本申請涉及一種放大器電路和具有此類放大器電路的放大器布置。本申請進一步涉及此類放大器電路的使用。

放大器電路和放大器布置(例如運算放大器)當前在廣泛的應用領域中被使用。運算放大器當在集成電路中實現(xiàn)時通常包括一個或多個晶體管差分對。例如，單位增益頻率、增益帶寬積、轉換速率、dc增益、噪聲和電流消耗是在放大器中緊密相關的術語，并且是最重要的參數(shù)。例如，放大器應越快，需要的電流越多。

然而，尤其是在現(xiàn)在的用于移動裝置中的小功率放大器的增長市場中，需要可以集成在半導體裝置中且實現(xiàn)減少的電流消耗和增加的性能兩者的放大器。

因此本申請的目的是提供一種改善的放大器概念，其在給定的速度要求下提供較少的功率消耗或者在給定的功率消耗下提供增加的速度性能或兩者。

用獨立權利要求的主題來達到此目的。在從屬權利要求中提出了其它實施例和改進。

所述改善的放大器概念是基于取第一對和第二對差分輸入晶體管的思想，一個充當差分級且另一個充當ab類級。基于電流的提升方案被用來增強ab類操作。此基于電流的提升方案是基于再使用流過主輸入差分對的電流來加速控制ab類操作的節(jié)點的充電和放電。借助于具有不同閾值電壓的晶體管來完成通過差分對的電流的分解。特別地，主差分對與包括另一差分對的兩個電壓源(優(yōu)選地恒壓源)交叉耦合。流過主差分對和另一差分對的每個晶體管的電流被充當壓控電流源的晶體管的各三元組分解，使得針對主差分對和另一差分對兩者形成第二差分級。

在每個三元組中，晶體管中的一個被連接到輸出級的差分電流路徑，并且一個晶體管被連接到作為電壓源的一部分的各偏置電流源。每個三元組中的第三晶體管執(zhí)行差分對之間的交叉耦合。根據改善的放大器概念的提升方案減少放大器的電流消耗，或者針對相同的電流消耗改善增益帶寬積和轉換速率或兩者。

在根據改善的放大器概念的放大器電路的實施例中，放大器電路具有在輸出級的差分電流路徑中布置的差分輸入端和差分輸出端。放大器電路包括具有第一閾值電壓且包括連接到差分輸入端的控制端子的第一對匹配晶體管。放大器電路還包括具有第一閾值電壓且包括連接到差分輸入端的控制端子的第二對匹配晶體管。所述第二對匹配晶體管是將所述第一對匹配晶體管交叉耦合的電壓源的一部分。例如，第一對和第二對匹配晶體管一起形成第一差分級。

在放大器電路中提供了具有不同于第一閾值電壓的第二閾值電壓的晶體管的第一對三元組。那些三元組中的每一個的晶體管被共同地連接到第一對匹配晶體管的各專用晶體管，使得各電流路徑用專用晶體管來形成。同樣地，放大器電路包括具有第二閾值電壓的晶體管的第二對三元組。第二對三元組中的每個三元組的晶體管被共同地連接到第二對匹配晶體管的各專用晶體管，使得各電流路徑用專用晶體管來形成。

例如，12個電流路徑用第一對和第二對三元組的晶體管來形成。第一和第二對匹配晶體管中的每個晶體管是一個專用三元組的三個電流路徑的一部分。換言之，通過第一和第二對匹配晶體管的四個晶體管中的每一個的電流被各晶體管三元組分解成三個電流。例如，三元組的晶體管一起形成第二差分級。

使用具有不同閾值電壓的晶體管允許有正確的偏置點，即使當兩個差分級的共模電壓相同且兩個差分級的輸入信號相同時。

第一對和第二對三元組中的每個三元組的第一晶體管的控制端子被連接到在電流路徑中連接的各專用晶體管的控制端子。此外，每個三元組的所述第一晶體管以公共匹配比與同一三元組的第二和第二晶體管匹配。例如，此類匹配比由幾何結構比(例如，場效應晶體管的情況下的w/l比)給定。每個三元組的第二和第三晶體管的控制端子被共同地連接到該對的相應另一個三元組的第一晶體管的控制端子。例如，第一對三元組中的第一三元組的第二和第三晶體管的控制端子被連接到第一對三元組中的第二三元組的第一晶體管的控制端子等。

