本發(fā)明是有關(guān)于一種印刷電路板技術(shù)，且特別是有關(guān)于一種用于印刷電路板的絕緣膠體材料與多層線路結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
：為了因應(yīng)電子信息產(chǎn)品輕、薄、多功能的市場(chǎng)需求，在印刷電路板(PrintedCircuitBoard，PCB)的電子構(gòu)裝技術(shù)方面，也逐漸發(fā)展出高密度連接板(HighDensityInterconnect，HDI)、高層數(shù)板(HighLayerCount，HLC)等技術(shù)，使得分布于印刷電路板內(nèi)的電子線路密度更高，但體積更小，進(jìn)而滿足輕量化、薄型化的要求；而縮小后的印刷電路板，在終端產(chǎn)品設(shè)計(jì)上可以讓出更多機(jī)構(gòu)空間，添加更多功能零組件，達(dá)成一機(jī)多功的設(shè)計(jì)理念。其中，高密度連接板的定義為銅金屬導(dǎo)體層的厚度≤25μm、絕緣層的厚度＜75μm、線寬/線距≤20μm/20μm、孔徑≤100μm的電路板。然而，現(xiàn)有的電子線路制作方法是在一基板上，以濺鍍結(jié)合電鍍的方式或壓合銅箔的方式形成一銅箔層后，再以圖案化的方式形成線路層，并重復(fù)上述制作線路層的步驟，來完成高密度多層電路板。多層電路板之間是依靠導(dǎo)通孔來做電性連接，導(dǎo)通孔的制作方式可概分為二：一是利用電鍍方法，一是利用壓合方式。前者的導(dǎo)通孔制程繁瑣，成本較高；后者則因形成的線路層尺寸較厚且線寬尺寸較大，故無法實(shí)現(xiàn)薄型化與微小化。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明提供一種絕緣膠體材料，能應(yīng)用于細(xì)微導(dǎo)線與微小導(dǎo)通孔的制作。本發(fā)明提供一種多層線路結(jié)構(gòu)，能通過簡(jiǎn)單的制程實(shí)現(xiàn)線路的薄型化與微小化。本發(fā)明的絕緣膠體材料，包括樹脂、觸發(fā)粒子以及有機(jī)溶劑。所述觸發(fā)粒子選自包括由有機(jī)金屬粒子與離子化合物所構(gòu)成的集合中的任一者，其中所述觸發(fā)粒子占所述絕緣膠體材料的比例在0.1wt％～10wt％之間，且所述有機(jī)金屬粒子的結(jié)構(gòu)包括R-M-R’或R-M-X，其中的R與R’各自獨(dú)立為烷基、芳香烴、環(huán)烷、鹵烷、雜環(huán)或羧酸，且R與R’中至少一個(gè)的碳數(shù)≥3；M是選自由銀、鈀、銅、金、錫及鐵中之一或其所組成的集合；X為鹵素化合物或胺類。所述離子化合物包括CuCl2、Cu(NO3)2、CuSO4、Cu(OAc)2、AgCl、AgNO3、Ag2SO4、Ag(OAc)、Pd(OAc)、PdCl2、Pd(NO3)2、PdSO4、Pd(OAc)2、FeCl2、Fe(NO3)2、FeSO4或[Fe3O(OAc)6(H2O)3]OAc。其中所述絕緣膠體材料的黏滯系數(shù)介于1萬～20萬之間。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的樹脂包括聚苯醚(PolyphenyleneOxide，PPO)、雙馬來酰亞胺三嗪(BismaleimideTriazine，BT)、環(huán)烯烴共聚物(CycloOlefinCopolymer，COC)、液晶高分子聚合物(LiquidCrystalPolymer，LCP)、聚亞酰胺(Polyimide)或環(huán)氧樹脂。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的觸發(fā)粒子在有機(jī)溶劑中的溶解度大于0.1wt％。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的絕緣膠體材料還可包括吸收劑或色料。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的色料包括碳黑、鈦白或有機(jī)色料。