1.一種光電前端放大器電路，其特征在于，包括：
第一級放大電路，其包括以下電路結構：
跨阻放大器，至少包括NPN型三極管Q1和NPN型三極管Q2，所述NPN型三極管Q1的基極和所述NPN型三極管Q2發(fā)射極分別為所述跨阻放大器的輸入端和輸出端，所述NPN型三極管Q1集電極連接于所述NPN型三極管Q2的基極并通過電阻R1連接于第一電源，所述NPN型三極管Q1發(fā)射極接地并通過電阻R2連接于所述NPN型三極管Q2的發(fā)射極，所述NPN型三極管Q2的集電極連接于所述第一電源；
反饋電路，連接于所述跨阻放大器的輸入端和輸出端之間，其包括二極管D1、電阻R3、電阻R4、以及NMOSFET晶體管M1，所述二極管D1及電阻R3并聯(lián)于所述跨阻放大器的輸入端和輸出端之間，所述二極管D1的正極連接于所述跨阻放大器的輸出端，所述二極管D1的負極連接于所述跨阻放大器的輸入端；所述電阻R4和NMOSFET晶體管M1相串聯(lián)并連接在所述跨阻放大器的輸入端和輸出端之間，NMOSFET晶體管M1用作開關，M1的柵極作為使能端。
2.根據(jù)權利要求1所述的光電前端放大器電路，其特征在于，還包括：
第二級放大電路，其包括以下電路結構：
共集共基電壓放大器，用于對所述跨阻放大器輸出電壓信號進行寬帶放大，所述共集共基電壓放大器的靜態(tài)工作點與所述第一級放大電路中的所述跨阻放大器直流耦合，且所述共集共基電壓放大器的偏置電路可輸出供特定負溫度系數(shù)的偏置電流，提供溫度補償能力。
3.根據(jù)權利要求3所述的光電前端放大器電路，其特征在于，所述共集共基電壓放大器的電路結構包括NPN型三極管Q3和NPN型三極管Q4，所述NPN型三極管Q3的基極和NPN型三極管Q4的集電極分別為所述共集共基電壓放大器的輸入端和輸出端，所述NPN型三極管Q3的集電極連接于所述第一電源，所述NPN型三極管Q3的發(fā)射極通過電阻R5連接于所述NPN型三極管Q4的發(fā)射極，所述NPN型三極管Q4的基極接地，所述NPN型三極管Q4的集電極還通過電阻R6連接于所述第一電源，其中，所述共集共基電壓放大器的電壓增益由R6/R5比值決定。
4.根據(jù)權利要求3所述的光電前端放大器電路，其特征在于，所述共集共基電壓放大器的偏置電路至少包括NPN型三極管Q5和NPN型三極管Q6，所述NPN型三極管Q5的基極通過電阻R7接地、以及通過電阻R8來分別連接于所述NPN型三極管Q6的集電極和電阻R9的一端，所述電阻R9的另一端連接于所述NPN型三極管Q6的基極，所述NPN型三極管Q6的基極還通過電阻R10連接于第二電源，所述NPN型三極管Q5的集電極連接于所述NPN型三極管Q4的發(fā)射極和電阻R5之間的連線上，所述NPN型三極管Q5的發(fā)射極通過電阻R11連接于所述第二電源，所述NPN型三極管Q6的發(fā)射極連接于所述第二電源，所述第二電源為負電源電壓。
5.根據(jù)權利要求2-4任一所述的光電前端放大器電路，其特征在于，還包括：
第三級放大電路，其包括以下電路結構：
電壓緩沖放大器，電路結構為達林頓結構，其靜態(tài)工作點可與第二級放大電路中的所述共集共基電壓放大器直流耦合，用于實現(xiàn)高信號隔離度和大電壓驅動能力。
6.根據(jù)權利要求5所述的光電前端放大器電路，其特征在于，所述電壓緩沖放大器的電路結構包括：NPN型三極管Q7、NPN型三極管Q8、NPN型三極管Q9及NPN型三極管Q10，所述NPN型三極管Q7的基極和所述NPN型三極管Q8的發(fā)射極分別作為所述電壓緩沖放大器的輸入端和輸出端，所述NPN型三極管Q7的集電極連接第三電源，所述NPN型三極管Q7的發(fā)射極連接于所述NPN型三極管Q8的基極并通過電阻R12連接于所述NPN型三極管Q8的發(fā)射極，所述NPN型三極管Q8的集電極連接于所述第三電源，所述NPN型三極管Q9的基極連接于所述NPN型三極管Q10的發(fā)射極，所述NPN型三極管Q10的基極連接于所述NPN型三極管Q10的集電極并接地，所述NPN型三極管Q9的集電極連接于所述NPN型三極管Q8的發(fā)射極，所述NPN型三極管Q9的發(fā)射極通過電阻R13連接于所述第二電源，所述第三電源分別與所述第一電源和第二電源分開。
7.一種光探測器組件，其特征在于：包括上述權利要求1-6中任一項光電前端放大器電路。
8.一種光探測器，其特征在于：包括權利要求7所述的光探測器組件。