第一對三元組的第一晶體管被連接到輸出級的差分電流路徑、第二對三元組的第二晶體管以及第一對三元組的相應另一個三元組的各第二晶體管。

同樣地，第二對三元組的第一晶體管被連接到作為電壓源的一部分的第一對偏置晶體管、第一對三元組的第三晶體管、第二對三元組的相應另一個三元組的第三晶體管以及作為電壓源的一部分的第二對偏置晶體管的控制端子。因此，執(zhí)行第一對和第二對匹配晶體管之間的交叉耦合的電壓源包括至少第一對偏置晶體管、第二對偏置晶體管和第二對匹配晶體管。例如，第一對偏置晶體管中的一個與第二對匹配晶體管中的一個和第二對偏置晶體管中的一個形成電流路徑。另外，此電流路徑還包括第二對三元組的第一晶體管中的一個。電壓源或電壓源所包括的晶體管分別地可以充當電平移位器。

此外，通過第二對偏置晶體管的電流被鏡像到布置于輸出級的差分電流路徑中的一對匹配輸出晶體管。

在晶體管連接的本描述中，假設每個晶體管具有被晶體管的控制端子處的信號控制的受控路徑，電流可以流過該受控路徑。在場效應晶體管的情況下，控制端子是柵極端子，并且受控路徑在晶體管的漏極與源極之間形成。在雙極晶體管的情況下，例如，控制端子是基極端子，并且受控路徑在集電極與發(fā)射極之間形成。因此，如果晶體管被描述為被連接到任何節(jié)點，則這意味著連接晶體管的受控路徑的一個端子被連接到所述節(jié)點。因此，用晶體管到節(jié)點的連接，如果沒有另外敘述，可以形成從該節(jié)點通過晶體管的電流路徑。

在放大器電路的特定實施方式中，第二對偏置晶體管中的每一個與第一對匹配晶體管中的一個晶體管和第二對匹配晶體管中的一個晶體管(其控制端子被連接到差分輸入端的不同端子)形成各電流路徑。例如，第一對匹配晶體管中的其控制端子被連接到差分輸入端的正或不倒相輸入端的晶體管的電流端子中的一個被連接到第二對匹配晶體管中的其控制端子被連接到差分輸入端的負或倒相輸入端的晶體管的電流端子中的一個。例如，這些晶體管的其它電流端子被連接到關聯(lián)或專用三元組的晶體管。

與第二對偏置晶體管中的晶體管匹配的第一對和第二對晶體管中的晶體管之間的此類連接例如用于實現(xiàn)兩對之間的交叉耦合。另外，此類交叉耦合導致可以在沒有附加電流路徑或電流鏡像的情況下實現(xiàn)的兩對之間的某個反饋，使得可以保持低的電流消耗。

例如，可以針對相同的增益帶寬積減少放大器電路的電流消耗，或者可以針對相同的電流消耗實現(xiàn)增強的轉換速率和增益帶寬積。

例如，第一對偏置晶體管被公共偏壓控制。

在特定實施方式中，第二對偏置晶體管中的晶體管和成對的匹配輸出晶體管中的晶體管被設計成使得在其之間實現(xiàn)公共鏡像比。優(yōu)選地，通過匹配輸出晶體管的電流高于通過第二對偏置晶體管中的晶體管的電流達到由公共鏡像比定義的因數(shù)。

在某些實施方式中，輸出級被實現(xiàn)為共源共柵放大級，其中，第二對偏置晶體管的控制端子被分別地連接到成對匹配輸出晶體管的控制端子。因此，匹配輸出晶體管中的每一個和第二對偏置晶體管中的晶體管被以電流鏡像方式連接，被第二對三元組的第一晶體管控制。此類實施方式確保進一步減少電流消耗，因為不需要附加電流鏡像。

例如，共源共柵放大級還包括至少一對共源共柵放大器晶體管，優(yōu)選地互補類型的第一對和第二對?？梢杂靡?guī)則偏置級來控制共源共柵放大器晶體管，向各對提供各共源共柵放大器控制電壓。作為替換方案，所述至少一對共源共柵放大器晶體管被增益提升級控制。用后一種度量，可以增加放大器電路的總增益。

在其它實施方式中，還可以將輸出級實現(xiàn)為伸縮級，其中，可以用附加電流鏡像來執(zhí)行第二偏置晶體管與匹配輸出晶體管之間的鏡像。然而，由于用三元組的交叉耦合和電流分解，仍可以保持低的電流消耗。

在某些實施方式中，將電壓源實現(xiàn)為翻轉電壓跟隨器單元。例如，每個翻轉電壓跟隨器單元包括第一對和第二對偏置晶體管中的每一個中的第一晶體管和第二對匹配晶體管中的一個晶體管。

