本發(fā)明涉及電磁領(lǐng)域，尤其涉及一種電磁波遮蔽膜及具電磁波遮蔽功能的電路板，可以用來增加產(chǎn)品穩(wěn)定性及改善電磁波遮蔽效率。

背景技術(shù)：

圖1為現(xiàn)有電磁波遮蔽膜的示意圖。如圖1所示，現(xiàn)有電磁波遮蔽膜100包含一保護(hù)膜110，一導(dǎo)電黏著層120，一絕緣層130，以及一離形膜140。導(dǎo)電黏著層120上形成有一金屬層122。在使用現(xiàn)有電磁波遮蔽膜100時，會先撕掉保護(hù)膜110，再將導(dǎo)電黏著層120貼附在電路板上，撕去離形膜140后進(jìn)行熱壓。在現(xiàn)有電磁波遮蔽膜100中，金屬層122可以用來抑制訊號傳遞時電路板間的電磁波干擾。另外，為了降低現(xiàn)有電磁波遮蔽膜的成本，亦可以不在導(dǎo)電黏著層120上形成金屬層122，而在導(dǎo)電黏著層120中加入金屬粉末。但加入金屬粉末的電磁波遮蔽膜其電磁波遮蔽效果和耐曲折性較差。此時，金屬粉末的添加量或形狀會影響材料的特性。

在上述兩種現(xiàn)有電磁波遮蔽膜中，其導(dǎo)電黏著層120以及絕緣層130主要皆由聚氨酯樹脂所形成，但聚氨酯樹脂的缺點是耐熱性不夠(耐熱溫度約260°C)，當(dāng)電路板進(jìn)行焊接及后段高溫制程時，現(xiàn)有電磁波遮蔽膜無法承受較高溫度(焊接溫度>288°C)。雖然先前技術(shù)有開發(fā)聚氨酯混和環(huán)氧壓克力材料來提高電磁波遮蔽膜的耐熱性，但由于環(huán)氧壓克力會和金屬離子反應(yīng)，而有保存期限過短的問題。另外，現(xiàn)有導(dǎo)電黏著層120于常溫具有黏性，需貼覆一層保護(hù)膜110避免異物沾黏。因此現(xiàn)有電磁波遮蔽膜的結(jié)構(gòu)較復(fù)雜，且會進(jìn)一步降低電路板的組裝效率。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種可以增加產(chǎn)品穩(wěn)定性及改善電磁波遮蔽效率的電磁波遮蔽膜及具電磁波遮蔽功能的電路板，以解決先前技術(shù)的問題。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的：

電磁波遮蔽膜，包含一絕緣層，以及一電磁波遮蔽層設(shè)置于該絕緣層的一側(cè)。該電磁波遮蔽層包含一高分子基質(zhì)以及一電磁波遮蔽材料。該高分子基質(zhì)具有環(huán)氧基的結(jié)構(gòu)。該電磁波遮蔽材料具有多個多刺狀電磁波遮蔽微粒，分散于該高分子基質(zhì)中。

在本發(fā)明一實施例中，該多刺狀電磁波遮蔽微粒具有多個刺狀物，每一刺狀物的長度介于1微米和15微米之間，每一刺狀物的寬度介于0.1微米和5微米之間。

在本發(fā)明一實施例中，該多個多刺狀電磁波遮蔽微粒相互接觸以于該高分子基質(zhì)中形成一三維電磁波遮蔽網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明一實施例中，該多刺狀電磁波遮蔽微粒包含一多刺狀金屬粒子，以及一抗氧化層包覆于該多刺狀金屬粒子表面。

在本發(fā)明一實施例中，該多刺狀金屬粒子是選自于銅、鎳、鐵、鉛、鋅所組成的群組，形成該抗氧化層的材料是選自于銀、鉻、鎳、石墨烯、氧化銅、合金材料和阻氣性高分子材料所組成的群組。

