本發(fā)明是有關于一種多層線路的制造技術(shù)，且特別是有關于一種多層線路的制作方法與多層線路結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

許多市調(diào)報告顯示，印刷電子產(chǎn)品在未來具有很大的市場潛力，然而這些產(chǎn)品的共通點在于體積不斷的微型化。為了滿足產(chǎn)品更輕、更小或更薄的設計需求，產(chǎn)品內(nèi)的各個部件所占的體積都受到嚴格的限制。以印刷電子產(chǎn)品中最常用的導線為例，導線線寬由過去的百微米級，已縮小到只剩數(shù)十個微米等級，衍生而出的是制程能力與制程成本的拉鋸。此外，在電子元件的功能不斷增加之下，線路密度不斷提升，因此需要更多空間，故而衍生雙層甚至多層印刷電路板的需求。

然而，若要進行多層印刷電路板的制作，以目前的技術(shù)仍須將印刷制程搭配光刻工藝，以進行導電通孔及導電層的制作。而使用光刻工藝不可避免地將面臨三大議題：一為環(huán)保問題，光刻工藝在制作雙/多層印刷電路板的過程中需要使用多種化學藥品，包括：化鍍液、電鍍液、光阻、顯影液及蝕刻液等污染物質(zhì)，被視為高耗能及高污染產(chǎn)業(yè)；二為產(chǎn)品良率問題，目前光刻工藝在制作細微導線大都采用金屬蝕刻技術(shù)，其在蝕刻過程中容易產(chǎn)生細微線路下層出現(xiàn)切口(undercut)現(xiàn)象，線路截面形成倒梯形結(jié)構(gòu)，導致產(chǎn)品良率下降，此外在通孔技術(shù)中，因基板往往采用聚酰亞胺(polyimide，PI)基板，因此需上黑膠(碳膠)使其可形成導電層；三為生產(chǎn)成本問題，目前在電子產(chǎn)品市場多半以「低價策略」搶攻市場，無法承擔光刻工藝的高生產(chǎn)成本。

另一方面，印刷制程在搭配光刻工藝使用時，其在制程整合上仍有困難，如：印刷后的成品易有高分子材料或其他混合物，易影響光刻工藝設備的效能，而上述高分子材料與光阻間的搭配也不易解決。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提出一種多層線路的制造方法，可以非光刻工藝制作雙/多層印刷電路板，解決光刻工藝所衍生的環(huán)保、良率、成本及制程整合問題。

本發(fā)明提出一種多層線路結(jié)構(gòu)，具有導電率良好的細微線路。

本發(fā)明提供一種多層線路的制作方法，包括提供一基材，于基材上形成線路層以及導電通孔。其中形成線路層的方法包括于基材上形成圖案化膠體層，其中圖案化膠體層包括60wt％～90wt％的高分子材料與10wt％～40wt％的第一觸發(fā)子，接著活化第一觸發(fā)子并通過一化學鍍液與活化的第一觸發(fā)子反應，以在圖案化膠體層的表面成長導電層。形成導電通孔的步驟，包括于基材與導電層上形成絕緣膠體層，此絕緣膠體層包括絕緣膠體與第二觸發(fā)子，第二觸發(fā)子占絕緣膠體層的比例為0.1wt％～10wt％之間，再利用雷射于絕緣膠體層中形成至少一開口，暴露出導電層并活化部分第二觸發(fā)子，然后通過被活化的第二觸發(fā)子進行無電鍍，以于開口內(nèi)形成導電通孔。