放大器電路可以由為金屬氧化物半導體或其它場效應晶體管類型的晶體管組成。

替換地，還可以使用雙極晶體管并構建通過使用例如金屬氧化物半導體晶體管的三元組而形成的第二差分級來實現(xiàn)晶體管中的至少某些，例如第一對和第二對匹配晶體管的那些。

可以用許多不同方式中的至少一個來實現(xiàn)晶體管的不同閾值電壓。

這樣做的一個方式是用第一差分級的晶體管的柵極氧化物的第一厚度來定義第一閾值電壓。第二閾值電壓由第二差分級的晶體管的柵極氧化物的第二厚度定義，其中，第一厚度不同于第二厚度。

替換地或另外，可以使用晶體管的不同摻雜以便實現(xiàn)晶體管的不同閾值電壓。

此外替換地或另外，閾值電壓可以由晶體管的不同體電壓定義。

還可以使用具有浮置柵極的雙柵極晶體管來實現(xiàn)差分閾值電壓。

可以使用根據如上所述的改善放大器概念的放大器電路作為單個放大級或者作為更復雜放大器布置(例如多級放大器)的一部分。

例如，根據改善的放大器概念的放大器布置包括用根據上述實施例中的一個的放大器電路實現(xiàn)的輸入放大級以及在下游連接到輸入放大級的輸出放大級。

例如，此類放大器布置可以包括用于產生至少被提供給輸入放大級的補償信號的頻率補償塊?？梢愿鶕韵赂黜椫械闹辽僖粋€來實現(xiàn)此類補償塊：米勒共源共柵放大器、混合式共源共柵放大器或嵌套米勒共源共柵放大器。

可以在連續(xù)時間電路中或開關電容器電路中使用根據改善的放大器概念的放大器電路，而不排除其它可能實施方式。

下面將參考附圖針對多個實施例詳細地描述本發(fā)明。相同的參考標號指定具有相同功能的元件或組件。就元件或組件在功能方面彼此相對應而言，將不會在每個以下附圖中重復其描述。

在所述附圖中：

圖1示出了根據改善的放大器概念的放大器電路的實施例的示例性示意圖，

圖2示出了增益因數(shù)的示例性信號圖，以及

圖3示出了根據改善的放大器概念的放大器布置的示例性實施方式。

圖1示出了根據改善的放大器概念的放大器電路。放大器電路被實現(xiàn)為具有輸入級is和輸出級os的全差分折疊式共源共柵放大器ab類放大級。ab類輸入級is由與兩個電壓源(優(yōu)選地恒壓源)交叉耦合的兩個匹配的輸入晶體管m1、m2構成。本實施方式中的電壓源由兩個翻轉電壓跟隨器單元fvf形成，其由第二對匹配晶體管m3、m4、第一對偏置晶體管mbp1、mbp2和第二對偏置晶體管mbn1、mbn2構成。特別地，晶體管m4、mbn2和mbp2組成第一翻轉電壓跟隨器，而第二翻轉電壓跟隨器由晶體管m3、mbn1和mbp1構成。電壓源或電壓源所包括的晶體管分別地可以充當電平移位器。

晶體管m1、m2、m3、m4具有第一閾值電壓。第一對的第一晶體管m1與電壓源耦合，因為其源極端子被連接到第二對匹配晶體管中的晶體管m4的源極端子以及偏置晶體管mbn2的漏極端子，形成節(jié)點s1。為了確立差分操作，晶體管m1的控制端子或柵極端子被連接到差分輸入端的正輸入端子inp，而晶體管m4的控制端子或柵極端子被連接到差分輸入端的反或倒相輸入端子inn。

以類似方式，第一對匹配晶體管的第二晶體管m2與第二電壓源耦合，因為其源極端子被連接到第二對匹配晶體管的晶體管m3的源極端子和偏置晶體管mbn1的漏極端子，形成節(jié)點s2。

第一對和第二對匹配晶體管的晶體管m1、m2、m3和m4形成輸入級is的第一差分級st1。輸入級is的相應第二差分級st2由晶體管的第一對三元組lg1、lg2和晶體管的第二對三元組lg3、lg4形成。三元組lg1、lg2、lg3和lg4的所有晶體管具有不同于第一閾值電壓的第二閾值電壓。優(yōu)選地，選擇閾值電壓，使得第一差分級st1的晶體管m1、m2、m3、m4具有高于第二差分級st2的晶體管的閾值電壓。