在本發(fā)明一實施例中，該高分子基質(zhì)是由具有雙苯基、萘基或蒽基的環(huán)氧單體和帶酸基的橡膠所混合形成。

在本發(fā)明一實施例中，該帶酸基的橡膠和該具有雙苯基、萘基或蒽基的環(huán)氧單體的重量比介于0.1和0.5之間。

在本發(fā)明一實施例中，該電磁波遮蔽材料和該高分子基質(zhì)的重量比是介于0.5和2之間。

在本發(fā)明一實施例中，該高分子基質(zhì)的氯離子濃度是介于100 ppm和2000 ppm之間。

在本發(fā)明一實施例中，該高分子基質(zhì)的氯離子濃度是低于500 ppm。

在本發(fā)明一實施例中，該電磁波遮蔽膜另包含一離形膜連接于該絕緣層之另一側(cè)。

電磁波遮蔽功能的電路板，包含一基板，一金屬線路，一覆蓋膜，以及一種電磁波遮蔽膜。該金屬線路形成于該基板上。該覆蓋膜覆蓋于該金屬線路及該基板上；以及該電磁波遮蔽膜覆蓋于該覆蓋膜上。該電磁波遮蔽膜包含一絕緣層以及一電磁波遮蔽層。該電磁波遮蔽層具有一第一表面設(shè)置于該絕緣層的一側(cè)，以及一第二表面連接于該覆蓋膜。該電磁波遮蔽層包含一高分子樹脂基質(zhì)以及一電磁波遮蔽材料。該高分子樹脂基質(zhì)由具有環(huán)氧基的高分子樹脂所形成；以及該電磁波遮蔽材料具有多個多刺狀電磁波遮蔽微粒，分散于該高分子樹脂基質(zhì)中。

相較于先前技術(shù)，本發(fā)明電磁波遮蔽膜是由具有雙苯基、萘基或蒽基的環(huán)氧單體和帶酸基的橡膠所混合形成，改善了現(xiàn)有電磁波遮蔽膜耐熱性不足及保存期限過短的問題，且本發(fā)明電磁波遮蔽膜還使用多刺狀電磁波遮蔽微粒形成三維電磁波遮蔽網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)來增加電磁波遮蔽的效果。另外，本發(fā)明電磁波遮蔽膜于常溫不具黏性，不需要貼覆保護(hù)膜，進(jìn)而簡化電磁波遮蔽膜的結(jié)構(gòu)及增加電路板組裝效率。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有電磁波遮蔽膜的示意圖。

圖2為本發(fā)明電磁波遮蔽膜的示意圖。

圖3為本發(fā)明多刺狀電磁波遮蔽微粒的示意圖。

圖4為本發(fā)明多刺狀電磁波遮蔽微粒形成三維電磁波遮蔽網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖5為本發(fā)明高分子基質(zhì)中具有萘基的環(huán)氧單體的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6為本發(fā)明具電磁波遮蔽功能的電路板的一實施例的示意圖。

圖7為本發(fā)明具電磁波遮蔽功能的電路板的另一實施例的示意圖。

【主要組件符號說明】

100, 200, 440, 440a 電磁波遮蔽膜

110 保護(hù)膜

120 導(dǎo)電黏著層

210, 450, 450a 電磁波遮蔽層

122 金屬層

130, 220 絕緣層

140, 230 離形膜

212 電磁波遮蔽材料

214 高分子基質(zhì)

216 多刺狀電磁波遮蔽微粒

217 多刺狀金屬粒子

218 抗氧化層

219 刺狀物

240 三維電磁波遮蔽網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)

300 環(huán)氧單體

310 環(huán)氧基

320 萘基

400, 400a 電路板

410 基板

420, 420a 金屬線路

430, 430a 覆蓋膜

432a 開口

452 高分子樹脂基質(zhì)。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖及本發(fā)明的實施例對本發(fā)明的電磁波遮蔽膜及其電路板作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。

圖2為本發(fā)明電磁波遮蔽膜的示意圖。如圖2所示，本發(fā)明電磁波遮蔽膜200包含一絕緣層220以及一電磁波遮蔽層210。電磁波遮蔽層210設(shè)置于絕緣層220的一側(cè)。電磁波遮蔽膜200可另包含一離形膜230連接于絕緣層220之另一側(cè)。電磁波遮蔽層210包含一高分子基質(zhì)214以及一電磁波遮蔽材料212。電磁波遮蔽材料212具有多個多刺狀電磁波遮蔽微粒216，均勻分散于高分子基質(zhì)214中。

