技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開(kāi)了一種射頻功率放大器及射頻前端模塊，其中，射頻功率放大器由至少一個(gè)基于CMOS工藝或SOI工藝的第一晶體管和至少一個(gè)基于GaAs?pHEMT工藝或GaN工藝或LDMOS工藝的第二晶體管構(gòu)成。這種將第一晶體管和第二晶體管搭配構(gòu)成射頻功率放大器既滿足了射頻功率放大器對(duì)于作為其輸出級(jí)的晶體管的高擊穿電壓的要求，又兼具了CMOS工藝的制作快、價(jià)格低和工藝成熟的優(yōu)點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了降低射頻功率放大器的成本和制作周期的目的。進(jìn)一步的，第二晶體管設(shè)置于襯底的凹槽中，通過(guò)第一晶體管的再布線層實(shí)現(xiàn)與第一晶體管的連接，從而降低了射頻功率放大器所占用的襯底的面積，進(jìn)一步降低了射頻功率放大器的成本。

技術(shù)研發(fā)人員：陳高鵬;陳俊;陳中子
受保護(hù)的技術(shù)使用者：宜確半導(dǎo)體（蘇州）有限公司
文檔號(hào)碼：201610736864
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.26
技術(shù)公布日：2016.12.07