第一三元組lg1包括第一晶體管m1_1、第二晶體管m1_2和第三晶體管m1_3，其源極連接被共同地連接到晶體管m1的漏極端子。以類似方式，第二三元組lg2包括第一晶體管m2_1、第二晶體管m2_2和第三晶體管m2_3，其源極端子被連接到晶體管m2的漏極端子。

以類似組成，第二對三元組的三元組lg3、lg4還相應地被連接到專用晶體管m3或者m4。特別地，三元組lg3的第一晶體管m3_1、第二晶體管m3_2和第三晶體管m3_3被共同地連接到晶體管m3的漏極端子，并且三元組lg4的第一晶體管m4_1、第二晶體管m4_2和第三晶體管m4_3被共同地連接到晶體管m4的漏極端子。

各第一晶體管m1_1、m2_1、m3_1和m4_1以公共匹配比n與同一三元組的相應第二和第三晶體管匹配。因此，每個三元組的第一晶體管承載n倍的分別地被施加相同電壓的第二和第三晶體管的電流。每個三元組lg1、lg2、lg3、lg4的所述第一晶體管m1_1、m2_1、m3_1和m4_1的柵極端子被連接到與三元組被連接到的第一對和第二對匹配晶體管m1、m2、m3、m4的專用晶體管相同的差分輸入端inp、inn的輸入端子。例如，可以將晶體管m1的柵極端子連接到晶體管m1_1的柵極端子，可以將晶體管m2的柵極端子連接到晶體管m2_1的柵極端子等等。

例如，偏置晶體管mbp1、mbp2的源極端子被連接到第一電源端子，特別是正電源端子。可以將偏置晶體管mbn1、mbn2的源極端子連接到第二電源端子，例如負電源端子或接地端子。偏置晶體管mbp1、mbp2的柵極端子被公共偏壓vbias控制。

在本示例中，放大器電路的輸出級os被實現(xiàn)為共源共柵放大級。此類示例不排除輸出級(例如伸縮級)的其它實施方式。輸出級由差分電流路徑形成，在差分電流路徑的每個路徑中具有連接在第一電源端子與節(jié)點d1、d2之間的一對共模反饋晶體管mp_cmfb1、mp_cmfb2。該對晶體管mp_cmfb1、mp_cmfb2在節(jié)點cmfb處被公共反饋電壓控制。輸出級os還包括被各共源共柵放大器控制電壓cascp和cascn控制的第一對和第二對共源共柵放大器晶體管mcp1、mcp2和mcn1、mcn2。在此組成中，共源共柵放大器晶體管mcn1、mcp1的漏極端子被連接而形成放大器電路的差分輸出端的負輸出節(jié)點outn。同樣地，共源共柵放大器晶體管mcn2、mcp2的漏極端子被一起連接而形成差分輸出端的正輸出節(jié)點outp。在共源共柵放大器晶體管mcn1、mcn2與第二電源端子之間的輸出級的差分電流路徑中布置有一對匹配輸出晶體管mbn3、mbn4。

下面描述四個三元組lg1、lg2、lg3、lg4的晶體管的連接。例如，第一和第二三元組lg1、lg2的第一晶體管m1_1、m2_1被連接到輸出級的差分電流路徑，特別是分別地節(jié)點d1、d2。節(jié)點d1被進一步連接到第二三元組lg2和第四三元組lg4的第二晶體管m2_2和m4_2，其中，這些晶體管m2_2和m4_2被與晶體管m1_1相同的控制電壓控制。以對稱方式，輸出級os中的節(jié)點d2被連接到第一三元組lg1和第三三元組lg2的第二晶體管m1_2和m3_2，這些晶體管m1_2和m3_2被與晶體管m2_1相同的控制電壓控制。連接到節(jié)點d1、d2的后面提到的晶體管主要用于放大器電路的差分操作的目的。

第三三元組lg3的第一晶體管m3_1在其漏極端子處被連接到偏置晶體管mbp1，并且進一步連接到第二三元組lg2和第四三元組lg4的第三晶體管m2_3和m4_3。偏置晶體管mbp1提供偏流iab2。以對稱方式，第四三元組lg4的第一晶體管m4_1在其漏極端子處被連接到偏置晶體管mbp2，并且進一步連接到第一三元組lg1的第三晶體管m1_3和第三三元組lg3的m3_3。偏置晶體管mbp2提供偏流iab1。另外，晶體管m4_1的漏極端子被連接到偏置晶體管mbn2的柵極端子。在此節(jié)點處存在電壓vbn1，其也被提供給輸出級os中的輸出晶體管mbn2的柵極端子。