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的絕緣膠體材料還可包括纖維結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的絕緣膠體材料還可包括二氧化硅、氧化鋁或氮化鋁的粒子。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的有機(jī)溶劑包括甲醇、丙酮、甲苯、甲乙酮(MethylEthylKetone)、二丙二醇甲醚(DPM)或醋酸丙二醇甲醚酯(Propyleneglycolmonomethyletheracetate)。本發(fā)明的多層線路結(jié)構(gòu)，包括基材、位于所述基材上的第一線路層、覆蓋所述基材與所述第一線路層的絕緣膠體層、暴露所述第一線路層的導(dǎo)通孔以及形成于所述導(dǎo)通孔中的導(dǎo)電層。其中所述導(dǎo)通孔設(shè)置于絕緣膠體層中，所述絕緣膠體層內(nèi)包括觸發(fā)粒子，所述觸發(fā)粒子選自包括由有機(jī)金屬粒子與離子化合物所構(gòu)成的集合中的任一者，其中觸發(fā)粒子占絕緣膠體層的比例為0.1wt％～10wt％之間，且所述有機(jī)金屬粒子的結(jié)構(gòu)包括R-M-R’或R-M-X，其中的R與R’各自獨(dú)立為烷基、芳香烴、環(huán)烷、鹵烷、雜環(huán)或羧酸，且R與R’中至少一個(gè)的碳數(shù)≥3；M是選自由銀、鈀、銅、金、錫及鐵中之一或其所組成的集合；X為鹵素化合物或胺類。所述離子化合物包括CuCl2、Cu(NO3)2、CuSO4、Cu(OAc)2、AgCl、AgNO3、Ag2SO4、Ag(OAc)、Pd(OAc)、PdCl2、Pd(NO3)2、PdSO4、Pd(OAc)2、FeCl2、Fe(NO3)2、FeSO4或[Fe3O(OAc)6(H2O)3]OAc。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，上述的基材包括玻璃、藍(lán)寶石、硅、硅鍺、碳化硅、氮化鎵或高分子材料。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，上述絕緣膠體層的材料，包括樹脂，上述樹脂包含聚苯醚(PPO)、雙馬來酰亞胺三嗪(BT)、環(huán)烯烴共聚物(COC)、液晶高分子聚合物(LCP)、聚亞酰胺(Polyimide)或環(huán)氧樹脂。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，上述的導(dǎo)電層的材料包括銅、鎳或銀。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，上述絕緣膠體層還可包括形成于導(dǎo)通孔上的溝槽。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，上述多層線路結(jié)構(gòu)還可包括形成于上述溝槽中的第二線路層。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，上述的第二線路層還可包括自溝槽中延伸至絕緣膠體層的表面。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，上述的第一線路層、導(dǎo)電層與第二線路層可構(gòu)成一電感。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，上述的第一線路層、絕緣膠體層與第二線路層可構(gòu)成一電容。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，上述多層線路結(jié)構(gòu)還可包括形成于第二線路層上的介電層與形成于介電層上的第三線路層，其中第二線路層、介電層與第三線路層可構(gòu)成一電容。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，上述的絕緣膠體層還可包括吸收劑或色料。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，上述的色料包括碳黑、鈦白或有機(jī)色料。