在本發(fā)明的一實施例中，上述圖案化膠體層的表面張力小于等于45mN/m。

在本發(fā)明的一實施例中，上述形成圖案化膠體層的方法包括凹版轉(zhuǎn)印、柔版印刷、凸版轉(zhuǎn)印、網(wǎng)版印刷或噴印。

在本發(fā)明的一實施例中，上述活化第一觸發(fā)子的方法包括照射UV光、加熱制程或等離子制程(plasma process)。

在本發(fā)明的一實施例中，上述形成絕緣膠體層的方法包括涂布、噴涂或刮涂。

在本發(fā)明的一實施例中，上述雷射的波長介于200nm-1100nm。

在本發(fā)明的一實施例中，上述多層線路的制作方法還可包括重復上述形成線路層以及上述形成導電通孔的步驟。

本發(fā)明另提供一種多層線路結(jié)構(gòu)，包括基材、位于基材上的線路層、覆蓋基材與線路層的絕緣膠體層以及至少一導電通孔。其中，線路層由圖案化膠體層與導電層構(gòu)成，而圖案化膠體層與導電層之間具有一界面，所述圖案化膠體層包括60wt％～90wt％的高分子材料與10wt％～40wt％的第一 觸發(fā)子。所述絕緣膠體層則具有絕緣膠體與第二觸發(fā)子，所述第二觸發(fā)子占絕緣膠體層的比例為0.1wt％～10wt％之間。至于導電通孔是形成于絕緣膠體層中并與導電層電性連接。

在本發(fā)明的另一實施例中，上述的界面實質(zhì)上平行于基材的表面。

在本發(fā)明的各個實施例中，上述圖案化膠體層的線寬小于等于30微米。

在本發(fā)明的各個實施例中，上述圖案化膠體層的厚度小于等于3微米。

在本發(fā)明的各個實施例中，上述高分子材料包括壓克力系、環(huán)氧樹脂、酚類樹脂或其混合物。

在本發(fā)明的各個實施例中，上述絕緣膠體包括聚苯醚(Polyphenylene Oxide，PPO)、雙馬來酰亞胺三嗪(Bismaleimide Triazine，BT)、環(huán)烯烴共聚物(Cyclo Olefin Copolymer，COC)、液晶高分子聚合物(Liquid Crystal Polymer，LCP)或環(huán)氧樹脂。

在本發(fā)明的各個實施例中，上述第一觸發(fā)子包括離子化合物、金屬粒子或其混合物。

在本發(fā)明的各個實施例中，上述金屬粒子包括銅粒子、銀粒子或鈀粒子。

在本發(fā)明的各個實施例中，上述金屬粒子包括納米金屬粒子。

在本發(fā)明的各個實施例中，上述第二觸發(fā)子包括有機金屬化合物、離子化合物、金屬螯合物、或能隙大于等于3電子伏特(eV)的半導體材料。

在本發(fā)明的各個實施例中，上述離子化合物包括CuCl₂、Cu(NO₃)₂、CuSO₄、Cu(OAc)₂、AgCl、AgNO₃、Ag₂SO₄、Ag(OAc)、Pd(OAc)、PdCl₂、Pd(NO₃)₂、PdSO₄、Pd(OAc)₂、FeCl₂、Fe(NO₃)₂、FeSO₄或[Fe₃O(OAc)₆(H₂O)₃]OAc。在本發(fā)明的各個實施例中，上述半導體材料是選自由氮化鎵、硫化鋅、碳化硅、氧化鋅、二氧化鈦、氮化鋁鎵、氮化鋁、氧化鋁、氮化硼、氮化硅及二氧化硅所組成的集合中的一種或其組合。

在本發(fā)明的各個實施例中，上述有機金屬化合物的結(jié)構(gòu)為R-M-R’或R-M-X，其中R與R’各自獨立為烷基、芳香烴、環(huán)烷、鹵烷、雜環(huán)或羧 酸；M是選自由銀、鈀、銅、金、錫、鋁、鎳及鐵中之一或其所組成的集合；X為鹵素化合物或胺類。

在本發(fā)明的各個實施例中，上述有機金屬化合物的結(jié)構(gòu)中的R與R’中至少一個的碳數(shù)≥3。

在本發(fā)明的各個實施例中，上述金屬螯合物是由一螯合劑螯合一金屬所組成，所述螯合劑例如吡咯烷二硫代氨基甲酸銨(Ammonium pyrrolidine dithiocarbamate，APDC)、乙二胺四乙酸(ehtylenediaminetetraacetic acid，EDTA)、N，N’-雙(羧基甲基)甘氨酸氨三乙酸(nitrilotriacetate acid，NTA)或二乙烯三胺五乙酸(diethylenetriamine pentaacetic acid，DTPA)。