圖3為本發(fā)明多刺狀電磁波遮蔽微粒的示意圖。如圖3所示，本發(fā)明多刺狀電磁波遮蔽微粒216包含一多刺狀金屬粒子217以及一抗氧化層218?？寡趸瘜?18包覆于多刺狀金屬粒子217表面。多刺狀電磁波遮蔽微粒216具有多個刺狀物219，每一刺狀物219的長度介于1微米和15微米之間，且每一刺狀物219的寬度介于0.1微米和5微米之間。多刺狀金屬粒子217可以是選自于銅、鎳、鐵、鉛、鋅所組成的群組，而形成抗氧化層218的材料可以是選自于銀、鉻、鎳、石墨烯、氧化銅、合金材料和阻氣性高分子材料所組成的群組，但本發(fā)明不以此為限。其中，阻氣性高分子材料可選自于紫外線感光環(huán)氧壓克力樹脂，或紫外線感光聚氨酯壓克力樹脂(具有2~12個雙鍵)所組成的群組，但本發(fā)明不以此為限。多刺狀金屬粒子217也可由其他抗氧化能力較高的金屬所形成，例如金、銀、鎳。在本發(fā)明其他實施例中，當(dāng)多刺狀金屬粒子217由抗氧化能力較高的金屬所形成時，多刺狀電磁波遮蔽微粒216可不包含抗氧化層218。在本發(fā)明一實施例中，多刺狀金屬粒子217由銅所形成，抗氧化層218由銀鍍覆于多刺狀金屬粒子217上所形成，且銀在多刺狀電磁波遮蔽微粒216中的重量百分比是介于1%和12 %之間。

圖4為本發(fā)明多刺狀電磁波遮蔽微粒形成三維電磁波遮蔽網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖4所示，多個多刺狀電磁波遮蔽微粒216相互接觸以于高分子基質(zhì)214中形成一連續(xù)的三維電磁波遮蔽網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)240。其中，高分子基質(zhì)214填充于多刺狀電磁波遮蔽微粒216之間的空隙中。

依據(jù)上述配置，在電磁波遮蔽層210中，因多刺狀電磁波遮蔽微粒216相互接觸而形成連續(xù)的三維電磁波遮蔽網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)240，使多個多刺狀電磁波遮蔽微粒216整體電阻值降低，進(jìn)而讓電磁波遮蔽膜200的電磁波遮蔽效果提升。在本發(fā)明一實施例中，電磁波遮蔽層210是由1克環(huán)氧單體300、1.5克帶酸基的橡膠和4.5克電磁波遮蔽材料212混和所形成，其中，多刺狀電磁波遮蔽微粒216的銀和銅的重量比約為0.1。將上述成分涂布成厚度為15微米的電磁波遮蔽層時，形成的電磁波遮蔽膜的電磁波遮蔽效果為50 dB。相較于現(xiàn)有電磁波遮蔽膜的電磁波遮蔽效果約45 dB (電磁波遮蔽層厚度為15微米)，本發(fā)明電磁波遮蔽膜200的電磁波遮蔽效果較佳。

另外，當(dāng)本發(fā)明的電磁波遮蔽層厚度為10微米時，形成的電磁波遮蔽膜的電磁波遮蔽效果為40 dB。而本發(fā)明的電磁波遮蔽層厚度為20微米時，形成的電磁波遮蔽膜的電磁波遮蔽效果為60 dB。在相同厚度的電磁波遮蔽層情況下，本發(fā)明電磁波遮蔽膜的電磁波遮蔽效果較現(xiàn)有電磁波遮蔽膜的電磁波遮蔽效果為佳。