同樣地，第三三元組lg3的第一晶體管m3_1的漏極端子被連接到偏置晶體管mbn1的柵極端子或控制終端以及輸出晶體管mbn4的柵極端子。換言之，通過晶體管mbn1、mbn2的電流ibn1、ibn2被鏡像到輸出晶體管mbn4、mbn3以便產生電流ibn4和ibn3。用公共鏡像比m來執(zhí)行此鏡像，使得輸出級os中的晶體管mbn3、mbn4的電流能力比輸入級is中的晶體管mbn1、mbn2的電流能力高m倍。因此，連接到偏置晶體管的后面提到的晶體管主要用于放大器電路的ab類操作的目的。此外，由這些晶體管形成各正反饋環(huán)路。

根據晶體管的各種連接的以上描述，一個三元組中的每個晶體管與第一差分級st1中的專用晶體管、即第一對和第二對匹配晶體管m1、m2、m3、m4的晶體管形成各電流路徑。換言之，流過晶體管m1、m2、m3、m4中的每一個的電流分別地被三個各差分輸入壓控電流源分解。此外，通過晶體管m1、m4的電流i1、i4被組合成通過偏置晶體管mbn2的電流ibn2。同樣地，通過晶體管m2、m3的電流i2、i3被組合成通過偏置晶體管mbn1的電流ibn1。表示為公式，可以將其寫為

i1＝i1_1+i1_2+i1_3

i2＝i2_1+i2_2+i2_3

i3＝i3_1+i3_2+i3_3

i4＝i4_1+i4_2+i4_3

以及

ibn1＝i2+i3

ibn2＝i1+i4

進一步考慮圖1中的電路，流過正輸出端outp和負輸出端outn的輸出電流ioutp、ioutn是：

loutp＝icmfb-ibn4-i2_1-i1_2-i3_2

loutn＝icmfb-ibn3-i1_1-i2_2-i4_2

另外，假定

在連接節(jié)點vbn1和vbn2中應用基爾霍夫定律：

0＝ib-i4_1-i1_3-i3_3

0＝ib-13_1-i2_3-i4_3

在靜止條件下，其中節(jié)點inp處的電壓vinp等于節(jié)點inn處的電壓vinn，并且ioutp＝ioutn＝0，并且選擇

i1_1＝i2_1＝i3_1＝i4_1＝2·i

并且

i1_2＝i1_3＝i2_2＝i2_3＝i3_2＝i3_3＝i4_2＝i4_3＝i

這將得到

ibn1＝ibn2＝i2+i3＝8·i

ib＝4·i

假設偏置電流源mbp1、mbp2在靜止條件下提供電流iab1＝iab2＝ib。

因此，

loutp＝icmfb-m·8·i-4·i

loutn＝icmfb-m·8·i-4·i

其中，假定icmfb為晶體管mp_cmfb1、mp_cmfb2提供的電流且假定m為mb3、mb4和mb1、mb2之間的幾何結構比：

icmfb＝m·b·i+4·i

通過加速內部節(jié)點vbn1和vbn2的充電/放電來增強ab類操作，該內部節(jié)點vbn1和vbn2控制通過輸出級os處的每個輸入端對mbn1、mbn2和電流源mbn3、mbn4的電流。通過當通過將兩個差分對中的壓控電流源和電壓源兩者交叉耦合來施加差分輸入時再使用流過主差分對m1、m2的電流而構建該加速。

當在差分輸入端處施加正差分電壓、即節(jié)點inp處的電壓vinp大于節(jié)點inn處的電壓vinn時，由于電流i4_2和i2_2將由于m4_2和m2_2被分別地連接到m4和m2(其柵極端子被連接到節(jié)點inn)的事實而減小的事實，漏電流i1將增加。電流i1_3和i3_3也由于m1_3和m3_3至節(jié)點inn的連接而減小。偏流iab1將完全流到節(jié)點vbn1。因此，電流ibn2將增加，并且節(jié)點vbn1處的電壓將上升。這意味著電流ibn3的增加，增強節(jié)點outn的放電。

以相反方式，漏極電流12將由于電流i1_2和i3_2而減小。此電流減小將意味著節(jié)點vbn2處的電壓的下降。電流ibn4將減小，增強輸出節(jié)點outp的充電。