在本發(fā)明的各個實施例中，上述金屬螯合物中的所述金屬可選自由銀、鈀、銅、金、錫、鋁、鎳及鐵中之一或其所組成的集合。

基于上述，在本發(fā)明的多層線路制造方法中，通過在基材上形成具有第一觸發(fā)子的圖案化膠體層，將第一觸發(fā)子活化后與化學鍍液反應，因此能直接在圖案化膠體層的表面成長致密的導電層，并且當圖案化膠體層上的線路微縮時，其所形成的導電層仍保有良好的導電特性，也不會出現(xiàn)光刻工藝的切口(undercut)現(xiàn)象，所以元件的良率得以提升。此外，在本發(fā)明的多層線路制造方法中，還包括利用雷射形成微小導電通孔的步驟，因此本發(fā)明可采取非光刻工藝制作多層線路結(jié)構(gòu)，解決光刻工藝所衍生的環(huán)保、良率、成本及制程整合問題。

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式作詳細說明如下。

附圖說明

圖1是依照本發(fā)明的一實施例的一種多層線路的制作流程的步驟圖。

圖2A至圖2G是圖1的制作流程的剖面示意圖。

圖3是依照本發(fā)明的另一實施例的多層線路結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

圖4為實驗例一的線路層剖面SEM圖。

圖5是實驗例一的線路層俯視SEM圖。

圖6是實驗例二的導電層俯視SEM圖。

圖7是實驗例三的導電通孔的剖面SEM圖。

圖8是實驗例四的多層線路的剖面SEM圖。

【符號說明】

100～104：步驟

200、302：基材

201：被活化的第一觸發(fā)子

202、212、310：圖案化膠體層

204：第一導電層

206、306：絕緣膠體層

208：開口

209：被活化的第二觸發(fā)子

210、308：導電通孔

214：第二導電層

300：多層線路結(jié)構(gòu)

304：線路層

312：導電層

314：界面

具體實施方式

以下是參照所附圖式詳細敘述實施態(tài)樣。需注意的是，說明書和圖式內(nèi)容僅作敘述實施例之用，而非作為限縮本發(fā)明范圍之用；并且為方便說明，圖式并沒有依照真正的比例繪示。

圖1是依照本發(fā)明的一實施例的一種多層線路的制作流程的步驟圖。圖2A至圖2G是圖1的制作流程的剖面示意圖。

請先參照圖1與圖2A，在步驟100中提供一基材200?；?00并沒有特別地限制，可為硬質(zhì)基材或可撓式基材，例如玻璃、藍寶石、硅、硅鍺、碳化硅、氮化鎵、高分子材料(如：聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET)、雙馬來酰亞胺-三氮雜苯樹脂(bismaleimide-triazine resin，BT)、聚酰亞胺或聚酰胺)或前述的組合。

然后，進行步驟102，在基材上形成線路層。首先，請再度參照圖2A，于基材200上形成圖案化膠體層202，且圖案化膠體層202的形成方法可為印刷技術(shù)，例如網(wǎng)板印刷、柔版印刷、凸版轉(zhuǎn)印、凹版轉(zhuǎn)印或噴印等，但不限于此；以凹版轉(zhuǎn)印為例，所印制的圖案化膠體層202線寬可小于等于30微米，厚度可小于等于3微米。此外，圖案化膠體層202的表面張力例如小于等于45mN/m，可避免印刷的圖形失真，這是因為轉(zhuǎn)印介質(zhì)的表面能較低，所以當圖案化膠體層202的表面張力不夠小時，圖案化膠體層202會在轉(zhuǎn)印介質(zhì)表面收縮形成液滴狀，導致所轉(zhuǎn)印出的圖形失真的現(xiàn)象產(chǎn)生，或者轉(zhuǎn)印出的線路容易形成斷線。而在本實施例的圖案化膠體層202包括有60wt％～90wt％的高分子材料與10wt％～40wt％的第一觸發(fā)子，其中如要制作1～3微米的細線，第一觸發(fā)子的含量較佳為小于20wt％；一般而言，需要印制的圖案化膠體層202的線寬愈細，所需的第一觸發(fā)子的含量愈少，但為了不影響后續(xù)在化鍍時的鍍膜成長速率，第一觸發(fā)子的含量較佳是在10wt％以上，以免延長化鍍的反應時間。

在本實施例中，第一觸發(fā)子例如離子化合物、金屬粒子或其混合物。其中金屬粒子可為銅粒子、銀粒子、鈀粒子等，且金屬粒子較佳是納米金屬粒子；離子化合物則可列舉，CuCl₂、Cu(NO₃)₂、CuSO₄、Cu(OAc)₂、AgCl、AgNO₃、Ag₂SO₄、Ag(OAc)、Pd(OAc)、PdCl₂、Pd(NO₃)₂、PdSO₄、Pd(OAc)₂、FeCl₂、Fe(NO₃)₂、FeSO₄或[Fe₃O(OAc)₆(H₂O)₃]OAc。上述高分子材料例如壓克力系材料、環(huán)氧樹脂、酚類樹脂或其混合物。

