1.一種功率放大器，其特征是，包含有：
至少一放大晶體管，該至少一放大晶體管中每一放大晶體管包含有：
一第一端，用來接收該功率放大器的一輸入訊號；
一第二端，用來輸出該功率放大器的一輸出訊號；以及
一第三端；以及
至少一輔助晶體管，該至少一輔助晶體管中每一輔助晶體管包含有：
一第一端；
一第二端，耦于該至少一放大晶體管的該第二端；以及
一第三端，電性連接于該至少一放大晶體管的該第一端。
2.如權(quán)利要求1所述的功率放大器，其特征是，其中該至少一放大晶體管的該第一端耦接于一射頻訊號處理電路，用來自射頻訊號處理電路接收該輸入訊號，該放大晶體管該第二端耦接于一天線，用來將該輸出訊號輸出至該天線。
3.如權(quán)利要求1所述的功率放大器，其特征是，其中該至少一放大晶體管的該第三端耦于一系統(tǒng)接地端。
4.如權(quán)利要求1所述的功率放大器，其特征是，其中該至少一輔助晶體管的該第一端耦接于一驅(qū)動電路。
5.如權(quán)利要求1所述的功率放大器，其特征是，其中該至少一輔助晶體管的該第一端耦接于一回授電路的一端，該回授電路的另一端耦接于該至少一放大晶體管的該第二端。
6.如權(quán)利要求1所述的功率放大器，其特征是，其中該至少一放大晶體管為雙載子接面晶體管，該至少一放大晶體管的該第一端為雙載子接面晶體管的一基極，該第二端及該第三端為雙載子接面晶體管的一集極及一射極。
7.如權(quán)利要求6所述的功率放大器，其特征是，其中該至少一放大晶體管為異質(zhì)接面雙載子晶體管。
8.如權(quán)利要求1所述的功率放大器，其特征是，其中該至少一輔助晶體管為雙載子接面晶體管，該至少一輔助晶體管的該第一端為雙載子接面晶體管的一基極，該第二端及該第三端為雙載子接面晶體管的一集極及一射極。
9.如權(quán)利要求8所述的功率放大器，其特征是，其中該至少一輔助晶體管為異質(zhì)接面雙載子晶體管。
10.如權(quán)利要求1所述的功率放大器，其特征是，其中該至少一放大晶體管為場效晶體管，該至少一放大晶體管的該第一端為場效晶體管的一柵極，該第二端及該第三端為場效晶體管的一漏極及一源極。
11.如權(quán)利要求10所述的功率放大器，其特征是，其中該至少一放大晶體管為高速電子移動晶體管。
12.如權(quán)利要求1所述的功率放大器，其特征是，其中該至少一輔助晶體管為場效晶體管，該至少一輔助晶體管的該第一端為場效晶體管的一柵極，該第二端及該第三 端為場效晶體管的一漏極及一源極。
13.如權(quán)利要求12所述的功率放大器，其特征是，其中該至少一輔助晶體管為高速電子移動晶體管。