本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制作領(lǐng)域，尤其涉及一種pcb(printedcircuitboard，印刷電路板)表面處理方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體領(lǐng)域中，pcb的焊盤(pán)、端子部分、插入元件用的孔和印刷接觸片部分等除了用作焊接之外，還需要元件之間的連接和連接器的電性導(dǎo)通。因此為了確保pcb上這些部分的銅與無(wú)鉛焊料焊點(diǎn)之間的焊接性，往往在pcb的表面進(jìn)行處理以確保連接可靠性和電性導(dǎo)通可靠性?，F(xiàn)如今，人們通常通過(guò)改進(jìn)pcb表面的金屬層的結(jié)構(gòu)以達(dá)到以上目的，而在改變金屬層結(jié)構(gòu)之前的刻蝕處理顯得十分重要。人們希望提高制造效率之外，還希望降低制造成本。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于提供一種pcb表面處理方法，其能提高pcb的制造效率并降低制造成本。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的pcb表面處理方法，包括：對(duì)pcb表面進(jìn)行刻蝕處理，所述刻蝕處理包括：在pcb的預(yù)定區(qū)域涂布光刻保護(hù)膠，所述預(yù)定區(qū)域包括pcb的周邊的無(wú)效金屬鍍膜層；對(duì)所述光刻保護(hù)膠進(jìn)行曝光、顯影處理；以及在pcb的所述預(yù)定區(qū)域之外的區(qū)域進(jìn)行刻蝕，刻蝕深度為0.2～0.3μm。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的pcb表面處理方法在pcb的預(yù)定區(qū)域涂布光刻保護(hù)膠，所述預(yù)定區(qū)域包括pcb的周邊的無(wú)效金屬鍍膜層；對(duì)所述光刻保護(hù)膠進(jìn)行曝光、顯影處理；以及在pcb的所述預(yù)定區(qū)域之外的區(qū)域進(jìn)行刻蝕。因此，在刻蝕時(shí)，pcb的周邊的無(wú)效金屬鍍膜層因涂光刻保護(hù)膠而不會(huì)與刻蝕溶 液發(fā)生反應(yīng)，從而減少了刻蝕溶液的消耗，進(jìn)而降低制造成本。同時(shí)，涂有光刻保護(hù)膠的周邊無(wú)效區(qū)域能便于精確定位，在后續(xù)的切割過(guò)程中，這些無(wú)效區(qū)域會(huì)被快速切掉，從而提高制造效率。
較佳地，在對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光及顯影處理之前還包括：烘干所述光刻保護(hù)膠，并在所述光刻保護(hù)膠上覆蓋掩膜板。
較佳地，烘干所述光刻保護(hù)膠具體包括：控制溫度為120～130℃，烘烤時(shí)間為20～25分鐘。
較佳地，對(duì)所述光刻保護(hù)膠進(jìn)行曝光處理具體包括：控制曝光量為40～100mj/cm2，曝光時(shí)間為1～3秒，照度為50mw/cm2～70mw/cm2。
較佳地，對(duì)所述光刻保護(hù)膠進(jìn)行顯影處理具體包括：采用堿液進(jìn)行顯影，顯影時(shí)間為120～180秒。
較佳地，在pcb的所述預(yù)定區(qū)域之外的區(qū)域進(jìn)行刻蝕具體包括：采用酸性刻蝕溶劑進(jìn)行刻蝕，刻蝕時(shí)間為5～8分鐘。
較佳地，所述酸性刻蝕溶劑包括濃度為60％～100％磷酸以及濃度為15％～20％醋酸。
較佳地，對(duì)pcb表面進(jìn)行刻蝕處理之后還包括：在所述pcb的表面形成鈷基金屬層。
較佳地，形成所述鈷基金屬層之后還包括：對(duì)所述pcb進(jìn)行防變色鈍化處理。
較佳地，對(duì)pcb表面進(jìn)行刻蝕處理之前還包括：用清洗液及超聲波對(duì)pcb進(jìn)行清洗。
附圖說(shuō)明
圖1為本發(fā)明pcb表面處理方法的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的pcb表面處理方法作進(jìn)一步說(shuō)明，但不因此限制本發(fā)明。