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，上述的絕緣膠體層還可包括纖維結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，上述的絕緣膠體層還可包括二氧化硅、氧化鋁或氮化鋁的粒子?；谏鲜?，本發(fā)明的絕緣膠體材料，包括樹脂、觸發(fā)粒子以及有機(jī)溶劑。當(dāng)絕緣膠體材料經(jīng)固化去除有機(jī)溶劑之后，再以激光進(jìn)行鉆孔，因激光的高溫去除樹脂后，裸露的觸發(fā)粒子有利于后續(xù)如無電鍍銅的銅沉積制程，因此本發(fā)明能通過簡(jiǎn)單的制程制作具有細(xì)微導(dǎo)線與微小導(dǎo)通孔的多層線路結(jié)構(gòu)，以滿足輕量化與薄型化的市場(chǎng)需求。而且，由含有觸發(fā)粒子的上述絕緣膠體材料所制作的絕緣膠體層可作為介電層，亦可作為導(dǎo)電的通孔與線路層。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說明如下。附圖說明圖1是依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種多層線路結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖2A至圖2E是圖1的多層線路結(jié)構(gòu)的制造流程剖面示意圖。圖3是圖1的多層線路結(jié)構(gòu)的一種變形例的剖面示意圖。圖4是實(shí)驗(yàn)例1中的多層線路結(jié)構(gòu)剖面SEM圖。圖5A與圖5B分別是依照本發(fā)明的另一實(shí)施例的兩種多層線路結(jié)構(gòu)的剖面示意圖?！痉?hào)說明】100、300：多層線路結(jié)構(gòu)102、200、302、400、500：基材104、202、304、404、502：第一線路層106、204、306、402、406、504：絕緣膠體層108、210、410、508：導(dǎo)電層110、212、310、512：第二線路層112、206、308、408、506：導(dǎo)通孔114、208、312、510：溝槽207：被活化的觸發(fā)粒子516：電感區(qū)516：電容區(qū)520：介電層522：第三線路層524：電容具體實(shí)施方式以下，將詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。這些描述是為解釋本發(fā)明的結(jié)構(gòu)或步驟流程，而非用以限制本發(fā)明，因此本發(fā)明揭露不限于此。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，絕緣膠體材料包含了樹脂、觸發(fā)粒子以及有機(jī)溶劑。所述樹脂例如環(huán)氧樹脂、聚苯醚(PolyphenyleneOxide，PPO)、雙馬來酰亞胺三嗪(BismaleimideTriazine，BT)、環(huán)烯烴共聚物(CycloOlefinCopolymer，COC)、聚亞酰胺(Polyimide)或液晶高分子聚合物(LiquidCrystalPolymer，LCP)。至于觸發(fā)粒子是選自包括由有機(jī)金屬粒子與離子化合物所構(gòu)成的集合中的任一者。所述有機(jī)金屬粒子的結(jié)構(gòu)包括R-M-R’或R-M-X，其中的R與R’各自獨(dú)立為烷基、芳香烴、環(huán)烷、鹵烷、雜環(huán)或羧酸，且R與R’中至少一個(gè)的碳數(shù)≥3，碳數(shù)越多，與有機(jī)溶劑的溶解度可較高，并較易溶解于高分子膠體中，碳數(shù)過少，只能與高極性溶劑互溶，較不易溶入高分子膠體中；M是選自由銀、鈀、銅、金、錫及鐵中之一或其所組成的集合；X為鹵素化合物或胺類。所述離子化合物包括CuCl2、Cu(NO3)2、CuSO4、Cu(OAc)2、AgCl、AgNO3、Ag2SO4、Ag(OAc)、Pd(OAc)、PdCl2、Pd(NO3)2、PdSO4、Pd(OAc)2、FeCl2、Fe(NO3)2、FeSO4或[Fe3O(OAc)6(H2O)3]OAc。