因此，考慮輸入節(jié)點inp和inn處的小信號差分電壓dvin，節(jié)點vx處的電壓移位dvx為：

取后一種關系，并且假定gm1為晶體管m1m2、m3和m4的跨導且gm2為三元組lg1、lg2、lg3、lg4中的晶體管的跨導，通過每個支路的電流為：

這得到：

總差分輸出電流ioutdiff為：

例如，取n＝2且假設gm1≈(n+2)·gm2，這得到：

同樣地，取n＝4，并且假設gm1≈(n+2)·gm2，這得到：

可以例如通過在掃描公共匹配比n的值時計算最大增益來找到n的最佳值。例如，可以通過相對于跨導gm1觀察差分輸出電流或者相對于跨導gm1觀察放大器電路的總跨導來定義最大增益。

例如，圖2示出了用于匹配因數(shù)n的不同的值對比放大器的歸一化增益的圖。在本示例性配置中，可以針對值n＝6找到最大增益。然而，此值可以隨放大器電路的變化參數(shù)而改變。

在圖1的示例性實施方式中，放大器電路由場效應晶體管構成，其中，差分級由n溝道場效應晶體管以及第二對偏置晶體管mbn1、mbn2.形成。第一對偏置晶體管mpb1、mpb2由p溝道場效應晶體管等構成。在可能的補充實施方式中，可以用p溝道場效應晶體管來替換所有n溝道場效應晶體管，并且反之亦然。根據以上描述，特定實施方式將變得對于技術人員而言顯而易見。

在其它替換實施方式中，可以用雙極晶體管來替換被實現(xiàn)為場效應晶體管的所有或某些晶體管，只要確保第一差分級的晶體管(在這里為m1、m2、m3、m4)具有比第二差分級中的晶體管(在這里為三元組lg1、lg2、lg3、lg4中的晶體管)的閾值電壓高的閾值電壓即可。

控制第一對和第二對共源共柵放大器晶體管mcp1、mcp2和mcn1、mcn2的共源共柵放大器控制電壓cascp和cascn可以由規(guī)則偏置電路產生。作為替換方案，還可以通過增益增強來產生共源共柵放大器控制電壓cascp和cascn。例如，可以提供附加增益提升級，其在其輸入側處被連接到共源共柵放大器晶體管mcp1、mcp2和mcn1mcn2的源極端子，并且基于該源極端子而提供共源共柵放大器控制電壓cascp和cascn。用此類措施，可以增加放大器電路的總增益。

在用基于電流提升方案的改善放大器概念的各種實施方式中，不需要附加的電流路徑或額外電流鏡像。因此，與此類常規(guī)實施方式相比減少了放大器電路的電流消耗。因此，可以用較少的電流消耗來實現(xiàn)相同的增益帶寬積和/或轉換速率。同樣地，可以在不增加電流消耗的情況下實現(xiàn)放大器電路的增益帶寬積和轉換速率。

可以使用如例如圖1中所示的放大器電路作為單個放大級或者作為多級放大器中的放大器。例如，可以使用放大器電路作為具有僅一個輸出節(jié)點的單端運算放大器。在這種情況下，例如，節(jié)點cmfb將被連接到節(jié)點d1或節(jié)點outn，使得節(jié)點outp是單端輸出端。

在如圖1中所示的配置中，可以使用放大器電路作為差分運算放大器?？梢栽谶B續(xù)時間電路中或者在開關電容器電路中使用該放大器電路。

還可以在有源濾波器中、在連續(xù)時間積分器中、在模數(shù)轉換器等中使用放大器電路。

在一個特定實施方式中，可以在優(yōu)選地具有相應頻率補償?shù)亩嗉?例如二級)放大器中使用根據所述改善放大器概念的放大器電路。

例如，圖3示出了具有用根據所述改善放大器概念(例如根據圖1)的放大器電路實現(xiàn)的第一放大級器且具有在下游連接到第一級的第二放大級的此類實施方式。多級放大器布置的差動輸出端outp2、outn2被連接到第二級的輸出端。該布置包括頻率補償塊，其在其輸入側處被連接到輸出端子outp2、outn2和中間輸出端子outn、outp并在其輸出側處被連接到第一放大級的節(jié)點d1、d2、dn3、dn4?？梢愿鶕鞣N可能的解決方案(例如米勒共源共柵放大器、混合式共源共柵放大器或嵌套米勒共源共柵放大器)來實現(xiàn)該頻率補償塊。此外，可以提供用于確定二級放大器布置的特性的反饋電路。