、負極與三極管VT4的發(fā)射極相連接的極性電容C10，P極經電阻R15后與三極管VT4的發(fā)射極相連接、N極與三極管VT3的集電極相連接的二極管D8，負極與三極管VT4的發(fā)射極相連接、正極經電阻R17后與三極管VT3的集電極相連接的極性電容C11，一端與三極管VT3的集電極相連接后接地、另一端與三極管VT3的基極相連接的可調電阻R16，P極與三極管VT3的基極相連接、N極經電阻R14后與放大器P2的輸出端相連接的二極管D7，正極電阻R13后與放大器P2的負極相連接、負極與放大器P2的輸出端相連接的極性電容C9，以及正極與放大器P2的正極相連接、負極經電阻R12后與放大器P2的輸出端相連接的極性電容C8組成；所述三極管VT4的集電極接地；所述三極管VT3的基極還與放大器P2的負極相連接、其發(fā)射極與處理芯片U的CLK管腳相連接；所述放大器P2的正極與處理芯片U的OUT管腳相連接、其輸出端則作為頻率誤差校正電路的輸出端。

為了本發(fā)明的實際使用效果，所述處理芯片U則優(yōu)先采用了MB40978集成芯片來實現(xiàn)。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比具有以下優(yōu)點及有益效果：

(1)本發(fā)明的能對信號中的低頻干擾信號進行消除或抑制，并能對抗干擾處理后的信號的頻點進行放大，使信號更平穩(wěn)；并且本發(fā)明還能對數(shù)據(jù)信號中的多栽波信號的相位和頻率誤差進行校正，從而提高了本發(fā)明對信號處理的效果，有效的確保了數(shù)據(jù)處理中心得到的污水數(shù)據(jù)信息的準確性，并且確保了污水管網(wǎng)監(jiān)控人員能準確的了解污水管網(wǎng)內的污水信息。

(2)本發(fā)明的處理芯片U則優(yōu)先采用了MB40978集成芯片來實現(xiàn)，該芯片與外圍電路相結合，能有效的提高本發(fā)明的穩(wěn)定性和可靠性。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的整體結構框圖。

具體實施方式

下面結合實施例對本發(fā)明作進一步地詳細說明，但本發(fā)明的實施方式不限于此。

如圖1所示，本發(fā)明主要由處理芯片U，三極管VT2，電阻R8，電阻R9，可調電阻R10，電阻R11，極性電容C6，極性電容C7，電感L，二極管D5，二階低通濾波電路，以及頻率誤差校正電路組成。

連接時，極性電容C6的正極經電阻R8后與處理芯片U的IN管腳相連接，負極經電感L后與處理芯片U的COMP管腳相連接。電阻R11的一端與三極管VT2的基極相連接，另一端與處理芯片U的COMP管腳相連接。二極管D5的N極與三極管VT2的基極相連接，P極經電阻R9后與處理芯片U的B管腳相連接。極性電容C7的正極與處理芯片U的B管腳相連接，負極經可調電阻R10后與三極管VT2的基極相連接。二階低通濾波電路分別與處理芯片U的IN管腳和VC管腳相連接。頻率誤差校正電路分別與處理芯片U的CS管腳、G管腳、CLK管腳和OUT管腳相連接。

所述三極管VT2的發(fā)射極與處理芯片U的OUT管腳相連接，其集電極接地；所述處理芯片U的GND管腳接地；所述處理芯片U的VC管腳與外部12V直流電源相連接。

實施時，為了本發(fā)明的實際使用效果，所述處理芯片U則優(yōu)先采用了性能穩(wěn)定，并且具有過熱保護、過流保護和處理準確的MB40978集成芯片來實現(xiàn)。同時，所述的極性電容C6、電感L、可調電阻R10、二極管D5和三極管VT2共同形成了抗電磁干擾濾波器，該抗電磁干擾濾波器能對處理芯片U外圍的電磁波干擾信號進行消除或抑制，使處理芯片U在比對信號進行處理時不會受到外界電磁波信號的干擾，能有效的提高處理芯片U對信號處理的準確性。所述的二階低通濾波電路的輸入端在運行時則通過數(shù)據(jù)線與大數(shù)據(jù)的污水管網(wǎng)監(jiān)測裝置中的區(qū)域信號收發(fā)系統(tǒng)的信號輸出端相連接；而所述的頻率誤差校正電路的輸出端則通過數(shù)據(jù)線與大數(shù)據(jù)的污水管網(wǎng)監(jiān)測裝置中的大數(shù)據(jù)處理中心相連接。

進一步的，所述二階低通濾波電路由放大器P1，三極管VT1，場效應管MOS，電阻R1，電阻R2，電阻R3，電阻R4，電阻R5，電阻R6，電阻R7，極性電容C1，極性電容C2，極性電容C3，極性電容C4，極性電容C5，穩(wěn)壓二極管D1，二極管D2，二極管D3，以及二極管D4組成。