前述有機(jī)金屬粒子與離子化合物可以單獨(dú)使用或者同時(shí)使用兩種以上。所述有機(jī)溶劑可選用低極性的有機(jī)溶劑，特別是能與觸發(fā)粒子和樹脂互溶的有機(jī)溶劑，例如是甲醇、丙酮、甲苯、甲乙酮(MethylEthylKetone)、二丙二醇甲醚(DPM)或醋酸丙二醇甲醚酯(Propyleneglycolmonomethyletheracetate)。舉例來說，觸發(fā)粒子在有機(jī)溶劑中的溶解度大于0.1wt％。由于觸發(fā)粒子能和有機(jī)溶劑完全互溶，并進(jìn)而與樹脂完全互溶，故觸發(fā)粒子占絕緣膠體材料的比例為10wt％以下，有助于使用于高頻電路板系統(tǒng)中。而且，絕緣膠體材料的黏滯系數(shù)是在1萬～20萬之間，所以有利于應(yīng)用在一般多層線路的涂布制程中。另外，當(dāng)絕緣膠體材料需要與芯片以及元件接觸，且接觸面積大時(shí)，可通過添加二氧化硅、氧化鋁或氮化鋁的粒子，來降低不同材料之間的熱膨脹系數(shù)并增加其剛性模數(shù)，以避免所形成的膜層剝落或翹曲。此外，在絕緣膠體材料中還可添加其他成分，譬如吸收劑、色料或者纖維材料。所述吸收劑例如是包含Co、Ni或Fe的甲基苯二硫酚或吡啶等，用以增加絕緣膠體材料中的樹脂與激光光的反應(yīng)，并以此降低絕緣膠體材料被激光汽化所需的激光瓦數(shù)。所述色料可為一般的染料，如無機(jī)色料或有機(jī)色料。無機(jī)色料例如是碳黑或鈦白；有機(jī)色料例如是偶氮顏料(-N＝N-)、菁銅蘭(C32H16N8Cu)或菁綠(C32HCl15N8Cu)。纖維材料則例如玻璃纖維、碳纖維等，可用以增進(jìn)絕緣膠體材料的成型品的機(jī)械強(qiáng)度。在一實(shí)施例中，吸收劑的添加量例如是占絕緣膠體材料總量的0.1wt％～10wt％，色料的添加量例如是占絕緣膠體材料總量的1wt％～45wt％。圖1是依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種多層線路結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1，本實(shí)施例的多層線路結(jié)構(gòu)100包括基材102、位于所述基材102上的第一線路層104、覆蓋基材102與第一線路層104的絕緣膠體層106、導(dǎo)電層108以及第二線路層110，其中絕緣膠體層106具有暴露第一線路層104的導(dǎo)通孔112，而導(dǎo)通孔112上可設(shè)置溝槽114，使導(dǎo)電層108形成于導(dǎo)通孔112中，而第二線路層110就形成于溝槽114中，但本發(fā)明并不限于此。在另一實(shí)施例中，導(dǎo)通孔112上并無溝槽，因此絕緣膠體層106中并無第二線路層110。上述基板102例如玻璃、藍(lán)寶石、硅、硅鍺、碳化硅、氮化鎵或高分子材料(如聚亞酰胺或聚酰胺)。至于絕緣膠體層106則是利用上一實(shí)施例的絕緣膠體材料所制作的，所以其內(nèi)含上述觸發(fā)粒子和樹脂，且觸發(fā)粒子占絕緣膠體層106的比例為10wt％以下。當(dāng)絕緣膠體層106經(jīng)由激光加工而形成導(dǎo)通孔112與溝槽114時(shí)，會(huì)活化導(dǎo)通孔112與溝槽114周圍的觸發(fā)粒子，并可通過這些暴露出來且活化的觸發(fā)粒子，直接利用如無電鍍制程的方式形成導(dǎo)電層108與第二線路層110，因此無需濺鍍等繁瑣制程。 在本實(shí)施例中，導(dǎo)電層108以及/或是第二線路層110的材料例如銅、鎳、銀等。以下，配合圖2A至圖2E來更為詳細(xì)地說明圖1的多層線路結(jié)構(gòu)的制造流程。首先，提供一基材200(如圖2A)，基材200的表面可為平面或任意形狀。然后，在基材200上形成第一線路層202(如圖2B)。第一線路層202可為半導(dǎo)體元件中的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，也可以是多層線路中的其中一層導(dǎo)線。