技術(shù)特征：
1.一種可變移相器，包括：傳輸線，響應(yīng)于特定頻率的輸入信號(hào)而從一對(duì)輸出端口輸出正交信號(hào)；合成器，包括與所述一對(duì)輸出端口的第一端口連接的第一晶體管和與所述一對(duì)輸出端口的第二端口連接的第二晶體管，使得所述第一晶體管和所述第二晶體管的寄生電容變成所述傳輸線的負(fù)載阻抗，并且當(dāng)所述輸入信號(hào)被輸入到所述傳輸線時(shí)，所述合成器將具有根據(jù)它們各自負(fù)載阻抗的相位差的從所述傳輸線的一對(duì)輸出端口輸出的信號(hào)輸入至所述第一晶體管和所述第二晶體管，并將被所述第一晶體管和所述第二晶體管放大并輸出的信號(hào)合成；以及相位控制器，通過(guò)控制所述合成器的所述第一晶體管和所述第二晶體管中每一個(gè)的放大操作來(lái)控制由所述合成器合成并輸出的輸出信號(hào)的相位。2.如權(quán)利要求1所述的可變移相器，其中，所述相位控制器基于所述輸出信號(hào)的目標(biāo)相位來(lái)控制分別施加至與所述一對(duì)輸出端口連接的所述第一晶體管和所述第二晶體管中每一個(gè)的柵極的偏壓。3.如權(quán)利要求2所述的可變移相器，其中，所述相位控制器包括：電源部，輸出以階梯形式設(shè)定的電壓；以及電壓控制器，控制所述電源部，以從所述以階梯形式設(shè)定的電壓之中輸出基于所述目標(biāo)相位而設(shè)定的電壓作為偏壓。4.如權(quán)利要求3所述的可變移相器，其中，當(dāng)從所述以階梯形式設(shè)定的電壓中由所述電源部輸出第一電壓與第二電壓之間的第三電壓作為所述偏壓時(shí)，所述相位控制器基于所述第一電壓、第二電壓和第三電壓來(lái)控制所述第一電壓的輸出時(shí)間和所述第二電壓的輸出時(shí)間。5.如權(quán)利要求2至4中任一權(quán)利要求所述的可變移相器，還包括：靜電電容元件，具有特定的靜電電容，與所述一對(duì)輸出端口的第一端口或第二端口連接，以配置所述負(fù)載阻抗；以及開關(guān)部件，通過(guò)將所述靜電電容元件與所述靜電電容元件所連接的輸出端口斷開連接及相連而切換所述負(fù)載阻抗，其中，所述相位控制器基于所述目標(biāo)相位采用所述開關(guān)部件來(lái)進(jìn)行控制以切換所述負(fù)載阻抗。6.如權(quán)利要求5所述的可變移相器，其中，所述開關(guān)部件是第三晶體管，所述靜電電容元件的靜電電容是所述第三晶體管的寄生電容。7.如權(quán)利要求2至4中任一權(quán)利要求所述的可變移相器，還包括：第三晶體管，與所述一對(duì)輸出端口的第一端口或第二端口連接，并且所述第三晶體管的寄生電容通過(guò)所述第三晶體管的開啟操作而被添加為所述負(fù)載阻抗，其中，所述相位控制器基于所述目標(biāo)相位來(lái)控制所述第三晶體管的切換操作。8.一種半導(dǎo)體集成電路，包括：可變移相器，包括：合成器，針對(duì)響應(yīng)于特定頻率的輸入信號(hào)而從一對(duì)輸出端口輸出正交信號(hào)的傳輸線，包括與所述一對(duì)輸出端口的第一端口連接的第一晶體管和與所述一對(duì)輸出端口的第二端口連接的第二晶體管，使得所述第一晶體管和所述第二晶體管的寄生電容變成所述傳輸線的負(fù)載阻抗，并且當(dāng)所述輸入信號(hào)被輸入到所述傳輸線時(shí)，所述合成器將具有根據(jù)它們各自負(fù)載阻抗的相位差的從所述傳輸線的一對(duì)輸出端口輸出的信號(hào)輸入至所述第一晶體管和所述第二晶體管，并將被所述第一晶體管和所述第二晶體管放大并輸出的信號(hào)合成；以及相位控制器，通過(guò)控制所述合成器的所述第一晶體管和所述第二晶體管中每一個(gè)的放大操作來(lái)控制由所述合成器合成并輸出的輸出信號(hào)的相位。