另一方面，本發(fā)明的高分子基質(zhì)214是由具有萘基的環(huán)氧單體和帶酸基的橡膠所混合形成。圖5為本發(fā)明高分子基質(zhì)中具有萘基的環(huán)氧單體的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示，環(huán)氧單體300具有四個環(huán)氧基310和兩個萘基320。其中，環(huán)氧基310可增加電磁波遮蔽膜200的耐熱性，也用來和帶酸基的橡膠經(jīng)過熱處理后進(jìn)行交聯(lián)反應(yīng)，而萘基320亦可增加電磁波遮蔽膜200的耐熱性。但本發(fā)明環(huán)氧單體300中的萘基亦可由雙苯基或蒽基取代。另外，帶酸基的橡膠可選用聚酯壓克力橡膠，重量平均分子量為5000~500000，主鏈具有10~36個碳，但本發(fā)明不以此為限。帶酸基的橡膠可增加高分子基質(zhì)214的柔軟度。另外，本發(fā)明高分子基質(zhì)214的氯離子濃度是介于100 ppm和2000 ppm之間，而氯離子濃度較佳為低于500 ppm，以使電磁波遮蔽膜200被金屬離子催化的反應(yīng)性降低，進(jìn)而延長電磁波遮蔽膜200的保存期限。另外，本發(fā)明高分子基質(zhì)214于常溫不具黏性，因此本發(fā)明電磁波遮蔽膜不需要貼覆保護(hù)膜以避免異物沾黏，本發(fā)明高分子基質(zhì)214只有在高溫時由具有雙苯基、萘基或蒽基的環(huán)氧單體和帶酸基的橡膠交聯(lián)后才會具有黏性。

在本發(fā)明一實施例中，本發(fā)明電磁波遮蔽膜200的絕緣層220和電磁波遮蔽層210是由上述環(huán)氧單體300及帶酸基的橡膠所混合形成，且經(jīng)過熱處理以進(jìn)行交聯(lián)反應(yīng)。而在一比較例中，比較例之電磁波遮蔽膜的絕緣層和電磁波遮蔽層是由聚氨酯樹脂所形成。經(jīng)由實際量測，本發(fā)明電磁波遮蔽膜的熱裂解溫度為360^°C，而比較例之電磁波遮蔽膜的熱裂解溫度為290^°C，因此，本發(fā)明電磁波遮蔽膜具有較佳的耐熱性。另外，本發(fā)明電磁波遮蔽膜經(jīng)180度的彎折測試可彎折至少16次，而比較例之電磁波遮蔽膜經(jīng)180度的彎折測試只能彎折約10次，因此，本發(fā)明電磁波遮蔽膜具有較佳的柔軟度。再者，本發(fā)明電磁波遮蔽膜在90°C下可保存20小時，而比較例之電磁波遮蔽膜在900C下可保存約15小時，因此，本發(fā)明電磁波遮蔽膜具有較長的保存期限。

依據(jù)上述配置，本發(fā)明具有雙苯基、萘基或蒽基的環(huán)氧單體可增加高分子基質(zhì)214的耐熱性，以改善現(xiàn)有電磁波遮蔽膜耐熱性不足的缺點。另外，本發(fā)明高分子基質(zhì)214的氯離子濃度較低，可以增加電磁波遮蔽膜200的穩(wěn)定性，改善現(xiàn)有電磁波遮蔽膜保存期限過短的問題。

在上述實施例中，電磁波遮蔽材料212和高分子基質(zhì)214的重量比是介于0.5和2之間，而帶酸基的橡膠和具有雙苯基、萘基或蒽基的環(huán)氧單體的重量比介于0.1和0.5之間，但本發(fā)明不以此為限。在本發(fā)明實施例中，電磁波遮蔽材料212和高分子基質(zhì)214的重量比較佳為2，而帶酸基的橡膠和具有雙苯基、萘基或蒽基的環(huán)氧單體的重量比較佳為0.5。