接著，在基材200與第一線路層202的上方形成絕緣膠體層204(如圖2C)。形成絕緣膠體層204的方法是將上述實(shí)施例中的絕緣膠體材料涂布在基材200與第一線路層202上，然后加熱去除有機(jī)溶劑以固化絕緣膠體材料。由于絕緣膠體層204中所含的觸發(fā)粒子極少，所以固化后的絕緣膠體層204的介電常數(shù)Dk與介電損失Df仍保有其特性。隨后，利用激光于絕緣膠體層204燒熔出數(shù)個(gè)導(dǎo)通孔206與數(shù)條溝槽208(如圖2D)，當(dāng)激光的高溫去除絕緣膠體層204的樹脂后，使第一線路層202暴露并活化絕緣膠體層204內(nèi)的部份觸發(fā)粒子207，并使被活化的觸發(fā)粒子207沉積在導(dǎo)通孔206與溝槽208的側(cè)壁上，其中上述激光可使用高能量激光(例如YAG激光)或氬氣激光進(jìn)行，激光光的波長(zhǎng)例如介于200nm-1100nm，但并不以此為限。至于導(dǎo)通孔206與溝槽208的深度、寬度及形狀可根據(jù)產(chǎn)品需求改變，例如圖2D就是由溝槽208與介層窗(即導(dǎo)通孔206)所構(gòu)成的雙重金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)，或者也可只在于絕緣膠體層204中形成單一導(dǎo)通孔206而無溝槽208存在。接著，通過圖2D中被活化的觸發(fā)粒子207，于導(dǎo)通孔206與溝槽208壁上沉積金屬材料，即可形成導(dǎo)電層210與第二線路層212(如圖2E)。以無電鍍制程為例，可將圖2D所示的結(jié)構(gòu)放入電鍍液中，電鍍液中的待鍍金屬離子便會(huì)與自導(dǎo)通孔206與溝槽208暴露出的被活化的觸發(fā)粒子207產(chǎn)生氧化還原反應(yīng)，使待 鍍金屬離子還原成金屬并沉積在導(dǎo)通孔206與溝槽208的表面，乃至于填滿導(dǎo)通孔206與溝槽208。另外，在圖1中的第二線路層110是位在溝槽112內(nèi)，但本發(fā)明并不限于此。請(qǐng)參照?qǐng)D3，多層線路結(jié)構(gòu)300中的基材302、第一線路層304與絕緣膠體層306都可參照?qǐng)D1中相同的構(gòu)件，但是第二線路層310是自導(dǎo)通孔308中延伸至絕緣膠體層306的表面。這是因?yàn)榧す獬丝蔁鰧?dǎo)通孔308與溝槽312，還能圖案化絕緣膠體層306表面，使其中的觸發(fā)粒子被活化，進(jìn)而在形成第二線路層310時(shí)延伸到溝槽312外。以下列舉實(shí)驗(yàn)例來驗(yàn)證本發(fā)明的功效，但本發(fā)明并不局限于以下的內(nèi)容。實(shí)驗(yàn)例1首先，制備絕緣膠體材料，將0.5wt％的CuCl2溶解于甲醇中，再與50wt％的環(huán)氧樹脂均勻混合，其中還添加1wt％的色料(碳黑)。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D4，其為實(shí)驗(yàn)例1的多層線路結(jié)構(gòu)剖面的掃描式電子顯微鏡(SEM)圖。在已經(jīng)形成有第一絕緣膠體層402和第一線路層404的聚亞酰胺(Polyimide，PI)軟板400上涂布絕緣膠體材料，再通過加熱固化形成厚度為100μm的第二絕緣膠體層406。然后，以波長(zhǎng)1064nm的氬氣激光當(dāng)作激光源，直接圖案化第二絕緣膠體層406并燒出導(dǎo)通孔408，并裸露出第二絕緣膠體層406內(nèi)的觸發(fā)粒子，并通過裸露的觸發(fā)粒子進(jìn)行無電鍍銅制程，而完成導(dǎo)電層410的制作。得到的導(dǎo)電層410的厚度約為10μm。圖4中的第二線路層410較薄，因此是沿著導(dǎo)通孔408表面形成，且導(dǎo)電層410延伸到導(dǎo)通孔408外。實(shí)驗(yàn)例2～5除了分別使用1wt％、3wt％、10wt％以及13wt％的CuCl2作為觸發(fā)粒子，根據(jù)實(shí)驗(yàn)例1的步驟制備絕緣膠體材料并制作多層線路結(jié)構(gòu)。