9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體集成電路，還包括所述傳輸線。10.如權(quán)利要求8或9所述的半導(dǎo)體集成電路，其中，所述相位控制器包括：電源部，輸出以階梯形式設(shè)定的電壓；以及電壓控制器，控制所述電源部，以從所述以階梯形式設(shè)定的電壓之中將針對(duì)所述輸出信號(hào)的目標(biāo)相位而設(shè)定的電壓作為各偏壓輸出至所述第一晶體管和所述第二晶體管。11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體集成電路，還包括：靜電電容元件，具有特定的靜電電容，與所述一對(duì)輸出端口的第一端口或第二端口連接，以配置所述負(fù)載阻抗；以及開關(guān)部件，通過(guò)將所述靜電電容元件與所述靜電電容元件所連接的輸出端口斷開連接及相連而切換所述負(fù)載阻抗，其中，所述相位控制器基于所述目標(biāo)相位采用所述開關(guān)部件來(lái)進(jìn)行控制以切換所述負(fù)載阻抗。12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體集成電路，其中，所述開關(guān)部件是第三晶體管，所述靜電電容元件的靜電電容是所述第三晶體管的寄生電容。13.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體集成電路，還包括：第三晶體管，與所述一對(duì)輸出端口的第一端口或第二端口連接，并且所述第三晶體管的寄生電容通過(guò)所述第三晶體管的開啟操作而被添加為所述負(fù)載阻抗，其中，所述相位控制器基于所述目標(biāo)相位來(lái)控制所述第三晶體管的切換操作。14.一種移相方法，包括：對(duì)于響應(yīng)于特定頻率的輸入信號(hào)而從一對(duì)輸出端口輸出正交信號(hào)的傳輸線，將第一晶體管與所述一對(duì)輸出端口的第一端口連接，并將第二晶體管(Mb)與所述一對(duì)輸出端口的第二端口連接，使得所述第一晶體管和所述第二晶體管的寄生電容變成所述傳輸線的負(fù)載阻抗；當(dāng)所述輸入信號(hào)被輸入到所述傳輸線時(shí)，將具有根據(jù)它們各自負(fù)載阻抗的相位差的從所述傳輸線的一對(duì)輸出端口輸出的信號(hào)輸入至所述第一晶體管和所述第二晶體管，并將被所述第一晶體管和所述第二晶體管放大并輸出的信號(hào)合成；以及通過(guò)控制所述第一晶體管和所述第二晶體管中每一個(gè)的放大操作來(lái)控制合成后的輸出信號(hào)的相位。15.如權(quán)利要求14所述的移相方法，其中，通過(guò)控制施加至與一對(duì)所述端口連接的所述第一晶體管和所述第二晶體管的柵極的各偏壓來(lái)控制所述輸出信號(hào)的相位和振幅。16.如權(quán)利要求14或15所述的移相方法，還包括：將具有特定靜電電容的靜電電容元件與所述一對(duì)輸出端口的第一端口或第二端口連接；連接開關(guān)部件，以將所述靜電電容元件與所述靜電電容元件所連接的輸出端口斷開連接及相連；以及基于目標(biāo)相位采用所述開關(guān)部件來(lái)切換所述負(fù)載阻抗。17.如權(quán)利要求16所述的移相方法，其中，第三晶體管被用作所述開關(guān)部件，使得寄生電容配置所述靜電電容元件的靜電電容。18.如權(quán)利要求14或15所述的移相方法，還包括：將第三晶體管與所述一對(duì)輸出端口的第一端口或第二端口連接，使得寄生電容通過(guò)所述第三晶體管的開啟操作而被添加為所述負(fù)載阻抗；以及基于所述輸出信號(hào)的目標(biāo)相位來(lái)控制所述第三晶體管的切換操作。