然后，請繼續(xù)參照圖2A，可通過UV光、加熱制程或等離子制程方式活化第一觸發(fā)子，而使被活化的第一觸發(fā)子201沉積在圖案化膠體層202表面。再者，圖案化膠體層202可視選用的活化處理方式或第一觸發(fā)子的特性等因素，適當加入其他添加物；例如選用UV光活化第一觸發(fā)子時，可先在圖案化膠體層202內(nèi)添加光起始劑。

接著，請參照圖2B，被活化后的第一觸發(fā)子201可與化學鍍液反應，以在圖案化膠體層202的表面成長致密的第一導電層204，以完成線路層的制作。而成長第一導電層204的方法例如但不限于化鍍。

接著，執(zhí)行形成導電通孔的步驟104。首先請參照圖2C，于基材200與第一導電層204上形成絕緣膠體層206，其中絕緣膠體層206的形成可利用涂布(例如但不限于狹縫式涂布)、噴涂或刮涂等技術(shù)。絕緣膠體層206則包括絕緣膠體與第二觸發(fā)子，其中第二觸發(fā)子占絕緣膠體層206的比例為0.1wt％～10wt％之間。絕緣膠體例如聚苯醚(Polyphenylene Oxide，PPO)、雙馬來酰亞胺三嗪(Bismaleimide Triazine，BT)、環(huán)烯烴共聚物(Cyclo Olefin Copolymer，COC)、液晶高分子聚合物(Liquid Crystal Polymer，LCP)或環(huán)氧樹脂。所述絕緣膠體層206還可包括色料，譬如無機色料或有機色料，無機色料例如是碳黑或鈦白；有機色料例如是偶氮顏料(-N＝N-)、菁銅蘭(C₃₂H₁₆N₈Cu)或菁綠(C₃₂HCl₁₅N₈Cu)。

在本實施例中，第二觸發(fā)子例如有機金屬化合物、離子化合物、金屬螯合物、或能隙大于或等于3電子伏特(eV)的半導體材料。能隙大于或等于3電子伏特(eV)的半導體材料例如氮化鎵(GaN)、硫化鋅(ZnS)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、二氧化鈦(TiO₂)及氮化鋁鎵(AlGaN)等；其中半導體材料還可為能隙大于或等于4eV的半導體材料，包括氮化鋁(AlN)、氧化鋁(Al₂O₃)、氮化硼(BN)、氮化硅(Si₃N₄)及二氧化硅(SiO2)等，上述半導體材料可單獨使用或使用兩種以上。

有機金屬化合物的結(jié)構(gòu)包括R-M-R’或R-M-X，其中的R與R’各自獨立為烷基、芳香烴、環(huán)烷、鹵烷、雜環(huán)或羧酸，且R與R’較佳是其中至少一個的碳數(shù)≥3，碳數(shù)越多，與有機溶劑的溶解度可較高，并較易溶解于絕緣膠體中；M是選自由銀、鈀、銅、金、錫及鐵中之一或其所組成的集合；X為鹵素化合物或胺類。當金屬M被有機官能基R、R’所包圍時，電子無法自由移動，因此不具有導電性。也就是說，第二觸發(fā)子在進行后續(xù)的活化步驟之前皆不具有導電性。

金屬螯合物譬如是由螯合劑螯合金屬所組成；所述螯合劑例如吡咯烷二硫代氨基甲酸銨(Ammonium pyrrolidine dithiocarbamate，APDC)、乙二胺四乙酸(ehtylenediaminetetraacetic acid，EDTA)、N，N’-雙(羧基甲基)甘氨酸氨三乙酸(nitrilotriacetate acid，NTA)或二乙烯三胺五乙酸(diethylenetriamine pentaacetic acid，DTPA)，上述螯合劑可單獨使用或使用 兩種以上。金屬螯合物中的金屬例如選自由銀、鈀、銅、金、錫、鋁、鎳及鐵中之一或其所組成的集合。