比較例1除了使用20wt％的CuCl2，根據(jù)實(shí)驗(yàn)例1的步驟制備絕緣膠體材料并制作多層線路結(jié)構(gòu)。比較例2除了沒有CuCl2以外，根據(jù)實(shí)驗(yàn)例1的步驟制備絕緣膠體材料并制作多層線路結(jié)構(gòu)。經(jīng)測(cè)試，實(shí)驗(yàn)例1的第一線路層404和導(dǎo)電層410的阻值都在1.5Ω以下。另外，測(cè)試實(shí)驗(yàn)例1～5與比較例1～2的第二絕緣膠體層的介電常數(shù)Dk與介電損失Df，結(jié)果顯示于下表1。表1頻率觸發(fā)粒子含量DKDf實(shí)驗(yàn)例1@2GHz0.5wt％3.02470.04786實(shí)驗(yàn)例2@2GHz1wt％3.08720.05012實(shí)驗(yàn)例3@2GHz3wt％3.58630.0522實(shí)驗(yàn)例4@2GHz10wt％5.02350.0731實(shí)驗(yàn)例5@2GHz13wt％5.75410.0923比較例1@2GHz20wt％7.13220.1589比較例2@2GHz0wt％2.98710.04631由表1可知，因?yàn)閷?shí)驗(yàn)例1～5中的觸發(fā)粒子(CuCl2)含量少，所以固化后所形成的第二絕緣膠體層的介電常數(shù)Dk與介電損失Df仍保持絕緣材料的原來特性，無大幅提高Dk與Df的情形。但是，一旦觸發(fā)粒子含量超出本發(fā)明的范圍，絕緣膠體層的Dk與Df將會(huì)大幅增加。圖5A是依照本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種多層線路結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D5A，本實(shí)施例中的多層線路結(jié)構(gòu)包括基材500、位于基材500上的第一線路層502、覆蓋基材500與第一線路層502的絕緣膠體層504、暴露第一線路層502的導(dǎo)通孔506、形成于導(dǎo)通孔506中的導(dǎo)電層508、與導(dǎo)通孔506相連的溝槽510、以 及形成于溝槽510中的第二線路層512。上述絕緣膠體層504、導(dǎo)電層508與第二線路層512的材料、尺寸、制造方法等均可參照上述各實(shí)施例的內(nèi)容。在圖5A中，位于電感區(qū)516中的第一線路層502、導(dǎo)電層508與第二線路層512可構(gòu)成電感；而在電容區(qū)518中的第一線路層502、絕緣膠體層504與第二線路層512可構(gòu)成電容。圖5B是依照本發(fā)明的另一實(shí)施例的另一種多層線路結(jié)構(gòu)的剖面示意圖，其中使用與圖5A相同的元件符號(hào)來表示相同或類似的構(gòu)件。在圖5B中，多層線路結(jié)構(gòu)還可包括形成于第二線路層512上的一層介電層520與形成于介電層520上的第三線路層522，其中介電層520可以是一般介電材料構(gòu)成或者采用與絕緣膠體層504相同的材料構(gòu)成。因此，第三線路層522可以是利用涂布、沉積、微影蝕刻等制程所形成的金屬層，第三線路層522也可通過如圖2D與圖2E的方式形成線路層。上述第二線路層512、介電層520與第三線路層255可構(gòu)成電容524；而相連接的第一線路層502、導(dǎo)電層508與第二線路層512可構(gòu)成電感。綜上所述，本發(fā)明的多層線路結(jié)構(gòu)的絕緣膠體層內(nèi)含0.1wt％～10wt％觸發(fā)粒子，使得該絕緣膠體層的介電常數(shù)Dk與介電損失Df仍保持絕緣材料的原來特性，因此在制作線路期間，可同時(shí)成為多層線路中的絕緣層并通過搭配激光鉆孔以及無電鍍銅制程，而能形成導(dǎo)線與微小導(dǎo)通孔；因此，上述絕緣膠體層能同時(shí)作為介電層并作為形成導(dǎo)電層的基礎(chǔ)層。進(jìn)一步而言，可將多層線路結(jié)構(gòu)的體積大幅縮小，滿足輕量化、薄型化的市場(chǎng)需求。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。當(dāng)前第1頁1 2 3