連接時，極性電容C3的正極經電阻R4后與三極管VT1的基極相連接，負極作為二階低通濾波電路的輸入端并與區(qū)域信號收發(fā)系統(tǒng)相連接。極性電容C2的負極與放大器P1的正極相連接，正極經電阻R3后與三極管VT1的集電極相連接。二極管D2的P極與場效應管MOS的漏極相連接，N極與極性電容C2的負極相連接。

其中，極性電容C1的正極與場效應管MOS的柵極相連接，負極經電阻R2后與三極管VT1的集電極相連接。穩(wěn)壓二極管D1的N極與場效應管MOS的源極相連接，P極與處理芯片U的VC管腳相連接。電阻R1的一端與穩(wěn)壓二極管D1的P極相連接，另一端與接地。二極管D3的P極與三極管VT1的集電極相連接，N極與三極管VT1的發(fā)射極相連接。

同時，二極管D4的P極與放大器P1的負極相連接，N極經電阻R5后與放大器P1的輸出端相連接。極性電容C4的正極經電阻R6后與放大器P1的負極相連接，負極與放大器P1的輸出端相連接。極性電容C5的正極電阻R7后與放大器P1的輸出端相連接，負極接地。

所述極性電容C2的負極接地；所述放大器P1的正極還與極性電容C3的正極相連接，其輸出端還分別與三極管VT1的發(fā)射極和處理芯片U的IN管腳相連接，其負極接地。

運行時，該二階低通濾波電路的極性電容C3，極性電容C2，電阻R3和電阻R4共同形成了雙階濾波器，該雙階濾波器對信號過濾性能穩(wěn)定，能對信號中的低頻干擾信號進行有效的消除或抑制。同時，二階低通濾波電路中的放大器P1，二極管D4，極性電容C4，電阻R5和電阻R6形成了信號放大器，該信號放大器能對抗干擾處理后的信號的頻點進行放大，使信號更平穩(wěn)，從而該二階低通濾波電路能實現(xiàn)對信號進的有效過濾波和放大，能有效的提高本發(fā)明對信號處理的效果。

更進一步地，所述頻率誤差校正電路由放大器P2，三極管VT3，三極管VT4，電阻R12，電阻R13，電阻R14，電阻R15，可調電阻R16，電阻R17，極性電容C8，極性電容C9，極性電容C10，極性電容C11，二極管D6，二極管D7，以及二極管D8組成。

連接時，二極管D6的P極與處理芯片U的CS管腳相連接，N極與三極管VT4的基極相連接。極性電容C10的正極與處理芯片U的G管腳相連接，負極與三極管VT4的發(fā)射極相連接。二極管D8的P極經電阻R15后與三極管VT4的發(fā)射極相連接，N極與三極管VT3的集電極相連接。極性電容C11的負極與三極管VT4的發(fā)射極相連接，正極經電阻R17后與三極管VT3的集電極相連接。

其中，可調電阻R16的一端與三極管VT3的集電極相連接后接地，另一端與三極管VT3的基極相連接。二極管D7的P極與三極管VT3的基極相連接，N極經電阻R14后與放大器P2的輸出端相連接。極性電容C9的正極電阻R13后與放大器P2的負極相連接，負極與放大器P2的輸出端相連接。極性電容C8的正極與放大器P2的正極相連接，負極經電阻R12后與放大器P2的輸出端相連接。

所述三極管VT4的集電極接地；所述三極管VT3的基極還與放大器P2的負極相連接，其發(fā)射極與處理芯片U的CLK管腳相連接；所述放大器P2的正極與處理芯片U的OUT管腳相連接，其輸出端則作為頻率誤差校正電路的輸出端并與大數(shù)據(jù)的污水管網(wǎng)監(jiān)測裝置中的大數(shù)據(jù)處理中心相連接。

運行時，該頻率誤差校正電路的二極管D6，二極管D8，極性電容C10，極性電容C11，電阻R15，電阻R17和三極管VT3形成了信號檢波電路，該電路能對處理芯片U所輸出的數(shù)據(jù)信號中的多栽波的相位和頻率進行檢測，當其檢測的多栽波的相位和頻率的電波值與基準多栽波的相位和頻率的電波值不一致使，該頻率誤差校正電路的放大器P2，可調電阻R16，極性電容C8，極性電容C9和二極管D7形成的協(xié)調電路則對多栽波的相位和頻率進行調整使采樣多栽波的相位和頻率與基準多栽波的相位和頻率相同，使處理芯片U輸出端數(shù)據(jù)信號能穩(wěn)定和準確的傳輸給大數(shù)據(jù)處理中心，從而該頻率誤差校正電路能有效的提高處理芯片U輸出的數(shù)據(jù)信號的穩(wěn)定性和準確性。

如上所述，便可以很好的實現(xiàn)本發(fā)明。