本發(fā)明不對螯合劑及金屬的種類做限制。而當金屬被螯合劑所包圍時，電子無法自由移動，因此不具有導電性。也就是說，本發(fā)明的第二觸發(fā)子在進行后續(xù)的活化步驟的前皆不具有導電性。

第二觸發(fā)子如為離子化合物，則可列舉CuCl₂、Cu(NO₃)₂、CuSO₄、Cu(OAc)₂、AgCl、AgNO₃、Ag₂SO₄、Ag(OAc)、Pd(OAc)、PdCl₂、Pd(NO₃)₂、PdSO₄、Pd(OAc)₂、FeCl₂、Fe(NO₃)₂、FeSO₄或[Fe₃O(OAc)₆(H₂O)₃]OAc。

然后，請參照圖2D，利用雷射于絕緣膠體層206中形成至少一開口208，暴露出第一導電層204并活化絕緣膠體層206中的部分第二觸發(fā)子，使被活化的第二觸發(fā)子209沉積在開口208的側(cè)壁上。上述雷射可使用高能量雷射(例如YAG雷射)或氬氣雷射進行，雷射光的波長例如介于200nm-1100nm，但并不以此為限。

之后，請參照圖2E，通過被活化的第二觸發(fā)子209進行無電鍍，以在開口208內(nèi)形成導電通孔210。導電通孔210可如本圖所示，未填滿開口208，但本發(fā)明并不限于此，還可通過調(diào)整制程參數(shù)來使導電通孔210完全填滿開口208。而上述開口208的深度、寬度及形狀可根據(jù)產(chǎn)品需求改變，其后所形成的導電通孔210例如圖中的單一通孔或者由溝渠與介層窗構(gòu)成的雙重金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)(未繪示)。

另一方面，可通過重復上述形成線路層的步驟102以及形成導電通孔的步驟104，制造出具有更多層別的多層線路。如圖2F至圖2G所示。

請參照圖2F，在基材200上的絕緣膠體層206上再形成另一圖案化膠體層212，其形成方式與材料均可參照圖案化膠體層202。所述圖案化膠體層212的位置可調(diào)整，只要能使后續(xù)形成的線路與導電通孔210電性接觸即可，較佳是圖案化膠體層212的側(cè)壁與導電通孔210的側(cè)壁齊平，以增進多層線路的良率。

然后，請參照圖2G，活化圖案化膠體層212內(nèi)的第一觸發(fā)子，再以化鍍形成第二導電層214，因此能通過導電通孔210連接上、下層的第二導電層214與第一導電層204，而形成多層線路。

圖3是依照本發(fā)明的另一實施例的多層線路結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

請參照圖3，本實施例的多層線路結(jié)構(gòu)300包括基材302、位于基材302上的線路層304、覆蓋基材302與線路層304的絕緣膠體層306以及至少一導電通孔308。其中，線路層304由圖案化膠體層310與導電層312構(gòu)成，而圖案化膠體層310與導電層312之間具有一界面314，且界面314例如實質(zhì)上平行于基材302的表面。而導電通孔308則形成于絕緣膠體層306中并與所述導電層312電性連接。所述基材302、絕緣膠體層306、圖案化膠體層310、導電層312、導電通孔308等均可自上一實施例提到的材料、制程、尺寸等選擇適合的，故在此不再贅述。

以下，列舉幾個實驗來驗證本發(fā)明的功效，但本發(fā)明的范圍并不局限于以下內(nèi)容。

<實驗例一>

實驗例一是以凹版轉(zhuǎn)印制程為例，制作線路層。首先，使用凹板轉(zhuǎn)印的方式在聚亞酰胺(polyimide，PI)基材表面轉(zhuǎn)印圖案化膠體層，其組成為1g聚丙烯酸-環(huán)氧樹脂(polyacrylate-epoxy resin)(型號395購自chembridge)、0.1g苯酚(phenol)(型號：3760購自chembridge)及0.3g醋酸銀(購自SIGMA)及0.1克20nm二氧化鈦；組成中添加少量二氧化鈦可使圖案化膠體層的表面張力從23.8mN/m改變?yōu)?5mN/m，進而減少金屬沉積所需時間。