在本發(fā)明的pcb表面處理方法的一個(gè)實(shí)施例中，該方法包括對(duì)pcb表面進(jìn)行刻蝕處理，具體包括：在pcb的預(yù)定區(qū)域涂布光刻保護(hù)膠，所述預(yù)定區(qū)域包括pcb的周邊的無(wú)效金屬鍍膜層；對(duì)所述光刻保護(hù)膠進(jìn)行曝光、顯影處理；以及在pcb的所述預(yù)定區(qū)域之外的區(qū)域進(jìn)行刻蝕，刻蝕深度為0.2～0.3μm。因此，在刻蝕時(shí)，pcb的周邊的無(wú)效金屬鍍膜層因涂光刻保護(hù)膠而不會(huì)與刻蝕溶液發(fā)生反應(yīng)，從而減少了刻蝕溶液的消耗，進(jìn)而降低制造成本。同時(shí)，涂有光刻保護(hù)膠的周邊無(wú)效區(qū)域能便于精確定位，在后續(xù)的切割過(guò)程中，這些無(wú)效區(qū)域會(huì)被快速切掉，從而提高制造效率。
在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，如圖1所示，該pcb表面處理方法包括以下步驟：
步驟101，超聲波清洗。具體地，將pcb銅焊盤(pán)浸于清洗液，如ipa溶液中進(jìn)行超聲波清洗。較佳地，超聲頻率為25khz，超聲功率為250w/cm2，電流密度范圍3-5a/dm2，清洗溫度為室溫，浸泡時(shí)間為10分鐘為宜。
步驟102，刻蝕處理。具體地，該刻蝕處理包括涂布光刻保護(hù)膠(102a)、曝光(102b)、顯影(102c)、刻蝕(102d)。具體地，在步驟102a中，在pcb的預(yù)定區(qū)域上涂布光刻保護(hù)膠，該預(yù)定區(qū)域包括后續(xù)加工最終保留在基板上的有效金屬走線、架橋線條以及最終將被去除掉的周邊無(wú)效金屬鍍膜層。較佳地，該光刻保護(hù)膠的厚度為1～2μm。繼而，對(duì)該光刻保護(hù)膠進(jìn)行烘烤處理，具體地，烘烤工序中控制溫度為120～130℃，烘烤時(shí)間為20～25分鐘。繼而，在光刻保護(hù)膠上覆蓋掩膜板，該掩膜板的遮掩圖形包括與有效金屬走線、架橋線條以及四邊無(wú)效金屬鍍膜層對(duì)應(yīng)的圖形。在曝光工序中，可采用黃光，但并不限制于此。在本實(shí)施例中，控制曝光量為40～100mj/cm2，曝光時(shí)間為1～3秒，照度為50mw/cm2～70mw/cm2。在顯影工序中，采用濃度為1.5％的氫氧化鈉堿液，顯影時(shí)間120～180秒。在刻蝕工藝中，具體地，對(duì)不涂有光刻保護(hù)膠的部分進(jìn)行蝕刻。蝕刻工序采用的酸性蝕刻溶液為：濃度為60％～100％磷酸以及濃度為15％～20％醋酸。蝕刻時(shí)間為7-8分鐘。由此，為鈷基金屬層作準(zhǔn)備的刻蝕工序完成。
步驟103，形成鈷基金屬層。具體包括子步驟預(yù)鍍鈷以及子步驟脈沖鍍鈷。在預(yù)鍍鈷中，該pcb在預(yù)鍍鈷溶液中進(jìn)行預(yù)鍍鈷。該預(yù)鍍鈷溶液為硫酸鈷及硫酸。在脈沖鍍鈷中，具體地，該步驟采用的鍍鈷溶液包括氨基磺酸鈷、氯化鈉、硼酸，光亮劑。經(jīng)過(guò)預(yù)鍍鈷和脈沖鍍鈷處理后，pcb表面形成一層鈷基金屬層，該鈷基金屬層在pcb焊接組裝時(shí)與無(wú)鉛焊料直接接觸及連接。
步驟104，防變色處理。將電鍍后的pcb進(jìn)行防變色處理，防變色處理液包括1-苯基-5巰基四氮唑及苯并三氮唑，并以乙醇為溶劑，在40℃溫度下鈍化處理，時(shí)間為1分鐘左右。經(jīng)過(guò)此鈍化處理，在鈷基金屬層的表面上形成致密保護(hù)膜以防止變色。最后，干燥銅焊盤(pán)以得到pcb成品。
綜上所述，本發(fā)明的pcb表面處理方法在pcb的預(yù)定區(qū)域涂布光刻保護(hù)膠，所述預(yù)定區(qū)域包括pcb的周邊的無(wú)效金屬鍍膜層；對(duì)所述光刻保護(hù)膠進(jìn)行曝光、顯影處理；以及在pcb的所述預(yù)定區(qū)域之外的區(qū)域進(jìn)行刻蝕。因此，在刻蝕時(shí)，pcb的周邊的無(wú)效金屬鍍膜層因涂光刻保護(hù)膠而不會(huì)與刻蝕溶液發(fā)生反應(yīng)，從而減少了刻蝕溶液的消耗，進(jìn)而降低制造成本。同時(shí)，涂有光刻保護(hù)膠的周邊無(wú)效區(qū)域能便于精確定位，在后續(xù)的切割過(guò)程中，這些無(wú)效區(qū)域會(huì)被快速切掉，從而提高制造效率。
以上所揭露的僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來(lái)限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，因此依本發(fā)明申請(qǐng)專(zhuān)利范圍所作的等同變化，仍屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。