圖6為本發(fā)明具電磁波遮蔽功能的電路板的一實施例的示意圖。如圖6所示，本發(fā)明具電磁波遮蔽功能的電路板400包含一基板410，一金屬線路420，一覆蓋膜430，以及一電磁波遮蔽膜440。金屬線路420形成于基板410上，在本實施例中金屬線路420是用以傳輸電子訊號。覆蓋膜430覆蓋于金屬線路420及基板410上，而電磁波遮蔽膜440是圖2的電磁波遮蔽膜200覆蓋于覆蓋膜430上后撕掉離形膜230，再經(jīng)過熱壓處理所形成。電磁波遮蔽膜440包含一絕緣層220以及一電磁波遮蔽層450。電磁波遮蔽層450的上表面設(shè)置于絕緣層220的一側(cè)，電磁波遮蔽層450的下表面連接于覆蓋膜430。當(dāng)經(jīng)過熱壓處理后，電磁波遮蔽層450中具有雙苯基、萘基或蒽基的環(huán)氧單體和帶酸基的橡膠會交聯(lián)形成高分子樹脂基質(zhì)452，并使電磁波遮蔽層450黏貼固定于覆蓋膜430上。高分子樹脂基質(zhì)452中會存在有環(huán)氧基，換句話說，高分子樹脂基質(zhì)452是由具有環(huán)氧基的高分子樹脂所形成。

依據(jù)上述配置，本發(fā)明電路板的電磁波遮蔽膜440具有較佳的耐熱性及較長的保存期限，且電磁波遮蔽層450中的多個多刺狀電磁波遮蔽微粒216可以相互接觸以形成連續(xù)的三維電磁波遮蔽網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，進(jìn)而提升電路板的電磁波遮蔽效果。

圖7為本發(fā)明具電磁波遮蔽功能的電路板的另一實施例的示意圖。如圖7所示，本發(fā)明具電磁波遮蔽功能的電路板400a包含一基板410，一金屬線路420a，一覆蓋膜430a，以及一電磁波遮蔽膜440a。金屬線路420a形成于基板410上，在本實施例中金屬線路420a是電連接至接地端。覆蓋膜430a覆蓋于金屬線路420a及基板410上，且覆蓋膜430a上形成有一開口432a。而電磁波遮蔽膜440a是第2圖的電磁波遮蔽膜200覆蓋于覆蓋膜430a上后撕掉離形膜230，再經(jīng)過熱壓處理所形成。電磁波遮蔽膜440a包含一絕緣層220以及一電磁波遮蔽層450a。電磁波遮蔽層450a的上表面設(shè)置于絕緣層220的一側(cè)，電磁波遮蔽層450a的下表面連接于覆蓋膜430a。當(dāng)經(jīng)過熱壓處理后，電磁波遮蔽層450a中具有雙苯基、萘基或蒽基的環(huán)氧單體和帶酸基的橡膠會交聯(lián)形成高分子樹脂基質(zhì)452，并使電磁波遮蔽層450a黏貼固定于覆蓋膜430a上，且部分電磁波遮蔽層450a的材料會填入開口432a中以和金屬線路420a接觸。

依據(jù)上述配置，由于金屬線路420a是電連接至接地端，且電磁波遮蔽層450a中的多個多刺狀電磁波遮蔽微粒216會和金屬線路420a接觸，因此電磁波遮蔽層450a在提供電磁波遮蔽功能時所吸收之能量可以被導(dǎo)引至接地端，進(jìn)而提升電路板的電磁波遮蔽效果。

另外，在本發(fā)明實施例中，電磁波遮蔽層只會和連接至接地端的金屬線路接觸，而不會和用以傳輸電子訊號的金屬線路接觸，以避免傳輸電子訊號的金屬線路被短路。

相較于先前技術(shù)，本發(fā)明電磁波遮蔽膜是由具有雙苯基、萘基或蒽基的環(huán)氧單體和帶酸基的橡膠所混合形成，改善了現(xiàn)有電磁波遮蔽膜耐熱性不足及保存期限過短的問題，且本發(fā)明電磁波遮蔽膜還使用多刺狀電磁波遮蔽微粒形成三維電磁波遮蔽網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)來增加電磁波遮蔽的效果。另外，本發(fā)明電磁波遮蔽膜于常溫不具黏性，不需要貼覆保護(hù)膜，進(jìn)而簡化電磁波遮蔽膜的結(jié)構(gòu)及增加電路板組裝效率。

以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。