接著，經(jīng)加熱UV光照射5分鐘及烘烤5分鐘活化圖案化膠體層內(nèi)的第一觸發(fā)子，其中第一觸發(fā)子即為醋酸銀。然后，以化學電鍍銅制程在圖案化膠體層表面成長一致密銅層，其中化學電鍍銅制程所用的化學鍍液的成分為14.9g/L的硫酸銅(copper sulfate)、35.1g/L的EDTA以及10mL/L的甲醛(formaldehyde)，且化鍍時間為50分鐘。最終得到的線路層經(jīng)SEM觀察可知，圖案化膠體層與銅層之間具有明顯的界面(如圖4)，且線路層的線寬僅8.9微米(如圖5)。

<實驗例二>

首先，在聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)基材表面印制線寬3微米的圖案化膠體層，此圖案化膠體層的組成為1克的聚丙烯酸酯-環(huán)氧樹脂(polyacrylate-epoxy resin，型號395購自ChemBridge)、0.1克的苯酚(phenol，型號3760購自ChemBridge)、0.5克的醋酸銀(購自 SIGMA)及作為表面張力調(diào)整劑BYK378(藥品型號)0.21克，以控制此圖案化膠體層的表面張力為37.6mN/m。

接著，以能量1.84J/cm²、波長365納米的UV光源活化圖案化膠體層內(nèi)的第一觸發(fā)子后，將基材浸入跟實驗例一相同的化學電鍍銅溶液中約30分鐘，完成線路層的制作。最終得到的線路層經(jīng)SEM觀察，其線寬在3微米以下，如圖6所示。，且實測片電阻(sheet resistance)約為5Ω/□(ohm/square)，基材穿透率(transmission)約為87.8％。

<實驗例三>

根據(jù)實驗例一的步驟制作線路層，然后在PI基材與銅層上涂布絕緣膠體，其中絕緣膠體的制備是將0.5wt％的CuCl₂溶解于甲醇中，再與50wt％的環(huán)氧樹脂均勻混合，其中還添加1wt％的色料(碳黑)。然后，通過加熱固化形成厚度為100μm的絕緣膠體層。

之后，以波長1064nm的氬氣雷射當作雷射源，直接在絕緣膠體層燒出開口，并暴露銅層以及活化絕緣膠體層內(nèi)的部分的二觸發(fā)子(即CuCl2)，并通過被活化的第二觸發(fā)子進行無電鍍銅制程，以于開口內(nèi)形成導電通孔。最終得到的多層線路結(jié)構(gòu)經(jīng)SEM觀察，導電通孔明顯與銅層連接(如圖7)。

<實驗例四>

根據(jù)實驗例三的步驟制作線路層與導電通孔之后，重復實驗例一的步驟。然后經(jīng)由SEM觀察，得到其中的導電通孔可進一步與上層的銅層連接，如圖8所示，并經(jīng)實測第一層銅層經(jīng)導電通孔至第二層銅層804的電阻僅0.007Ω。

綜上所述，本發(fā)明的多層線路的制作方法，是在基材上形成具有第一觸發(fā)子的圖案化膠體層，由于第一觸發(fā)子被活化后可通過化鍍方式直接在圖案化膠體層上成長致密的導電層，使得在線路微縮的情況下，導電層仍保有良好的導電特性，也不會出現(xiàn)光刻工藝的切口(undercut)現(xiàn)象，良率得以提升。而且，在本發(fā)明的多層線路的制作方法中，還包括利用雷射在具有第二觸發(fā)子的絕緣膠體層中形成微小開口，并通過被活化的第二觸發(fā)子形成導電通孔，絕緣膠體層內(nèi)含0.1wt％～10wt％的第二觸發(fā)子，使得該絕緣膠體層的介電常數(shù)D_k與介電損失D_f仍保持絕緣材料的原來特性，因此在制作線路期間，可同時成為多層線路中的絕緣層并通過搭配雷射鉆孔 以及無電鍍制程，而能形成導線與微小導電通孔。因此本發(fā)明可以非光刻工藝制作多層線路結(jié)構(gòu)，解決光刻工藝所衍生的環(huán)保、良率、成本及制程整合問題。另一方面，由于本發(fā)明的多層線路制作方法沒有需要高溫制程，因此相較于傳統(tǒng)多層線路的制作方法，還能避免因為熱而產(chǎn)生的漲縮問題。

雖然本發(fā)明已以實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明的保護范圍當視所附的權(quán)利要求所界定者為準。